JP2001342565A - 炭素被膜形成基体及び回転圧縮機 - Google Patents
炭素被膜形成基体及び回転圧縮機Info
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- JP2001342565A JP2001342565A JP2000165345A JP2000165345A JP2001342565A JP 2001342565 A JP2001342565 A JP 2001342565A JP 2000165345 A JP2000165345 A JP 2000165345A JP 2000165345 A JP2000165345 A JP 2000165345A JP 2001342565 A JP2001342565 A JP 2001342565A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 中間層２１を介して炭素被膜２２を基体２０
上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素被膜２２
の密着性を向上させる。 【解決手段】 中間層２１の厚さをＴとしたとき、炭素
被膜２２が形成される基体２０表面の凹凸の最大高さＲ
ｙが、Ｔの１００倍の基準長さにおいてＴ以下であるこ
とを特徴としている。
上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素被膜２２
の密着性を向上させる。 【解決手段】 中間層２１の厚さをＴとしたとき、炭素
被膜２２が形成される基体２０表面の凹凸の最大高さＲ
ｙが、Ｔの１００倍の基準長さにおいてＴ以下であるこ
とを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体上に中間層を
介して炭素被膜が形成された炭素被膜形成基体及び回転
圧縮機に関するものである。
介して炭素被膜が形成された炭素被膜形成基体及び回転
圧縮機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ダイヤモンド状炭素薄膜等の炭素
被膜は、機械的物性及び化学的安定性に優れているた
め、種々の分野においてコーティング材料として注目を
集めている。例えば、回転圧縮機に用いられる部品、電
気シェーバー等の刃、スクリーン印刷用マスク、オフィ
スオートメーション（ＯＡ）機器部品、その他摺動部品
等における耐摩耗性のコーティング薄膜、並びに太陽電
池、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導体デバイス
等における機能性薄膜等として用いられている。
被膜は、機械的物性及び化学的安定性に優れているた
め、種々の分野においてコーティング材料として注目を
集めている。例えば、回転圧縮機に用いられる部品、電
気シェーバー等の刃、スクリーン印刷用マスク、オフィ
スオートメーション（ＯＡ）機器部品、その他摺動部品
等における耐摩耗性のコーティング薄膜、並びに太陽電
池、ＳＡＷデバイス等の電子デバイス、半導体デバイス
等における機能性薄膜等として用いられている。
【０００３】しかしながら、金属製基体上に直接炭素被
膜を形成した場合、基体と炭素被膜との間の密着性が良
くないため、炭素被膜が剥離するという問題を生じる。
このような問題を解消するため、基体上に中間層を形成
した後、炭素被膜を形成することにより密着性を改善す
る方法が知られている。
膜を形成した場合、基体と炭素被膜との間の密着性が良
くないため、炭素被膜が剥離するという問題を生じる。
このような問題を解消するため、基体上に中間層を形成
した後、炭素被膜を形成することにより密着性を改善す
る方法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように中間層を介して基体上に炭素被膜を形成した場合
であっても、炭素被膜の密着性が良好な場合と、炭素被
膜の密着性が良好でない場合があった。
ように中間層を介して基体上に炭素被膜を形成した場合
であっても、炭素被膜の密着性が良好な場合と、炭素被
膜の密着性が良好でない場合があった。
【０００５】本発明の目的は、中間層を介して炭素被膜
を基体上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素被
膜の密着性に優れた炭素被膜形成基体を提供することに
あり、さらには密着性に優れた炭素被膜が形成された部
品を備える回転圧縮機を提供することにある。
を基体上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素被
膜の密着性に優れた炭素被膜形成基体を提供することに
あり、さらには密着性に優れた炭素被膜が形成された部
品を備える回転圧縮機を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、中間層を
介して炭素被膜を基体上に形成した炭素被膜形成基体に
おいて、密着性が良好な場合と密着性が良好でない場合
について鋭意検討した結果、中間層の厚さと、基体表面
の凹凸の最大高さＲｙが一定の関係を満足するときに、
炭素被膜の密着性が良好になることを見い出した。具体
的には、中間層の厚さをＴとしたとき、炭素被膜が形成
される基体表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの１００倍
の基準長さにおいてＴ以下であるときに、炭素被膜の密
着性が良好になることを見出し、本発明を完成するに至
った。
介して炭素被膜を基体上に形成した炭素被膜形成基体に
おいて、密着性が良好な場合と密着性が良好でない場合
について鋭意検討した結果、中間層の厚さと、基体表面
の凹凸の最大高さＲｙが一定の関係を満足するときに、
炭素被膜の密着性が良好になることを見い出した。具体
的には、中間層の厚さをＴとしたとき、炭素被膜が形成
される基体表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの１００倍
の基準長さにおいてＴ以下であるときに、炭素被膜の密
着性が良好になることを見出し、本発明を完成するに至
った。
【０００７】すなわち、本発明は、基体上に中間層を介
して炭素被膜が形成された炭素被膜形成基体であって、
中間層の厚さをＴとしたとき、炭素被膜が形成される基
体表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの１００倍の基準長
さにおいてＴ以下であることを特徴とする炭素被膜形成
基体である。
して炭素被膜が形成された炭素被膜形成基体であって、
中間層の厚さをＴとしたとき、炭素被膜が形成される基
体表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの１００倍の基準長
