JPH11250510A - 無初期化型相変化光記録媒体の製造方法 - Google Patents
無初期化型相変化光記録媒体の製造方法Info
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- JPH11250510A JPH11250510A JP5216598A JP5216598A JPH11250510A JP H11250510 A JPH11250510 A JP H11250510A JP 5216598 A JP5216598 A JP 5216598A JP 5216598 A JP5216598 A JP 5216598A JP H11250510 A JPH11250510 A JP H11250510A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】記録膜の初期結晶化を必要とすることなく製造
直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相変化
光記録媒体を実現可能とする新規な相変化光記録媒体の
製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明の無初期化型相変化光記録媒体１の
製造方法は、光ビームを照射することにより結晶質と非
晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜５を備え
た無初期化型相変化光記録媒体１の製造方法であって、
前記相変化記録膜５を５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッ
タガス圧下で真空スパッタ法により成膜することを特徴
とする。
直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相変化
光記録媒体を実現可能とする新規な相変化光記録媒体の
製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明の無初期化型相変化光記録媒体１の
製造方法は、光ビームを照射することにより結晶質と非
晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜５を備え
た無初期化型相変化光記録媒体１の製造方法であって、
前記相変化記録膜５を５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッ
タガス圧下で真空スパッタ法により成膜することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定の光を照射す
ることにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化す
る相変化記録膜を有する相変化光記録媒体の製造方法に
係り、特に、記録膜の初期結晶化を必要とすることなく
製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相
変化光記録媒体の製造方法に関する。
ることにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化す
る相変化記録膜を有する相変化光記録媒体の製造方法に
係り、特に、記録膜の初期結晶化を必要とすることなく
製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相
変化光記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量メモリとして光ディスクが
注目を浴びている。光ディスクは、情報の再生のみが可
能で記録が不可能なＣＤ等の再生専用型、情報の記録が
１回だけ可能なＣＤ−Ｒ等の１回追記型、及び情報の記
録／消去を自由に行うことができコンピュータの外付け
メモリ等に用いられる書き替え可能型の３種類に大別さ
れる。その中でも書き替え可能型は、その広い用途のた
めに特に注目されている。
注目を浴びている。光ディスクは、情報の再生のみが可
能で記録が不可能なＣＤ等の再生専用型、情報の記録が
１回だけ可能なＣＤ−Ｒ等の１回追記型、及び情報の記
録／消去を自由に行うことができコンピュータの外付け
メモリ等に用いられる書き替え可能型の３種類に大別さ
れる。その中でも書き替え可能型は、その広い用途のた
めに特に注目されている。
【０００３】書き替え可能型の光ディスクには、主に、
光磁気ディスクと相変化光ディスクの２つがある。この
うち、相変化光ディスクは、レーザービーム等の照射に
より非晶質と結晶質との間で可逆的に相変化する記録膜
を用いて、非晶質の記録マークと結晶質のバックグラウ
ンドとの間の反射率の差を利用して再生が行われるもの
である。この非晶質状態は記録膜を融点以上に加熱し急
冷することにより形成され、結晶質状態は記録膜を結晶
化温度以上で融点未満に加熱することにより形成され
る。したがって、相変化光ディスクは、記録膜に照射す
るレーザービームの強弱を制御することにより、情報の
書き替えを自由に行うことができるという利点を有して
いる。
光磁気ディスクと相変化光ディスクの２つがある。この
うち、相変化光ディスクは、レーザービーム等の照射に
より非晶質と結晶質との間で可逆的に相変化する記録膜
を用いて、非晶質の記録マークと結晶質のバックグラウ
ンドとの間の反射率の差を利用して再生が行われるもの
である。この非晶質状態は記録膜を融点以上に加熱し急
冷することにより形成され、結晶質状態は記録膜を結晶
化温度以上で融点未満に加熱することにより形成され
る。したがって、相変化光ディスクは、記録膜に照射す
るレーザービームの強弱を制御することにより、情報の
書き替えを自由に行うことができるという利点を有して
いる。
【０００４】一般に、相変化光ディスクは、ポリカーボ
ネート等からなる円盤状のプラスチック基板上に記録膜
が形成された構造を有している。基板上への上記記録膜
の形成には、通常、スパッタ法や蒸着法等の真空成膜法
が用いられるが、これら成膜法によると、原料を基板面
に付着させる際に、原料原子或いは原料分子は非常に高
い速度で基板に衝突する。その結果、原料は基板に付着
した瞬間に急冷され、すなわち、原料は溶融・急冷さ
れ、成膜直後の記録膜は非晶質状態となる。
ネート等からなる円盤状のプラスチック基板上に記録膜
が形成された構造を有している。基板上への上記記録膜
の形成には、通常、スパッタ法や蒸着法等の真空成膜法
が用いられるが、これら成膜法によると、原料を基板面
に付着させる際に、原料原子或いは原料分子は非常に高
い速度で基板に衝突する。その結果、原料は基板に付着
した瞬間に急冷され、すなわち、原料は溶融・急冷さ
れ、成膜直後の記録膜は非晶質状態となる。
【０００５】上述したように、非晶質状態は記録状態に
相当する。したがって、作製した直後の相変化光ディス
クは、記録膜の全面が記録状態にある。相変化光ディス
クにおいては、作製直後においても、最初のオーバーラ
イトにより、非晶質状態の記録マークと結晶質状態のバ
ックグラウンドを書込み可能であることが理想であると
されている。しかしながら、上記方法により記録膜を成
膜した場合、成膜直後の記録膜の非晶質状態はエネルギ
ー的に非常に安定である。そのため、光ディスクドライ
ブによる１回目のオーバーライト記録では、結晶質状態
とすることができない。
相当する。したがって、作製した直後の相変化光ディス
クは、記録膜の全面が記録状態にある。相変化光ディス
クにおいては、作製直後においても、最初のオーバーラ
イトにより、非晶質状態の記録マークと結晶質状態のバ
ックグラウンドを書込み可能であることが理想であると
されている。しかしながら、上記方法により記録膜を成
膜した場合、成膜直後の記録膜の非晶質状態はエネルギ
ー的に非常に安定である。そのため、光ディスクドライ
ブによる１回目のオーバーライト記録では、結晶質状態
とすることができない。
【０００６】以上の理由から、相変化光ディスクでは、
通常、光ディスクドライブで記録を行う前に、大出力の
レーザを用いた初期結晶化装置により記録膜全面の結晶
化が行われる。なお、この初期結晶化装置による記録膜
の結晶化は、例えば、以下の方法により行う。
通常、光ディスクドライブで記録を行う前に、大出力の
レーザを用いた初期結晶化装置により記録膜全面の結晶
化が行われる。なお、この初期結晶化装置による記録膜
の結晶化は、例えば、以下の方法により行う。
【０００７】まず、Ａｒのガスレーザ等のように数Ｗク
ラスの出力のレーザを用い、このレーザから出力される
レーザ光を、対物レンズによりスポット径が数１０μｍ
となるように記録膜上に集光させる。光ディスクを回転
させつつ、このレーザ光を記録膜上に照射し、さらにビ
ームスポットを回転軸に対してディスクの半径方向に相
対的に移動させる。これにより、記録膜全面を結晶質と
することができる。ここで、光ディスクのトラックピッ
チは、通常、０．５〜１．６μｍであるので、数１０ト
ラックを同時に結晶化することが可能である。
ラスの出力のレーザを用い、このレーザから出力される
レーザ光を、対物レンズによりスポット径が数１０μｍ
となるように記録膜上に集光させる。光ディスクを回転
させつつ、このレーザ光を記録膜上に照射し、さらにビ
ームスポットを回転軸に対してディスクの半径方向に相
対的に移動させる。これにより、記録膜全面を結晶質と
することができる。ここで、光ディスクのトラックピッ
チは、通常、０．５〜１．６μｍであるので、数１０ト
ラックを同時に結晶化することが可能である。
【０００８】ところで、相変化光ディスクは、記録膜の
結晶性と反射率との関係に基づき、２種類に大別され
る。すなわち、相変化光ディスクは、結晶質状態（消去
状態）に比べて非晶質状態（記録状態）の方が反射率が
低いＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ（以下、ＨｔｏＬという）
メディアと、結晶質状態（消去状態）に比べて非晶質状
態（記録状態）の方が反射率が高いＬｏｗ ｔｏ Ｈｉ
ｇｈ（以下、ＬｔｏＨという）メディアとに分類される
のである。
結晶性と反射率との関係に基づき、２種類に大別され
る。すなわち、相変化光ディスクは、結晶質状態（消去
状態）に比べて非晶質状態（記録状態）の方が反射率が
低いＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ（以下、ＨｔｏＬという）
メディアと、結晶質状態（消去状態）に比べて非晶質状
態（記録状態）の方が反射率が高いＬｏｗ ｔｏ Ｈｉ
ｇｈ（以下、ＬｔｏＨという）メディアとに分類される
のである。
【０００９】ＨｔｏＬメディアにおいては、上記初期結
晶化後の記録膜は、結晶質状態にあるため高い反射率を
有する。そのため、ＨｔｏＬメディアにおいては、初期
結晶化した直後に光ディスクドライブでオーバーライト
記録を行う場合、十分な反射光量が得られ、サーボ制御
が不安定となることはない。また、オーバーライト記録
を行った光ディスクにおいては、記録マーク部は非晶質
状態となるために反射率の低下を生ずるが、一般に、記
録部分と未記録部分とは概ね半々であると想定される。
したがって、オーバーライト記録を行った光ディスクに
おいて、反射率の平均値は、結晶質状態の反射率と非晶
質状態の反射率との中間程度となり、サーボ制御に支障
を来たすことはない。
晶化後の記録膜は、結晶質状態にあるため高い反射率を
有する。そのため、ＨｔｏＬメディアにおいては、初期
結晶化した直後に光ディスクドライブでオーバーライト
記録を行う場合、十分な反射光量が得られ、サーボ制御
が不安定となることはない。また、オーバーライト記録
を行った光ディスクにおいては、記録マーク部は非晶質
状態となるために反射率の低下を生ずるが、一般に、記
録部分と未記録部分とは概ね半々であると想定される。
したがって、オーバーライト記録を行った光ディスクに
おいて、反射率の平均値は、結晶質状態の反射率と非晶
質状態の反射率との中間程度となり、サーボ制御に支障
を来たすことはない。
【００１０】それに対し、ＬｔｏＨメディアにおいて
は、上記初期結晶化した直後の記録膜は反射率が低い。
そのため、ＬｔｏＨメディアにおいては、サーボ制御に
支障を来たす場合がある。以下に、その理由を説明す
る。
は、上記初期結晶化した直後の記録膜は反射率が低い。
そのため、ＬｔｏＨメディアにおいては、サーボ制御に
支障を来たす場合がある。以下に、その理由を説明す
る。
【００１１】近年、光ディスクの高記録密度化に伴い、
記録マークは益々微細化されている。そのため、微細化
された記録マークから大きな信号（反射率変化量）を得
るために、結晶質状態の反射率はより低減される傾向に
ある。
記録マークは益々微細化されている。そのため、微細化
された記録マークから大きな信号（反射率変化量）を得
るために、結晶質状態の反射率はより低減される傾向に
ある。
【００１２】これを変調度を用いて説明すると、非晶質
状態における記録膜の反射率をＲa、結晶質状態におけ
る記録膜の反射率をＲc とした場合、変調度は、（Ｒa
−Ｒc ）／Ｒa により定義される。変調度は信号の大き
さの指標となるので、Ｒc をより小さくすることによ
り、変調度をより大きくすること、すなわちより大きな
信号を得ることができるのである。
状態における記録膜の反射率をＲa、結晶質状態におけ
る記録膜の反射率をＲc とした場合、変調度は、（Ｒa
−Ｒc ）／Ｒa により定義される。変調度は信号の大き
さの指標となるので、Ｒc をより小さくすることによ
り、変調度をより大きくすること、すなわちより大きな
信号を得ることができるのである。
【００１３】現在、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の高記録密度化に
伴い、トラックピッチを０．６μｍ、ビットピッチを
