JPH11280680A - 硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機 - Google Patents
硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機Info
- Publication number
- JPH11280680A JPH11280680A JP8326898A JP8326898A JPH11280680A JP H11280680 A JPH11280680 A JP H11280680A JP 8326898 A JP8326898 A JP 8326898A JP 8326898 A JP8326898 A JP 8326898A JP H11280680 A JPH11280680 A JP H11280680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hard carbon
- roller
- rotary compressor
- outer peripheral
- peripheral surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Applications Or Details Of Rotary Compressors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬質炭素被膜を高負荷荷重下で使用する部
材に形成すると、摺動することによって摺動部が高温に
なり、硬質炭素被膜が初期特性から変化し、熱によって
その硬度が減少すると共に、耐摩耗性が悪くなり、当初
の硬質炭素被膜の優れた特性を示さなくなる。 【解決手段】 本発明の硬質炭素被膜は、基体に対す
るイオンビームの照射によって該基体上に形成される硬
質炭素被膜の膜中の水素量が20％以下であり、且つイオ
ンビームのエネルギーが200eV以上であることを特徴と
する。
材に形成すると、摺動することによって摺動部が高温に
なり、硬質炭素被膜が初期特性から変化し、熱によって
その硬度が減少すると共に、耐摩耗性が悪くなり、当初
の硬質炭素被膜の優れた特性を示さなくなる。 【解決手段】 本発明の硬質炭素被膜は、基体に対す
るイオンビームの照射によって該基体上に形成される硬
質炭素被膜の膜中の水素量が20％以下であり、且つイオ
ンビームのエネルギーが200eV以上であることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、硬質炭素被膜に関
し、特に回転圧縮機、若しくはその圧縮機に用いられる
部品、電気シェーバー等の刃物、スクリーン印刷用マス
ク、オフィスオートメーション（ＯＡ）機器部品、その
他摺動部品、又は太陽電池、磁気ヘッド、ＳＡＷデバイ
ス等の電子デバイス、更には半導体等の機能性薄膜に用
いられる硬質炭素被膜に関する。
し、特に回転圧縮機、若しくはその圧縮機に用いられる
部品、電気シェーバー等の刃物、スクリーン印刷用マス
ク、オフィスオートメーション（ＯＡ）機器部品、その
他摺動部品、又は太陽電池、磁気ヘッド、ＳＡＷデバイ
ス等の電子デバイス、更には半導体等の機能性薄膜に用
いられる硬質炭素被膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波ＣＶＤ法、熱フィラメ
ントＣＶＤ法等の気相合成法によって硬質炭素被膜を基
体上に形成しており、この硬質炭素被膜には、水素が２
５〜４０％程度含まれているのが一般的である。この硬
質炭素被膜が形成された部材を使用する際にその部材の
温度が上昇するに従って、被膜中の水素量が減少し、そ
れに伴い、被膜の硬度が減少する傾向にあった。
ントＣＶＤ法等の気相合成法によって硬質炭素被膜を基
体上に形成しており、この硬質炭素被膜には、水素が２
５〜４０％程度含まれているのが一般的である。この硬
質炭素被膜が形成された部材を使用する際にその部材の
温度が上昇するに従って、被膜中の水素量が減少し、そ
れに伴い、被膜の硬度が減少する傾向にあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、硬質炭素被
膜を高負荷荷重下で使用する部材に形成すると、摺動す
ることによって摺動部が高温になり、硬質炭素被膜が初
期特性から変化し、熱によってその硬度が減少すると共
に、耐摩耗性が悪くなり、当初の硬質炭素被膜の優れた
特性を示さなくなる。
膜を高負荷荷重下で使用する部材に形成すると、摺動す
ることによって摺動部が高温になり、硬質炭素被膜が初
期特性から変化し、熱によってその硬度が減少すると共
に、耐摩耗性が悪くなり、当初の硬質炭素被膜の優れた
特性を示さなくなる。
【０００４】また、前述の硬質炭素被膜においても、膜
厚が厚くなるとその内部応力の影響等により、剥離する
可能性がある。
厚が厚くなるとその内部応力の影響等により、剥離する
可能性がある。
【０００５】従って、本発明は、このような従来の問題
点を解消し、高い膜硬度を有し、かつ基体に対する密着
性に優れた硬質炭素被膜を提供することを目的とする。