さにおいてＴ以下であることを特徴とする炭素被膜形成
基体である。
【０００８】本発明における基体表面の凹凸の最大高さ
Ｒｙは、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９
４）に定義されている。すなわち、本発明における最大
高さＲｙは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さ
だけ抜き取り、この抜取り部分の山頂線と谷底線との間
隔を粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値をマイク
ロメートル（μｍ）で表したものである。なお、本発明
において基準長さは、中間層の厚さＴの１００倍の長さ
としている。最大高さＲｙは、表面粗さ計により測定す
ることができる。
Ｒｙは、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９
４）に定義されている。すなわち、本発明における最大
高さＲｙは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さ
だけ抜き取り、この抜取り部分の山頂線と谷底線との間
隔を粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値をマイク
ロメートル（μｍ）で表したものである。なお、本発明
において基準長さは、中間層の厚さＴの１００倍の長さ
としている。最大高さＲｙは、表面粗さ計により測定す
ることができる。
【０００９】本発明における炭素被膜には、ダイヤモン
ド薄膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造とを混合し
て有する炭素薄膜、及び非晶質炭素薄膜（ダイヤモンド
状炭素薄膜）が含まれる。
ド薄膜、ダイヤモンド構造と非晶質炭素構造とを混合し
て有する炭素薄膜、及び非晶質炭素薄膜（ダイヤモンド
状炭素薄膜）が含まれる。
【００１０】本発明における炭素被膜の形成方法は、特
に限定されるものではなく、従来から公知の炭素被膜の
形成方法を採用することができる。例えば、プラズマ気
相合成法及びイオンビーム照射によるＣＶＤ法等により
形成することができる。また、原料ガスも、炭素被膜を
形成することができる原料ガスであればよく、メタン、
エタン、プロパン、ブタン、エチレン、及びアセチレン
などを用いることができる。
に限定されるものではなく、従来から公知の炭素被膜の
形成方法を採用することができる。例えば、プラズマ気
相合成法及びイオンビーム照射によるＣＶＤ法等により
形成することができる。また、原料ガスも、炭素被膜を
形成することができる原料ガスであればよく、メタン、
エタン、プロパン、ブタン、エチレン、及びアセチレン
などを用いることができる。
【００１１】本発明において、炭素被膜は高い硬度を有
することが好ましく、例えば２５００Ｈｖ以上の硬度を
有することが好ましい。本発明において、中間層は、基
体と炭素被膜との密着性を向上させることができるもの
であればその材質は特に限定されるものではないが、例
えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷ並
びにこれらの酸化物、窒化物、及び炭化物からなるグル
ープより選ばれる少なくとも１種の材料から形成するこ
とができる。
することが好ましく、例えば２５００Ｈｖ以上の硬度を
有することが好ましい。本発明において、中間層は、基
体と炭素被膜との密着性を向上させることができるもの
であればその材質は特に限定されるものではないが、例
えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷ並
びにこれらの酸化物、窒化物、及び炭化物からなるグル
ープより選ばれる少なくとも１種の材料から形成するこ
とができる。
【００１２】中間層は複数の異なる層を積層した構造を
有していてもよい。例えば、基板側に設けられる第１中
間層と、炭素被膜側に設けられる第２中間層を有してい
てもよい。この場合、第１中間層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷからなるグループより選
ばれる少なくとも１種の材料から形成されていることが
好ましく、第２中間層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒ
ｕ、Ｍｏ、及びＷの酸化物、窒化物、及び炭化物からな
るグループより選ばれる少なくとも１種の材料から形成
されていることが好ましい。第１中間層を上記の元素か
ら形成することにより、基体に対する密着性が良好とな
り、第２中間層を上記の元素の酸化物、窒化物、または
炭化物から形成することにより、炭素被膜との密着性が
良好となる。
有していてもよい。例えば、基板側に設けられる第１中
間層と、炭素被膜側に設けられる第２中間層を有してい
てもよい。この場合、第１中間層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷからなるグループより選
ばれる少なくとも１種の材料から形成されていることが
好ましく、第２中間層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒ
ｕ、Ｍｏ、及びＷの酸化物、窒化物、及び炭化物からな
るグループより選ばれる少なくとも１種の材料から形成
されていることが好ましい。第１中間層を上記の元素か
ら形成することにより、基体に対する密着性が良好とな
り、第２中間層を上記の元素の酸化物、窒化物、または
炭化物から形成することにより、炭素被膜との密着性が
良好となる。
【００１３】中間層の膜厚は、特に限定されるものでは
ないが、炭素被膜の膜厚よりも薄いことが好ましい。ま
た、中間層の膜厚は、５μｍ以下であることが好まし
く、さらに好ましくは２μｍ以下である。
ないが、炭素被膜の膜厚よりも薄いことが好ましい。ま
た、中間層の膜厚は、５μｍ以下であることが好まし
く、さらに好ましくは２μｍ以下である。
【００１４】中間層の形成方法は、特に限定されるもの
ではなく、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着
法などにより形成することができる。本発明の回転圧縮
機は、回転するクランク軸の偏心部に取り付けられた、
外周面を有するローラと、ローラを収納し、ローラの外
周面に接して摺動する摺動面を内面に有するシリンダ
と、シリンダの内面に形成された溝内に収納され、先端
部がローラの外周面に接して摺動するベーンとを備え、
ベーン、ローラ、またはシリンダが、上記本発明の炭素
被膜形成基体であることを特徴としている。
ではなく、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着
法などにより形成することができる。本発明の回転圧縮