０．２８μｍ程度とすることが想定されている。このよ
うな条件のもとでマークエッジ記録を行うとすると、再
生ジッタ値を８％以下とするには、Ｃ／Ｎ値（Ｃａｒｒ
ｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を５３ｄＢ以
上とする必要がある。これは、計算上では、例えば、Ｒ
a を０．２、Ｒc を０．０４として、変調度を８０％以
上とすることを意味する。
伴い、トラックピッチを０．６μｍ、ビットピッチを
０．２８μｍ程度とすることが想定されている。このよ
うな条件のもとでマークエッジ記録を行うとすると、再
生ジッタ値を８％以下とするには、Ｃ／Ｎ値（Ｃａｒｒ
ｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を５３ｄＢ以
上とする必要がある。これは、計算上では、例えば、Ｒ
a を０．２、Ｒc を０．０４として、変調度を８０％以
上とすることを意味する。
【００１４】しかしながら、ＬｔｏＨメディアにおい
て、初期結晶化直後の記録膜の反射率を０．０４以下と
すると、光ディスクドライブでオーバーライト記録を行
う際に十分な反射光量が得られないため、サーボ制御が
不安定となる。このような状態で情報を記録した場合、
記録された情報を再生することができなくなる等の不具
合を生ずる。
て、初期結晶化直後の記録膜の反射率を０．０４以下と
すると、光ディスクドライブでオーバーライト記録を行
う際に十分な反射光量が得られないため、サーボ制御が
不安定となる。このような状態で情報を記録した場合、
記録された情報を再生することができなくなる等の不具
合を生ずる。
【００１５】上記ＬｔｏＨメディアにおいて生ずる不具
合を解決するものとして、無初期化型相変化光ディスク
が期待されている。無初期化型相変化光ディスクは、記
録膜の初期結晶化を行うことなく、作製直後に光ディス
クドライブによるオーバーライト記録を可能とするもの
である。ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光ディスク
によると、最初のオーバーライト記録は、作製直後の非
晶質状態にある記録膜に対して行われる。すなわち、全
面が反射率の高い記録状態にある記録膜に対して行われ
る。したがって、ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光
ディスクによると、最初のオーバーライト記録の際に、
サーボ制御に支障を来たすことはないと考えられる。
合を解決するものとして、無初期化型相変化光ディスク
が期待されている。無初期化型相変化光ディスクは、記
録膜の初期結晶化を行うことなく、作製直後に光ディス
クドライブによるオーバーライト記録を可能とするもの
である。ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光ディスク
によると、最初のオーバーライト記録は、作製直後の非
晶質状態にある記録膜に対して行われる。すなわち、全
面が反射率の高い記録状態にある記録膜に対して行われ
る。したがって、ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光
ディスクによると、最初のオーバーライト記録の際に、
サーボ制御に支障を来たすことはないと考えられる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、無初
期化型相変化光ディスクによると、初期結晶化を行うこ
となくオーバーライト記録することが可能であると考え
られる。本発明は、記録膜の初期結晶化を必要とするこ
となく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期
化型相変化光記録媒体を実現可能とする新規な相変化光
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
期化型相変化光ディスクによると、初期結晶化を行うこ
となくオーバーライト記録することが可能であると考え
られる。本発明は、記録膜の初期結晶化を必要とするこ
となく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期
化型相変化光記録媒体を実現可能とする新規な相変化光
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、光ビームを照射することにより結晶質と
非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜を備え
た無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、前
記相変化記録膜を５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッタガ
ス圧下で真空スパッタ法により成膜することを特徴とす
る無初期化型相変化光記録媒体の製造方法を提供する。
に、本発明は、光ビームを照射することにより結晶質と
非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜を備え
た無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、前
記相変化記録膜を５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッタガ
ス圧下で真空スパッタ法により成膜することを特徴とす
る無初期化型相変化光記録媒体の製造方法を提供する。
【００１８】上記無初期化型相変化光記録媒体の製造方
法において好ましい態様を以下に示す。 （１）前記相変化記録膜を、５×１０-1ｔｏｒｒ以下の
スパッタガス圧下で成膜すること。
法において好ましい態様を以下に示す。 （１）前記相変化記録膜を、５×１０-1ｔｏｒｒ以下の
スパッタガス圧下で成膜すること。
【００１９】（２）前記スパッタガスにＡｒガスを用い
ること。 また、本発明は、光ビームを照射することにより結晶質
と非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜を備
えた無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、
前記相変化記録膜を、前記相変化記録膜が形成される基
板面の近傍に高周波電場を形成しつつ、真空スパッタ法
により成膜することを特徴とする無初期化型相変化光記
録媒体の製造方法を提供する。
ること。 また、本発明は、光ビームを照射することにより結晶質
と非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜を備
えた無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、
前記相変化記録膜を、前記相変化記録膜が形成される基
板面の近傍に高周波電場を形成しつつ、真空スパッタ法
により成膜することを特徴とする無初期化型相変化光記
録媒体の製造方法を提供する。
【００２０】上記無初期化型相変化光記録媒体の製造方
法において好ましい態様を以下に示す。 （１）前記高周波電場の形成を、前記基板に高周波電力
を印加することにより行うこと。
法において好ましい態様を以下に示す。 （１）前記高周波電場の形成を、前記基板に高周波電力
を印加することにより行うこと。
【００２１】（２）前記高周波電場の形成を、コイルに
高周波電力を印加することにより行うこと。 （３）前記相変化記録膜を、５×１０-2ｔｏｒｒ以上の
スパッタガス圧下で成膜すること。
高周波電力を印加することにより行うこと。 （３）前記相変化記録膜を、５×１０-2ｔｏｒｒ以上の
スパッタガス圧下で成膜すること。
【００２２】（４）前記相変化記録膜を、５×１０-1ｔ
ｏｒｒ以下のスパッタガス圧下で成膜すること。 （５）前記スパッタガスにＡｒガスを用いること。
ｏｒｒ以下のスパッタガス圧下で成膜すること。 （５）前記スパッタガスにＡｒガスを用いること。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてより詳細に
説明する。まず、本発明の原理について説明する。上述
したようにスパッタ法等により基板上に相変化記録膜を
形成した場合、製造直後において、記録膜は安定性が過
剰に高い非晶質状態となる。したがって、従来の方法に
より製造した相変化記録媒体には、初期結晶化を施す必
要がある。
説明する。まず、本発明の原理について説明する。上述
したようにスパッタ法等により基板上に相変化記録膜を
形成した場合、製造直後において、記録膜は安定性が過
剰に高い非晶質状態となる。したがって、従来の方法に
より製造した相変化記録媒体には、初期結晶化を施す必
要がある。
【００２４】本発明者は、製造直後において記録膜の非
晶質状態の安定性が過剰に高い理由は、記録膜の原料原
子或いは原料分子が過剰な速度で基板面に衝突すること
にあると考えた。すなわち、記録膜原料を基板上に付着
させる際に、原料原子或いは原料分子は非常に高い速度
で基板に衝突するため、原料は基板に付着した瞬間に非
常に高い温度から急激に冷却される。この極端に高い急
冷速度が、成膜直後の記録膜における非晶質状態の安定
性を過剰に高くしているのである。
晶質状態の安定性が過剰に高い理由は、記録膜の原料原
子或いは原料分子が過剰な速度で基板面に衝突すること
にあると考えた。すなわち、記録膜原料を基板上に付着
させる際に、原料原子或いは原料分子は非常に高い速度
で基板に衝突するため、原料は基板に付着した瞬間に非
常に高い温度から急激に冷却される。この極端に高い急
冷速度が、成膜直後の記録膜における非晶質状態の安定
性を過剰に高くしているのである。
【００２５】ここで、記録膜の原料原子或いは原料分子
の速度は、その平均自由工程に依存するものと考えられ
る。したがって、原料原子或いは原料分子の平均自由工
程を低減することにより、原料原子或いは原料分子の基
板面に対する入射エネルギーを低減することが可能とな
るのである。
の速度は、その平均自由工程に依存するものと考えられ
る。したがって、原料原子或いは原料分子の平均自由工
程を低減することにより、原料原子或いは原料分子の基
板面に対する入射エネルギーを低減することが可能とな
るのである。
【００２６】真空スパッタ法により基板上に記録膜を形
成する場合、上記平均自由工程を低減する方法として
は、例えば、Ａｒ等のスパッタガス圧を増加させて、原
料原子或いは原料分子とスパッタガスとの衝突回数を増
加させることが考えられる。通常、相変化記録媒体の記
録膜は、５×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空下でスパッタリ
ングすることにより形成される。本発明者は、様々な原
料を用いて記録膜を成膜したところ、いずれの原料を用
いた場合においてもスパッタガス圧を高めることによ
り、記録膜形成直後における非晶質状態の安定性を低減
することができることを確認した。
成する場合、上記平均自由工程を低減する方法として
は、例えば、Ａｒ等のスパッタガス圧を増加させて、原
料原子或いは原料分子とスパッタガスとの衝突回数を増
加させることが考えられる。通常、相変化記録媒体の記
録膜は、５×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空下でスパッタリ
ングすることにより形成される。本発明者は、様々な原
料を用いて記録膜を成膜したところ、いずれの原料を用
いた場合においてもスパッタガス圧を高めることによ
り、記録膜形成直後における非晶質状態の安定性を低減
することができることを確認した。
【００２７】このスパッタガス圧は、５×１０-2ｔｏｒ
ｒ以上とすることが好ましい。スパッタガス圧を５×１
０-2ｔｏｒｒ以上とすることにより、用いる記録膜原料
によっては初期結晶化を必要としない無初期化型相変化
記録媒体を得ることができる。また、スパッタガス圧は
５×１０-1ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。スパッ
タガス圧を過剰に高めた場合、記録膜中へのスパッタガ
スの混入量が過剰となる場合がある。
ｒ以上とすることが好ましい。スパッタガス圧を５×１
０-2ｔｏｒｒ以上とすることにより、用いる記録膜原料
によっては初期結晶化を必要としない無初期化型相変化
記録媒体を得ることができる。また、スパッタガス圧は
５×１０-1ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。スパッ
タガス圧を過剰に高めた場合、記録膜中へのスパッタガ
スの混入量が過剰となる場合がある。
【００２８】以上、平均自由工程を低減するためにスパ
ッタガス圧を増加させることについて説明したが、基板
の記録膜を形成する面の近傍に高周波電場を形成するこ
とにより原料原子或いは原料分子の平均自由工程を低減
してもよい。基板の記録膜を形成する面の近傍に高周波
電場を形成した場合、原料原子或いは原料分子は、この
高周波電場を経由して基板面に衝突する。基板面の近傍
に形成された高周波電場にはスパッタガスによる衝突場
が形成されるため、基板面に到達するまでの間に原料原
子或いは原料分子がスパッタガスと衝突する回数は増加
する。すなわち原料原子或いは原料分子の入射エネルギ
ーを低減させることが可能となる。
ッタガス圧を増加させることについて説明したが、基板
の記録膜を形成する面の近傍に高周波電場を形成するこ
とにより原料原子或いは原料分子の平均自由工程を低減
してもよい。基板の記録膜を形成する面の近傍に高周波
電場を形成した場合、原料原子或いは原料分子は、この
高周波電場を経由して基板面に衝突する。基板面の近傍
に形成された高周波電場にはスパッタガスによる衝突場
が形成されるため、基板面に到達するまでの間に原料原