点を解消し、高い膜硬度を有し、かつ基体に対する密着
性に優れた硬質炭素被膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転するクラ
ンク軸の偏心部に取り付けられた、外周面を有するロー
ラと、前記ローラを収納し、前記ローラの外周面に接し
て摺動する摺動面を内面に有するシリンダと、前記シリ
ンダの内面に形成された溝内に収納され、先端部が前記
ローラの外周面に接して摺動するベーンとを備え、前記
ベーンの少なくとも先端部または側面部に、イオンビー
ムを照射することによって該ベーン上に形成される硬質
炭素被膜の膜中の水素量を２０％以下としたことを特徴
とする。
ンク軸の偏心部に取り付けられた、外周面を有するロー
ラと、前記ローラを収納し、前記ローラの外周面に接し
て摺動する摺動面を内面に有するシリンダと、前記シリ
ンダの内面に形成された溝内に収納され、先端部が前記
ローラの外周面に接して摺動するベーンとを備え、前記
ベーンの少なくとも先端部または側面部に、イオンビー
ムを照射することによって該ベーン上に形成される硬質
炭素被膜の膜中の水素量を２０％以下としたことを特徴
とする。
【０００７】また、本発明は、回転するクランク軸の偏
心部に取り付けられた、外周面を有するローラと、前記
ローラを収納し、前記ローラの外周面に接して摺動する
摺動面を内面に有するシリンダと、前記シリンダの内面
に形成された溝内に収納され、先端部が前記ローラの外
周面に接して摺動するベーンとを備え、前記ローラの外
周面に、イオンビームを照射することによって該ローラ
上に形成される硬質炭素被膜の膜中の水素量を２０％以
下としたことを特徴とする。
心部に取り付けられた、外周面を有するローラと、前記
ローラを収納し、前記ローラの外周面に接して摺動する
摺動面を内面に有するシリンダと、前記シリンダの内面
に形成された溝内に収納され、先端部が前記ローラの外
周面に接して摺動するベーンとを備え、前記ローラの外
周面に、イオンビームを照射することによって該ローラ
上に形成される硬質炭素被膜の膜中の水素量を２０％以
下としたことを特徴とする。
【０００８】更に、本発明は、回転するクランク軸の偏
心部に取り付けられた、外周面を有するローラと、前記
ローラを収納し、前記ローラの外周面に接して摺動する
摺動面を内面に有するシリンダと、前記シリンダの内面
に形成された溝内に収納され、先端部が前記ローラの外
周面に接して摺動するベーンとを備え、前記シリンダの
溝の内面に、イオンビームを照射することによって該内
面上に形成される硬質炭素被膜の膜中の水素量を２０％
以下としたことを特徴とする。
心部に取り付けられた、外周面を有するローラと、前記
ローラを収納し、前記ローラの外周面に接して摺動する
摺動面を内面に有するシリンダと、前記シリンダの内面
に形成された溝内に収納され、先端部が前記ローラの外
周面に接して摺動するベーンとを備え、前記シリンダの
溝の内面に、イオンビームを照射することによって該内
面上に形成される硬質炭素被膜の膜中の水素量を２０％
以下としたことを特徴とする。
【０００９】ここで、前記イオンビームのエネルギーが
２００eV以上であることを特徴とする。
２００eV以上であることを特徴とする。
【００１０】前記被膜の硬度が５００℃以下の温度範囲
で硬度が２５００Ｈｖ以上であることを特徴とする。
で硬度が２５００Ｈｖ以上であることを特徴とする。
【００１１】前記硬質炭素被膜と、前記ベーン、前記ロ
ーラの外周面、又は前記シリダの溝の内面との間に中間
層が形成されていることを特徴とする。
ーラの外周面、又は前記シリダの溝の内面との間に中間
層が形成されていることを特徴とする。
【００１２】前記中間層が、Si、Ti、Zr、Ge、Ru、Mo、
W、又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくはこ
れらの炭化物から形成されていることを特徴とする。
W、又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしくはこ
れらの炭化物から形成されていることを特徴とする。
【００１３】前記硬質炭素被膜が、Si、N、Ta、Cr、F、
及びBからなるグループより選ばれる少なくとも１種の
添加元素を含有している。
及びBからなるグループより選ばれる少なくとも１種の
添加元素を含有している。
【００１４】前記硬質炭素被膜は、前記硬質炭素被膜の
表面に近い部分の添加元素濃度が表面から離れた部分よ
りも高くなるような添加元素濃度の傾斜を有している。
表面に近い部分の添加元素濃度が表面から離れた部分よ
りも高くなるような添加元素濃度の傾斜を有している。
【００１５】前記回転圧縮機において、冷凍油として、
ポリオールエステル、又はポリビニールエーテルが用い
られる。
ポリオールエステル、又はポリビニールエーテルが用い
られる。
【００１６】Fe系、Al系、Cu系の溶製材、或いはこれら
をベースにした焼結、複合材からなるベーン、ローラ、
及びシリンダの基体のうちいずれかに前記硬質炭素被膜
を形成した。
をベースにした焼結、複合材からなるベーン、ローラ、
及びシリンダの基体のうちいずれかに前記硬質炭素被膜