機は、回転するクランク軸の偏心部に取り付けられた、
外周面を有するローラと、ローラを収納し、ローラの外
周面に接して摺動する摺動面を内面に有するシリンダ
と、シリンダの内面に形成された溝内に収納され、先端
部がローラの外周面に接して摺動するベーンとを備え、
ベーン、ローラ、またはシリンダが、上記本発明の炭素
被膜形成基体であることを特徴としている。
【００１５】ベーンが、上記本発明の炭素被膜形成基体
である場合には、ベーンの少なくとも先端部または側面
部の上に中間層を介して炭素被膜が形成される。すなわ
ち、中間層の厚さをＴとしたとき、ベーンの少なくとも
先端部または側面部の表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔ
の１００倍の基準長さにおいてＴ以下となるように構成
される。
である場合には、ベーンの少なくとも先端部または側面
部の上に中間層を介して炭素被膜が形成される。すなわ
ち、中間層の厚さをＴとしたとき、ベーンの少なくとも
先端部または側面部の表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔ
の１００倍の基準長さにおいてＴ以下となるように構成
される。
【００１６】ローラが、上記本発明の炭素被膜形成基体
である場合には、ローラの外周面上に中間層を介して炭
素被膜が形成される。すなわち、中間層の厚さをＴとし
たとき、ローラの外周面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの
１００倍の基準長さにおいてＴ以下となるように構成さ
れる。
である場合には、ローラの外周面上に中間層を介して炭
素被膜が形成される。すなわち、中間層の厚さをＴとし
たとき、ローラの外周面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの
１００倍の基準長さにおいてＴ以下となるように構成さ
れる。
【００１７】シリンダが、上記本発明の炭素被膜形成基
体である場合には、少なくともシリンダの溝の内面上に
中間層を介して炭素被膜が形成される。すなわち、中間
層の厚さをＴとしたとき、シリンダの溝内面の凹凸の最
大高さＲｙが、Ｔの１００倍の基準長さにおいてＴ以下
となるように構成される。
体である場合には、少なくともシリンダの溝の内面上に
中間層を介して炭素被膜が形成される。すなわち、中間
層の厚さをＴとしたとき、シリンダの溝内面の凹凸の最
大高さＲｙが、Ｔの１００倍の基準長さにおいてＴ以下
となるように構成される。
【００１８】本発明の回転圧縮機におけるベーン、ロー
ラ、及びシリンダは、従来より公知の一般的な材質によ
り形成することができ、例えば、Ｆｅ系、Ａｌ系、また
はＣｕ系の溶製材、焼結材、または複合材から形成する
ことができる。
ラ、及びシリンダは、従来より公知の一般的な材質によ
り形成することができ、例えば、Ｆｅ系、Ａｌ系、また
はＣｕ系の溶製材、焼結材、または複合材から形成する
ことができる。
【００１９】本発明の回転圧縮機において用いられる冷
凍油は、特に限定されるものではなく、従来より一般的
に用いられているものを用いることができ、例えば、ポ
リオールエステル、及びポリビニールエーテルなどを用
いることができる。
凍油は、特に限定されるものではなく、従来より一般的
に用いられているものを用いることができ、例えば、ポ
リオールエステル、及びポリビニールエーテルなどを用
いることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、基体上に中間層を介して
炭素被膜を形成した炭素被膜形成基体を模式的に示す断
面図である。基体２０の上には中間層２１が形成されて
おり、中間層２１の上に炭素被膜２２が形成されてい
る。Ｔは中間層２１の厚さであり、Ｒｙは基体２０の表
面の凹凸の最大高さである。図１においては、最大高さ
Ｒｙが異なる基体表面領域Ｄ1 〜Ｄ4 を、１つの図面中
にまとめて表現している。Ｄ1 は最大高さＲｙが最も大
きな基体表面領域であり、Ｄ2 、Ｄ3 、Ｄ4 の順に最大
高さＲｙが小さな基体表面領域となっている。このよう
なＤ1 〜Ｄ4 の領域において、中間層２１の厚さＴの１
００倍の基準長さにおける最大高さＲｙが、中間層２１
の厚さＴ以下となる部分が本発明に従う炭素被膜形成基
体となる。
炭素被膜を形成した炭素被膜形成基体を模式的に示す断
面図である。基体２０の上には中間層２１が形成されて
おり、中間層２１の上に炭素被膜２２が形成されてい
る。Ｔは中間層２１の厚さであり、Ｒｙは基体２０の表
面の凹凸の最大高さである。図１においては、最大高さ
Ｒｙが異なる基体表面領域Ｄ1 〜Ｄ4 を、１つの図面中
にまとめて表現している。Ｄ1 は最大高さＲｙが最も大
きな基体表面領域であり、Ｄ2 、Ｄ3 、Ｄ4 の順に最大
高さＲｙが小さな基体表面領域となっている。このよう
なＤ1 〜Ｄ4 の領域において、中間層２１の厚さＴの１
００倍の基準長さにおける最大高さＲｙが、中間層２１
の厚さＴ以下となる部分が本発明に従う炭素被膜形成基
体となる。
【００２１】本発明において規定する最大高さＲｙと中
間層の厚さＴとの関係を満足させる方法としては、この
ような関係を満足する最大高さＲｙとなるように基体表
面を研磨加工等する方法、形成する中間層の厚さＴを制
御する方法、並びにこれらの方法を併用する方法などが
挙げられる。
間層の厚さＴとの関係を満足させる方法としては、この
ような関係を満足する最大高さＲｙとなるように基体表
面を研磨加工等する方法、形成する中間層の厚さＴを制
御する方法、並びにこれらの方法を併用する方法などが
挙げられる。
【００２２】図２は、本発明の実施例において用いる炭
素被膜形成装置を示す概略断面図である。図２に示すよ
うに、この炭素被膜形成装置においては、真空チャンバ
ー８の外側にプラズマ発生室４が設けられている。プラ
ズマ発生室４には、導波管２の一端が取り付けられてお
り、導波管２の他端には、マイクロ波供給手段１が設け
られている。導波管２とプラズマ発生室４との間には、
マイクロ波導入窓３が設けられている。プラズマ発生室
４には、原料ガスを導入するためのガス導入管５が設け
られている。また、プラズマ発生室４の周囲には、プラ
ズマ磁界発生装置６が設けられている。
素被膜形成装置を示す概略断面図である。図２に示すよ
うに、この炭素被膜形成装置においては、真空チャンバ
ー８の外側にプラズマ発生室４が設けられている。プラ
ズマ発生室４には、導波管２の一端が取り付けられてお
り、導波管２の他端には、マイクロ波供給手段１が設け
られている。導波管２とプラズマ発生室４との間には、
マイクロ波導入窓３が設けられている。プラズマ発生室
４には、原料ガスを導入するためのガス導入管５が設け
られている。また、プラズマ発生室４の周囲には、プラ
ズマ磁界発生装置６が設けられている。
【００２３】真空チャンバー８内には、基体ホルダー７
