JPH11265617A - 架橋性電気絶縁用樹脂組成物及び電気絶縁物並びに電線・ケーブル - Google Patents
架橋性電気絶縁用樹脂組成物及び電気絶縁物並びに電線・ケーブルInfo
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- JPH11265617A JPH11265617A JP6794598A JP6794598A JPH11265617A JP H11265617 A JPH11265617 A JP H11265617A JP 6794598 A JP6794598 A JP 6794598A JP 6794598 A JP6794598 A JP 6794598A JP H11265617 A JPH11265617 A JP H11265617A
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- linear polyethylene
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Abstract
(57)【要約】
【課題】押出成形性に優れ、加熱変形率と伸び、耐水ト
リー性、特に耐ボウタイトリー特性を大幅に改善できる
シラングラフト・水架橋法により架橋できる電気絶縁用
樹脂組成物及び当該樹脂組成物からなる電気絶縁物及び
電線・ケーブルの提供。 【解決手段】クロム系触媒により重合され、密度が０．
９１５〜０．９５０ｇ／cm3 で融点が１１５〜１３０℃
の直鎖状ポリエチレンと、一般式 ＲＲ′ＳｉＹ2 （式中Ｒはオレフィン性不飽和炭化水素基あるいはハイ
ドロカーボンオキシ基であり、Ｙは加水分解可能な有機
基であり、Ｒ′は前記Ｒ基かＹ基である）で表されるシ
ランとを、遊離ラジカルを生じさせる化合物の存在下で
反応させて得られるシラン変性直鎖状ポリエチレンから
なる架橋性電気絶縁用樹脂組成物。
リー性、特に耐ボウタイトリー特性を大幅に改善できる
シラングラフト・水架橋法により架橋できる電気絶縁用
樹脂組成物及び当該樹脂組成物からなる電気絶縁物及び
電線・ケーブルの提供。 【解決手段】クロム系触媒により重合され、密度が０．
９１５〜０．９５０ｇ／cm3 で融点が１１５〜１３０℃
の直鎖状ポリエチレンと、一般式 ＲＲ′ＳｉＹ2 （式中Ｒはオレフィン性不飽和炭化水素基あるいはハイ
ドロカーボンオキシ基であり、Ｙは加水分解可能な有機
基であり、Ｒ′は前記Ｒ基かＹ基である）で表されるシ
ランとを、遊離ラジカルを生じさせる化合物の存在下で
反応させて得られるシラン変性直鎖状ポリエチレンから
なる架橋性電気絶縁用樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水分と接触させる
ことにより架橋させることができる架橋性電気絶縁用樹
脂組成物及びこの組成物からなる電気絶縁物並びに電線
・ケーブルに関するものである。
ことにより架橋させることができる架橋性電気絶縁用樹
脂組成物及びこの組成物からなる電気絶縁物並びに電線
・ケーブルに関するものである。
【０００２】
【従来技術】ポリオレフィン系樹脂にビニルアルコキシ
シラン等のシランを添加し、遊離ラジカルを生じさせる
化合物（以下「遊離ラジカル発生剤」とう）の存在下で
反応させて得られたシラングラフトポリオレフィンを、
シラノール縮合触媒の存在下で水分と接触させることに
より架橋させる、いわゆるシラングラフト・水架橋法
は、有機過酸化物を用いて架橋を行う化学架橋方式より
も低コストで架橋ポリエチレン材料を提供できるため、
電線・ケーブルの絶縁層やシース並びに電線・ケーブル
の付属品等の架橋方法として広く用いられている。
シラン等のシランを添加し、遊離ラジカルを生じさせる
化合物（以下「遊離ラジカル発生剤」とう）の存在下で
反応させて得られたシラングラフトポリオレフィンを、
シラノール縮合触媒の存在下で水分と接触させることに
より架橋させる、いわゆるシラングラフト・水架橋法
は、有機過酸化物を用いて架橋を行う化学架橋方式より
も低コストで架橋ポリエチレン材料を提供できるため、
電線・ケーブルの絶縁層やシース並びに電線・ケーブル
の付属品等の架橋方法として広く用いられている。
【０００３】この方法は、より具体的には、高温の成形
加工機（例えば押出機）中で、少量の有機過酸化物を遊
離ラジカル発生剤として用い、ポリオレフィン系樹脂に
ビニルアルコキシシラン等のシランをグラフト共重合さ
せてから押出して成形体とし、その後、高温高湿度雰囲
気（または温水中）に成形体をさらすことにより水分と
接触させ、成形体中に混合された又は成形体表面から浸
透させたジブチル錫ジラウレート等のシラノール縮合触
媒の作用により、ポリオレフィン系樹脂にグラフトした
シランの加水分解および縮合を起こさせて架橋するもの
である。
加工機（例えば押出機）中で、少量の有機過酸化物を遊
離ラジカル発生剤として用い、ポリオレフィン系樹脂に
ビニルアルコキシシラン等のシランをグラフト共重合さ
せてから押出して成形体とし、その後、高温高湿度雰囲
気（または温水中）に成形体をさらすことにより水分と
接触させ、成形体中に混合された又は成形体表面から浸
透させたジブチル錫ジラウレート等のシラノール縮合触
媒の作用により、ポリオレフィン系樹脂にグラフトした
シランの加水分解および縮合を起こさせて架橋するもの
である。
【０００４】しかしながら、このシラングラフト・水架
橋法には、加熱変形率等の高温特性を高める目的で架橋
度を高く設定すると、化学架橋法に比べて伸びが著しく
低下するという問題がある。
橋法には、加熱変形率等の高温特性を高める目的で架橋
度を高く設定すると、化学架橋法に比べて伸びが著しく
低下するという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この問題を解決するた
め、加熱変形特性に優れた融点の高い直鎖状ポリエチレ
ンを使い、架橋度を低く設定して伸びを大きくするとい
う手法があるが、チーグラー触媒により重合された直鎖
状ポリエチレンのように分子量分布の狭いポリエチレン
を用いた場合、高速（高せん断速度領域）で押出成形す
ると、メルトフラクチャが発生し外観が悪化するという
問題が生じる。
め、加熱変形特性に優れた融点の高い直鎖状ポリエチレ
ンを使い、架橋度を低く設定して伸びを大きくするとい
う手法があるが、チーグラー触媒により重合された直鎖
状ポリエチレンのように分子量分布の狭いポリエチレン
を用いた場合、高速（高せん断速度領域）で押出成形す
ると、メルトフラクチャが発生し外観が悪化するという
問題が生じる。
【０００６】また、銅導体、銅テープと直接触れるもの
には、銅イオンによる促進熱劣化、いわゆる金属害を防
ぐため、サリチル酸誘導体やヒドラジド誘導体に代表さ
れる金属害防止剤を配合するのが一般的であるが、融点
が２００℃以上と高く、ポリエチレン中で溶融分散させ
にくい。また、溶媒にも溶解させにくいため、ビニルア
ルコキシシランに溶解してポリエチレンに供給すること
が困難である。そのため、ポリエチレン中での分散性が
悪く、絶縁体中で異物となり、耐水トリー特性、特に耐
ボウタイトリー特性を悪くする可能性がある。
には、銅イオンによる促進熱劣化、いわゆる金属害を防
ぐため、サリチル酸誘導体やヒドラジド誘導体に代表さ
れる金属害防止剤を配合するのが一般的であるが、融点
が２００℃以上と高く、ポリエチレン中で溶融分散させ
にくい。また、溶媒にも溶解させにくいため、ビニルア
ルコキシシランに溶解してポリエチレンに供給すること
が困難である。そのため、ポリエチレン中での分散性が
悪く、絶縁体中で異物となり、耐水トリー特性、特に耐
ボウタイトリー特性を悪くする可能性がある。
【０００７】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、押出成形性に優れ、加熱変形率と伸び、耐水
トリー性、特に耐ボウタイトリー特性を大幅に改善でき
るシラングラフト・水架橋法により架橋できる電気絶縁
用樹脂組成物及び当該樹脂組成物からなる電気絶縁物及
び電線・ケーブルの提供を目的とするものである。
たもので、押出成形性に優れ、加熱変形率と伸び、耐水
トリー性、特に耐ボウタイトリー特性を大幅に改善でき
るシラングラフト・水架橋法により架橋できる電気絶縁
用樹脂組成物及び当該樹脂組成物からなる電気絶縁物及
び電線・ケーブルの提供を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、クロム系触媒により重合され、密度が
０．９１５〜０．９５０ｇ／cm3 で融点が１１５〜１３
０℃の直鎖状ポリエチレンと、一般式 ＲＲ′ＳｉＹ2 （式中Ｒはオレフィン性不飽和炭化水素基あるいはハイ
ドロカーボンオキシ基であり、Ｙは加水分解可能な有機
基であり、Ｒ′は前記Ｒ基かＹ基である）で表されるシ
ランとを、遊離ラジカルを生じさせる化合物の存在下で
反応させて得られるシラン変性直鎖状ポリエチレンから
なる架橋性電気絶縁用樹脂組成物を提供するものであ
る。
成するために、クロム系触媒により重合され、密度が
０．９１５〜０．９５０ｇ／cm3 で融点が１１５〜１３
０℃の直鎖状ポリエチレンと、一般式 ＲＲ′ＳｉＹ2 （式中Ｒはオレフィン性不飽和炭化水素基あるいはハイ
ドロカーボンオキシ基であり、Ｙは加水分解可能な有機
基であり、Ｒ′は前記Ｒ基かＹ基である）で表されるシ
ランとを、遊離ラジカルを生じさせる化合物の存在下で
反応させて得られるシラン変性直鎖状ポリエチレンから
なる架橋性電気絶縁用樹脂組成物を提供するものであ
る。
【０００９】また、本発明は上記目的を達成するため、
前記架橋性電気絶縁用樹脂組成物からなる成形体をシラ
ノール縮合触媒の存在下で水分と接触させることにより
架橋度が４０％以上になるように架橋されている電気絶
縁物を提供するものである。
前記架橋性電気絶縁用樹脂組成物からなる成形体をシラ
ノール縮合触媒の存在下で水分と接触させることにより
架橋度が４０％以上になるように架橋されている電気絶
