JPH11264392A - ベーンおよびそれを使用した冷媒圧縮機 - Google Patents
ベーンおよびそれを使用した冷媒圧縮機Info
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- JPH11264392A JPH11264392A JP6861898A JP6861898A JPH11264392A JP H11264392 A JPH11264392 A JP H11264392A JP 6861898 A JP6861898 A JP 6861898A JP 6861898 A JP6861898 A JP 6861898A JP H11264392 A JPH11264392 A JP H11264392A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 冷凍機油としてエステル系冷凍機油を用い、
ＨＦＣ系冷媒を使用した場合でも、ベーンの表面の摺動
部における摩擦係数が低く、耐摩耗性が高いベーンおよ
びそれを備えた冷媒圧縮機を提供すること。 【解決手段】 アンモニアガスと水素ガスを用いて金属
部材の表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭素、窒
素および酸素のうちの少なくとも１種の元素を含む中間
層を設け、さらにその上に硬質炭素薄膜を形成したベー
ンおよびそれを備えた冷媒圧縮機により課題を解決でき
る。
ＨＦＣ系冷媒を使用した場合でも、ベーンの表面の摺動
部における摩擦係数が低く、耐摩耗性が高いベーンおよ
びそれを備えた冷媒圧縮機を提供すること。 【解決手段】 アンモニアガスと水素ガスを用いて金属
部材の表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭素、窒
素および酸素のうちの少なくとも１種の元素を含む中間
層を設け、さらにその上に硬質炭素薄膜を形成したベー
ンおよびそれを備えた冷媒圧縮機により課題を解決でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベーンおよびそれ
を使用した冷媒圧縮機に関するものであり、さらに詳し
くはベーンの摺動面の耐摩耗性を向上したベーン、およ
びオゾン層を破壊する危険がないＨＦＣ系冷媒などを使
用する冷凍装置に使用される冷媒圧縮機であって、摺動
面の耐摩耗性を向上した冷媒圧縮機に関するものであ
る。
を使用した冷媒圧縮機に関するものであり、さらに詳し
くはベーンの摺動面の耐摩耗性を向上したベーン、およ
びオゾン層を破壊する危険がないＨＦＣ系冷媒などを使
用する冷凍装置に使用される冷媒圧縮機であって、摺動
面の耐摩耗性を向上した冷媒圧縮機に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】冷凍機の冷媒としては従来ジクロロジフ
ルオロメタン（Ｒ−１２）や共沸混合冷媒のＲ−２２と
モノクロロペンタフルオロエタン（Ｒ−１１５ａ）とか
らなるＲ−５０２が用いられており、これらの冷媒は、
通常の冷凍装置に好適であり、冷媒と相溶性のある鉱物
油やアルキルベンゼン系油等の冷凍機油を使用した冷凍
サイクルは、信頼性、耐久性など高い品質レベルに至っ
ている。
ルオロメタン（Ｒ−１２）や共沸混合冷媒のＲ−２２と
モノクロロペンタフルオロエタン（Ｒ−１１５ａ）とか
らなるＲ−５０２が用いられており、これらの冷媒は、
通常の冷凍装置に好適であり、冷媒と相溶性のある鉱物
油やアルキルベンゼン系油等の冷凍機油を使用した冷凍
サイクルは、信頼性、耐久性など高い品質レベルに至っ
ている。
【０００３】しかしながら、上記の冷媒は、オゾン破壊
が高く、大気中に放出されて地球上空のオゾン層に到達
すると、このオゾン層を破壊する。このオゾン層の破壊
は冷媒中の塩素基（Ｃｌ）により引き起こされる。そこ
で、塩素基の含有量の少ない冷媒、例えばクロロジフル
オロメタン（ＨＣＦＣ−２２、Ｒ−２２）、塩素基を含
まない冷媒、例えはジフルオロメタン（ＨＦＣ−３２、
Ｒ−３２）、ペンタフルオロエタン（ＨＦＣ−１２５、
Ｒ−１２５）や１，１，１，２−テトラフルオロエタン
（ＨＦＣ−１３４ａ、Ｒ−１３４ａ）などがこれらの代
替冷媒（以下、ＨＦＣ系冷媒と称す）として考えられて
いる。ＨＦＣ系冷媒に対して使用される冷凍機油として
は、ＨＦＣ系冷媒と相溶性のない鉱物油やアルキルベン
ゼン系油などや、ＨＦＣ系冷媒と相溶性のあるエステル
系冷凍機油、エーテル系冷凍機油、それらの混合油など
がある。
が高く、大気中に放出されて地球上空のオゾン層に到達
すると、このオゾン層を破壊する。このオゾン層の破壊
は冷媒中の塩素基（Ｃｌ）により引き起こされる。そこ
で、塩素基の含有量の少ない冷媒、例えばクロロジフル
オロメタン（ＨＣＦＣ−２２、Ｒ−２２）、塩素基を含
まない冷媒、例えはジフルオロメタン（ＨＦＣ−３２、
Ｒ−３２）、ペンタフルオロエタン（ＨＦＣ−１２５、
Ｒ−１２５）や１，１，１，２−テトラフルオロエタン
（ＨＦＣ−１３４ａ、Ｒ−１３４ａ）などがこれらの代
替冷媒（以下、ＨＦＣ系冷媒と称す）として考えられて
いる。ＨＦＣ系冷媒に対して使用される冷凍機油として
は、ＨＦＣ系冷媒と相溶性のない鉱物油やアルキルベン
ゼン系油などや、ＨＦＣ系冷媒と相溶性のあるエステル
系冷凍機油、エーテル系冷凍機油、それらの混合油など
がある。
【０００４】従来、ロータリ式圧縮機のベーンは、ＳＫ
Ｈ５１などを使用し耐摩耗性の向上を計るために、イオ
ン窒化処理、ＣｒＮコーテイング処理などの表面処理が
行われたり、アルミ含浸カーボン材や繊維強化アルミ材
を用いたベーンが用いられていた。しかし、冷媒がＨＦ
Ｃ系冷媒に替わり、冷凍機油がエステル系冷凍機油やエ
ーテル系冷凍機油に移行すると、これら従来の表面処
理、例えば、イオン窒化処理の場合は摩擦係数が高いた
めに、冷凍回路内に水分が存在し、摩擦により高温にな
るとエステル系冷凍機油やエーテル系冷凍機油が加水分
解されて酸が発生し、発生した酸により金属石鹸などの
スラツジが形成され、このスラッジがベーンの表面の摺
動部に堆積したり、腐食、摩耗するなどの問題がある。
また、ＣｒＮコーテイング処理の場合は、被膜が運転中
に剥離する問題やコーテイング被膜厚のバラツキにより
生産対応しにくい問題がある。またアルミ含浸カーボン