が設けられている。基体ホルダー７は、支持棒１２によ
って支持されており、支持棒１２は、回転中心部１２ａ
を中心として回転し得るように設けられている。従っ
て、基体ホルダー７は、図２に実線で示す位置と、点線
で示す位置の２つの位置状態が実現し得るように構成さ
れている。基体ホルダー７上に保持された基体の上に炭
素被膜を形成する場合には、プラズマ発生室４側に向い
た実線で示すような位置に設定される。また、中間層を
スパッタリング法により形成する場合には、図２に点線
で示すような、ターゲット１１側に向かう位置に設定さ
れる。ターゲット１１には、高周波電源１３が接続され
ている。
が設けられている。基体ホルダー７は、支持棒１２によ
って支持されており、支持棒１２は、回転中心部１２ａ
を中心として回転し得るように設けられている。従っ
て、基体ホルダー７は、図２に実線で示す位置と、点線
で示す位置の２つの位置状態が実現し得るように構成さ
れている。基体ホルダー７上に保持された基体の上に炭
素被膜を形成する場合には、プラズマ発生室４側に向い
た実線で示すような位置に設定される。また、中間層を
スパッタリング法により形成する場合には、図２に点線
で示すような、ターゲット１１側に向かう位置に設定さ
れる。ターゲット１１には、高周波電源１３が接続され
ている。
【００２４】プラズマ発生室４と真空チャンバー８の間
には、プラズマ発生室４で発生したプラズマ中のイオン
を加速するためのグリッド９が設けられている。上記装
置を用い、炭素被膜は以下のようにして形成される。
には、プラズマ発生室４で発生したプラズマ中のイオン
を加速するためのグリッド９が設けられている。上記装
置を用い、炭素被膜は以下のようにして形成される。
【００２５】マイクロ波供給手段１で発生したマイクロ
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。マイクロ波による高周波磁界
と、プラズマ磁界発生装置６からの磁界を作用させるこ
とにより、プラズマ発生室４内に高密度の電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマが発生する。
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。マイクロ波による高周波磁界
と、プラズマ磁界発生装置６からの磁界を作用させるこ
とにより、プラズマ発生室４内に高密度の電子サイクロ
トロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマが発生する。
【００２６】プラズマ発生室４で発生したプラズマ中の
イオンは、グリッド９によって加速され、真空チャンバ
ー８内に引き出される。このとき、グリッド９に印加さ
れる電圧の大きさにより、イオンの加速エネルギーが制
御される。このようなプラズマ中のイオンを、基体ホル
ダー７上の基体に照射することにより、炭素被膜を形成
することができる。
イオンは、グリッド９によって加速され、真空チャンバ
ー８内に引き出される。このとき、グリッド９に印加さ
れる電圧の大きさにより、イオンの加速エネルギーが制
御される。このようなプラズマ中のイオンを、基体ホル
ダー７上の基体に照射することにより、炭素被膜を形成
することができる。
【００２７】中間層を形成する場合、上述のように、基
体ホルダー７の位置を、図２に点線で示すような位置に
設定した後、高周波電源１３からの高周波電力をターゲ
ット１１に印加し、基体ホルダー７上の基体とターゲッ
ト１１の間にプラズマを発生させ、ターゲット１１をス
パッタリングすることにより、基体の上に中間層を形成
する。ターゲット材料を変えることにより中間層の材質
を変えることができる。また、真空チャンバー８内に流
すガス中に、Ｏ2（酸素）、Ｎ2（窒素）、ＣＨ 4（メタ
ン）等を含有させることにより、それぞれターゲット材
料の酸化物、窒化物、炭化物等の中間層を形成すること
ができる。
体ホルダー７の位置を、図２に点線で示すような位置に
設定した後、高周波電源１３からの高周波電力をターゲ
ット１１に印加し、基体ホルダー７上の基体とターゲッ
ト１１の間にプラズマを発生させ、ターゲット１１をス
パッタリングすることにより、基体の上に中間層を形成
する。ターゲット材料を変えることにより中間層の材質
を変えることができる。また、真空チャンバー８内に流
すガス中に、Ｏ2（酸素）、Ｎ2（窒素）、ＣＨ 4（メタ
ン）等を含有させることにより、それぞれターゲット材
料の酸化物、窒化物、炭化物等の中間層を形成すること
ができる。
【００２８】（実験１）上記の炭素被膜形成装置を用い
て、図３に示すようにベーン３０の上に、中間層３１及
び炭素被膜３２を形成した。基体となるベーンとして
は、表１に示すように、表面の凹凸の最大高さＲｙが、
５μｍ、２μｍ、１μｍ、及び０．５μｍの４種類のも
のを用意し、その表面上に厚さ１μｍのＳｉからなる中
間層を形成し、さらにその上に厚さ約５μｍのダイヤモ
ンド状炭素薄膜を形成した。
て、図３に示すようにベーン３０の上に、中間層３１及
び炭素被膜３２を形成した。基体となるベーンとして
は、表１に示すように、表面の凹凸の最大高さＲｙが、
５μｍ、２μｍ、１μｍ、及び０．５μｍの４種類のも
のを用意し、その表面上に厚さ１μｍのＳｉからなる中
間層を形成し、さらにその上に厚さ約５μｍのダイヤモ
ンド状炭素薄膜を形成した。
【００２９】まず、ターゲット１１としてシリコンター
ゲットを用い、基体ホルダー７の上に基体であるベーン
を設置した後、図２に点線で示す位置に基体ホルダー７
を設定する。次に、真空チャンバー８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒとなるように排気した後、Ａｒガスを真空チ
ャンバー８内に供給して、５．７×１０-4Ｔｏｒｒとす
る。ターゲット１１に高周波電源１３からの高周波電力
を印加し、ターゲット１１と基体ホルダー７との間にＡ
ｒプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンにより、タ
ーゲット１１をスパッタリングし、基体ホルダー７上の
基体上にＳｉ中間層を形成した。
ゲットを用い、基体ホルダー７の上に基体であるベーン
を設置した後、図２に点線で示す位置に基体ホルダー７
を設定する。次に、真空チャンバー８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒとなるように排気した後、Ａｒガスを真空チ
ャンバー８内に供給して、５．７×１０-4Ｔｏｒｒとす
る。ターゲット１１に高周波電源１３からの高周波電力
を印加し、ターゲット１１と基体ホルダー７との間にＡ
ｒプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンにより、タ
ーゲット１１をスパッタリングし、基体ホルダー７上の
基体上にＳｉ中間層を形成した。