を形成した。
【００１７】前記硬質炭素被膜は、ダイヤモンド薄膜、
ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、又は非
晶質炭素薄膜から構成されている。
ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、又は非
晶質炭素薄膜から構成されている。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１乃至図
４に基づいて説明する。
４に基づいて説明する。
【００１９】まず、図１は、本発明における硬質炭素被
膜形成のための装置の一例を示す概略断面図である。
膜形成のための装置の一例を示す概略断面図である。
【００２０】尚、本発明の実施の形態における硬質炭素
被膜は、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド構造と非晶質
炭素構造との混合薄膜、或いは非晶質炭素薄膜である。
また、硬質炭素被膜には、Si、N、Ta、Cr、F、及びBか
らなるグループより選ばれる少なくとも１種の添加元素
を含有していることが好ましい。
被膜は、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド構造と非晶質
炭素構造との混合薄膜、或いは非晶質炭素薄膜である。
また、硬質炭素被膜には、Si、N、Ta、Cr、F、及びBか
らなるグループより選ばれる少なくとも１種の添加元素
を含有していることが好ましい。
【００２１】図１を参照して、真空チャンバ８には、プ
ラズマ発生室４が設けられている。プラズマ発生室４に
は、導波管２の一端が取り付けられており、導波管２の
他端には、マイクロ波供給手段１が設けられている。
ラズマ発生室４が設けられている。プラズマ発生室４に
は、導波管２の一端が取り付けられており、導波管２の
他端には、マイクロ波供給手段１が設けられている。
【００２２】マイクロ波供給手段１で発生したマイクロ
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、プラ
ズマ発生室４内にアルゴン（Ar）ガスなどの放電ガスと
メタン（CH4）、水素（H2）などの原料ガスを導入させ
るためのガス導入管５が設けられている。また、プラズ
マ発生室４の周囲には、プラズマ磁界発生装置６が設け
られている。
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、プラ
ズマ発生室４内にアルゴン（Ar）ガスなどの放電ガスと
メタン（CH4）、水素（H2）などの原料ガスを導入させ
るためのガス導入管５が設けられている。また、プラズ
マ発生室４の周囲には、プラズマ磁界発生装置６が設け
られている。
【００２３】マイクロ波による高周波磁界と、プラズマ
磁界発生装置６からの磁界を作用させることにより、プ
ラズマ発生室４内に高密度のECRプラズマが形成され
る。真空チャンバ８内には基体ホルダ７が設けられてい
る。本実施例では、基体10として回転圧縮機のベーンを
用いた。尚、基体として、Fe系、Al系、Cu系の溶製材、
或いはこれらをベースにした焼結、或いは複合材を用い
ることが好ましい。
磁界発生装置６からの磁界を作用させることにより、プ
ラズマ発生室４内に高密度のECRプラズマが形成され
る。真空チャンバ８内には基体ホルダ７が設けられてい
る。本実施例では、基体10として回転圧縮機のベーンを
用いた。尚、基体として、Fe系、Al系、Cu系の溶製材、
或いはこれらをベースにした焼結、或いは複合材を用い
ることが好ましい。
【００２４】この回転圧縮機の概略構成については後述
する。
する。
【００２５】また、プラズマ発生室４で分解された炭素
系イオンは、グリッド９によって加速され、真空チャン
バ８内に引き出される。この時、グリッド９に印加され
る電圧の大きさにより、イオンの加速エネルギーは制御
される。
系イオンは、グリッド９によって加速され、真空チャン
バ８内に引き出される。この時、グリッド９に印加され
る電圧の大きさにより、イオンの加速エネルギーは制御
される。
【００２６】また、中間層の形成が必要な場合はマグネ
トロンRFスパッタ法などにより可能となる。ターゲット
をアルゴンプラズマ中のイオンでスパッタし、膜形成を
行うものであり、ターゲットとして、Si、Ti、Zr、W、M
o、Ru、Ge等を用い、また、スパッタと同時にチャンバ
ー内に酸素、或いは窒素ガス、或いは炭素を含むガスを
導入するとSi、Ti、Zr、W、Mo、Ru、Geの単体、或いは
これらの酸化物、窒化物、及び炭化物の形成が可能とな
る。
トロンRFスパッタ法などにより可能となる。ターゲット
をアルゴンプラズマ中のイオンでスパッタし、膜形成を
行うものであり、ターゲットとして、Si、Ti、Zr、W、M
o、Ru、Ge等を用い、また、スパッタと同時にチャンバ
ー内に酸素、或いは窒素ガス、或いは炭素を含むガスを
導入するとSi、Ti、Zr、W、Mo、Ru、Geの単体、或いは
これらの酸化物、窒化物、及び炭化物の形成が可能とな
る。
【００２７】以下、硬質炭素被膜を形成する実施の形態
について説明する。