子或いは原料分子がスパッタガスと衝突する回数は増加
する。すなわち原料原子或いは原料分子の入射エネルギ
ーを低減させることが可能となる。
【００２９】基板面の近傍に高周波電場を形成する方法
としては、例えば、基板を支持する支持台に高周波電圧
を印加することや、基板面の近傍にコイルを配置して、
このコイルに高周波電圧を印加すること等を挙げること
ができる。いずれの方法によっても基板面の近傍に高周
波電場を形成することができるが、特にコイルを用いた
場合、高周波電場が基板面に与える影響が少ないため、
基板面に付着させた原料の離脱が生じにくい。したがっ
て、より効率的に記録膜の成膜を行うことができる。
としては、例えば、基板を支持する支持台に高周波電圧
を印加することや、基板面の近傍にコイルを配置して、
このコイルに高周波電圧を印加すること等を挙げること
ができる。いずれの方法によっても基板面の近傍に高周
波電場を形成することができるが、特にコイルを用いた
場合、高周波電場が基板面に与える影響が少ないため、
基板面に付着させた原料の離脱が生じにくい。したがっ
て、より効率的に記録膜の成膜を行うことができる。
【００３０】なお、基板面の近傍に高周波電場を形成す
る場合においても、上述したようにスパッタリングガス
圧を制御することが好ましい。この場合、記録膜形成直
後における非晶質状態の安定性をより低減することがで
きる。
る場合においても、上述したようにスパッタリングガス
圧を制御することが好ましい。この場合、記録膜形成直
後における非晶質状態の安定性をより低減することがで
きる。
【００３１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。図１に、本発明の実施例及び比較例に
係る相変化光記録媒体の製造方法により製造される相変
化光記録媒体の断面図を示す。図１に示す相変化光記録
媒体１はＬｔｏＨタイプの相変化光記録媒体であって、
基板２上に、半透明干渉層３、誘電体膜４、相変化記録
膜５、誘電体膜６、金属反射層７、及び保護膜８が順次
積層された構造を有している。
ついて説明する。図１に、本発明の実施例及び比較例に
係る相変化光記録媒体の製造方法により製造される相変
化光記録媒体の断面図を示す。図１に示す相変化光記録
媒体１はＬｔｏＨタイプの相変化光記録媒体であって、
基板２上に、半透明干渉層３、誘電体膜４、相変化記録
膜５、誘電体膜６、金属反射層７、及び保護膜８が順次
積層された構造を有している。
【００３２】上記光記録媒体１において、基板２として
は、ポリカーボネート等の合成樹脂やガラス等からなる
透明基板が用いられる。また、上記光記録媒体１におい
て、相変化記録膜５は、光照射により非晶質と結晶質と
の間で可逆的に相変化する材料で構成されることが必要
である。この相変化記録層を構成する材料として、例え
ば、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 のようなＧｅ、Ｓｂ及びＴｅか
らなる３元合金、またはＩｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる３
元合金等を挙げることができる。
は、ポリカーボネート等の合成樹脂やガラス等からなる
透明基板が用いられる。また、上記光記録媒体１におい
て、相変化記録膜５は、光照射により非晶質と結晶質と
の間で可逆的に相変化する材料で構成されることが必要
である。この相変化記録層を構成する材料として、例え
ば、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 のようなＧｅ、Ｓｂ及びＴｅか
らなる３元合金、またはＩｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる３
元合金等を挙げることができる。
【００３３】相変化記録膜５への記録は、記録膜５を融
点以上に加熱しさらに急冷して非晶質状態とすることに
より行なわれ、記録された情報の消去は、非晶質状態に
ある記録膜５を結晶化温度以上かつ融点未満に加熱して
結晶質状態とすることにより行われる。なお、相変化記
録膜５は、レーザ光等を照射することにより溶融される
程度に薄い必要がある。したがって、通常、相変化記録
膜５は、５０〜３００オングストローム程度の厚さに形
成される。
点以上に加熱しさらに急冷して非晶質状態とすることに
より行なわれ、記録された情報の消去は、非晶質状態に
ある記録膜５を結晶化温度以上かつ融点未満に加熱して
結晶質状態とすることにより行われる。なお、相変化記
録膜５は、レーザ光等を照射することにより溶融される
程度に薄い必要がある。したがって、通常、相変化記録
膜５は、５０〜３００オングストローム程度の厚さに形
成される。
【００３４】誘電体膜４，６は、記録膜５にレーザ光等
を照射する際に記録膜５が蒸発するのを防止するために
設けられる。すなわち、誘電体膜４，６を設けることに
より、記録膜５の穴明きを防ぎ、記録膜５の耐熱保護を
図ることができる。
を照射する際に記録膜５が蒸発するのを防止するために
設けられる。すなわち、誘電体膜４，６を設けることに
より、記録膜５の穴明きを防ぎ、記録膜５の耐熱保護を
図ることができる。
【００３５】誘電体膜４，６に用いられる材料として
は、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 混合物、ＳｉＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、及びＡｌ2 Ｏ3 等の光透過性の誘電体を挙げるこ
とができる。なお、上記光記録媒体１において誘電体膜
４は、半透明干渉層３及び金属反射層７との相乗効果に
より再生信号を光学的にエンハンスするように設計され
ており、通常、５００〜３０００オングストローム程度
の厚さに形成される。
は、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 混合物、ＳｉＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、及びＡｌ2 Ｏ3 等の光透過性の誘電体を挙げるこ
とができる。なお、上記光記録媒体１において誘電体膜
４は、半透明干渉層３及び金属反射層７との相乗効果に
より再生信号を光学的にエンハンスするように設計され
ており、通常、５００〜３０００オングストローム程度
の厚さに形成される。
【００３６】また、誘電体膜６は、レーザ光等の照射に
より溶融された記録膜５の冷却を促進するために薄く形
成され、通常、５０〜３００オングストローム程度の厚
さに制御される。なお、近年、データ転送速度の高速化
に伴い、記録速度の高速化が求められている。この場
合、感度を向上させる必要があるため、急冷（熱の保持
能力が低い）タイプではなく徐冷（熱の保持能力が高
い）タイプの相変化光記録媒体も検討されている。した
がって、上記光記録媒体１を徐冷タイプとする場合は、
熱の保持能力を高めるために、誘電体膜６は通常３００
〜３０００オングストローム程度の厚さに形成される。
より溶融された記録膜５の冷却を促進するために薄く形
成され、通常、５０〜３００オングストローム程度の厚
さに制御される。なお、近年、データ転送速度の高速化
に伴い、記録速度の高速化が求められている。この場
合、感度を向上させる必要があるため、急冷（熱の保持
能力が低い）タイプではなく徐冷（熱の保持能力が高
い）タイプの相変化光記録媒体も検討されている。した
がって、上記光記録媒体１を徐冷タイプとする場合は、
熱の保持能力を高めるために、誘電体膜６は通常３００
〜３０００オングストローム程度の厚さに形成される。
【００３７】金属反射層７に用いられる材料としては、
例えば、ＡｌＭｏ合金等を挙げることができる。この金
属反射層７は、再生信号をエンハンスするため、及び放
熱性を高めるために、通常、５００〜３０００オングス
トローム程度の厚さに形成される。
例えば、ＡｌＭｏ合金等を挙げることができる。この金
属反射層７は、再生信号をエンハンスするため、及び放
熱性を高めるために、通常、５００〜３０００オングス
トローム程度の厚さに形成される。
【００３８】また、半透明干渉層３に用いられる材料と
しては、Ａｕ等を挙げることができる。この半透明干渉
層３は、基板２側から照射されたレーザ光等が記録膜５
へと到達可能である程度に薄い必要がある。また、半透
明干渉層３は、半透明干渉層３と金属反射層７との間で
光の干渉を生じさせて再生信号をエンハンスするため
に、ある程度の厚さを必要とする。そのため、半透明干
渉層３は、通常、２０〜２００オングストローム程度に
形成される。
しては、Ａｕ等を挙げることができる。この半透明干渉
層３は、基板２側から照射されたレーザ光等が記録膜５
へと到達可能である程度に薄い必要がある。また、半透
明干渉層３は、半透明干渉層３と金属反射層７との間で
光の干渉を生じさせて再生信号をエンハンスするため
に、ある程度の厚さを必要とする。そのため、半透明干
渉層３は、通常、２０〜２００オングストローム程度に
形成される。
【００３９】以上のように構成される相変化光記録媒体
１を、以下に示す方法により作製した。 （実施例１）図２に示すスパッタ装置を用いて相変化光
記録媒体１を作製した。なお、図２は、本発明の実施例
に係る相変化光記録媒体の製造に用いられるスパッタ装
置を概略的に示す図である。
１を、以下に示す方法により作製した。 （実施例１）図２に示すスパッタ装置を用いて相変化光
記録媒体１を作製した。なお、図２は、本発明の実施例
に係る相変化光記録媒体の製造に用いられるスパッタ装
置を概略的に示す図である。
【００４０】相変化光記録媒体１を作製するに当たり、
まず、直径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍであり、一
方の主面に幅０．６μｍの渦巻線状の溝が形成されたポ
リカーボネート製のディスク２を、溝が形成された面が
下方を向くように、チャンバー２１内に設けられた円盤
状の基台９に保持させた。なお、基台９はディスク２を
保持しつつ回転することが可能である。
まず、直径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍであり、一
方の主面に幅０．６μｍの渦巻線状の溝が形成されたポ
リカーボネート製のディスク２を、溝が形成された面が
下方を向くように、チャンバー２１内に設けられた円盤
状の基台９に保持させた。なお、基台９はディスク２を
保持しつつ回転することが可能である。
【００４１】次に、バルブ１１を開き、真空ターボポン
プ１２を駆動することにより、チャンバー２１内を１０
-6ｔｏｒｒまで減圧した。さらに、基台９を６０ｒｐｍ
の速度で回転させつつ、バルブ１０を開放してＡｒガス
をチャンバー２１内に導入した。なお、チャンバー内の
Ａｒガス圧は、バルブ１１の開放状態及び真空ターボポ
ンプの排気能力を変えることなく、図示しないマスフロ
ーコントローラを用いてＡｒ流量を制御することにより
５×１０-3ｔｏｒｒとした。
プ１２を駆動することにより、チャンバー２１内を１０
-6ｔｏｒｒまで減圧した。さらに、基台９を６０ｒｐｍ
の速度で回転させつつ、バルブ１０を開放してＡｒガス
をチャンバー２１内に導入した。なお、チャンバー内の
Ａｒガス圧は、バルブ１１の開放状態及び真空ターボポ
ンプの排気能力を変えることなく、図示しないマスフロ
ーコントローラを用いてＡｒ流量を制御することにより
５×１０-3ｔｏｒｒとした。
【００４２】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-1とを電気的に接続して、電極１４-1に
１３．５６ＭＨｚ、１５０ＷのＲＦ電力を供給した。以
上のようにして、電極１４-1上に配置されたＡｕターゲ
ット１３-1のＡｒガスによるスパッタリングを開始し
た。約1 分間プリスパッタした後、Ａｕターゲット１３
-1の上方に配置されたシャッタ１５-1を開放した。所定
の時間経過した後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-1とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-1を閉じた。以上のようにして、ディスク２上に半
透明干渉層３として、厚さ１００オングストロームのＡ
ｕ膜３を成膜した。
１６と電極１４-1とを電気的に接続して、電極１４-1に
１３．５６ＭＨｚ、１５０ＷのＲＦ電力を供給した。以
上のようにして、電極１４-1上に配置されたＡｕターゲ
ット１３-1のＡｒガスによるスパッタリングを開始し
た。約1 分間プリスパッタした後、Ａｕターゲット１３
-1の上方に配置されたシャッタ１５-1を開放した。所定
の時間経過した後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-1とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-1を閉じた。以上のようにして、ディスク２上に半
透明干渉層３として、厚さ１００オングストロームのＡ
ｕ膜３を成膜した。
【００４３】Ａｕ膜３を成膜した後、バルブ１０を閉
じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＡｕ原子と
を真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了
後、再度バルブ１０を開放して、マスフローコントロー
ラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入
し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに
制御した。
じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＡｕ原子と