【００３０】中間層を形成した後、基体ホルダー７の位
置を、図２に実線で示す上側の位置に戻し、真空チャン
バー８内を再び１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒとなるように排
気し、次にプラズマ発生室４内に３．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒとなるように、原料ガスであるＣＨ4ガスをガス導入
管５から導入した。マイクロ波供給手段１からマイクロ
波をプラズマ発生室４に導入し、ＥＣＲプラズマを発生
させ、グリッド９に６００Ｖの電圧を印加し、プラズマ
中のイオンを、基体ホルダー７上の基体に照射すること
により、ダイヤモンド状炭素薄膜を形成した。
置を、図２に実線で示す上側の位置に戻し、真空チャン
バー８内を再び１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒとなるように排
気し、次にプラズマ発生室４内に３．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒとなるように、原料ガスであるＣＨ4ガスをガス導入
管５から導入した。マイクロ波供給手段１からマイクロ
波をプラズマ発生室４に導入し、ＥＣＲプラズマを発生
させ、グリッド９に６００Ｖの電圧を印加し、プラズマ
中のイオンを、基体ホルダー７上の基体に照射すること
により、ダイヤモンド状炭素薄膜を形成した。
【００３１】最大高さＲｙの異なる各ベーンについて、
それぞれサンプルを５０個作製し、ビッカース圧子によ
る押し込み試験により、炭素被膜の密着性を評価した。
なお、押し込みの際の荷重は１ｋｇとした。
それぞれサンプルを５０個作製し、ビッカース圧子によ
る押し込み試験により、炭素被膜の密着性を評価した。
なお、押し込みの際の荷重は１ｋｇとした。
【００３２】各サンプル５０個中において炭素被膜が剥
離した個数を剥離個数として、表１に示した。
離した個数を剥離個数として、表１に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】Ｓｉ中間層の厚さＴは１μｍであるので、
最大高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍのものが本発明の
範囲内のものとなる。表１に示すように、最大高さＲｙ
が１μｍ及び０．５μｍのものは、剥離個数が０個であ
り、炭素被膜の密着性に優れていることがわかる。
最大高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍのものが本発明の
範囲内のものとなる。表１に示すように、最大高さＲｙ
が１μｍ及び０．５μｍのものは、剥離個数が０個であ
り、炭素被膜の密着性に優れていることがわかる。
【００３５】（実験２）実験１で用いた、最大高さＲｙ
＝０．５μｍのベーンを基体として用い、グリッドに印
加する加速電圧を、２００Ｖ、４００Ｖ、６００Ｖ、８
００Ｖ、及び１０００Ｖとそれぞれ変化させて炭素被膜
を形成する以外は、上記実験１と同様にしてＳｉ中間層
及び炭素被膜を形成した。形成したダイヤモンド状炭素
薄膜のビッカース硬度を測定し、図４にその結果を示し
た。図４から明らかなように、加速電圧を２００Ｖ以上
に設定することにより、炭素被膜のビッカース硬度を２
５００Ｈｖ以上とすることができることがわかる。
＝０．５μｍのベーンを基体として用い、グリッドに印
加する加速電圧を、２００Ｖ、４００Ｖ、６００Ｖ、８
００Ｖ、及び１０００Ｖとそれぞれ変化させて炭素被膜
を形成する以外は、上記実験１と同様にしてＳｉ中間層
及び炭素被膜を形成した。形成したダイヤモンド状炭素
薄膜のビッカース硬度を測定し、図４にその結果を示し
た。図４から明らかなように、加速電圧を２００Ｖ以上
に設定することにより、炭素被膜のビッカース硬度を２
５００Ｈｖ以上とすることができることがわかる。
【００３６】（実験３）次に、中間層として、基体側の
Ｔｉからなる第１中間層と炭素被膜側のＳｉからなる第
２中間層の２層構造の中間層を形成する以外は、実験１
と同様にして、ベーン上に中間層及びダイヤモンド状炭
素薄膜を形成した。第１中間層及び第２中間層の厚さ
は、それぞれ０．５μｍとし、中間層全体の合計の厚さ
を１μｍとした。Ｔｉ中間層は、ターゲットとしてチタ
ンを用いること以外は、実験１のＳｉ中間層と同様にし
て形成した。
Ｔｉからなる第１中間層と炭素被膜側のＳｉからなる第
２中間層の２層構造の中間層を形成する以外は、実験１
と同様にして、ベーン上に中間層及びダイヤモンド状炭
素薄膜を形成した。第１中間層及び第２中間層の厚さ
は、それぞれ０．５μｍとし、中間層全体の合計の厚さ
を１μｍとした。Ｔｉ中間層は、ターゲットとしてチタ
ンを用いること以外は、実験１のＳｉ中間層と同様にし
て形成した。
【００３７】荷重を２ｋｇとする以外は、実験１と同様
にしてビッカース圧子による押し込み試験により、炭素
被膜の密着性を評価した。評価結果を表２に示す。
にしてビッカース圧子による押し込み試験により、炭素
被膜の密着性を評価した。評価結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】表２に示す結果から明らかなように、最大
高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍである基体上に形成し
た炭素被膜は良好な密着性を示している。
高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍである基体上に形成し
た炭素被膜は良好な密着性を示している。
【００４０】（実験４）次に、中間層として、基体側の
Ｔｉからなる第１中間層と炭素被膜側のＳｉＣからなる
第２中間層の２層構造の中間層を形成する以外は、実験
１と同様にして、ベーン上に中間層及びダイヤモンド状
炭素薄膜を形成した。第１中間層及び第２中間層の厚さ
は、それぞれ０．５μｍとし、中間層全体の合計の厚さ
を１μｍとした。Ｔｉ中間層は、ターゲットとしてチタ
ンを用いること以外は、実験１のＳｉ中間層と同様にし
て形成した。ＳｉＣからなる第２中間層を形成する際に
は、シリコンターゲットを用い、真空チャンバー内にＡ
ｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒ、ＣＨ4ガスを１．０
×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給した。
Ｔｉからなる第１中間層と炭素被膜側のＳｉＣからなる
第２中間層の２層構造の中間層を形成する以外は、実験
１と同様にして、ベーン上に中間層及びダイヤモンド状
炭素薄膜を形成した。第１中間層及び第２中間層の厚さ
は、それぞれ０．５μｍとし、中間層全体の合計の厚さ
を１μｍとした。Ｔｉ中間層は、ターゲットとしてチタ