材や繊維強化アルミ材を用いたベーンは、機械的強度や
耐摩耗性が不足し、かつ相手のローラへの攻撃性がある
ので、これらのベーンを備えたロータリ圧縮機は長期に
亘り安定して運転できなかった。
Ｈ５１などを使用し耐摩耗性の向上を計るために、イオ
ン窒化処理、ＣｒＮコーテイング処理などの表面処理が
行われたり、アルミ含浸カーボン材や繊維強化アルミ材
を用いたベーンが用いられていた。しかし、冷媒がＨＦ
Ｃ系冷媒に替わり、冷凍機油がエステル系冷凍機油やエ
ーテル系冷凍機油に移行すると、これら従来の表面処
理、例えば、イオン窒化処理の場合は摩擦係数が高いた
めに、冷凍回路内に水分が存在し、摩擦により高温にな
るとエステル系冷凍機油やエーテル系冷凍機油が加水分
解されて酸が発生し、発生した酸により金属石鹸などの
スラツジが形成され、このスラッジがベーンの表面の摺
動部に堆積したり、腐食、摩耗するなどの問題がある。
また、ＣｒＮコーテイング処理の場合は、被膜が運転中
に剥離する問題やコーテイング被膜厚のバラツキにより
生産対応しにくい問題がある。またアルミ含浸カーボン
材や繊維強化アルミ材を用いたベーンは、機械的強度や
耐摩耗性が不足し、かつ相手のローラへの攻撃性がある
ので、これらのベーンを備えたロータリ圧縮機は長期に
亘り安定して運転できなかった。
【０００５】一方、電気かみそりなどの刃物などの表面
に例えばＳｉなどを主成分とする中間層を設けその上に
硬質炭素薄膜からなる硬質被膜を形成することが提案さ
れている（特開平１−３１７１９７号公報、特開平７−
３１６８１８号公報、特開平７−３３０４９０号公報な
ど）。
に例えばＳｉなどを主成分とする中間層を設けその上に
硬質炭素薄膜からなる硬質被膜を形成することが提案さ
れている（特開平１−３１７１９７号公報、特開平７−
３１６８１８号公報、特開平７−３３０４９０号公報な
ど）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、冷凍
機油としてエステル系冷凍機油やエーテル系冷凍機油な
どを用いたり、ＨＦＣ系冷媒を使用した場合でも、ベー
ンの表面の摺動部における摩擦係数が低く、耐摩耗性が
あり、ベーンの表面の摺動部におけるスラッジの発生を
防止したベーン、およびそのベーンを使用した長期に亘
り安定して運転できる冷媒圧縮機を提供することであ
る。
機油としてエステル系冷凍機油やエーテル系冷凍機油な
どを用いたり、ＨＦＣ系冷媒を使用した場合でも、ベー
ンの表面の摺動部における摩擦係数が低く、耐摩耗性が
あり、ベーンの表面の摺動部におけるスラッジの発生を
防止したベーン、およびそのベーンを使用した長期に亘
り安定して運転できる冷媒圧縮機を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１の発明は、アンモニアガスと水素ガスを用いて
金属部材の表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭素、
窒素および酸素のうちの少なくとも１種の元素を含む中
間層を設け、さらにその上に硬質炭素薄膜を形成したこ
とを特徴とするベーンである。
請求項１の発明は、アンモニアガスと水素ガスを用いて
金属部材の表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭素、
窒素および酸素のうちの少なくとも１種の元素を含む中
間層を設け、さらにその上に硬質炭素薄膜を形成したこ
とを特徴とするベーンである。
【０００８】上記課題を解決するため請求項２の発明
は、回転軸を有する電動要素と、この電動要素の回転軸
によって駆動される圧縮要素を備え、吸入したＨＦＣ系
冷媒あるいはＨＦＣ系冷媒を主体とする冷媒をこの圧縮
要素により圧縮して吐出するようにした冷媒圧縮機であ
って、前記圧縮要素はシリンダと、前記回転軸の偏心部
によりこのシリンダ内を回転するローラと、このローラ
に接してシリンダ内を分けるベーンと、前記シリンダの
開口を封じる上軸受部と下軸受部などから構成されてお
り、前記ベーンとして、アンモニアガスと水素ガスを用
いて金属部材の表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭
素、窒素および酸素のうちの少なくとも１種の元素を含
む中間層を設け、さらにその上に硬質炭素薄膜を形成し
たベーンを用いることを特徴とする冷媒圧縮機である。
は、回転軸を有する電動要素と、この電動要素の回転軸
によって駆動される圧縮要素を備え、吸入したＨＦＣ系
冷媒あるいはＨＦＣ系冷媒を主体とする冷媒をこの圧縮
要素により圧縮して吐出するようにした冷媒圧縮機であ
って、前記圧縮要素はシリンダと、前記回転軸の偏心部
によりこのシリンダ内を回転するローラと、このローラ
に接してシリンダ内を分けるベーンと、前記シリンダの
開口を封じる上軸受部と下軸受部などから構成されてお
り、前記ベーンとして、アンモニアガスと水素ガスを用
いて金属部材の表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭
素、窒素および酸素のうちの少なくとも１種の元素を含
む中間層を設け、さらにその上に硬質炭素薄膜を形成し
たベーンを用いることを特徴とする冷媒圧縮機である。
【０００９】本発明の請求項３の発明は、請求項２記載
の冷媒圧縮機において、前記ローラは下記の（１）〜
（４）から選ばれるローラであることを特徴とする。 （１）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材からなるローラ、
（２）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガ
スと水素ガスを用いて窒化したローラ、（３）Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなどを添加した高合
金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガスと水素ガスを
用いて窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｒｕ、Ｇｅと炭素、窒素および酸素のうちの少なくとも
１種の元素を含む中間層を設け、さらにその上に硬質炭