を真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了
後、再度バルブ１０を開放して、マスフローコントロー
ラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入
し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに
制御した。
【００４４】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に
６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１
３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約1
分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット
１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。
８分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-2を閉じた。以上のようにして、Ａｕ膜３上に誘電
体膜４として、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／
ＳｉＯ2 膜４を成膜した。
１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に
６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１
３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約1
分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット
１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。
８分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-2を閉じた。以上のようにして、Ａｕ膜３上に誘電
体膜４として、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／
ＳｉＯ2 膜４を成膜した。
【００４５】ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した後、バル
ブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスと
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用い
て排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開放して、
マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチ
ャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を
５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
ブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスと
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用い
て排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開放して、
マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチ
ャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を
５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
【００４６】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲ
ット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放し
た。４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2
膜４上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングスト
ロームのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲ
ット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放し
た。４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2
膜４上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングスト
ロームのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００４７】Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した後、バ
ルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガス
とＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を
用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開放し
て、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガス
をチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス
圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
ルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガス
とＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を
用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開放し
て、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガス
をチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス
圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００４８】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に
６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１
３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約1
分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット
１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。
３分経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と
電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2
を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５
上に誘電体膜６として、厚さ３００オングストロームの
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜６を成膜した。
１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に
６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１
３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約1
分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット
１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。
３分経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と
電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2
を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５
上に誘電体膜６として、厚さ３００オングストロームの
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜６を成膜した。
【００４９】ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜６を成膜した後、バル
ブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスと
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用い
て排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開放して、
マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチ
ャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を
５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
ブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスと
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用い
て排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開放して、
マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチ
ャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を
５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００５０】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-4上に配置されたＡｌＭｏターゲット１３-4のＡ
ｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリ
スパッタした後、ＡｌＭｏターゲット１３-4の上方に配
置されたシャッタ１５-4を開放した。２分３０秒経過
後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４
-4とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じ
た。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜６上に金属
反射層７として、厚さ１０００オングストロームのＡｌ
Ｍｏ膜７を成膜した。
１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-4上に配置されたＡｌＭｏターゲット１３-4のＡ
ｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリ
スパッタした後、ＡｌＭｏターゲット１３-4の上方に配
置されたシャッタ１５-4を開放した。２分３０秒経過
後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４
-4とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じ
た。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜６上に金属
反射層７として、厚さ１０００オングストロームのＡｌ
Ｍｏ膜７を成膜した。
【００５１】上述した方法により、ディスク２上にそれ
ぞれの膜を成膜した後、ディスク２をチャンバー２１か
ら取り出した。このディスク２のＡｌＭｏ膜７上に、ス
ピンコータを用いてＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、Ｕ
Ｖ光を照射することにより、ＡｌＭｏ膜７上に保護膜８
を形成した。
ぞれの膜を成膜した後、ディスク２をチャンバー２１か
ら取り出した。このディスク２のＡｌＭｏ膜７上に、ス
ピンコータを用いてＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、Ｕ
Ｖ光を照射することにより、ＡｌＭｏ膜７上に保護膜８
を形成した。
【００５２】以上のようにして、ディスク２上に、厚さ
１００オングストロームのＡｕ膜３、厚さ８５０オング
ストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４、厚さ１００オング
ストロームのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５、厚さ３００オン
グストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜６、厚さ１０００オ
ングストロームのＡｌＭｏ膜７、及び厚さ８μｍの保護
膜８を順次積層して相変化光記録媒体１を作製した。こ
の相変化光記録媒体１をサンプルＡとする。
１００オングストロームのＡｕ膜３、厚さ８５０オング
ストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４、厚さ１００オング
ストロームのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５、厚さ３００オン
グストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜６、厚さ１０００オ
ングストロームのＡｌＭｏ膜７、及び厚さ８μｍの保護
膜８を順次積層して相変化光記録媒体１を作製した。こ
の相変化光記録媒体１をサンプルＡとする。
【００５３】また、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時の
Ａｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒに制御したこと以外は
サンプルＡと同様にして相変化光記録媒体１を作製し
た。この相変化光記録媒体１をサンプルＢとする。
Ａｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒに制御したこと以外は
サンプルＡと同様にして相変化光記録媒体１を作製し
た。この相変化光記録媒体１をサンプルＢとする。
【００５４】（実施例２）Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
【００５５】すなわち、実施例１と同様にしてディスク
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００５６】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
1 分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８と基台９とを電気的に接続して、基台９に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同時に、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置された
シャッタ１５-3を開放した。
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
1 分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８と基台９とを電気的に接続して、基台９に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同時に、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置された
シャッタ１５-3を開放した。
【００５７】５０秒経過後、切替スイッチ１７，２０を
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
と基台９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を
閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４上に
相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームの
Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
と基台９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を
閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４上に
相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームの
Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００５８】以上のようにしてＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＣとする。
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＣとする。
【００５９】また、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時に
基台９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＣと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＤとする。
基台９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＣと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＤとする。
【００６０】さらに、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時
に基台９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＣと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＥとする。
に基台９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＣと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＥとする。
【００６１】（実施例３）Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
【００６２】すなわち、実施例１と同様にしてディスク
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００６３】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
1 分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８とコイル１９とを電気的に接続して、コイ
ル１９に２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同
時に、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配
置されたシャッタ１５-3を開放した。
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
1 分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８とコイル１９とを電気的に接続して、コイ
ル１９に２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同
時に、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配
置されたシャッタ１５-3を開放した。
【００６４】５０秒経過後、切替スイッチ１７，２０を
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
とコイル１９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５
-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４
上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロー
ムのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
とコイル１９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５
-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４
上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロー
ムのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００６５】以上のようにしてＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＦとする。
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＦとする。
【００６６】また、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時に
コイル１９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ
3 Ｔｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるよ
うに成膜時間を調節したこと以外はサンプルＦと同様に
して相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録
媒体１をサンプルＧとする。
コイル１９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ
3 Ｔｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるよ
うに成膜時間を調節したこと以外はサンプルＦと同様に
して相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録
媒体１をサンプルＧとする。
【００６７】さらに、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時
にコイル１９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ
3 Ｔｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるよ
うに成膜時間を調節したこと以外はサンプルＦと同様に
して相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録
媒体１をサンプルＨとする。
にコイル１９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ
3 Ｔｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるよ
うに成膜時間を調節したこと以外はサンプルＦと同様に
して相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録
媒体１をサンプルＨとする。
【００６８】（実施例４）Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
【００６９】すなわち、実施例１と同様にしてディスク
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
【００７０】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
1 分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８と基台９とを電気的に接続して、基台９に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同時に、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置された
シャッタ１５-3を開放した。
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
1 分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８と基台９とを電気的に接続して、基台９に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同時に、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置された
シャッタ１５-3を開放した。
【００７１】７０秒経過後、切替スイッチ１７，２０を
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
と基台９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を
閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４上に
相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームの
Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