について説明する。
【００２８】まず、真空チャンバ８内を10-5〜10-7Torr
に排気する。 次に、チャンバ内にArガスを5.7×10-4To
rr供給して、ターゲット１１と基体ホルダー７との間に
Arプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンにより、Si
ターゲットをスパッタし、Si中間層を形成する。次に、
マグネトロンスパッタ法によるSi中間層形成プロセスを
止めて、プラズマ発生室４内にArガスを2.5×10-4Tor
r、CH4ガスを3.0×10-4Torr供給して、プラズマ発生室
４にAr及びCH4のプラズマを発生させる。
に排気する。 次に、チャンバ内にArガスを5.7×10-4To
rr供給して、ターゲット１１と基体ホルダー７との間に
Arプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンにより、Si
ターゲットをスパッタし、Si中間層を形成する。次に、
マグネトロンスパッタ法によるSi中間層形成プロセスを
止めて、プラズマ発生室４内にArガスを2.5×10-4Tor
r、CH4ガスを3.0×10-4Torr供給して、プラズマ発生室
４にAr及びCH4のプラズマを発生させる。
【００２９】更に、グリッド９に印加する電圧を200Vか
ら1kVまで変化させて膜形成を行った。
ら1kVまで変化させて膜形成を行った。
【００３０】ところで、本発明の硬質炭素被膜が形成さ
れる回転圧縮機の概略断面を図２に示す。
れる回転圧縮機の概略断面を図２に示す。
【００３１】同図において、１１は密閉容器、２０は図
示しない電動機によって駆動されるクランク軸、３０は
クランク軸２０の偏心部に取り付けられたローラであ
り、このローラ３０はモニクロ鋳鉄から構成されてい
る。
示しない電動機によって駆動されるクランク軸、３０は
クランク軸２０の偏心部に取り付けられたローラであ
り、このローラ３０はモニクロ鋳鉄から構成されてい
る。
【００３２】４０はローラ３０を収納した円筒状シリン
ダであり、このシリンダ４０は鋳鉄から構成されてい
る。５０はベーン６０が往復運動するために設けられた
シリンダ溝、６０は円筒状シリンダ４０内の空間を高圧
部と低圧部に仕切るためのベーンであり、このベーン６
０は高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）から構成されている。
ダであり、このシリンダ４０は鋳鉄から構成されてい
る。５０はベーン６０が往復運動するために設けられた
シリンダ溝、６０は円筒状シリンダ４０内の空間を高圧
部と低圧部に仕切るためのベーンであり、このベーン６
０は高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）から構成されている。
【００３３】７０はベーン６０をローラ３０側に付勢す
るためのバネである。８０は円筒状シリンダ４０内へ冷
媒を供給する吸入管、９０は円筒状シリンダ内部で圧縮
された圧力、及び温度が上昇した冷媒を圧縮機外部に吐
出させる吐出管である。尚、本発明の回転圧縮機の冷凍
油としては、ポリオールエステル、又はポリビニールエ
ーテルが用いられることが好ましい。
るためのバネである。８０は円筒状シリンダ４０内へ冷
媒を供給する吸入管、９０は円筒状シリンダ内部で圧縮
された圧力、及び温度が上昇した冷媒を圧縮機外部に吐
出させる吐出管である。尚、本発明の回転圧縮機の冷凍
油としては、ポリオールエステル、又はポリビニールエ
ーテルが用いられることが好ましい。
【００３４】前述のように構成された回転圧縮機の動作
説明を次に行う。
説明を次に行う。
【００３５】電動機によってクランク軸２０が駆動さ
れ、クランク軸２０偏心部に取り付けられたローラ３０
は、円筒状シリンダ４０内を円周に沿って回転する。ベ
ーン６０は高圧ガス、及びバネ７０を付勢を受けている
ため、このローラ３０の回転に伴ってベーン６０は、ロ
ーラ３０の外周面と常時接触しながら、シリンダ溝５０
内を往復運動する。
れ、クランク軸２０偏心部に取り付けられたローラ３０
は、円筒状シリンダ４０内を円周に沿って回転する。ベ
ーン６０は高圧ガス、及びバネ７０を付勢を受けている
ため、このローラ３０の回転に伴ってベーン６０は、ロ
ーラ３０の外周面と常時接触しながら、シリンダ溝５０
内を往復運動する。
【００３６】この運動を連続的に繰り返すことによっ
て、円筒状シリンダ４０内へ吸入管８０を介して吸い込
まれた冷媒が、円筒状シリンダ４０内部で圧縮され、圧
力、及び温度が上昇した後、吐出管９０を介して回転圧
縮機外部に吐出される。
て、円筒状シリンダ４０内へ吸入管８０を介して吸い込
まれた冷媒が、円筒状シリンダ４０内部で圧縮され、圧
力、及び温度が上昇した後、吐出管９０を介して回転圧
縮機外部に吐出される。
【００３７】本発明の硬質炭素被膜は、回転圧縮機の摺
動部分、即ちベーン６０の少なくとも先端部または側面
部、ローラ３０の外周面、及びシリンダ溝５０の内面に
形成することが好ましい。
動部分、即ちベーン６０の少なくとも先端部または側面
部、ローラ３０の外周面、及びシリンダ溝５０の内面に