素薄膜を形成したローラ、（４）Ｓ４０またはＳ４５Ｃ
相当材の焼入れ材、またはＦＣ−３００相当材をＮｉ−
Ｐ系メッキ処理し、メッキ膜のマトリックス中に粒径１
μｍ以下のＴｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 のセラミック粒子を１〜
５重量％分散したローラ。
の冷媒圧縮機において、前記ローラは下記の（１）〜
（４）から選ばれるローラであることを特徴とする。 （１）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材からなるローラ、
（２）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガ
スと水素ガスを用いて窒化したローラ、（３）Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなどを添加した高合
金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガスと水素ガスを
用いて窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｒｕ、Ｇｅと炭素、窒素および酸素のうちの少なくとも
１種の元素を含む中間層を設け、さらにその上に硬質炭
素薄膜を形成したローラ、（４）Ｓ４０またはＳ４５Ｃ
相当材の焼入れ材、またはＦＣ−３００相当材をＮｉ−
Ｐ系メッキ処理し、メッキ膜のマトリックス中に粒径１
μｍ以下のＴｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 のセラミック粒子を１〜
５重量％分散したローラ。
【００１０】本発明の請求項４の発明は、請求項２ある
いは請求項３記載の冷媒圧縮機において、冷凍機油がエ
ステル系潤滑油、エーテル系潤滑油あるいはこれらの混
合物であることを特徴とする。
いは請求項３記載の冷媒圧縮機において、冷凍機油がエ
ステル系潤滑油、エーテル系潤滑油あるいはこれらの混
合物であることを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項５の発明は、請求項２から
請求項４のいずれかに記載の冷媒圧縮機において、前記
硬質炭素薄膜は、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド構造
と非晶質炭素構造との混合膜、または非晶質炭素薄膜か
ら構成されていることを特徴とする。
請求項４のいずれかに記載の冷媒圧縮機において、前記
硬質炭素薄膜は、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド構造
と非晶質炭素構造との混合膜、または非晶質炭素薄膜か
ら構成されていることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明を図１〜３に基づいて
説明する。図１に、蒸発気化したＨＦＣ系冷媒を圧縮し
て凝縮器に吐出する本発明の冷媒圧縮機ａ、同冷媒を凝
縮液化する凝縮器ｂ、同冷媒の圧力を減じるキャピラリ
チューブｃ、液化冷媒を蒸発させる蒸発器ｄなどを順次
冷媒管でつないで形成した冷凍装置の冷凍サイクルを示
す。
説明する。図１に、蒸発気化したＨＦＣ系冷媒を圧縮し
て凝縮器に吐出する本発明の冷媒圧縮機ａ、同冷媒を凝
縮液化する凝縮器ｂ、同冷媒の圧力を減じるキャピラリ
チューブｃ、液化冷媒を蒸発させる蒸発器ｄなどを順次
冷媒管でつないで形成した冷凍装置の冷凍サイクルを示
す。
【００１３】図２は、本発明の冷媒圧縮機の一例の縦断
面図である。図３は、図２に示した本発明の冷媒圧縮機
の横断面図である。図２及び図３において、１は密閉容
器で、この容器内には上側に電動要素２が、下側にこの
電動要素によって駆動される回転圧縮要素３が夫々収納
されている。電動要素２は有機系材料で絶縁された巻線
４を有する固定子５とこの固定子の内側に設けられた回
転子６とで構成されている。回転圧縮要素３はシリンダ
７と、回転軸８の偏心部９によってシリンダ７の内壁に
沿って回転させるローラ１０と、このローラの周面に圧
接されてシリンダ７内を吸込側と吐出側とに区画するよ
うにバネ１１で押圧されるベーン１２と、シリンダ７の
開口を封じるとともに、回転軸８を軸支する上部軸受１
３及び下部軸受１４とで構成されている。
面図である。図３は、図２に示した本発明の冷媒圧縮機
の横断面図である。図２及び図３において、１は密閉容
器で、この容器内には上側に電動要素２が、下側にこの
電動要素によって駆動される回転圧縮要素３が夫々収納
されている。電動要素２は有機系材料で絶縁された巻線
４を有する固定子５とこの固定子の内側に設けられた回
転子６とで構成されている。回転圧縮要素３はシリンダ
７と、回転軸８の偏心部９によってシリンダ７の内壁に
沿って回転させるローラ１０と、このローラの周面に圧
接されてシリンダ７内を吸込側と吐出側とに区画するよ
うにバネ１１で押圧されるベーン１２と、シリンダ７の
開口を封じるとともに、回転軸８を軸支する上部軸受１
３及び下部軸受１４とで構成されている。
【００１４】そして、上部軸受１３にはシリンダ７の吐
出側と連通する吐出孔１５が設けられている。また、上
部軸受１３には吐出孔１５を開閉する吐出弁１６と、こ
の吐出弁を覆うように吐出マフラ１７とが取付けられて
いる。密閉容器１内の底部にはＨＦＣ系冷媒、例えば、
Ｒ１３４ａとＲ３２とＲ１２５との３種混合冷媒あるい
はＲ３２とＲ１２５との２種混合冷媒が封入されてい
る。
出側と連通する吐出孔１５が設けられている。また、上
部軸受１３には吐出孔１５を開閉する吐出弁１６と、こ
の吐出弁を覆うように吐出マフラ１７とが取付けられて
いる。密閉容器１内の底部にはＨＦＣ系冷媒、例えば、
Ｒ１３４ａとＲ３２とＲ１２５との３種混合冷媒あるい
はＲ３２とＲ１２５との２種混合冷媒が封入されてい
る。
【００１５】そして、冷凍機油としてのエステル系冷凍
機油（オイル）１８は回転圧縮要素３の摺動部材である
ローラ１０とベーン１２との摺動面を潤滑している。
機油（オイル）１８は回転圧縮要素３の摺動部材である
ローラ１０とベーン１２との摺動面を潤滑している。
【００１６】回転圧縮要素３のシリンダ７内に流入して
ローラ１０とベーン１２との協働で圧縮される冷媒は上
述のように、例えばＲ４０７Ｃ［Ｒ１３４ａとＲ３２と