と基台９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を
閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４上に
相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームの
Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００７２】以上のようにしてＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＩとする。
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＩとする。
【００７３】また、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時に
基台９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＩと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＪとする。
基台９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＩと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＪとする。
【００７４】さらに、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時
に基台９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＩと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＫとする。
に基台９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＩと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＫとする。
【００７５】（実施例５）Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に
示したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製
した。
【００７６】すなわち、実施例１と同様にしてディスク
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
【００７７】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８とコイル１９とを電気的に接続して、コイ
ル１９に２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同
時に、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配
置されたシャッタ１５-3を開放した。
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、切替スイッチ２０を用いて
ＲＦ電源１８とコイル１９とを電気的に接続して、コイ
ル１９に２００ＷのＲＦ電力を供給した。このとき、同
時に、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配
置されたシャッタ１５-3を開放した。
【００７８】５０秒経過後、切替スイッチ１７，２０を
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
とコイル１９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５
-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４
上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロー
ムのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを及びＲＦ電源１８
とコイル１９とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５
-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４
上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロー
ムのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００７９】以上のようにしてＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＬとする。
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１をサ
ンプルＬとする。
【００８０】また、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時に
基台９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＬと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＭとする。
基台９に５００ＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＬと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＭとする。
【００８１】さらに、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜時
に基台９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＬと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＮとする。
に基台９に１ｋＷのＲＦ電力を供給し、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔ
ｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように
成膜時間を調節したこと以外はサンプルＬと同様にして
相変化光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体
１をサンプルＮとする。
【００８２】（比較例）Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜
を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に示
したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製し
た。
を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１に示
したのと同様の方法により相変化光記録媒体１を作製し
た。
【００８３】すなわち、実施例１と同様にしてディスク
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４を成膜した
後、バルブ１０を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡ
ｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１
２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０を開
放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒ
ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒ
ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００８４】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲ
ット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放し
た。
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 ターゲ
ット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放し
た。
【００８５】２０秒経過後、切替スイッチ１７，２０を
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、
さらにシャッタ１５-3を閉じた。以上のようにして、Ｚ
ｎＳ／ＳｉＯ2 膜４上に相変化記録膜５として、厚さ１
００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜
した。
用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、
さらにシャッタ１５-3を閉じた。以上のようにして、Ｚ
ｎＳ／ＳｉＯ2 膜４上に相変化記録膜５として、厚さ１
００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５を成膜
した。
【００８６】以上のようにしてＧｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１を比
較用サンプルとする。上記サンプルＡ〜Ｎ及び比較用サ
ンプルについて、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜条件を
下記表に纏める。
を成膜した後、実施例１に示したのとと同様の方法によ
り、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５上にＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜
６、ＡｌＭｏ膜７、及び保護膜８を順次積層して相変化
光記録媒体１を作製した。この相変化光記録媒体１を比
較用サンプルとする。上記サンプルＡ〜Ｎ及び比較用サ
ンプルについて、Ｇｅ2 Ｓｂ3 Ｔｅ5 膜５の成膜条件を
下記表に纏める。
【００８７】
【表１】
【００８８】次に、これらサンプルＡ〜Ｎ及び比較用サ
ンプルについて、作製直後における相変化記録膜の非晶
質状態の安定性を、図３に示す光ディスクドライブ装置
を用いて、以下に示す方法により評価した。なお、図３
は、本発明の実施例において用いられる光ディスクドラ
イブ装置を概略的に示す図である。
ンプルについて、作製直後における相変化記録膜の非晶
質状態の安定性を、図３に示す光ディスクドライブ装置
を用いて、以下に示す方法により評価した。なお、図３
は、本発明の実施例において用いられる光ディスクドラ
イブ装置を概略的に示す図である。
【００８９】図３に示すように、相変化光記録媒体（デ
ィスク）１は、スピンドルモータ３２の回転軸に保持さ
れる。ディスク１は、スピンドルモータ３２の回転数を
制御することにより、所定の回転数で回転される。本実
施例においては、ＤＶＤ−ＲＡＭを想定して、ディスク
１と光学ヘッド３３との相対速度が１２ｍ／ｓで一定と
なるように、ディスク１の回転軸と光学ヘッド３３との
間の距離に応じてディスク１の回転速度を変化させる、
いわゆる線速度一定方式を採用した。
ィスク）１は、スピンドルモータ３２の回転軸に保持さ
れる。ディスク１は、スピンドルモータ３２の回転数を
制御することにより、所定の回転数で回転される。本実
施例においては、ＤＶＤ−ＲＡＭを想定して、ディスク
１と光学ヘッド３３との相対速度が１２ｍ／ｓで一定と
なるように、ディスク１の回転軸と光学ヘッド３３との
間の距離に応じてディスク１の回転速度を変化させる、
いわゆる線速度一定方式を採用した。
【００９０】入力装置３６から入力される信号は、変調
回路３５において、例えばＤＶＤ−ＲＡＭを想定した場
合は８／１６変調で、１または０の信号へとデジタル化
される。変調回路３５からのデジタル信号はレーザドラ
イバ３７へと送られ、光学ヘッド３３から出射されるレ
ーザ光のＯＮ／ＯＦＦを制御する。これにより、ディス
ク１上へのデータの書込みが行われる。
回路３５において、例えばＤＶＤ−ＲＡＭを想定した場
合は８／１６変調で、１または０の信号へとデジタル化
される。変調回路３５からのデジタル信号はレーザドラ
イバ３７へと送られ、光学ヘッド３３から出射されるレ
ーザ光のＯＮ／ＯＦＦを制御する。これにより、ディス
ク１上へのデータの書込みが行われる。
【００９１】本実施例においてディスク１は相変化光記
録媒体であるので、ディスク１への情報の記録、ディス
ク１に記録された情報の消去、及びディスク１に記録さ
れた情報の再生は、全てレーザ光等を照射することによ
り行われる。
録媒体であるので、ディスク１への情報の記録、ディス
ク１に記録された情報の消去、及びディスク１に記録さ
れた情報の再生は、全てレーザ光等を照射することによ
り行われる。
【００９２】図４に、本発明の実施例に係る相変化光記
録媒体における、情報の記録・消去・再生に必要なレー
ザ光のパワーをグラフにして示す。なお、図中、横軸は
時間を示し、縦軸はレーザ光のパワーを示している。
録媒体における、情報の記録・消去・再生に必要なレー
ザ光のパワーをグラフにして示す。なお、図中、横軸は
時間を示し、縦軸はレーザ光のパワーを示している。
【００９３】図４に示すように、情報の記録を行う場合