形成することが好ましい。
【００３８】ところで、本実施の形態で作製した硬質炭
素被膜の水素量を赤外吸収分光分析方法を用いて測定
し、その結果を図３に示す。図３に示すように、加速電
圧が増加するに従い、水素量が減少することがわかっ
た。更に、基体に対する加速電圧と硬質炭素被膜の硬度
との関係を図４に示す。同図から明らかように、加速電
圧を２００Ｖ以上に設定することによって、硬質炭素被
膜の硬度を約２５００Ｈｖ以上に保持することができる
ことが分かる。これらの結果、基体に対する加速電圧を
上げることによって被膜中の水素量は減少するものの、
この被膜の形成中にイオンビームを基体に照射すること
によって被膜の硬度を少なくとも約２５００Ｈｖに保持
することができる。
素被膜の水素量を赤外吸収分光分析方法を用いて測定
し、その結果を図３に示す。図３に示すように、加速電
圧が増加するに従い、水素量が減少することがわかっ
た。更に、基体に対する加速電圧と硬質炭素被膜の硬度
との関係を図４に示す。同図から明らかように、加速電
圧を２００Ｖ以上に設定することによって、硬質炭素被
膜の硬度を約２５００Ｈｖ以上に保持することができる
ことが分かる。これらの結果、基体に対する加速電圧を
上げることによって被膜中の水素量は減少するものの、
この被膜の形成中にイオンビームを基体に照射すること
によって被膜の硬度を少なくとも約２５００Ｈｖに保持
することができる。
【００３９】一方、基体を加熱しながら、この被膜の硬
度測定を行った結果、５００℃までは硬度は２５００Ｈ
ｖ以上であることがわかった。本発明の基体は加速電圧
を６００Ｖに設定して硬質炭素被膜を形成した。
度測定を行った結果、５００℃までは硬度は２５００Ｈ
ｖ以上であることがわかった。本発明の基体は加速電圧
を６００Ｖに設定して硬質炭素被膜を形成した。
【００４０】この後、密着性の評価をビッカース圧子に
よる押し込み試験（荷重：1kg）により行った。比較例
として加速電圧を５０Vとして、形成した膜の結果もあ
わせて表1に示す（試験基体個数：５０個）。
よる押し込み試験（荷重：1kg）により行った。比較例
として加速電圧を５０Vとして、形成した膜の結果もあ
わせて表1に示す（試験基体個数：５０個）。
【００４１】表1に示すように、本発明の膜は明らかに
密着性においても、優れていることが分かる。
密着性においても、優れていることが分かる。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基体上に形成された硬質炭素被膜が高い膜硬
度を有し、かつ基体に対する密着性に優れた硬質炭素被
膜となる効果を奏する。
によれば、基体上に形成された硬質炭素被膜が高い膜硬
度を有し、かつ基体に対する密着性に優れた硬質炭素被
膜となる効果を奏する。
【図１】本発明の硬質炭素被膜形成のための装置の一例
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】本発明の硬質炭素被膜が形成される回転圧縮機
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図３】本発明の硬質炭素被膜の水素量と基体に対する
加速電圧との関係を表わす図である。
加速電圧との関係を表わす図である。
【図４】基体に対する加速電圧と硬質炭素被膜の硬度と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
１…マイクロ波供給手段 ２…導波管 ３…マイクロ波導入窓 ４…プラズマ発生室 ５…ガス導入管 ６…プラズマ磁界発生装置 ７…基体ホルダ ８…真空チャンバ ９…グリッド １０…基体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樽井 久樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 回転するクランク軸の偏心部に取り付
けられた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納
し、前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面
に有するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された
溝内に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して
摺動するベーンとを備え、前記ベーンの少なくとも先端
部または側面部に、イオンビームを照射することによっ
て該ベーン上に形成される硬質炭素被膜の膜中の水素量
を２０％以下としたことを特徴とする硬質炭素被膜が形
成された回転圧縮機。 - 【請求項２】 回転するクランク軸の偏心部に取り付
けられた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納
し、前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面
に有するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された
溝内に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して
摺動するベーンとを備え、前記ローラの外周面に、イオ
ンビームを照射することによって該ローラ上に形成され
る硬質炭素被膜の膜中の水素量を２０％以下としたこと
を特徴とする硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機。 - 【請求項３】 回転するクランク軸の偏心部に取り付
けられた、外周面を有するローラと、前記ローラを収納
し、前記ローラの外周面に接して摺動する摺動面を内面
に有するシリンダと、前記シリンダの内面に形成された
溝内に収納され、先端部が前記ローラの外周面に接して
摺動するベーンとを備え、前記シリンダの溝の内面に、
イオンビームを照射することによって該内面上に形成さ
れる硬質炭素被膜の膜中の水素量を２０％以下としたこ
とを特徴とする硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機。 - 【請求項４】 前記イオンビームのエネルギーが２０
０eV以上であることを特徴とする請求項１乃至３のうち
いずれかに記載の硬質炭素被膜が形成された回転圧縮
機。 - 【請求項５】 前記被膜の硬度が５００℃以下の温度
範囲で硬度が２５００Ｈｖ以上であることを特徴とする
請求項１乃至３のうちいずれかに記載の硬質炭素被膜が
形成された回転圧縮機。 - 【請求項６】 前記硬質炭素被膜と、前記ベーン、前
記ローラの外周面、又は前記シリダの溝の内面との間に
中間層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至
５のうちいずれかに記載の硬質炭素被膜が形成された回
転圧縮機。 - 【請求項７】 前記中間層が、Si、Ti、Zr、Ge、Ru、
Mo、W、又はこれらの酸化物、これらの窒化物、もしく
はこれらの炭化物から形成されていることを特徴とする
請求項６記載の硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機。 - 【請求項８】 前記硬質炭素被膜が、Si、N、Ta、C
r、F、及びBからなるグループより選ばれる少なくとも
１種の添加元素を含有している請求項１乃至３のうちい
ずれかに記載の硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機。 - 【請求項９】 前記硬質炭素被膜は、前記硬質炭素被
膜の表面に近い部分の添加元素濃度が表面から離れた部
分よりも高くなるような添加元素濃度の傾斜を有してい
る請求項８記載の硬質炭素被膜が形成された回転圧縮
機。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９記載の回転圧縮機に
おいて、冷凍油として、ポリオールエステル、又はポリ
ビニールエーテルが用いられることを特徴とする硬質炭
素被膜が形成された回転圧縮機。 - 【請求項１１】 Fe系、Al系、Cu系の溶製材、或いは
これらをベースにした焼結、複合材からなるベーン、ロ
ーラ、及びシリンダの基体のうちいずれかに前記硬質炭
素被膜を形成したことを特徴とする請求項１乃至３記載
の硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機。 - 【請求項１２】 前記硬質炭素被膜は、ダイヤモンド
薄膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造との混合膜、
又は非晶質炭素薄膜から構成されていることを特徴とす
る請求項１乃至１１のうちいずれかに記載の硬質炭素被
膜が形成された回転圧縮機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8326898A JPH11280680A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8326898A JPH11280680A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11280680A true JPH11280680A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13797619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8326898A Pending JPH11280680A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11280680A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003247060A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質炭素被膜の製造方法及び非晶質炭素被覆摺動部品 |
| JP2009203556A (ja) * | 2001-12-17 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質炭素被膜の製造方法及び非晶質炭素被覆摺動部品 |
| WO2014196259A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | 株式会社日立製作所 | 摺動部品 |
| JP2020200795A (ja) * | 2019-06-11 | 2020-12-17 | 株式会社豊田中央研究所 | ベーン式ポンプ |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8326898A patent/JPH11280680A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003247060A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質炭素被膜の製造方法及び非晶質炭素被覆摺動部品 |
| JP2009203556A (ja) * | 2001-12-17 | 2009-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質炭素被膜の製造方法及び非晶質炭素被覆摺動部品 |
| WO2014196259A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | 株式会社日立製作所 | 摺動部品 |
| JPWO2014196259A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-02-23 | 株式会社日立製作所 | 摺動部品 |
| JP2020200795A (ja) * | 2019-06-11 | 2020-12-17 | 株式会社豊田中央研究所 | ベーン式ポンプ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100472594B1 (ko) | 활주식접촉면을갖는부재,압축기및회전식압축기 | |
| JP4331292B2 (ja) | 低摩耗性と優れた密着性を有する複合ダイヤモンドライクカーボン皮膜 | |
| EP0828015A2 (en) | Hard carbon film-coated substrate and method for fabricating the same | |
| US20070071993A1 (en) | Carbon film-coated article and method of producing the same | |
| US10059899B2 (en) | Component having a coating and method for the production thereof | |
| Ferreira et al. | Hard and dense diamond like carbon coatings deposited by deep oscillations magnetron sputtering | |
| US9840766B2 (en) | Component having a coating and method for the production thereof | |
| JP4122387B2 (ja) | 複合硬質皮膜、その製造方法及び成膜装置 | |
| JP4449187B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH11100294A (ja) | 硬質炭素薄膜及びその製造方法 | |
| JPH11280680A (ja) | 硬質炭素被膜が形成された回転圧縮機 | |
| JP4720052B2 (ja) | 非晶質炭素被膜の形成装置及び形成方法 | |
| JPH11280648A (ja) | 回転圧縮機 | |
| JP2001342565A (ja) | 炭素被膜形成基体及び回転圧縮機 | |
| JP2001107220A (ja) | 硬質炭素膜を被覆した機械部品及びその製造方法 | |
| JP2000080992A (ja) | ベーンおよびそれを用いた冷媒圧縮機 | |
| Gredić et al. | Plasma nitriding of Ti and Ti-Al coatings | |
| JP2003013200A (ja) | 硬質炭素膜およびその製造方法 | |
| JP2006169614A (ja) | 金属複合ダイヤモンドライクカーボン（ｄｌｃ）皮膜、その形成方法、及び摺動部材 | |
| JP7297253B2 (ja) | 圧縮機、摺動部材、および摺動部材の製造方法 | |
| JP3572240B2 (ja) | 導電部材の物理的表面改質方法および表面改質装置 | |
| JPH05328761A (ja) | 超音波モータ | |
| JPH0665877B2 (ja) | 冷媒圧縮機 | |
| JPH06248442A (ja) | 硬質炭素膜被覆部材の製造方法 | |
| JPH11264393A (ja) | ベーンおよびそれを使用した冷媒圧縮機 |