ンを用いること以外は、実験１のＳｉ中間層と同様にし
て形成した。ＳｉＣからなる第２中間層を形成する際に
は、シリコンターゲットを用い、真空チャンバー内にＡ
ｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒ、ＣＨ4ガスを１．０
×１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給した。
【００４１】荷重を２ｋｇとする以外は、実験１と同様
にしてビッカース圧子による押し込み試験により、炭素
被膜の密着性を評価した。評価結果を表３に示す。
にしてビッカース圧子による押し込み試験により、炭素
被膜の密着性を評価した。評価結果を表３に示す。
【００４２】
【表３】
【００４３】表３に示す結果から明らかなように、最大
高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍである基体上に形成し
た炭素被膜は良好な密着性を示している。
高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍである基体上に形成し
た炭素被膜は良好な密着性を示している。
【００４４】（実験５）次に、中間層として、基体側の
Ｔｉからなる第１中間層と炭素被膜側のＳｉＮからなる
第２中間層の２層構造の中間層を形成する以外は、実験
１と同様にして、ベーン上に中間層及びダイヤモンド状
炭素薄膜を形成した。第１中間層及び第２中間層の厚さ
は、それぞれ０．５μｍとし、中間層全体の合計の厚さ
を１μｍとした。Ｔｉ中間層は、ターゲットとしてチタ
ンを用いること以外は、実験１のＳｉ中間層と同様にし
て形成した。ＳｉＮからなる第２中間層を形成する際に
は、シリコンターゲットを用い、真空チャンバー内にＡ
ｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒ、Ｎ2ガスを３．０×
１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給した。
Ｔｉからなる第１中間層と炭素被膜側のＳｉＮからなる
第２中間層の２層構造の中間層を形成する以外は、実験
１と同様にして、ベーン上に中間層及びダイヤモンド状
炭素薄膜を形成した。第１中間層及び第２中間層の厚さ
は、それぞれ０．５μｍとし、中間層全体の合計の厚さ
を１μｍとした。Ｔｉ中間層は、ターゲットとしてチタ
ンを用いること以外は、実験１のＳｉ中間層と同様にし
て形成した。ＳｉＮからなる第２中間層を形成する際に
は、シリコンターゲットを用い、真空チャンバー内にＡ
ｒガスを５．７×１０-4Ｔｏｒｒ、Ｎ2ガスを３．０×
１０-4Ｔｏｒｒとなるように供給した。
【００４５】荷重を２ｋｇとする以外は、実験１と同様
にしてビッカース圧子による押し込み試験により、炭素
被膜の密着性を評価した。評価結果を表４に示す。
にしてビッカース圧子による押し込み試験により、炭素
被膜の密着性を評価した。評価結果を表４に示す。
【００４６】
【表４】
【００４７】表４に示す結果から明らかなように、最大
高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍである基体上に形成し
た炭素被膜は良好な密着性を示している。以上のよう
に、本発明に従う炭素被膜形成基体は、炭素被膜の密着
性に優れている。
高さＲｙが１μｍ及び０．５μｍである基体上に形成し
た炭素被膜は良好な密着性を示している。以上のよう
に、本発明に従う炭素被膜形成基体は、炭素被膜の密着
性に優れている。
【００４８】図５は、本発明に従う回転圧縮機の一例を
示す概略断面図である。図５に示すように、密閉容器６
１内の中心部には、図示されない電動機によって駆動さ
れるクランク軸６２が設けられている。クランク軸６２
の偏心部には、ローラ４０が取り付けられている。ロー
ラ４０は、モニクロ鋳鉄から形成されている。
示す概略断面図である。図５に示すように、密閉容器６
１内の中心部には、図示されない電動機によって駆動さ
れるクランク軸６２が設けられている。クランク軸６２
の偏心部には、ローラ４０が取り付けられている。ロー
ラ４０は、モニクロ鋳鉄から形成されている。
【００４９】ローラ４０は、円筒状シリンダ６３内に収
納されている。この円筒状シリンダ６３は、鋳鉄から形
成されている。円筒状シリンダ６３の内周面には、ベー
ン３０が往復運動するためのシリンダ溝５０が形成され
ている。このシリンダ溝５０内には、ベーン３０が収納
されている。このベーン３０は、円筒状シリンダ６３内
の空間を高圧部と低圧部に仕切るためのものでる。ベー
ン３０は、高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）から形成されて
いる。
納されている。この円筒状シリンダ６３は、鋳鉄から形
成されている。円筒状シリンダ６３の内周面には、ベー
ン３０が往復運動するためのシリンダ溝５０が形成され
ている。このシリンダ溝５０内には、ベーン３０が収納
されている。このベーン３０は、円筒状シリンダ６３内
の空間を高圧部と低圧部に仕切るためのものでる。ベー
ン３０は、高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）から形成されて
いる。
【００５０】ベーン３０は、バネ６４により、ローラ４
０側に付勢されている。密閉容器６１には、円筒状シリ
ンダ６３内に冷媒を供給するための吸入管６５及び、円
筒状シリンダ６３内部で圧縮された圧力及び温度が上昇
した冷媒を圧縮機外部に吐出させるための吐出管６６が
形成されている。
０側に付勢されている。密閉容器６１には、円筒状シリ
ンダ６３内に冷媒を供給するための吸入管６５及び、円
筒状シリンダ６３内部で圧縮された圧力及び温度が上昇
した冷媒を圧縮機外部に吐出させるための吐出管６６が
形成されている。
【００５１】上記回転圧縮機に用いる冷凍油としては、
ポリオールエステルまたはポリビニールエーテルが好ま
しい。上記の回転圧縮機では、電動機によってクランク
軸６２が駆動され、クランク軸６２の偏心部に取り付け
られたローラ４０は、円筒状シリンダ６３内をその内周
面に沿って回転する。ベーン３０は、バネ６４により付
勢を受けているため、ローラ４０の回転に伴って、ロー
ラ４０の外周面と常時接触しながら、シリンダ溝５０内
を往復運動する。
ポリオールエステルまたはポリビニールエーテルが好ま
しい。上記の回転圧縮機では、電動機によってクランク
軸６２が駆動され、クランク軸６２の偏心部に取り付け
られたローラ４０は、円筒状シリンダ６３内をその内周
面に沿って回転する。ベーン３０は、バネ６４により付
勢を受けているため、ローラ４０の回転に伴って、ロー
ラ４０の外周面と常時接触しながら、シリンダ溝５０内
を往復運動する。
【００５２】この往復運動を連続的に繰り返すことによ
って、円筒状シリンダ６３内へ、吸入管６５を介して冷