Ｒ１２５との混合冷媒］やＲ４１０Ａ［Ｒ３２とＲ１２
５との混合冷媒］などである。
ローラ１０とベーン１２との協働で圧縮される冷媒は上
述のように、例えばＲ４０７Ｃ［Ｒ１３４ａとＲ３２と
Ｒ１２５との混合冷媒］やＲ４１０Ａ［Ｒ３２とＲ１２
５との混合冷媒］などである。
【００１７】１９は密閉容器１に取付けてシリンダ７の
吸込側に冷媒を案内する吸込管、２０は密閉容器１の上
壁に取付けられて回転圧縮要素３で圧縮されて電動要素
２を介して密閉容器１外に冷媒を吐出する吐出管であ
る。
吸込側に冷媒を案内する吸込管、２０は密閉容器１の上
壁に取付けられて回転圧縮要素３で圧縮されて電動要素
２を介して密閉容器１外に冷媒を吐出する吐出管であ
る。
【００１８】吸込管１９からシリンダ７内の吸込側に流
入した冷媒はローラ１０とベーン１２との協働で圧縮さ
れ、吐出孔１５を通って吐出弁１６を開放して吐出マフ
ラ１７内に吐出される。この吐出マフラ１７内の冷媒は
電動要素２を介して吐出管２０から密閉容器１外に吐出
れさる。そして、密閉容器１の底部に入れられたオイル
１８は、回転軸８の高速回転によって上方開放端にでき
る渦流による真空現象によって回転軸８の中空孔２１を
通って吸い上げられ、回転圧縮要素３のローラ１０やベ
ーン１２等の摺動部材の摺動面、回転軸８と上部軸受１
３、下部軸受１４との摺動面などに供給されて潤滑を行
っている。また、シリンダ７内で圧縮された冷媒が低圧
側にリークしないようにしている。
入した冷媒はローラ１０とベーン１２との協働で圧縮さ
れ、吐出孔１５を通って吐出弁１６を開放して吐出マフ
ラ１７内に吐出される。この吐出マフラ１７内の冷媒は
電動要素２を介して吐出管２０から密閉容器１外に吐出
れさる。そして、密閉容器１の底部に入れられたオイル
１８は、回転軸８の高速回転によって上方開放端にでき
る渦流による真空現象によって回転軸８の中空孔２１を
通って吸い上げられ、回転圧縮要素３のローラ１０やベ
ーン１２等の摺動部材の摺動面、回転軸８と上部軸受１
３、下部軸受１４との摺動面などに供給されて潤滑を行
っている。また、シリンダ７内で圧縮された冷媒が低圧
側にリークしないようにしている。
【００１９】上記ベーン１２は、ＳＫＨなどの高速度工
具鋼、ＳＫＤなどの熱間加工鋼、ＳＵＳなどの耐熱、耐
酸鋼、Ｓ４５Ｃなどの構造鋼、あるいは焼結材などの金
属部材をアンモニアガスと水素ガスを用いて金属部材の
表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭素、窒素および
酸素のうちの少なくとも１種の元素を含む中間層を設
け、さらにその上に硬質炭素薄膜（ダイヤモンドライク
カーボン薄膜：以下、ＤＬＣ薄膜と称す）を形成したベ
ーンである。このベーン１２は、表面の摩擦係数が低
く、また耐摩耗性が高い。したがって冷媒がＨＦＣ系冷
媒に替わり、冷凍機油がエステル系冷凍機油に移行して
も、ベーン１２とローラ１０との摺動面などにおいて被
膜が剥離するなどがない。
具鋼、ＳＫＤなどの熱間加工鋼、ＳＵＳなどの耐熱、耐
酸鋼、Ｓ４５Ｃなどの構造鋼、あるいは焼結材などの金
属部材をアンモニアガスと水素ガスを用いて金属部材の
表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭素、窒素および
酸素のうちの少なくとも１種の元素を含む中間層を設
け、さらにその上に硬質炭素薄膜（ダイヤモンドライク
カーボン薄膜：以下、ＤＬＣ薄膜と称す）を形成したベ
ーンである。このベーン１２は、表面の摩擦係数が低
く、また耐摩耗性が高い。したがって冷媒がＨＦＣ系冷
媒に替わり、冷凍機油がエステル系冷凍機油に移行して
も、ベーン１２とローラ１０との摺動面などにおいて被
膜が剥離するなどがない。
【００２０】窒化処理は、イオン窒化、プラズマ窒化、
ラジカル窒化などの各種方法で行うことができる。グロ
ー放電を行って窒化する際に用いる装置はグロー放電用
電極、プラズマ化ガス用配管、真空ポンプに接続された
排気管を備えた真空チャンバを備えたものであれば特に
限定されないが、例えば特開平８−３５０５３号公報の
図１に記載の窒化装置を用いることができる。グロー放
電を行って窒化する際の条件の１例を次に示す。 処理温度；３００〜６５０℃、好ましくは４００〜６０
０℃、例えば５１０℃ 電圧； ４００〜５００Ｖ、例えば４５０Ｖ 電流密度；０．００１〜２ｍＡ／ｃｍ2 アンモニアガス濃度；１０〜５０％、例えば２０％（残
りは水素ガス） 放電時間；１〜１０時間、例えば３時間。 電流密度を０．００１〜２ｍＡ／ｃｍ2 とするのは、こ
の電流密度の範囲においてのみグロー放電はアンモニア
ガスおよび水素ガスをプラズマ化することができ、余熱
を発生させないからである。電流密度が０．００１ｍＡ
／ｃｍ2 未満ではプラズマ化を充分に起こすことができ
ず、電流密度が２ｍＡ／ｃｍ2 を超えると金属部材の表
面に過熱状態が生じたりして有効な窒化処理が行われな
い。アンモニアガスと水素ガスの比率が３：１〜１：１
の範囲において密着性、平滑性などに優れた窒化処理を
行うことができる。グロー放電を発生する放電は、直流
放電、高周波放電のいずれでもよい。
ラジカル窒化などの各種方法で行うことができる。グロ
ー放電を行って窒化する際に用いる装置はグロー放電用
電極、プラズマ化ガス用配管、真空ポンプに接続された
排気管を備えた真空チャンバを備えたものであれば特に
限定されないが、例えば特開平８−３５０５３号公報の
図１に記載の窒化装置を用いることができる。グロー放
電を行って窒化する際の条件の１例を次に示す。 処理温度；３００〜６５０℃、好ましくは４００〜６０
０℃、例えば５１０℃ 電圧； ４００〜５００Ｖ、例えば４５０Ｖ 電流密度；０．００１〜２ｍＡ／ｃｍ2 アンモニアガス濃度；１０〜５０％、例えば２０％（残
りは水素ガス） 放電時間；１〜１０時間、例えば３時間。 電流密度を０．００１〜２ｍＡ／ｃｍ2 とするのは、こ
の電流密度の範囲においてのみグロー放電はアンモニア
ガスおよび水素ガスをプラズマ化することができ、余熱
を発生させないからである。電流密度が０．００１ｍＡ
／ｃｍ2 未満ではプラズマ化を充分に起こすことができ
ず、電流密度が２ｍＡ／ｃｍ2 を超えると金属部材の表
面に過熱状態が生じたりして有効な窒化処理が行われな
い。アンモニアガスと水素ガスの比率が３：１〜１：１