縁物を提供するものである。
【００１０】更に、本発明は前記目的を達成するため
に、導体または導体遮蔽層上に前記架橋性電気絶縁用樹
脂組成物からなる絶縁層を有し、当該絶縁層がシラノー
ル縮合触媒の存在下で水分と接触させることにより架橋
度が４０％以上になるように架橋されている電線・ケー
ブルを提供するものである。
に、導体または導体遮蔽層上に前記架橋性電気絶縁用樹
脂組成物からなる絶縁層を有し、当該絶縁層がシラノー
ル縮合触媒の存在下で水分と接触させることにより架橋
度が４０％以上になるように架橋されている電線・ケー
ブルを提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明者は、種々のポリエチレン
について鋭意検討した結果、樹脂組成物の主成分として
クロム系触媒により重合され、密度が０．９１５〜０．
９５０ｇ／cm 3 で融点が１１５〜１３０℃の直鎖状ポリ
エチレンを使用することにより、押出成形性に優れ、低
い加熱変形率と高い伸びを有する架橋成形体を実現でき
ることを見出し、本発明に至ったものである。このよう
に押出成形性に優れるのは、クロム系触媒により重合さ
れた直鎖状ポリエチレンは、分子量分布の指標である重
量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比Ｍｗ
／Ｍｎが１０〜１５と大きく設定することができるため
である。
について鋭意検討した結果、樹脂組成物の主成分として
クロム系触媒により重合され、密度が０．９１５〜０．
９５０ｇ／cm 3 で融点が１１５〜１３０℃の直鎖状ポリ
エチレンを使用することにより、押出成形性に優れ、低
い加熱変形率と高い伸びを有する架橋成形体を実現でき
ることを見出し、本発明に至ったものである。このよう
に押出成形性に優れるのは、クロム系触媒により重合さ
れた直鎖状ポリエチレンは、分子量分布の指標である重
量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比Ｍｗ
／Ｍｎが１０〜１５と大きく設定することができるため
である。
【００１２】本発明において、直鎖状ポリエチレンの密
度を０．９１５〜０．９５０ｇ／cm3 としたのは、規定
値未満では、結晶化度が下がるため加熱変形率が大きく
なり、規定値を越えると、可撓性、及び押出性が悪化す
るためである。また、直鎖状ポリエチレンの融点を１１
５〜１３０℃としたのも、同様に、規定値未満では、加
熱変形率が大きくなり、規定値を越えると、押出性が悪
化するためである。
度を０．９１５〜０．９５０ｇ／cm3 としたのは、規定
値未満では、結晶化度が下がるため加熱変形率が大きく
なり、規定値を越えると、可撓性、及び押出性が悪化す
るためである。また、直鎖状ポリエチレンの融点を１１
５〜１３０℃としたのも、同様に、規定値未満では、加
熱変形率が大きくなり、規定値を越えると、押出性が悪
化するためである。
【００１３】本発明においては、直鎖状ポリエチレンと
してグラニュール（顆粒状）形状のものを用いると、シ
ランの吸収性が向上し且つシランが均一に吸収されるた
め、架橋度の向上及び伸びの向上をはかることができる
という顕著な効果が発揮される。なお、グラニュール形
状というのは、押出機により造粒を行っていないもの
で、反応器中で重合されたままの形状のものをいい、粒
径は略３mm程度以下である。
してグラニュール（顆粒状）形状のものを用いると、シ
ランの吸収性が向上し且つシランが均一に吸収されるた
め、架橋度の向上及び伸びの向上をはかることができる
という顕著な効果が発揮される。なお、グラニュール形
状というのは、押出機により造粒を行っていないもの
で、反応器中で重合されたままの形状のものをいい、粒
径は略３mm程度以下である。
【００１４】本発明において用いられる一般式、 ＲＲ′ＳｉＹ2 で表されるシランにおいて、Ｒはオレフィン性不飽和炭
化水素基あるいはハイドロカーボンオキシ基であり、ビ
ニル基、アルリル基、ブテニル基、ジクロヘキセニル
基、シクロペンタジエニル基等をあげることができ、中
でもビニル基が好適である。Ｙは加水分解可能な有機基
であり、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基のような
アルコキシ基、ホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロ
ピオノキシ基のようなアシロキシ基、その他オキシム
基、アルキノアミノ基、アリールアミノ基等をあげるこ
とができ中でもアルコキシ基が好適である。Ｒ′は前記
Ｒ基かＹ基である。最も好適なシランは、ビニルアルコ
キシシランであり、具体的には、ビニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキ
シシラン、ビニルジメトキシメチルシラン、ビニルジエ
トキシメチルシラン、ビニルメトキシジメチルシラン、
ビニルエトキシジメチルシランなどがあげられ、これら
は単独、もしくは２種類以上組合わせて使用しても差し
支えない。シランの添加量は特に規定されないが、直鎖
状ポリエチレン１００重量部に対し０．１〜１０重量部
の範囲が好ましい。
化水素基あるいはハイドロカーボンオキシ基であり、ビ
ニル基、アルリル基、ブテニル基、ジクロヘキセニル
基、シクロペンタジエニル基等をあげることができ、中
でもビニル基が好適である。Ｙは加水分解可能な有機基
であり、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基のような
アルコキシ基、ホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロ
ピオノキシ基のようなアシロキシ基、その他オキシム
基、アルキノアミノ基、アリールアミノ基等をあげるこ
とができ中でもアルコキシ基が好適である。Ｒ′は前記
Ｒ基かＹ基である。最も好適なシランは、ビニルアルコ
キシシランであり、具体的には、ビニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキ
シシラン、ビニルジメトキシメチルシラン、ビニルジエ
トキシメチルシラン、ビニルメトキシジメチルシラン、
ビニルエトキシジメチルシランなどがあげられ、これら
は単独、もしくは２種類以上組合わせて使用しても差し
支えない。シランの添加量は特に規定されないが、直鎖
状ポリエチレン１００重量部に対し０．１〜１０重量部
の範囲が好ましい。
【００１５】直鎖状ポリエチレンにシランをグラフトす
る際に用いられる遊離ラジカル発生剤としては、ジクミ
ルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、
α, α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロ
ピル）ベンゼン、ブチルクミルパーオキサイド、イソプ
ロピルクミル−ｔ−ブチルパーオキサイドなどがあげら
れ、これらは単独もしくは２種類以上組み合わせて使用
しできる。ラジカル発生剤の添加量は、直鎖状ポリエチ
レン１００重量部に対して０．０５〜０．１５重量部が
望ましく、０．０５重量部未満では架橋度が不十分とな
る傾向にあり、０．１５重量部越えると絶縁体内にラジ
カル開始剤の分解生成物に起因するボイドが発生しやす
くなる。
る際に用いられる遊離ラジカル発生剤としては、ジクミ
ルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、
α, α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロ
ピル）ベンゼン、ブチルクミルパーオキサイド、イソプ
ロピルクミル−ｔ−ブチルパーオキサイドなどがあげら
れ、これらは単独もしくは２種類以上組み合わせて使用
しできる。ラジカル発生剤の添加量は、直鎖状ポリエチ
レン１００重量部に対して０．０５〜０．１５重量部が
望ましく、０．０５重量部未満では架橋度が不十分とな
る傾向にあり、０．１５重量部越えると絶縁体内にラジ
カル開始剤の分解生成物に起因するボイドが発生しやす
くなる。
【００１６】本発明においては、更に、酸化防止剤とし
て、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］、ペンタエリスリチル−テトラキス［３−（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート］、オクタデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，４−
ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−
３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリ
アジンから選ばれる１種類または２種類以上とジラウリ
ルチオプロピオネートをそれぞれ、０．０５〜０．５重
量部添加ずつ添加することにより、耐熱老化特性、特
に、金属害を防止できる。これらは、単独で使用しても
効果は小さく、併用することによって著しい相乗効果が
発揮される。これらの酸化防止剤は、予めポリエチレン
に高濃度に練り込んだマスターバッチの形やポリエチレ
ンにドライブレンドした形で供給することはもちろん、
シランに溶解して押出機内のポリエチレンに注入するこ
とも可能である。酸化防止剤各々の添加量は０．０５〜
０．５重量部とするのが好ましく、０．０５重量部未満
では、酸化防止、金属害防止の効果が少なく、また、
０．５重量部を越えるとポリエチレンの表面に析出する
いわゆるブルーム現象が生じる可能性がある。
て、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］、ペンタエリスリチル−テトラキス［３−（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート］、オクタデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，４−
ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−
３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリ
アジンから選ばれる１種類または２種類以上とジラウリ
ルチオプロピオネートをそれぞれ、０．０５〜０．５重
量部添加ずつ添加することにより、耐熱老化特性、特
に、金属害を防止できる。これらは、単独で使用しても
効果は小さく、併用することによって著しい相乗効果が
発揮される。これらの酸化防止剤は、予めポリエチレン
に高濃度に練り込んだマスターバッチの形やポリエチレ
ンにドライブレンドした形で供給することはもちろん、
シランに溶解して押出機内のポリエチレンに注入するこ
とも可能である。酸化防止剤各々の添加量は０．０５〜
０．５重量部とするのが好ましく、０．０５重量部未満
では、酸化防止、金属害防止の効果が少なく、また、
０．５重量部を越えるとポリエチレンの表面に析出する
いわゆるブルーム現象が生じる可能性がある。
【００１７】本発明においては、架橋を促進するために
シラノール縮合触媒を直鎖状ポリエチレン中に添加、あ
るいは、成形物表面から直鎖状ポリエチレン中に浸透さ
せる。このようなシラノール縮合触媒は、一般に、錫、
亜鉛、鉄、鉛、コバルト等の金属のカルボン酸塩、有機
塩基、無機酸、有機酸などである。具体的にはジブチル
錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫
ジオクタエート、酢酸第一錫、カブリル酸第一錫、ナフ
テン酸鉛、カブリル酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、エチ
ルアミン、ジブチルアミン、ヘキシルアミン、ピリジ
ン、硫酸、塩酸などの無機酸、トルエンスルホン酸、酢
酸、ステアリン酸、マレイン酸などの有機酸が挙げられ
る。これらは、特に規定しないが直鎖状ポリエチレン１
００重量部に対して、０．０１〜０．１重量部添加して
用いられる。
シラノール縮合触媒を直鎖状ポリエチレン中に添加、あ
るいは、成形物表面から直鎖状ポリエチレン中に浸透さ
せる。このようなシラノール縮合触媒は、一般に、錫、
亜鉛、鉄、鉛、コバルト等の金属のカルボン酸塩、有機
塩基、無機酸、有機酸などである。具体的にはジブチル
錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫
ジオクタエート、酢酸第一錫、カブリル酸第一錫、ナフ
テン酸鉛、カブリル酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、エチ
ルアミン、ジブチルアミン、ヘキシルアミン、ピリジ
ン、硫酸、塩酸などの無機酸、トルエンスルホン酸、酢
酸、ステアリン酸、マレイン酸などの有機酸が挙げられ
る。これらは、特に規定しないが直鎖状ポリエチレン１
００重量部に対して、０．０１〜０．１重量部添加して
用いられる。
【００１８】シラノール縮合触媒を含有する成形体の製
造方法としては、次のような２つの方法を挙げることが
できる。一つは、シラノール縮合触媒を高濃度に含む直
鎖状ポリエチレンのマスターバッチを作製し、予め作製
したシラングラフト直鎖状ポリエチレンと一緒に押出機
に供給して成形する２ショット法またはサイオプラス法
といわれる方法である。他の方法は、シラノール縮合触
媒、ラジカル発生剤を含む配合剤を押出機内の直鎖状ポ
リエチレンに供給し、ビニルアルコキシシランの直鎖状
ポリエチレンへのグラフト反応と成形を１つの押出機で
同時に行う１ショット法またはモノシル法と呼ばれる方
法である。本発明は、上記のいずれの方法をも採用可能
である。
造方法としては、次のような２つの方法を挙げることが
できる。一つは、シラノール縮合触媒を高濃度に含む直
鎖状ポリエチレンのマスターバッチを作製し、予め作製
したシラングラフト直鎖状ポリエチレンと一緒に押出機
に供給して成形する２ショット法またはサイオプラス法
といわれる方法である。他の方法は、シラノール縮合触
媒、ラジカル発生剤を含む配合剤を押出機内の直鎖状ポ
リエチレンに供給し、ビニルアルコキシシランの直鎖状
ポリエチレンへのグラフト反応と成形を１つの押出機で
同時に行う１ショット法またはモノシル法と呼ばれる方
法である。本発明は、上記のいずれの方法をも採用可能
である。
【００１９】直鎖状ポリエチレンを主体とする電気絶縁
物の架橋度を４０％以上としたのは、高温での加熱変形
率を小さくするためであり、この値未満では変形が大き
くなる。
物の架橋度を４０％以上としたのは、高温での加熱変形
率を小さくするためであり、この値未満では変形が大き
くなる。
【００２０】本発明においては、上記化合物の他に、耐
候性を付与するためにカーボンブラックの添加や、滑
剤、着色剤等の添加剤を加えることは一向に差し支えな
い。さらに、直鎖状ポリエチレンにエチレン−酢酸エチ
ル共重合体やエチレン−エチルアクリレート共重合体等
のエチレン系ポリマを少量ブレンドすることもできる。
候性を付与するためにカーボンブラックの添加や、滑
剤、着色剤等の添加剤を加えることは一向に差し支えな
い。さらに、直鎖状ポリエチレンにエチレン−酢酸エチ
ル共重合体やエチレン−エチルアクリレート共重合体等
のエチレン系ポリマを少量ブレンドすることもできる。
【００２１】本発明の電線・ケーブルにおいては、導体
として、水の走水を防止するため、水密コンパウンドを
充填した水密導体を使用することも可能である。さら
に、本架橋ポリエチレン絶縁層の上に半導電性樹脂組成
物からなる絶縁体遮蔽層を設けることもできる。
として、水の走水を防止するため、水密コンパウンドを
充填した水密導体を使用することも可能である。さら
に、本架橋ポリエチレン絶縁層の上に半導電性樹脂組成
物からなる絶縁体遮蔽層を設けることもできる。
【００２２】
【実施例】＜実施例１＞クロム触媒により重合され、密
度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ／Ｍｎが１４で
グラニュール形状の直鎖状ポリエチレン（直鎖状ポリエ
チレン（Ｉ））１００重量部に対して、酸化防止剤とし
ての２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］（酸化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリ
メトキシシランを１．５重量部、遊離ラジカル発生剤と
してのジクミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤
（Ｉ））を０．１５重量部、ジブチル錫ジラウレートを
０．０５重量部の割合で２００℃に設定した１３０mm押
出機に投入した。なお、酸化防止剤、遊離ラジカル発生
剤及びジブチル錫ジラウレートはビニルトリメトキシシ
ランに溶解させて押出機のホッパ下部から注入した。
度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ／Ｍｎが１４で
グラニュール形状の直鎖状ポリエチレン（直鎖状ポリエ
チレン（Ｉ））１００重量部に対して、酸化防止剤とし
ての２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］（酸化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリ
メトキシシランを１．５重量部、遊離ラジカル発生剤と
してのジクミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤
（Ｉ））を０．１５重量部、ジブチル錫ジラウレートを
０．０５重量部の割合で２００℃に設定した１３０mm押
出機に投入した。なお、酸化防止剤、遊離ラジカル発生
剤及びジブチル錫ジラウレートはビニルトリメトキシシ
ランに溶解させて押出機のホッパ下部から注入した。
【００２３】上記コンパウンンドを断面積６０mm2 の軟
銅撚線上に０．７mm厚の内部半導電層及び０．７mm厚の
外部半導電層と共に４．５mm厚さに押出し、その後、８
０℃、９５％水蒸気の雰囲気に２４時間放置して架橋さ
せ、架橋絶縁層を有する電気ケーブルを作製した。
銅撚線上に０．７mm厚の内部半導電層及び０．７mm厚の
外部半導電層と共に４．５mm厚さに押出し、その後、８
０℃、９５％水蒸気の雰囲気に２４時間放置して架橋さ
せ、架橋絶縁層を有する電気ケーブルを作製した。
【００２４】＜実施例２＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、酸化防
止剤としてのペンタエリスリチル−テトラキス［３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート］（酸化防止剤（II））を０．１重量
部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミ
ルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．
１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部と
し、実施例１と同様にして電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、酸化防
止剤としてのペンタエリスリチル−テトラキス［３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート］（酸化防止剤（II））を０．１重量
部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミ
ルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．