媒が吸い込まれ、吸い込まれた冷媒は円筒状シリンダ６
３内で圧縮され、圧力及び温度が上昇した後、吐出管６
６を通り回転圧縮機の外部に吐出される。
って、円筒状シリンダ６３内へ、吸入管６５を介して冷
媒が吸い込まれ、吸い込まれた冷媒は円筒状シリンダ６
３内で圧縮され、圧力及び温度が上昇した後、吐出管６
６を通り回転圧縮機の外部に吐出される。
【００５３】上記の回転圧縮機において、ベーン３０、
ローラ４０、及びシリンダ溝５０に本発明を適用するこ
とができる。図３及び実験１〜実験５において示したよ
うに、ベーン３０の上に、中間層３１を介して炭素被膜
３２を形成し、このときのベーン３０の表面の凹凸の最
大高さＲｙを、中間層３１の厚さＴ以下とすることによ
り、本発明に従う回転圧縮機とすることができる。
ローラ４０、及びシリンダ溝５０に本発明を適用するこ
とができる。図３及び実験１〜実験５において示したよ
うに、ベーン３０の上に、中間層３１を介して炭素被膜
３２を形成し、このときのベーン３０の表面の凹凸の最
大高さＲｙを、中間層３１の厚さＴ以下とすることによ
り、本発明に従う回転圧縮機とすることができる。
【００５４】同様に、図６に示すように、ローラ４０の
外周面上に中間層４１を介して炭素被膜４２を形成し、
このときのローラ４０の外周面の凹凸の最大高さＲｙ
を、中間層４１の厚さＴ以下とすることにより、本発明
の回転圧縮機とすることができる。
外周面上に中間層４１を介して炭素被膜４２を形成し、
このときのローラ４０の外周面の凹凸の最大高さＲｙ
を、中間層４１の厚さＴ以下とすることにより、本発明
の回転圧縮機とすることができる。
【００５５】同様に、図７に示すように、シリンダ溝５
０の内面上に中間層５１を介して炭素被膜５２を形成
し、このときのシリンダ溝５０内面の凹凸の最大高さＲ
ｙを、中間層５１の厚さＴ以下とすることにより、本発
明の回転圧縮機とすることができる。
０の内面上に中間層５１を介して炭素被膜５２を形成
し、このときのシリンダ溝５０内面の凹凸の最大高さＲ
ｙを、中間層５１の厚さＴ以下とすることにより、本発
明の回転圧縮機とすることができる。
【００５６】本発明に従う回転圧縮機では、ベーン、ロ
ーラ、またはシリンダ溝の上に形成された炭素被膜の密
着性が向上し、長期間安定して使用することが可能な回
転圧縮機とすることができる。
ーラ、またはシリンダ溝の上に形成された炭素被膜の密
着性が向上し、長期間安定して使用することが可能な回
転圧縮機とすることができる。
【００５７】本発明の炭素被膜形成基体は、上記の回転
圧縮機における摺動部品に限定されるものではなく、そ
の他の摺動部品に適用することができるものである。例
えば、電気シェーバー等の刃にも適用することができ、
さらにはスクリーン印刷用マスク、ＯＡ機器部品などに
も適用することができる。さらには、太陽電池、ＳＡＷ
デバイス等の電子デバイス、半導体デバイスにも適用す
ることができるものである。
圧縮機における摺動部品に限定されるものではなく、そ
の他の摺動部品に適用することができるものである。例
えば、電気シェーバー等の刃にも適用することができ、
さらにはスクリーン印刷用マスク、ＯＡ機器部品などに
も適用することができる。さらには、太陽電池、ＳＡＷ
デバイス等の電子デバイス、半導体デバイスにも適用す
ることができるものである。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、中間層を介して炭素被
膜を基体上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素
被膜の密着性に優れた炭素被膜形成基体とすることがで
きる。
膜を基体上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素
被膜の密着性に優れた炭素被膜形成基体とすることがで
きる。
【００５９】また、本発明の回転圧縮機によれば、ベー
ン、ローラ、またはシリンダの表面に形成された炭素被
膜の密着性を向上させることができる。
ン、ローラ、またはシリンダの表面に形成された炭素被
膜の密着性を向上させることができる。
【図１】中間層を介して炭素被膜を基体上に形成した炭
素被膜形成基体を示す模式的断面図。
素被膜形成基体を示す模式的断面図。
【図２】本発明に従う実施例において用いる炭素被膜形
成装置を示す模式的断面図。
成装置を示す模式的断面図。
【図３】本発明に従う回転圧縮機の実施例におけるベー
ンを示す斜視図。
ンを示す斜視図。
【図４】炭素被膜を形成する際のイオンの加速電圧と炭
素被膜のビッカース硬度との関係を示す図。
素被膜のビッカース硬度との関係を示す図。
【図５】本発明に従う回転圧縮機の実施例を示す模式的
断面図。
断面図。
【図６】本発明に従う回転圧縮機の実施例におけるロー
ラを示す部分断面図。
ラを示す部分断面図。
【図７】本発明に従う回転圧縮機の実施例におけるシリ
ンダ溝を示す模式的断面図。
ンダ溝を示す模式的断面図。
１…マイクロ波供給手段 ２…導波管 ３…マイクロ波導入窓 ４…プラズマ発生室 ５…ガス導入管 ６…プラズマ磁界発生装置 ７…基体ホルダー ８…真空チャンバー ９…グリッド １１…ターゲット １２…支持棒 １２ａ…支持棒の回転中心部 １３…高周波電源 ２０…基体 ２１…中間層 ２２…炭素被膜 ３０…ベーン ３１…中間層 ３２…炭素被膜 ４０…ローラ ４１…中間層 ４２…炭素被膜 ５０…シリンダ溝 ５１…中間層 ５２…炭素被膜 ６０…回転圧縮機 ６１…密閉容器 ６２…クランク軸 ６３…円筒状シリンダ ６４…バネ ６５…吸入管 ６６…吐出管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ０４Ｃ 18/356 Ｆ０４Ｃ 18/356 Ｋ 29/00 29/00 Ｕ (72)発明者 樽井 久樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3H029 AA04 AB03 BB31 CC03 CC05 CC38 4K029 BA01 BA11 BA17 BA34 BA35 BA43 BA46 BA48 BA55 BA56 BA58 BA60 BB02 BD04 FA07 4K030 BA01 BA09 BA12 BA18 BA20 BA22 BA28 BA29 BA36 BA37 BA38 BA40 BA42 BA44 BA46 BB05 BB12 FA02 LA23
Claims (9)
- 【請求項１】 基体上に中間層を介して炭素被膜が形成
された炭素被膜形成基体であって、中間層の厚さをＴと
したとき、炭素被膜が形成される基体表面の凹凸の最大
高さＲｙが、Ｔの１００倍の基準長さにおいてＴ以下で
あることを特徴とする炭素被膜形成基体。 - 【請求項２】 前記炭素被膜がプラズマ気相合成法また
はイオンビーム照射により形成されていることを特徴と
する請求項１に記載の炭素被膜形成基体。 - 【請求項３】 前記炭素被膜の硬度が２５００Ｈｖ以上