の範囲において密着性、平滑性などに優れた窒化処理を
行うことができる。グロー放電を発生する放電は、直流
放電、高周波放電のいずれでもよい。
【００２１】次に、グロー放電を行って窒化した後、そ
の上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単
体、あるいはこれらに炭素、窒素および酸素のうちの少
なくとも１種の元素を含む中間層を設け、さらにその上
にＤＬＣ薄膜を形成する方法について述べる。
の上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単
体、あるいはこれらに炭素、窒素および酸素のうちの少
なくとも１種の元素を含む中間層を設け、さらにその上
にＤＬＣ薄膜を形成する方法について述べる。
【００２２】ＤＬＣ薄膜は、ダイヤモンド薄膜、ダイヤ
モンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、または非晶質
炭素薄膜から構成される。図４は、本発明における中間
層およびＤＬＣ薄膜形成のための装置の一例を示す概略
断面図である。真空チャンバ３８には、プラズマ発生室
３４が設けられている。プラズマ発生室３４には、導波
管３２の一端が取り付けられており、導波管３２の他端
には、マイクロ波供給手段３１が設けられている。マイ
クロ波供給手段３１で発生したマイクロ波は、導波管３
２及びマイクロ波導入窓３３を通って、プラズマ発生室
３４に導かれる。プラズマ発生室３４には、プラズマ発
生室３４内にアルゴン（Ａｒ）ガスなどの放電ガスを導
入させるための放電ガス導入管３５が設けられている。
またプラズマ発生室３４の周囲には、プラズマ磁界発生
装置３６が設けられている。マイクロ波による高周波磁
界と、プラズマ磁界発生装置３６からの磁界を作用させ
ることにより、プラズマ発生室３４内に高密度のプラズ
マが形成される。
モンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、または非晶質
炭素薄膜から構成される。図４は、本発明における中間
層およびＤＬＣ薄膜形成のための装置の一例を示す概略
断面図である。真空チャンバ３８には、プラズマ発生室
３４が設けられている。プラズマ発生室３４には、導波
管３２の一端が取り付けられており、導波管３２の他端
には、マイクロ波供給手段３１が設けられている。マイ
クロ波供給手段３１で発生したマイクロ波は、導波管３
２及びマイクロ波導入窓３３を通って、プラズマ発生室
３４に導かれる。プラズマ発生室３４には、プラズマ発
生室３４内にアルゴン（Ａｒ）ガスなどの放電ガスを導
入させるための放電ガス導入管３５が設けられている。
またプラズマ発生室３４の周囲には、プラズマ磁界発生
装置３６が設けられている。マイクロ波による高周波磁
界と、プラズマ磁界発生装置３６からの磁界を作用させ
ることにより、プラズマ発生室３４内に高密度のプラズ
マが形成される。
【００２３】真空チャンバ３８内には筒状の金属部材ホ
ルダ４２が設けられている。この筒状の金属部材ホルダ
４２は、真空チャンバ３８の壁面に対し垂直に設けられ
た軸（図示せず）のまわりに回転自在に設けられてい
る。金属部材ホルダ４２の周面には、窒化処理した複数
の金属部材４３が等しい間隔で装着されている。なお、
本実施例では金属部材ホルダ４２の周面に金属部材４３
を２４個装着している。金属部材ホルダ４２には、高周
波電源４０が接続されている。
ルダ４２が設けられている。この筒状の金属部材ホルダ
４２は、真空チャンバ３８の壁面に対し垂直に設けられ
た軸（図示せず）のまわりに回転自在に設けられてい
る。金属部材ホルダ４２の周面には、窒化処理した複数
の金属部材４３が等しい間隔で装着されている。なお、
本実施例では金属部材ホルダ４２の周面に金属部材４３
を２４個装着している。金属部材ホルダ４２には、高周
波電源４０が接続されている。
【００２４】金属部材ホルダ４２の周囲には、金属製の
筒状のシールドカバー４４が所定の距離隔てて設けられ
ている。このシールドカバー４４は、接地電極に接続さ
れている。このシールドカバー４４は、被膜を形成する
ときに、金属部材ホルダ４２に印加されるＲＦ電圧によ
って被膜形成箇所以外の金属部材ホルダ４２と真空チャ
ンバ３８との間で放電が発生するのを防止するために設
けられている。金属部材ホルダ４２とシールドカバー４
４との間の間隙は、気体分子の平均自由行程以下の距離
となるように配置されている。気体分子の平均自由行程
は、何らかの原因で発生したイオン及び電子が電界によ
り加速され、衝突せずに移動できる平均距離と同じある
いはそれ以下の距離である。従って、金属部材ホルダ４
２とシールドカバー４４との間隙を気体分子の平均自由
行程以下にすることにより、イオン及び電子が気体分子
と衝突する確率を小さくし、連鎖的に電離が進行するの
を防止している。
筒状のシールドカバー４４が所定の距離隔てて設けられ
ている。このシールドカバー４４は、接地電極に接続さ
れている。このシールドカバー４４は、被膜を形成する
ときに、金属部材ホルダ４２に印加されるＲＦ電圧によ
って被膜形成箇所以外の金属部材ホルダ４２と真空チャ
ンバ３８との間で放電が発生するのを防止するために設
けられている。金属部材ホルダ４２とシールドカバー４
４との間の間隙は、気体分子の平均自由行程以下の距離
となるように配置されている。気体分子の平均自由行程
は、何らかの原因で発生したイオン及び電子が電界によ
り加速され、衝突せずに移動できる平均距離と同じある
いはそれ以下の距離である。従って、金属部材ホルダ４
２とシールドカバー４４との間隙を気体分子の平均自由
行程以下にすることにより、イオン及び電子が気体分子
と衝突する確率を小さくし、連鎖的に電離が進行するの
を防止している。
【００２５】金属部材ホルダ４２とシールドカバー４４
との間隙は、特に気体分子の平均自由行程の１／１０以
下の距離にすることが好ましい。本実施例では、金属部
材ホルダ４２とシールドカバー４４との間隙を気体分子
の平均自由行程の１／１０以下である約５ｍｍとしてい
る。
との間隙は、特に気体分子の平均自由行程の１／１０以
下の距離にすることが好ましい。本実施例では、金属部
材ホルダ４２とシールドカバー４４との間隙を気体分子
の平均自由行程の１／１０以下である約５ｍｍとしてい