１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部と
し、実施例１と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００２５】＜実施例３＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、遊離ラジカル発生剤としての２，
５−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）
ヘキサン（遊離ラジカル発生剤（II））を０．０７重量
部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実
施例１と同様にして電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、遊離ラジカル発生剤としての２，
５−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）
ヘキサン（遊離ラジカル発生剤（II））を０．０７重量
部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実
施例１と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００２６】＜実施例４＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、ペンタ
エリスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（II））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．２重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（遊離ラジカル発
生剤（II））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレート
を０．０５重量部とし、実施例１と同様にして電気ケー
ブルを作製した。
り重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、ペンタ
エリスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（II））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．２重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（遊離ラジカル発
生剤（II））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレート
を０．０５重量部とし、実施例１と同様にして電気ケー
ブルを作製した。
【００２７】＜実施例５＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でペレット形状の直鎖状ポリエチレン（直
鎖状ポリエチレン（III ））を１００重量部、酸化防止
剤として２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート］（酸化防止剤（Ｉ））とジラウリルチオプロピ
オネート（酸化防止剤（III ））をそれぞれ０．１重量
部併用、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジ
クミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を
０．１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量
部とし、実施例１と同様にして電気ケーブルを作製し
た。
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でペレット形状の直鎖状ポリエチレン（直
鎖状ポリエチレン（III ））を１００重量部、酸化防止
剤として２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート］（酸化防止剤（Ｉ））とジラウリルチオプロピ
オネート（酸化防止剤（III ））をそれぞれ０．１重量
部併用、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジ
クミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を
０．１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量
部とし、実施例１と同様にして電気ケーブルを作製し
た。
【００２８】＜実施例６＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でペレット形状の直鎖状ポリエチレン（直
鎖状ポリエチレン（IV））を１００重量部、２，２−チ
オ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化防止
剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシラン
を１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラジカ
ル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレ
ートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして電気
ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でペレット形状の直鎖状ポリエチレン（直
鎖状ポリエチレン（IV））を１００重量部、２，２−チ
オ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化防止
剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシラン
を１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラジカ
ル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレ
ートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして電気
ケーブルを作製した。
【００２９】＜実施例７＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ジラウリルチオプロピ
オネート（酸化防止剤（III ））を０．１重量部、ビニ
ルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミルパーオ
キサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量
部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部、直鎖状
ポリエチレン（Ｉ）中にファーネスブラックが２５重量
％含有されるように調整したカーボンマスターバッチを
４重量部とし、実施例１と同様にして２００℃に設定し
た１３０mm押出機に投入し、続いて、断面積６０mm2 の
軟銅撚線上に２．５mm厚さに押出し、その後、８０℃、
９５％水蒸気の雰囲気に２４時間放置して架橋させ、架
橋絶縁層を有する電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ジラウリルチオプロピ
オネート（酸化防止剤（III ））を０．１重量部、ビニ
ルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミルパーオ
キサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量
部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部、直鎖状
ポリエチレン（Ｉ）中にファーネスブラックが２５重量
％含有されるように調整したカーボンマスターバッチを
４重量部とし、実施例１と同様にして２００℃に設定し
た１３０mm押出機に投入し、続いて、断面積６０mm2 の
軟銅撚線上に２．５mm厚さに押出し、その後、８０℃、
９５％水蒸気の雰囲気に２４時間放置して架橋させ、架
橋絶縁層を有する電気ケーブルを作製した。
【００３０】＜実施例８＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でペレット形状の直鎖状ポリエチレン（直
鎖状ポリエチレン（III ））を１００重量部、２，２−
チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化防
止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシラ
ンを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラジ
カル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウ
レートを０．０５重量部、直鎖状ポリエチレン（III ）
中にファーネスブラックが２５重量％含有されるように
調整したカーボンマスターバッチを４重量部とし、実施
例７と同様にして電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でペレット形状の直鎖状ポリエチレン（直
鎖状ポリエチレン（III ））を１００重量部、２，２−
チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化防
止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシラ
ンを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラジ
カル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウ
レートを０．０５重量部、直鎖状ポリエチレン（III ）
中にファーネスブラックが２５重量％含有されるように
調整したカーボンマスターバッチを４重量部とし、実施
例７と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００３１】＜比較例１＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして
電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして
電気ケーブルを作製した。
【００３２】＜比較例２＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９５３、融点が１３３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VI））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして
電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９５３、融点が１３３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VI））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして
電気ケーブルを作製した。
【００３３】＜比較例３＞配合成分を、チーグラ触媒に
より重合され、密度が０．９２５、融点が１２３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VII ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にし
て電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９２５、融点が１２３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VII ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部とし、実施例１と同様にし
て電気ケーブルを作製した。
【００３４】＜比較例４＞配合成分を、チーグラ触媒に
より重合され、密度が０．９２５、融点が１２３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VII ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．０重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（遊離ラジカル発
生剤（II））を０．０７重量部、ジブチル錫ジラウレー
トを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして電気ケ
ーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９２５、融点が１２３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VII ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．０重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（遊離ラジカル発
生剤（II））を０．０７重量部、ジブチル錫ジラウレー
トを０．０５重量部とし、実施例１と同様にして電気ケ
ーブルを作製した。
【００３５】＜比較例５＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部、直鎖状ポリエチレン（Ｖ）
中にファーネスブラックが２５重量％含有されるように
調整したカーボンマスターバッチを４重量部とし、実施
例７と同様にして電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部、直鎖状ポリエチレン（Ｖ）
中にファーネスブラックが２５重量％含有されるように
調整したカーボンマスターバッチを４重量部とし、実施
例７と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００３６】＜比較例６＞配合成分を、チーグラ触媒に
より重合され、密度が０．９２５、融点が１２３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VII ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部、直鎖状ポリエチレン（VI
I ）中にファーネスブラックが２５重量％含有されるよ
うに調整したカーボンマスターバッチを４重量部とし、
実施例７と同様にして電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９２５、融点が１２３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（VII ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．０重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部、直鎖状ポリエチレン（VI
I ）中にファーネスブラックが２５重量％含有されるよ
うに調整したカーボンマスターバッチを４重量部とし、
実施例７と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００３７】実施例１〜８及び比較例１〜６の配合組成
を評価結果と共に表１及び表２に示した。なお、評価は
次に基づいて行った。押出性は外観により評価し、加熱
変形率はＪＩＳ Ｃ３００５に準拠し，１２０℃におけ
る電気ケーブルの加熱変形率が２５％以下のものを良、
２５％を越えるものを悪として示した。伸び、ゲル分率
は、ＪＩＳ Ｃ３００５に準拠して測定した。ボウタイ
トリー特性の評価試験は、導体内に注水した電気ケーブ
ルを９０℃の温水中に浸漬し、導体と水との間に５０Ｈ
ｚで９ｋＶの交流電圧を５００日間印加して行った。５
００日経過後、ケーブル断面を薄くスライスしてメチレ
ンブルー水溶液で煮沸染色し、光学顕微鏡を用いてボウ
タイトリー長さと２００μｍ以上のボウタイトリーの発
生数を計数した。
を評価結果と共に表１及び表２に示した。なお、評価は
次に基づいて行った。押出性は外観により評価し、加熱
変形率はＪＩＳ Ｃ３００５に準拠し，１２０℃におけ
る電気ケーブルの加熱変形率が２５％以下のものを良、
２５％を越えるものを悪として示した。伸び、ゲル分率
は、ＪＩＳ Ｃ３００５に準拠して測定した。ボウタイ
トリー特性の評価試験は、導体内に注水した電気ケーブ
ルを９０℃の温水中に浸漬し、導体と水との間に５０Ｈ
ｚで９ｋＶの交流電圧を５００日間印加して行った。５
００日経過後、ケーブル断面を薄くスライスしてメチレ
ンブルー水溶液で煮沸染色し、光学顕微鏡を用いてボウ
タイトリー長さと２００μｍ以上のボウタイトリーの発
生数を計数した。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】表１に示したように、実施例１〜４は密度
と融点が本発明の範囲にある直鎖状ポリエチレンを用い
たもので、押出外観が良好で、ゲル分率が高く、加熱変
形率も小さい。また、伸び、ボウタイトリー等すべての
特性が良好である。実施例５と実施例６は、ペレット形
状のポリエチレンを用いたもので、実施例１〜４のグラ
ニュール形状の直鎖状ポリエチレンを用いた場合より
も、ゲル分率は小さくなるが、すべての特性を満足して
いる。また、本発明で請求項４で規定した酸化防止剤を
併用して用いた実施例５はボウタイトリーの発生が少な
い。実施例７と実施例８は、カーボンを配合したもので
あり、カーボンを添加してもいずれの特性も良好であ
る。
と融点が本発明の範囲にある直鎖状ポリエチレンを用い
たもので、押出外観が良好で、ゲル分率が高く、加熱変
形率も小さい。また、伸び、ボウタイトリー等すべての
特性が良好である。実施例５と実施例６は、ペレット形
状のポリエチレンを用いたもので、実施例１〜４のグラ
ニュール形状の直鎖状ポリエチレンを用いた場合より
も、ゲル分率は小さくなるが、すべての特性を満足して
いる。また、本発明で請求項４で規定した酸化防止剤を
併用して用いた実施例５はボウタイトリーの発生が少な
い。実施例７と実施例８は、カーボンを配合したもので
あり、カーボンを添加してもいずれの特性も良好であ
る。
【００４１】一方、本発明の規定範囲を外れる密度の低
い直鎖状ポリエチレンを使用した比較例１は加熱変形特
性に劣り、同じく密度の高い直鎖状ポリエチレンを用い
た比較例２と本発明で規定しないチーグラ触媒により重
合された直鎖状ポリエチレンを用いた比較例３、４は、
押出外観が悪く、ボウタイトリー特性も劣っている。比
較例５、６はカーボンを添加したものであるが、カーボ
ン非充填配合と同じ傾向を示しており、それぞれ、加熱
変形と押出性に劣る。
い直鎖状ポリエチレンを使用した比較例１は加熱変形特
性に劣り、同じく密度の高い直鎖状ポリエチレンを用い
た比較例２と本発明で規定しないチーグラ触媒により重
合された直鎖状ポリエチレンを用いた比較例３、４は、
押出外観が悪く、ボウタイトリー特性も劣っている。比
較例５、６はカーボンを添加したものであるが、カーボ
ン非充填配合と同じ傾向を示しており、それぞれ、加熱
変形と押出性に劣る。
【００４２】＜実施例９＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、酸化防
止剤として２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート］（酸化防止剤（Ｉ））とジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））をそれぞれ０．０５
重量部併用、ビニルトリメトキシシランを１．０重量
部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤
（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレートを
０．０５重量部とし、実施例１と同様にして押出機に投
入し、続いて、断面積６０mm2 の軟銅撚線上に２．５mm
厚さに押出し、その後、８０℃、９５％水蒸気の雰囲気
に２４時間放置して架橋させ、架橋絶縁層を有する電気
ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、酸化防
止剤として２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート］（酸化防止剤（Ｉ））とジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））をそれぞれ０．０５
重量部併用、ビニルトリメトキシシランを１．０重量
部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤
（Ｉ））を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレートを
０．０５重量部とし、実施例１と同様にして押出機に投
入し、続いて、断面積６０mm2 の軟銅撚線上に２．５mm
厚さに押出し、その後、８０℃、９５％水蒸気の雰囲気
に２４時間放置して架橋させ、架橋絶縁層を有する電気
ケーブルを作製した。
【００４３】＜実施例１０＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．１重量部、ビ
ニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミルパー
オキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量
部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実
施例９と同様にして電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．１重量部、ビ
ニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミルパー
オキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重量
部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実
施例９と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００４４】＜実施例１１＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．５重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．５重量部、ビ
ニルトリメトキシシランを１．５重量部、ジクミルパー
オキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１５重
量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、
実施例９と同様にして電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９２０、融点が１１８℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｉ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．５重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．５重量部、ビ
ニルトリメトキシシランを１．５重量部、ジクミルパー
オキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１５重
量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、
実施例９と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００４５】＜実施例１２＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、ペン
タエリスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］
（酸化防止剤（II））を０．１重量部、ジラウリルチオ
プロピオネート（酸化防止剤（III ））を０．１重量
部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、２，５
−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘ
キサン（遊離ラジカル発生剤（II））を０．１重量部、
ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実施例
９と同様にして電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、ペン
タエリスリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］
（酸化防止剤（II））を０．１重量部、ジラウリルチオ
プロピオネート（酸化防止剤（III ））を０．１重量
部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、２，５
−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘ
キサン（遊離ラジカル発生剤（II））を０．１重量部、
ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実施例
９と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００４６】＜実施例１３＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、オク
タデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート（酸化防止剤（IV））を
０．１重量部、ジラウリルチオプロピオネート（酸化防
止剤（III ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを０．７重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．０５重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様にし
て電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、オク
タデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート（酸化防止剤（IV））を
０．１重量部、ジラウリルチオプロピオネート（酸化防
止剤（III ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシシ
ランを０．７重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離ラ
ジカル発生剤（Ｉ））を０．０５重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様にし
て電気ケーブルを作製した。
【００４７】＜実施例１４＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、２，
４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキ
シ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−
トリアジン（酸化防止剤（Ｖ））を０．１重量部、ジラ
ウリルチオプロピオネート（酸化防止剤（III ））を
０．１重量部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量
部、２，５−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパー
オキシ）ヘキサン（遊離ラジカル発生剤（II））を０．
１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部、
直鎖状ポリエチレン（II）中にファーネスブラックが２
５重量％含有されるように調整したカーボンマスターバ
ッチを４重量部とし、実施例９と同様にして電気ケーブ
ルを作製した。
より重合され、密度が０．９４３、融点が１２６℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１３でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（II））を１００重量部、２，
４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキ
シ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−
トリアジン（酸化防止剤（Ｖ））を０．１重量部、ジラ
ウリルチオプロピオネート（酸化防止剤（III ））を
０．１重量部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量
部、２，５−ジメチル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパー
オキシ）ヘキサン（遊離ラジカル発生剤（II））を０．
１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部、
直鎖状ポリエチレン（II）中にファーネスブラックが２
５重量％含有されるように調整したカーボンマスターバ
ッチを４重量部とし、実施例９と同様にして電気ケーブ
ルを作製した。
【００４８】＜比較例７＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．０５重量部、金属害防止剤として
のＮ，Ｎ′−ビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジンを０．０
５重量部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、
ジクミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））
を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重
量部とし、実施例９と同様にして電気ケーブルを作製し
た。なお、金属害防止剤としてのＮ，Ｎ′−ビス［３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオニル］ヒドラジンはビニルトリメトキシシランに難
溶なので、直鎖状ポリエチレンに予めドライブレンドし
て押出機に投入した。
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．０５重量部、金属害防止剤として
のＮ，Ｎ′−ビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジンを０．０
５重量部、ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、
ジクミルパーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））
を０．１重量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重
量部とし、実施例９と同様にして電気ケーブルを作製し
た。なお、金属害防止剤としてのＮ，Ｎ′−ビス［３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオニル］ヒドラジンはビニルトリメトキシシランに難
溶なので、直鎖状ポリエチレンに予めドライブレンドし
て押出機に投入した。
【００４９】＜比較例８＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、Ｎ，Ｎ′−ビス［３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオニル］ヒドラジンを０．０５重量部、ビニルトリメ
トキシシランを１．０重量部、２，５−ジメチル−２，
５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（遊離ラジ
カル発生剤（II））を０．０７重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様にして
電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．１重量部、Ｎ，Ｎ′−ビス［３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオニル］ヒドラジンを０．０５重量部、ビニルトリメ
トキシシランを１．０重量部、２，５−ジメチル−２，
５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（遊離ラジ
カル発生剤（II））を０．０７重量部、ジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様にして
電気ケーブルを作製した。
【００５０】＜比較例９＞配合成分を、クロム触媒によ
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．０３重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．０３重量部、
ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミルパ
ーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重
量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、
実施例９と同様にして電気ケーブルを作製した。
り重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍｗ
／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレン
（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，２
−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸化
防止剤（Ｉ））を０．０３重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．０３重量部、
ビニルトリメトキシシランを１．０重量部、ジクミルパ
ーオキサイド（遊離ラジカル発生剤（Ｉ））を０．１重
量部、ジブチル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、
実施例９と同様にして電気ケーブルを作製した。
【００５１】＜比較例１０＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．６重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．６重量部、ビ
ニルトリメトキシシランを１．０重量部、２，５−ジメ
チル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン
（遊離ラジカル発生剤（II））を０．１重量部、ジブチ
ル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同
様にして電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．６重量部、ジラウリルチオプロ
ピオネート（酸化防止剤（III ））を０．６重量部、ビ
ニルトリメトキシシランを１．０重量部、２，５−ジメ
チル−２，５−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン
（遊離ラジカル発生剤（II））を０．１重量部、ジブチ
ル錫ジラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同
様にして電気ケーブルを作製した。
【００５２】＜比較例１１＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを０．７重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．０３重量部、ジブチル錫
ジラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様に
して電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを０．７重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．０３重量部、ジブチル錫
ジラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様に
して電気ケーブルを作製した。
【００５３】＜比較例１２＞配合成分を、クロム触媒に
より重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．５重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．２重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様にし
て電気ケーブルを作製した。
より重合され、密度が０．９１０、融点が１１３℃、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１４でグラニュール形状の直鎖状ポリエチレ
ン（直鎖状ポリエチレン（Ｖ））を１００重量部、２，
２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（酸
化防止剤（Ｉ））を０．１重量部、ビニルトリメトキシ
シランを１．５重量部、ジクミルパーオキサイド（遊離
ラジカル発生剤（Ｉ））を０．２重量部、ジブチル錫ジ
ラウレートを０．０５重量部とし、実施例９と同様にし
て電気ケーブルを作製した。