であることを特徴とする請求項１または２に記載の炭素
被膜形成基体。 - 【請求項４】 前記中間層が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇ
ｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷ並びにこれらの酸化物、窒化
物、及び炭化物からなるグループより選ばれる少なくと
も１種の材料から形成されていることを特徴とする請求
項１〜３のいずれか１項に記載の炭素被膜形成基体。 - 【請求項５】 前記中間層が、基体側に設けられる第１
中間層と、炭素被膜側に設けられる第２中間層とを有し
ており、前記第１中間層がＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒ
ｕ、Ｍｏ、及びＷからなるグループより選ばれる少なく
とも１種の材料から形成されており、前記第２中間層が
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、及びＷの酸化
物、窒化物、及び炭化物からなるグループより選ばれる
少なくとも１種の材料から形成されていることを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭素被膜形成
基体。 - 【請求項６】 回転するクランク軸の偏心部に取り付け
られた、外周面を有するローラと、 前記ローラを収納し、前記ローラの外周面に接して摺動
する摺動面を内面に有するシリンダと、 前記シリンダの内面に形成された溝内に収納され、先端
部が前記ローラの外周面に接して摺動するベーンとを備
え、 前記ベーンが請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭素
被膜形成基体であり、前記ベーンの少なくとも先端部ま
たは側面部の上に中間層を介して炭素被膜が形成されて
いることを特徴とする回転圧縮機。 - 【請求項７】 回転するクランク軸の偏心部に取り付け
られた、外周面を有するローラと、 前記ローラを収納し、前記ローラの外周面に接して摺動
する摺動面を内面に有するシリンダと、 前記シリンダの内面に形成された溝内に収納され、先端
部が前記ローラの外周面に接して摺動するベーンとを備
え、 前記ローラが請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭素
被膜形成基体であり、前記ローラの外周面上に中間層を
介して炭素被膜が形成されていることを特徴とする回転
圧縮機。 - 【請求項８】 回転するクランク軸の偏心部に取り付け
られた、外周面を有するローラと、 前記ローラを収納し、前記ローラの外周面に接して摺動
する摺動面を内面に有するシリンダと、 前記シリンダの内面に形成された溝内に収納され、先端
部が前記ローラの外周面に接して摺動するベーンとを備
え、 前記シリンダが請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭
素被膜形成基体であり、前記シリンダの溝の内面上に中
間層を介して炭素被膜が形成されていることを特徴とす
る回転圧縮機。 - 【請求項９】 前記ベーン、前記ローラ、または前記シ
リンダが、Ｆｅ系、Ａｌ系、またはＣｕ系の溶製材、焼
結材、または複合材であることを特徴とする請求項６〜
８のいずれか１項に記載の回転圧縮機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000165345A JP2001342565A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 炭素被膜形成基体及び回転圧縮機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000165345A JP2001342565A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 炭素被膜形成基体及び回転圧縮機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001342565A true JP2001342565A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18668825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000165345A Pending JP2001342565A (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 炭素被膜形成基体及び回転圧縮機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001342565A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007162613A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 表面平滑化皮膜を有する回転機械 |
| JP2007327350A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Tocalo Co Ltd | 真空ポンプ用部材及びその製造方法 |
| JP2010049050A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 透明樹脂積層体及びその製造方法 |
| JP2010196711A (ja) * | 2010-04-23 | 2010-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | ベーン、ローリングピストン式単段型回転式の密閉形圧縮機、給湯機、および、ベーンの製造方法 |
-
2000
- 2000-06-02 JP JP2000165345A patent/JP2001342565A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2010196711A (ja) * | 2010-04-23 | 2010-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | ベーン、ローリングピストン式単段型回転式の密閉形圧縮機、給湯機、および、ベーンの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061011 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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