る。
【００２６】シールドカバー４４には、開口部４５が形
成されている。この開口部４５を通って、プラズマ発生
室３４から引き出されたプラズマが金属部材ホルダ４２
に装着された金属部材４３に放射されるようになってい
る。真空チャンバ３８内には、反応ガス導入管４６が設
けられている。この反応ガス導入管４６の先端は、開口
部４５の上方に位置する。反応ガス導入管４６は、外部
から真空チャンバ３８内にＣＨ4 ガスを導入する。
成されている。この開口部４５を通って、プラズマ発生
室３４から引き出されたプラズマが金属部材ホルダ４２
に装着された金属部材４３に放射されるようになってい
る。真空チャンバ３８内には、反応ガス導入管４６が設
けられている。この反応ガス導入管４６の先端は、開口
部４５の上方に位置する。反応ガス導入管４６は、外部
から真空チャンバ３８内にＣＨ4 ガスを導入する。
【００２７】第１開口部４５の反対側には、第２開口部
５３が形成されている。第２開口部５３の下方には、中
間層を構成する材料原子からなるターゲット５６が設け
られている。またターゲット５６の近傍には、ターゲッ
ト５６をスパッタするため、不活性ガスのイオンをター
ゲット５６に放射するイオンガン５７が設けられてい
る。本実施例では、不活性ガスとしてＡｒガスを用いて
いる。本実施例においては、ターゲット５６及びイオン
ガン５７により、中間層形成手段が構成されている。タ
ーゲット５６及びイオンガン５７により第２開口部５３
を介して、金属部材４３上に中間層を構成する材料原子
が放射される。
５３が形成されている。第２開口部５３の下方には、中
間層を構成する材料原子からなるターゲット５６が設け
られている。またターゲット５６の近傍には、ターゲッ
ト５６をスパッタするため、不活性ガスのイオンをター
ゲット５６に放射するイオンガン５７が設けられてい
る。本実施例では、不活性ガスとしてＡｒガスを用いて
いる。本実施例においては、ターゲット５６及びイオン
ガン５７により、中間層形成手段が構成されている。タ
ーゲット５６及びイオンガン５７により第２開口部５３
を介して、金属部材４３上に中間層を構成する材料原子
が放射される。
【００２８】以下、Ｓｉを主成分とする中間層を形成
し、その中間層の上にＤＬＣ薄膜を形成する実施例につ
いて説明する。まず、真空チャンバ８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気して、金属部材ホルダ４２を約１０ｒ
ｐｍの速度で回転させる。次に、イオンガン５７にＡｒ
ガスを供給して、Ａｒイオンを取り出し、これをＳｉか
らなるターゲット５６の表面に放射する。このときのＡ
ｒイオンの加速電圧は９００ｅＶ、イオン電流密度は
０．３ｍＡ／ｃｍ2 に設定した。以上の工程を約２０分
間行い、金属部材４３の表面に膜厚２００ÅのＳｉを主
成分とする中間層を形成した。
し、その中間層の上にＤＬＣ薄膜を形成する実施例につ
いて説明する。まず、真空チャンバ８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気して、金属部材ホルダ４２を約１０ｒ
ｐｍの速度で回転させる。次に、イオンガン５７にＡｒ
ガスを供給して、Ａｒイオンを取り出し、これをＳｉか
らなるターゲット５６の表面に放射する。このときのＡ
ｒイオンの加速電圧は９００ｅＶ、イオン電流密度は
０．３ｍＡ／ｃｍ2 に設定した。以上の工程を約２０分
間行い、金属部材４３の表面に膜厚２００ÅのＳｉを主
成分とする中間層を形成した。
【００２９】次に、イオンガン５７からのＡｒイオンの
放射を止めた後、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導
入管３５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給
するとともに、マイクロ波供給手段３１から２．４５Ｇ
Ｈｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生
室３４内に形成されたＡｒプラズマを金属部材４３の表
面に放射する。これと同時に、金属部材４３に発生する
自己バイアスが−５Ｖとなるように、高周波電源４０か
ら１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を金属部材ホルダ４２に
印加し、反応ガス導入管４６からのＣＨ4 ガスを１．３
×１０-3Ｔｏｒｒで供給する。
放射を止めた後、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導
入管３５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給
するとともに、マイクロ波供給手段３１から２．４５Ｇ
Ｈｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生
室３４内に形成されたＡｒプラズマを金属部材４３の表
面に放射する。これと同時に、金属部材４３に発生する
自己バイアスが−５Ｖとなるように、高周波電源４０か
ら１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を金属部材ホルダ４２に
印加し、反応ガス導入管４６からのＣＨ4 ガスを１．３
×１０-3Ｔｏｒｒで供給する。
【００３０】以上の工程を約３０分間行い、金属部材４
３上に形成した中間層の上に膜厚１２０００ÅのＤＬＣ
薄膜を形成した。以上の２つの工程の結果、窒化処理し
た金属部材４３の表面にＳｉを主成分とする中間層を形
成し、この中間層上に、ＤＬＣ薄膜を形成した積層薄膜
が得られた。このような中間層の形成により、ＤＬＣ薄
膜中の応力を緩和させることができ、金属部材とＤＬＣ
薄膜の密着性を高めることができる。窒化処理した上に
形成した中間層の存在により、金属部材とＤＬＣ薄膜と
の熱膨張係数の差により生じていた熱応力を緩和させる
ことができるため、ＤＬＣ薄膜中の応力を緩和させるこ
とができるものと考えられる。
３上に形成した中間層の上に膜厚１２０００ÅのＤＬＣ
薄膜を形成した。以上の２つの工程の結果、窒化処理し
た金属部材４３の表面にＳｉを主成分とする中間層を形
成し、この中間層上に、ＤＬＣ薄膜を形成した積層薄膜
が得られた。このような中間層の形成により、ＤＬＣ薄