は、レーザ光のパワーをＰw まで高めて相変化記録膜を
溶融・急冷することにより非晶質状態とする。また、記
録された情報の消去を行う場合は、レーザ光のパワーを
Ｐe 程度として、相変化記録膜をその結晶化温度以上か
つ融点未満まで加熱することにより結晶化させる。な
お、図中、Ｐr は記録された情報の再生を行う場合に必
要なレーザ光のパワーである。ディスク１に情報を書込
むと、その部分は非晶質となる。非晶質部分と結晶質部
分とでは反射率が異なるので、ディスク１上を一定かつ
弱いパワーのレーザ光を用いて走査することにより、記
録された信号を反射光量の差として検出することができ
る。
は、レーザ光のパワーをＰw まで高めて相変化記録膜を
溶融・急冷することにより非晶質状態とする。また、記
録された情報の消去を行う場合は、レーザ光のパワーを
Ｐe 程度として、相変化記録膜をその結晶化温度以上か
つ融点未満まで加熱することにより結晶化させる。な
お、図中、Ｐr は記録された情報の再生を行う場合に必
要なレーザ光のパワーである。ディスク１に情報を書込
むと、その部分は非晶質となる。非晶質部分と結晶質部
分とでは反射率が異なるので、ディスク１上を一定かつ
弱いパワーのレーザ光を用いて走査することにより、記
録された信号を反射光量の差として検出することができ
る。
【００９４】ディスク１にパワーＰr のレーザ光を照射
することにより得られる再生信号は、光学ヘッド３３に
接続されたプリアンプ３８で増幅される。増幅された再
生信号は、次に２値化回路３９において、アナログ信号
からデジタル信号へとデジタル化される。デジタル化さ
れた再生信号は、さらに復調回路４０において、８／１
６変調に基づいて復調され、アナログ信号として出力装
置４１へと出力される。
することにより得られる再生信号は、光学ヘッド３３に
接続されたプリアンプ３８で増幅される。増幅された再
生信号は、次に２値化回路３９において、アナログ信号
からデジタル信号へとデジタル化される。デジタル化さ
れた再生信号は、さらに復調回路４０において、８／１
６変調に基づいて復調され、アナログ信号として出力装
置４１へと出力される。
【００９５】なお、図３において、制御系４３は、レー
ザドライバ３７を介して光学ヘッド３３から出射される
レーザ光強度を制御したり、例えば、リニアモータ駆動
制御系４６を介してリニアモータ３４を駆動することに
より光学ヘッド３３を所望の位置に制御するのに用いら
れる。また、制御系４３は、フォーカス駆動制御系４４
やトラック駆動制御系４５を介して、光学ヘッド３３に
設けられた対物レンズアクチュエータを駆動することに
より、ディスク１の面振れやトラックの偏心に追従する
ように対物レンズの位置を制御するのに用いられる。
ザドライバ３７を介して光学ヘッド３３から出射される
レーザ光強度を制御したり、例えば、リニアモータ駆動
制御系４６を介してリニアモータ３４を駆動することに
より光学ヘッド３３を所望の位置に制御するのに用いら
れる。また、制御系４３は、フォーカス駆動制御系４４
やトラック駆動制御系４５を介して、光学ヘッド３３に
設けられた対物レンズアクチュエータを駆動することに
より、ディスク１の面振れやトラックの偏心に追従する
ように対物レンズの位置を制御するのに用いられる。
【００９６】このように構成される光ディスクドライバ
装置３０を用いて、サンプルＡ〜Ｎ及び比較用サンプル
について、以下に示す方法により、製造直後における相
変化記録膜の非晶質状態の安定性について評価を行っ
た。すなわち、ディスク１（サンプルＡ〜Ｎ及び比較用
サンプル）に初期結晶化を行うことなく、上記光ディス
クドライバ装置３０により、図４に示すパワーＰe の消
去用のレーザ光及びパワーＰw の記録用のレーザ光を照
射した。すなわち、オーバーライト記録を行った。
装置３０を用いて、サンプルＡ〜Ｎ及び比較用サンプル
について、以下に示す方法により、製造直後における相
変化記録膜の非晶質状態の安定性について評価を行っ
た。すなわち、ディスク１（サンプルＡ〜Ｎ及び比較用
サンプル）に初期結晶化を行うことなく、上記光ディス
クドライバ装置３０により、図４に示すパワーＰe の消
去用のレーザ光及びパワーＰw の記録用のレーザ光を照
射した。すなわち、オーバーライト記録を行った。
【００９７】なお、信号の記録は、線速度が１２ｍ／ｓ
で一定となるようにスピンドルモータ３２の回転数を制
御し、８／１６変調、デューティ５０％として、周波数
１４．２ＭＨｚのレーザ光を照射してマークエッジ記録
を行い、相変化記録膜に最短マーク長である３Ｔを形成
することにより行った。また、パワーＰw は１４ｍＷと
し、パワーＰe は５ｍＷとした。
で一定となるようにスピンドルモータ３２の回転数を制
御し、８／１６変調、デューティ５０％として、周波数
１４．２ＭＨｚのレーザ光を照射してマークエッジ記録
を行い、相変化記録膜に最短マーク長である３Ｔを形成
することにより行った。また、パワーＰw は１４ｍＷと
し、パワーＰe は５ｍＷとした。
【００９８】また、作製直後における相変化記録膜は非
晶質状態にあり、かつサンプルＡ〜Ｎ及び比較用サンプ
ルは全てＬｔｏＨメディアであるため、作製直後におけ
る相変化記録膜の反射率は０．１８程度と十分に高かっ
た。したがって、光ディスクドライブ装置３０におい
て、サーボ制御可能であり、また、試験中にサーボ制御
不能となることはなかった。
晶質状態にあり、かつサンプルＡ〜Ｎ及び比較用サンプ
ルは全てＬｔｏＨメディアであるため、作製直後におけ
る相変化記録膜の反射率は０．１８程度と十分に高かっ
た。したがって、光ディスクドライブ装置３０におい
て、サーボ制御可能であり、また、試験中にサーボ制御
不能となることはなかった。
【００９９】次に、情報を記録したディスク１について
記録の再生を行い、スペクトラム・アナライザを用いて
Ｃ／Ｎ値を測定した。なお、Ｃ／Ｎ値が低すぎる場合
は、パワーＰe の消去用のレーザ光を照射することによ
る相変化記録膜の結晶化が不完全であったと判断するこ
とができる。したがって、この場合は、オーバーライト
記録を再度行った。
記録の再生を行い、スペクトラム・アナライザを用いて
Ｃ／Ｎ値を測定した。なお、Ｃ／Ｎ値が低すぎる場合
は、パワーＰe の消去用のレーザ光を照射することによ
る相変化記録膜の結晶化が不完全であったと判断するこ
とができる。したがって、この場合は、オーバーライト
記録を再度行った。
【０１００】十分に大きなＣ／Ｎ値が得られるまで、相
変化記録膜の同じ領域に対して、上記オーバーライト記
録とＣ／Ｎ値の測定とを繰り返し行い、その繰返し回数
により、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の
安定性を評価した。以下にその結果を示す。
変化記録膜の同じ領域に対して、上記オーバーライト記
録とＣ／Ｎ値の測定とを繰り返し行い、その繰返し回数
により、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の
安定性を評価した。以下にその結果を示す。
【０１０１】まず、比較用サンプルについて上記測定を
行ったところ、１回目のオーバーライト記録直後では、
１４．２ＭＨｚのスペクトルは殆ど観測されなかった。
オーバーライト記録とＣ／Ｎ値の測定とを繰り返し行っ
たところ、Ｃ／Ｎ値が４０ｄＢに達するのに６回のオー
バーライト記録を必要とした。また、Ｃ／Ｎ値が５２ｄ
Ｂに達するのに１５回のオーバーライト記録を必要とし
た。以上から、従来の方法により製造した比較用サンプ
ルは、作製直後において、相変化記録膜の非晶質状態が
過剰に安定であることが確認された。
行ったところ、１回目のオーバーライト記録直後では、
１４．２ＭＨｚのスペクトルは殆ど観測されなかった。
オーバーライト記録とＣ／Ｎ値の測定とを繰り返し行っ
たところ、Ｃ／Ｎ値が４０ｄＢに達するのに６回のオー
バーライト記録を必要とした。また、Ｃ／Ｎ値が５２ｄ
Ｂに達するのに１５回のオーバーライト記録を必要とし
た。以上から、従来の方法により製造した比較用サンプ
ルは、作製直後において、相変化記録膜の非晶質状態が
過剰に安定であることが確認された。
【０１０２】次に、サンプルＡについて上記測定を行っ
たところ、オーバーライト記録を５回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を７回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＢについて上記測定を行ったところ、オーバーライト
記録を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上
とすることができた。また、オーバーライト記録を６回
繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とすること
ができた。
たところ、オーバーライト記録を５回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を７回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＢについて上記測定を行ったところ、オーバーライト
記録を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上
とすることができた。また、オーバーライト記録を６回
繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とすること
ができた。
【０１０３】以上の結果から、相変化記録膜の成膜時
に、スパッタリングガス圧を高めることにより、記録膜
原料の急冷度を低減し、作製直後における相変化記録膜
の非晶質状態の過剰な安定性を低減可能であることが確
認された。
に、スパッタリングガス圧を高めることにより、記録膜
原料の急冷度を低減し、作製直後における相変化記録膜
の非晶質状態の過剰な安定性を低減可能であることが確
認された。
【０１０４】次に、サンプルＣについて上記測定を行っ
たところ、オーバーライト記録を３回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を５回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＤについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバ
ーライト記録の直後にＣ／Ｎ値は４５ｄＢに達し、２回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。さらに、サンプルＥに関しては、１回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。
たところ、オーバーライト記録を３回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を５回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＤについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバ
ーライト記録の直後にＣ／Ｎ値は４５ｄＢに達し、２回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。さらに、サンプルＥに関しては、１回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。
【０１０５】以上の結果から、相変化記録膜の成膜時
に、基台にＲＦ電力を供給してディスク１の表面近傍に
ＲＦ電場を形成することにより、記録膜原料の急冷度を
低減し、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の
過剰な安定性を低減可能であることが確認された。ま
た、この場合、初期結晶化を全く必要としない無初期化
型相変化光記録媒体を実現可能であることも確認され
た。
に、基台にＲＦ電力を供給してディスク１の表面近傍に
ＲＦ電場を形成することにより、記録膜原料の急冷度を
低減し、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の
過剰な安定性を低減可能であることが確認された。ま
た、この場合、初期結晶化を全く必要としない無初期化
型相変化光記録媒体を実現可能であることも確認され
た。
【０１０６】次に、サンプルＦについて上記測定を行っ
たところ、オーバーライト記録を３回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を５回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＧについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバ
ーライト記録の直後にＣ／Ｎ値は４５ｄＢに達し、２回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。さらに、サンプルＨに関しては、１回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。
たところ、オーバーライト記録を３回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を５回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＧについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバ
ーライト記録の直後にＣ／Ｎ値は４５ｄＢに達し、２回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。さらに、サンプルＨに関しては、１回