【００５４】実施例９〜１４及び比較例７〜１２の配合
組成を評価結果と共に表３及び表4に示した。なお、評
価は実施例１〜８、比較例１〜６の場合と同様にして行
ったが、金属害劣化特性は銅導体と接触した部分の変色
を調べ、変色の無いものを合格とした。
組成を評価結果と共に表３及び表4に示した。なお、評
価は実施例１〜８、比較例１〜６の場合と同様にして行
ったが、金属害劣化特性は銅導体と接触した部分の変色
を調べ、変色の無いものを合格とした。
【００５５】
【表３】
【００５６】
【表４】
【００５７】実施例９〜１４は酸化防止剤を２種類以上
併用して添加した例であるが、押出性や加熱変形特性等
に加え、金属害劣化特性に優れている。また、ボウタイ
トリー特性も良好である。一方、比較例７、８は従来の
金属害防止剤を用いたもので、ボウタイトリーの発生が
多い。酸化防止剤の添加量が本発明の規定量よりも少な
い比較例９は、金属害劣化特性が悪く、酸化防止剤の添
加量が規定量よりも多い比較例１０は、酸化防止剤が表
面に析出し、汚れが生じた。また、遊離ラジカル発生剤
量が少なく、本発明で規定する値以下の架橋度を示す比
較例１１は、加熱変形率が大きい。さらに、遊離ラジカ
ル発生剤の多い比較例１２は絶縁体中にボイドが発生
し、ボウタイトリー特性が劣っている。
併用して添加した例であるが、押出性や加熱変形特性等
に加え、金属害劣化特性に優れている。また、ボウタイ
トリー特性も良好である。一方、比較例７、８は従来の
金属害防止剤を用いたもので、ボウタイトリーの発生が
多い。酸化防止剤の添加量が本発明の規定量よりも少な
い比較例９は、金属害劣化特性が悪く、酸化防止剤の添
加量が規定量よりも多い比較例１０は、酸化防止剤が表
面に析出し、汚れが生じた。また、遊離ラジカル発生剤
量が少なく、本発明で規定する値以下の架橋度を示す比
較例１１は、加熱変形率が大きい。さらに、遊離ラジカ
ル発生剤の多い比較例１２は絶縁体中にボイドが発生
し、ボウタイトリー特性が劣っている。
【００５８】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、押出成形性、加熱変形率と伸び、耐ボウタイトリー
特性に優れる電気絶縁物及び架橋ポリエチレン絶縁電線
・ケーブルや付属品を安価に得ることができ、その工業
的価値は極めて高い。
ば、押出成形性、加熱変形率と伸び、耐ボウタイトリー
特性に優れる電気絶縁物及び架橋ポリエチレン絶縁電線
・ケーブルや付属品を安価に得ることができ、その工業
的価値は極めて高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｃ０８Ｆ 4/69 Ｃ０８Ｆ 4/69 (72)発明者 野沢 英行 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 安部 淳一 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社パワーシステム研究所内 (72)発明者 古沢 健一 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内
Claims (6)
- 【請求項１】クロム系触媒により重合され、密度が０．
９１５〜０．９５０ｇ／cm3 で融点が１１５〜１３０℃
の直鎖状ポリエチレンと、一般式 ＲＲ′ＳｉＹ2 （式中Ｒはオレフィン性不飽和炭化水素基あるいはハイ
ドロカーボンオキシ基であり、Ｙは加水分解可能な有機
基であり、Ｒ′は前記Ｒ基かＹ基である）で表されるシ
ランとを、遊離ラジカルを生じさせる化合物の存在下で
反応させて得られるシラン変性直鎖状ポリエチレンから
なることを特徴とする架橋性電気絶縁用樹脂組成物。 - 【請求項２】前記直鎖状ポリエチレンの形状がグラニュ
ール( 顆粒状) である請求項１記載の架橋性電気絶縁用
樹脂組成物。 - 【請求項３】前記直鎖状ポリエチレン１００重量部に対
し、前記遊離ラジカルを生じさせる化合物として、ジク
ミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル
−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、
α, α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロ
ピル）ベンゼン、ブチルクミルパーオキサイド、イソプ
ロピルクミル−ｔ−ブチルパーオキサイドから選ばれる
１種類または２種類以上を０．０５〜０．１５重量部含
有する請求項１記載の架橋性電気絶縁用樹脂組成物。 - 【請求項４】前記直鎖状ポリエチレン１００重量部に対
し、酸化防止剤として、２，２−チオ−ジエチレンビス
［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート] 、ペンタエリスリチル- テトラ
キス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオネート］、オクタデシル３−（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−
（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）
−１，３，５−トリアジンから選ばれる１種類または２
種類以上を０．０５〜０．５重量部とジラウリルチオプ
ロピオネートを０．０５〜０．５重量部含有する請求項
１記載の架橋性電気絶縁用樹脂組成物。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の架橋性電
気絶縁用樹脂組成物からなる成形体をシラノール縮合触
媒の存在下で水分と接触させることにより架橋度が４０
％以上になるように架橋されていることを特徴とする電
気絶縁物。 - 【請求項６】導体または導体遮蔽層上に請求項１〜４の
いずれかに記載の架橋性電気絶縁用樹脂組成物からなる
絶縁層を有し、当該絶縁層がシラノール縮合触媒の存在
下で水分と接触させることにより架橋度が４０％以上に
なるように架橋されていることを特徴とする電線・ケー
ブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6794598A JPH11265617A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 架橋性電気絶縁用樹脂組成物及び電気絶縁物並びに電線・ケーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6794598A JPH11265617A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 架橋性電気絶縁用樹脂組成物及び電気絶縁物並びに電線・ケーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265617A true JPH11265617A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13359600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6794598A Pending JPH11265617A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 架橋性電気絶縁用樹脂組成物及び電気絶縁物並びに電線・ケーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11265617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018102242A1 (en) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | Dow Global Technologies Llc | Peroxide-curable polyolefin composition |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP6794598A patent/JPH11265617A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018102242A1 (en) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | Dow Global Technologies Llc | Peroxide-curable polyolefin composition |
| CN109923163A (zh) * | 2016-12-01 | 2019-06-21 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 过氧化物可固化聚烯烃组合物 |
| JP2020500957A (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-16 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 過酸化物硬化性ポリオレフィン組成物 |
| CN109923163B (zh) * | 2016-12-01 | 2021-07-16 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 过氧化物可固化聚烯烃组合物 |
| US11174408B2 (en) | 2016-12-01 | 2021-11-16 | Dow Global Technologies Llc | Peroxide-curable polyolefin composition |
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