膜中の応力を緩和させることができ、金属部材とＤＬＣ
薄膜の密着性を高めることができる。窒化処理した上に
形成した中間層の存在により、金属部材とＤＬＣ薄膜と
の熱膨張係数の差により生じていた熱応力を緩和させる
ことができるため、ＤＬＣ薄膜中の応力を緩和させるこ
とができるものと考えられる。
【００３１】窒化処理した金属部材４３の表面にＳｉと
Ｃの混合した中間層を形成する場合は、第１開口部４５
におけるプラズマＣＶＤ法による炭素被膜形成と、第２
開口部５３におけるＳｉのスパッタリングを同時に行う
ことにより形成できる。そしてこのＳｉとＣの混合した
中間層上に同様にしてＤＬＣ薄膜を形成する。
Ｃの混合した中間層を形成する場合は、第１開口部４５
におけるプラズマＣＶＤ法による炭素被膜形成と、第２
開口部５３におけるＳｉのスパッタリングを同時に行う
ことにより形成できる。そしてこのＳｉとＣの混合した
中間層上に同様にしてＤＬＣ薄膜を形成する。
【００３２】ローラ１０としては下記の（１）〜（４）
から選ばれるいずれかのローラを用いることにより、前
記ベーン１２とローラ１０はそれぞれ耐摩耗性が従来よ
り向上できる。したがって冷媒がＨＦＣ系冷媒に替わ
り、冷凍機油がエステル系冷凍機油に移行しても、ベー
ン１２とローラ１０との摺動面などにおいて被膜が剥離
するなどがない。 （１）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材からなるローラ、
（２）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガ
スと水素ガスを用いて窒化したローラ、（３）Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなどを添加した高合
金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガスと水素ガスを
用て窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒ
ｕ、Ｇｅと炭素、窒素および酸素のうちの少なくとも１
種の元素を含む中間層を設け、さらにその上にＤＬＣ薄
膜を形成したローラ、（４）Ｓ４０またはＳ４５Ｃ相当
材の焼入れ材、またはＦＣ−３００相当材をＮｉ−Ｐ系
メッキ処理し、メッキ膜のマトリックス中に粒径１μｍ
以下のＴｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 のセラミック粒子を１〜５重
量％分散したローラ。
から選ばれるいずれかのローラを用いることにより、前
記ベーン１２とローラ１０はそれぞれ耐摩耗性が従来よ
り向上できる。したがって冷媒がＨＦＣ系冷媒に替わ
り、冷凍機油がエステル系冷凍機油に移行しても、ベー
ン１２とローラ１０との摺動面などにおいて被膜が剥離
するなどがない。 （１）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材からなるローラ、
（２）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガ
スと水素ガスを用いて窒化したローラ、（３）Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなどを添加した高合
金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガスと水素ガスを
用て窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒ
ｕ、Ｇｅと炭素、窒素および酸素のうちの少なくとも１
種の元素を含む中間層を設け、さらにその上にＤＬＣ薄
膜を形成したローラ、（４）Ｓ４０またはＳ４５Ｃ相当
材の焼入れ材、またはＦＣ−３００相当材をＮｉ−Ｐ系
メッキ処理し、メッキ膜のマトリックス中に粒径１μｍ
以下のＴｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 のセラミック粒子を１〜５重
量％分散したローラ。
【００３３】ローラの熱処理条件の例を次に示す。 雰囲気；無酸化雰囲気炉（ブタン変性ガス中） 焼入れ温度、時間；８５０〜９５０℃、約６０分 焼戻し温度、時間；３００〜３５０℃、約１２０分
【００３４】本発明の冷媒圧縮機の形式は上記のような
密閉型圧縮機でもよいが、開放型圧縮機でもよく特に限
定されない。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではないので、特許請求の範囲に記載の趣旨から逸脱
しない範囲で各種の変形実施が可能である。
密閉型圧縮機でもよいが、開放型圧縮機でもよく特に限
定されない。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではないので、特許請求の範囲に記載の趣旨から逸脱
しない範囲で各種の変形実施が可能である。
【００３５】
【発明の効果】この発明は上記のように構成したことに
より、冷凍機油としてエステル系冷凍機油、エーテル系
冷凍機油などを用いたり、ＨＦＣ系冷媒を使用した場合
でも、ベーンの表面の摺動部における摩擦係数が低く、
耐摩耗性が高く、このベーンを備えた冷媒圧縮機は、長
期に亘り安定して運転することができる。このベーンと
ともに特定のローラを備えた冷媒圧縮機はさらに耐摩耗
性が向上し、一層長期に亘り安定して運転することがで
きる。
より、冷凍機油としてエステル系冷凍機油、エーテル系
冷凍機油などを用いたり、ＨＦＣ系冷媒を使用した場合
でも、ベーンの表面の摺動部における摩擦係数が低く、
耐摩耗性が高く、このベーンを備えた冷媒圧縮機は、長
期に亘り安定して運転することができる。このベーンと
ともに特定のローラを備えた冷媒圧縮機はさらに耐摩耗
性が向上し、一層長期に亘り安定して運転することがで
きる。
【図１】 冷凍装置の冷凍回路図である。
【図２】 本発明の冷媒圧縮機の一例の縦断面図であ
る。
る。
【図３】 図２の冷媒圧縮機の横断面図である。
【図４】 本発明における中間層およびＤＬＣ薄膜形成
のための装置の一例を示す概略断面図である。
のための装置の一例を示す概略断面図である。