目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とす
ることができた。
【０１０７】以上の結果から、相変化記録膜の成膜時
に、ディスク１の記録膜が形成された面の近傍に設けら
れたコイルにＲＦ電力を供給してディスク１の表面近傍
にＲＦ電場を形成することにより、記録膜原料の急冷度
を低減し、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態
の過剰な安定性を低減可能であることが確認された。ま
た、この場合、初期結晶化を全く必要としない無初期化
型相変化光記録媒体を実現可能であることも確認され
た。
に、ディスク１の記録膜が形成された面の近傍に設けら
れたコイルにＲＦ電力を供給してディスク１の表面近傍
にＲＦ電場を形成することにより、記録膜原料の急冷度
を低減し、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態
の過剰な安定性を低減可能であることが確認された。ま
た、この場合、初期結晶化を全く必要としない無初期化
型相変化光記録媒体を実現可能であることも確認され
た。
【０１０８】さらに、サンプルＩについて上記測定を行
ったところ、オーバーライト記録を２回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＪ及びサンプルＫについて上記測定を行ったところ、
１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上
とすることができた。
ったところ、オーバーライト記録を２回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＪ及びサンプルＫについて上記測定を行ったところ、
１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上
とすることができた。
【０１０９】以上の結果から、相変化記録膜の成膜時
に、スパッタガス圧を高め、かつ基台にＲＦ電力を供給
してディスク１の表面近傍にＲＦ電場を形成することに
より、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の過
剰な安定性をより効率的に低減可能であることが確認さ
れた。
に、スパッタガス圧を高め、かつ基台にＲＦ電力を供給
してディスク１の表面近傍にＲＦ電場を形成することに
より、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の過
剰な安定性をより効率的に低減可能であることが確認さ
れた。
【０１１０】また、サンプルＬについて上記測定を行っ
たところ、オーバーライト記録を２回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＭ及びサンプルＮについて上記測定を行ったところ、
１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上
とすることができた。
たところ、オーバーライト記録を２回繰返すことによ
り、Ｃ／Ｎ値を４０ｄＢ以上とすることができた。ま
た、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／
Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。また、サンプ
ルＭ及びサンプルＮについて上記測定を行ったところ、
１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上
とすることができた。
【０１１１】以上の結果から、相変化記録膜の成膜時
に、スパッタガス圧を高め、かつコイルにＲＦ電力を供
給してディスク１の表面近傍にＲＦ電場を形成した場合
においても、作製直後における相変化記録膜の非晶質状
態の過剰な安定性をより効率的に低減可能であることが
確認された。
に、スパッタガス圧を高め、かつコイルにＲＦ電力を供
給してディスク１の表面近傍にＲＦ電場を形成した場合
においても、作製直後における相変化記録膜の非晶質状
態の過剰な安定性をより効率的に低減可能であることが
確認された。
【０１１２】以上示したように、本発明によると、基板
上に相変化記録膜を成膜する際に、スパッタガス圧を高
めること、或いは基板面の近傍に高周波電場を形成する
ことにより、基板面へと衝突する記録膜原料原子或いは
分子の速度が低減される。そのため、記録膜原料の急冷
度が低減され、作製される相変化記録膜は、適度な安定
性を有する非晶質状態となる。したがって、本発明によ
ると、初期結晶化を行う必要がなく、作製直後からオー
バーライト記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体を
製造することが可能となる。
上に相変化記録膜を成膜する際に、スパッタガス圧を高
めること、或いは基板面の近傍に高周波電場を形成する
ことにより、基板面へと衝突する記録膜原料原子或いは
分子の速度が低減される。そのため、記録膜原料の急冷
度が低減され、作製される相変化記録膜は、適度な安定
性を有する非晶質状態となる。したがって、本発明によ
ると、初期結晶化を行う必要がなく、作製直後からオー
バーライト記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体を
製造することが可能となる。
【０１１３】また、本発明の方法によると、スパッタリ
ング条件の僅かな変更により、上記非晶質状態の安定性
を制御可能である。したがって、容易に実現可能であ
り、かつ制御も簡単である。さらに、本発明の方法によ
ると、誘電体膜、相変化記録膜、金属反射層等を連続的
に成膜することが出来るため、無初期化型相変化光記録
媒体を高い効率で製造可能である。
ング条件の僅かな変更により、上記非晶質状態の安定性
を制御可能である。したがって、容易に実現可能であ
り、かつ制御も簡単である。さらに、本発明の方法によ
ると、誘電体膜、相変化記録膜、金属反射層等を連続的
に成膜することが出来るため、無初期化型相変化光記録
媒体を高い効率で製造可能である。
【０１１４】なお、上記実施例においては、無初期化型
とすることによる効果が顕著なＬｔｏＨメディアについ
て説明したが、ＨｔｏＬメディアであっても、本発明の
方法により無初期化型の相変化光記録媒体を製造可能で
あることは言うまでもない。
とすることによる効果が顕著なＬｔｏＨメディアについ
て説明したが、ＨｔｏＬメディアであっても、本発明の
方法により無初期化型の相変化光記録媒体を製造可能で
あることは言うまでもない。
【０１１５】また、上記実施例においては、相変化光記
録媒体を製造する際に、相変化記録膜の材料としてＧｅ
ＳｂＴｅ系材料を用いたが、本発明はこれに限られるも
のではなく、ＩｎＳｂＴｅ系材料、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系
材料、及びＩｎＳｅ系材料等、様々な相変化記録材料を
用いた場合に置いても同様の効果を得ることができるの
は言うまでもない。
録媒体を製造する際に、相変化記録膜の材料としてＧｅ
ＳｂＴｅ系材料を用いたが、本発明はこれに限られるも
のではなく、ＩｎＳｂＴｅ系材料、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系
材料、及びＩｎＳｅ系材料等、様々な相変化記録材料を
用いた場合に置いても同様の効果を得ることができるの
は言うまでもない。
【０１１６】
【発明の効果】以上示したように、本発明の無初期化型
相変化光記録媒体の製造方法によると、基板上に相変化
記録膜を成膜する際に、スパッタガス圧を高めること或
いは基板面の近傍に高周波電場を形成することにより、
基板面へと衝突する記録膜原料原子或いは分子の速度が
低減される。そのため、記録膜原料の急冷度が低減さ
れ、作製される相変化記録膜は、適度な安定性を有する
非晶質状態となる。したがって、本発明によると、初期
結晶化を行う必要がなく、作製直後からオーバーライト
記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体を製造するこ
とが可能となる。
相変化光記録媒体の製造方法によると、基板上に相変化
記録膜を成膜する際に、スパッタガス圧を高めること或
いは基板面の近傍に高周波電場を形成することにより、
基板面へと衝突する記録膜原料原子或いは分子の速度が
低減される。そのため、記録膜原料の急冷度が低減さ
れ、作製される相変化記録膜は、適度な安定性を有する
非晶質状態となる。したがって、本発明によると、初期
結晶化を行う必要がなく、作製直後からオーバーライト
記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体を製造するこ
とが可能となる。
【図１】本発明の実施例及び比較例に係る相変化光記録
媒体の製造方法により製造される相変化光記録媒体の断
面図。
媒体の製造方法により製造される相変化光記録媒体の断
面図。
【図２】本発明の実施例に係る相変化光記録媒体の製造
に用いられるスパッタ装置を概略的に示す図。
に用いられるスパッタ装置を概略的に示す図。
【図３】本発明の実施例において用いられる光ディスク
ドライブ装置を概略的に示す図。
ドライブ装置を概略的に示す図。
【図４】本発明の実施例に係る相変化光記録媒体におけ
る、情報の記録・消去・再生に必要なレーザ光のパワー
を示すグラフ。
る、情報の記録・消去・再生に必要なレーザ光のパワー
を示すグラフ。
１…相変化光記録媒体 ２…基板 ３…半透明干渉層 ４，６…誘電体膜 ５…相変化記録膜 ７…金属反射層 ８…保護膜 ９…基台 １０，１１…バルブ １２…真空ターボポンプ １３-n…ターゲット １４-n…電極 １５-n…シャッタ １６，１８…ＲＦ電源 １７，２０…切替スイッチ １９…コイル ２１…チャンバー ３２…スピンドルモータ ３３…光学ヘッド ３４…リニアモータ ３５…変調回路 ３６…入力装置 ３７…レーザドライバ ３８…プリアンプ ３９…２値化回路 ４０…復調回路 ４１…出力装置 ４３〜４６…制御系
Claims (5)
- 【請求項１】 光ビームを照射することにより結晶質と
非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜を備え
た無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、 前記相変化記録膜を５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッタ
ガス圧下で真空スパッタ法により成膜することを特徴と
する無初期化型相変化光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 光ビームを照射することにより結晶質と
非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜を備え
た無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、 前記相変化記録膜を、前記相変化記録膜が形成される基
板面の近傍に高周波電場を形成しつつ、真空スパッタ法
により成膜することを特徴とする無初期化型相変化光記
録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記高周波電場の形成を、前記基板に高
周波電力を印加することにより行うことを特徴とする請
求項２に記載の無初期化型相変化光記録媒体の製造方
法。 - 【請求項４】 前記高周波電場の形成を、コイルに高周
波電力を印加することにより行うことを特徴とする請求
項２に記載の無初期化型相変化光記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 前記相変化記録膜を、５×１０-2ｔｏｒ
ｒ以上のスパッタガス圧下で成膜することを特徴とする
請求項２〜４のいずれか１項に記載の無初期化型相変化
光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216598A JPH11250510A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 無初期化型相変化光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216598A JPH11250510A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 無初期化型相変化光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250510A true JPH11250510A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12907230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5216598A Pending JPH11250510A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 無初期化型相変化光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11250510A (ja) |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP5216598A patent/JPH11250510A/ja active Pending
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