１ 密閉容器 ２ 電動要素 ３ 圧縮要素 ４ 巻線 ５ 固定子 ６ 回転子 ７ シリンダ ８ 回転軸 ９ 偏心部 １０ ローラ １１ バネ １２ ベーン １３ 上部軸受 １４ 下部軸受 １５ 吐出孔 １６ 吐出弁 １７ 吐出マフラ １８ オイル １９ 吸込管 ２０ 吐出管 ２１ 中空孔
Claims (5)
- 【請求項１】 アンモニアガスと水素ガスを用いて金属
部材の表面を窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるいはこれらに炭素、窒
素および酸素のうちの少なくとも１種の元素を含む中間
層を設け、さらにその上に硬質炭素薄膜を形成したこと
を特徴とするベーン。 - 【請求項２】 回転軸を有する電動要素と、この電動要
素の回転軸によって駆動される圧縮要素を備え、吸入し
たＨＦＣ系冷媒あるいはＨＦＣ系冷媒を主体とする冷媒
をこの圧縮要素により圧縮して吐出するようにした冷媒
圧縮機であって、前記圧縮要素はシリンダと、前記回転
軸の偏心部によりこのシリンダ内を回転するローラと、
このローラに接してシリンダ内を分けるベーンと、前記
シリンダの開口を封じる上軸受部と下軸受部などから構
成されており、前記ベーンとして、アンモニアガスと水
素ガスを用いて金属部材の表面を窒化し、その上にＳ
ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｇｅの単体、あるい
はこれらに炭素、窒素および酸素のうちの少なくとも１
種の元素を含む中間層を設け、さらにその上に硬質炭素
薄膜を形成したベーンを用いることを特徴とする冷媒圧
縮機。 - 【請求項３】 前記ローラは下記の（１）〜（４）から
選ばれるローラであることを特徴とする請求項２記載の
冷媒圧縮機。 （１）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材からなるローラ、
（２）Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなど
を添加した高合金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガ
スと水素ガスを用いて窒化したローラ、（３）Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏを含み、あるいはさらにＢなどを添加した高合
金鋳鉄の焼入れ材の表面をアンモニアガスと水素ガスを
用いて窒化し、その上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｒｕ、Ｇｅと炭素、窒素および酸素のうちの少なくとも
１種の元素を含む中間層を設け、さらにその上に硬質炭
素薄膜を形成したローラ、（４）Ｓ４０またはＳ４５Ｃ
相当材の焼入れ材、またはＦＣ−３００相当材をＮｉ−
Ｐ系メッキ処理し、メッキ膜のマトリックス中に粒径１
μｍ以下のＴｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 のセラミック粒子を１〜
５重量％分散したローラ。 - 【請求項４】 冷凍機油がエステル系潤滑油、エーテル
系潤滑油あるいはこれらの混合物であることを特徴とす
る請求項２あるいは請求項３記載の冷媒圧縮機。 - 【請求項５】 前記硬質炭素薄膜は、ダイヤモンド薄
膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、ま
たは非晶質炭素薄膜から構成されていることを特徴とす
る請求項２から請求項４のいずれかに記載の冷媒圧縮
機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861898A JPH11264392A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ベーンおよびそれを使用した冷媒圧縮機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861898A JPH11264392A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ベーンおよびそれを使用した冷媒圧縮機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11264392A true JPH11264392A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13378937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6861898A Pending JPH11264392A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | ベーンおよびそれを使用した冷媒圧縮機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11264392A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007056720A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Sanden Corp | 斜板式圧縮機 |
| JP2007056721A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Sanden Corp | 斜板式圧縮機 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP6861898A patent/JPH11264392A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007056720A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Sanden Corp | 斜板式圧縮機 |
| JP2007056721A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Sanden Corp | 斜板式圧縮機 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |