JP2000149322A - 無初期化型相変化光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】相変化記録膜の初期結晶化を必要とすることな
く製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型
相変化光記録媒体を提供すること。 【解決手段】本発明の無初期化型相変化光記録媒体１-1
は、光透過性の基板２と、前記基板２の一方の主面上に
形成され、光ビームを照射することにより可逆的に相変
化して光学的特性に変化を生ずる相変化記録膜５と、前
記相変化記録膜５上に形成された反射層６と、前記相変
化記録膜５と接して配置され、光透過性を有しかつ結晶
質の結晶化誘起層８-1とを具備することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所定の光を照射す
ることにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化す
る相変化記録膜を有する相変化光記録媒体に係り、特
に、記録膜の初期結晶化を必要とすることなく製造直後
からオーバーライト記録が可能な無初期化型相変化光記
録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】製造直後の相変化光ディスクは、記録膜
全面が非晶質状態にある、所謂全面記録状態にある。相
変化光ディスクは、作製直後であっても、最初のオーバ
ーライト記録により非晶質状態の記録マークと結晶質状
態のバックグラウンドとを書込み可能であることが理想
であるとされている。しかしながら、従来の方法により
記録膜を成膜した場合、成膜直後における非晶質状態
は、情報の記録に利用される非晶質状態に比べ極めて安
定である。そのため、光ディスクドライブによる１回目
のオーバーライト記録では、結晶質状態とすることがで
きない。

【０００３】以上の理由から、相変化光ディスクでは、
通常、光ディスクドライブで記録を行う前に、大出力の
レーザーを用いた初期結晶化装置により記録膜全面の結
晶化が行われている。

【０００４】初期結晶化装置による記録膜の初期結晶化
は、例えば、Ａｒガスレーザー等から数ワット程度のパ
ワーでレーザー光を出力し、このレーザー光を対物レン
ズを用いてスポット径が数十μｍとなるように相変化光
ディスク上に集光させる。相変化光ディスクのトラック
ピッチは、通常、０．５〜１．６μｍ程度であるので、
レーザー光のスポットは数十トラックにわたって照射さ
れることとなる。したがって、相変化光ディスクを回転
させつつ、上記レーザー光の光軸を光ディスクの半径方
向に沿って移動させることにより、記録膜全面の初期結
晶化が行われる。

【０００５】ところで、上記相変化光ディスクは、記録
膜の結晶性と反射率との関係に基づき、２種類に大別さ
れる。すなわち、相変化光ディスクは、結晶質状態（消
去状態）に比べて非晶質状態（記録状態）の方が反射率
が低いＨｉｇｈ ｔｏ Ｌｏｗ（以下、ＨｔｏＬとい
う）メディアと、結晶質状態（消去状態）に比べて非晶
質状態（記録状態）の方が反射率が高いＬｏｗ ｔｏ
Ｈｉｇｈ（以下、ＬｔｏＨという）メディアとに分類さ
れるのである。

【０００６】ＨｔｏＬメディアにおいては、上記初期結
晶化後の記録膜は、結晶質状態にあり高い反射率を有す
る。そのため、ＨｔｏＬメディアにおいては、初期結晶
化した直後に光ディスクドライブでオーバーライト記録
を行う場合、十分な反射光量が得られ、サーボ制御が不
安定となることはない。また、オーバーライト記録を行
った光ディスクにおいては、記録マーク部は非晶質状態
となるために反射率の低下を生ずるが、一般に、記録部
分と未記録部分とは概ね半々であると想定される。した
がって、オーバーライト記録を行った光ディスクにおい
て、反射率の平均値は、結晶質状態の反射率と非晶質状
態の反射率との中間程度となり、サーボ制御に支障を来
たすことはない。

【０００７】それに対し、ＬｔｏＨメディアにおいて
は、上記初期結晶化した直後の記録膜は反射率が低い。
そのため、ＬｔｏＨメディアにおいては、サーボ制御に
支障を来たす場合がある。以下に、その理由を説明す
る。

【０００８】近年、光ディスクの高記録密度化に伴い、
記録マークは益々微細化されている。そのため、微細化
された記録マークから大きな信号（反射率変化量）を得
るために、ＬｔｏＨメディアにおいては結晶質状態の反
射率をより低減する傾向にある。

【０００９】これを変調度を用いて説明すると、非晶質
状態における記録膜の反射率をＲ_a、結晶質状態におけ
る記録膜の反射率をＲ_c とした場合、変調度は、（Ｒ_a
−Ｒ _c ）／Ｒ_a により定義される。変調度は信号の大き
さの指標となるので、Ｒ_c をより小さくすることによ
り、変調度をより大きくすること、すなわちより大きな
信号を得ることができるのである。

【００１０】現在、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の高記録密度化に
伴い、片面で４．７ＧＢの記憶容量を実現するために、
トラックピッチを０．６μｍ、ビットピッチを０．２８
μｍ程度とすることが想定されている。このような条件
のもとでマークエッジ記録を行うとすると、再生ジッタ
値を８％以下とするには、Ｃ／Ｎ値（Ｃａｒｒｉｅｒｔ
ｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を５３ｄＢ以上とする必
要がある。これは、計算上では、例えば、Ｒ_a を２０
％、Ｒ_c を４％として、変調度を８０％以上とすること
を意味する。

【００１１】しかしながら、ＬｔｏＨメディアにおい
て、初期結晶化直後の記録膜の反射率を４％以下とする
と、光ディスクドライブでオーバーライト記録を行う際
に十分な反射光量が得られないため、サーボ制御が不安
定となる。このような状態で情報を記録した場合、記録
された情報を再生することができなくなる等の不具合を
生ずる。

【００１２】上記ＬｔｏＨメディアにおいて生ずる不具
合を解決するものとして、無初期化型相変化光ディスク
が期待されている。無初期化型相変化光ディスクは、記
録膜の初期結晶化を行うことなく、作製直後に光ディス
クドライブによるオーバーライト記録を可能とするもの
である。ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光ディスク
によると、最初のオーバーライト記録は、作製直後の非
晶質状態にある記録膜に対して行われる。すなわち、全
面が反射率の高い記録状態にある記録膜に対して行われ
る。したがって、ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光
ディスクによると、最初のオーバーライト記録の際に、
サーボ制御に支障を来たすことはないと考えられる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、無初
期化型相変化光ディスクによると、初期結晶化を行うこ
となくオーバーライト記録することが可能であると考え
られる。

【００１４】本発明は、相変化記録膜の初期結晶化を必
要とすることなく製造直後からオーバーライト記録が可
能な無初期化型相変化光記録媒体を提供することを目的
とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、相変化記録膜の初期結晶化を必要とする
ことなく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初
期化型相変化光記録媒体であって、光透過性の基板と、
この基板の一方の主面上に形成され、光ビームを照射す
ることにより可逆的に相変化して光学的特性に変化を生
ずる相変化記録膜と、この相変化記録膜上に形成された
反射層と、上記相変化記録膜と接して配置され、光透過
性を有しかつ結晶質の結晶化誘起層とを有することを特
徴とする無初期化型相変化光記録媒体を提供する。

【００１６】本発明の無初期化型相変化光記録媒体にお
いては、相変化記録膜に隣接して結晶質の結晶化誘起層
が配置される。一般に、非晶質の薄膜に隣接して結晶質
の薄膜を配置した場合、結晶質の薄膜の表面は、非晶質
の薄膜の結晶化の核として機能する。そのため、製造直
後における相変化記録膜を、非晶質状態から結晶質状態
へと容易に変化させることができる。したがって、本発
明によると、相変化記録膜の初期結晶化を必要とするこ
となく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期
化型相変化光記録媒体が実現される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】図１に、本発明の一実施形態に係る無初期
化型相変化光記録媒体の断面図を示す。図１に示す相変
化光記録媒体（以下、相変化光ディスクという）１-1
は、ＬｔｏＨタイプの相変化光ディスクであって、基板
２上に、半透明干渉層３、誘電体膜４-1、結晶化誘起層
８-1、相変化記録膜５、誘電体膜４-2、金属反射層６、
及び保護膜７が順次積層された構造を有している。

【００１９】まず、本発明の原理について図１を参照し
ながら説明する。

【００２０】上述したようにスパッタ法等により基板２
上に相変化記録膜５を形成した場合、製造直後における
記録膜５は、通常、安定性が過剰に高い非晶質状態とな
る。したがって、従来の方法により製造した相変化光デ
ィスクには、初期結晶化を施す必要がある。

【００２１】それに対し、上記光ディスク１-1において
は、相変化記録膜５と隣接して結晶質の結晶化誘起層８
-1が設けられる。上述したように、相変化記録膜５と隣
接して結晶質の結晶化誘起層８-1を配置した場合、結晶
化誘起層８-1の表面は、相変化記録膜５の結晶化の核と
して機能する。そのため、上記光ディスク１-1において
は、製造直後における相変化記録膜５を、非晶質状態か
ら結晶質状態へと容易に変化させることが可能となる。

【００２２】上記光ディスク１-1において、結晶化誘起
層８-1は、基板２と反射層６との間に配置される。した
がって、結晶化誘起層８-1は光透過性を有していること
が必要である。また、相変化記録膜５にレーザ光等を照
射する際に記録膜５が蒸発するのを防止するために、結
晶化誘起層８-1は相変化記録膜５よりも高い融点を有す
ることが好ましい。

【００２３】結晶化誘起層８-1は、スパッタリング法を
用いて成膜することにより結晶質の薄膜を形成する材料
から実質的になることが好ましい。通常、第１及び第２
の誘電体膜４-1，４-2を構成する材料としては、ＺｎＳ
・ＳｉＯ₂ 混合物等が用いられる。しかしながら、この
ような第１及び第２の誘電体膜４-1，４-2に一般に使用
される材料は、スパッタリング法により成膜を行った場
合に非晶質の薄膜を形成する。そのため、第１及び第２
の誘電体膜４-1，４-2に一般に使用される材料で結晶化
誘起層８を構成した場合、成膜工程の後に結晶化工程を
行う必要がある。

【００２４】それに対し、結晶化誘起層８-1を、スパッ
タリング法を用いて成膜することにより結晶質の薄膜を
形成する材料で構成した場合、上記結晶化工程を行うこ
となく結晶化誘起層８-1を成膜することができる。した
がって、結晶化誘起層８及び相変化記録膜５等を連続的
に成膜することが可能となる。

【００２５】結晶化誘起層８-1に用いられ、スパッタリ
ング法を用いて成膜することにより結晶質の薄膜を形成
する材料としては、酸化セリウム及び硫化亜鉛等を挙げ
ることができる。酸化セリウムは、スパッタリングによ
り結晶質の薄膜を形成するだけでなく、結晶化誘起層８
-1として用いられた場合に、相変化記録膜５の結晶化の
核としての能力に特に優れた表面を提供する。したがっ
て、結晶化誘起層８-1は、酸化セリウムで構成すること
が好ましい。

【００２６】図１に示す光ディスク１-1においては、結
晶化誘起層は第１の誘電体膜４-1と相変化記録膜５との
間に設けられたが、相変化記録膜５と第２の誘電体膜４
-2との間に設けてもよい。

【００２７】図２に、本発明の他の実施形態に係る無初
期化型相変化光ディスクの断面図を示す。図２に示す相
変化光ディスク１-2は、ＬｔｏＨタイプの相変化光ディ
スクであって、基板２上に、半透明干渉層３、誘電体膜
４-1、相変化記録膜５、結晶化誘起層８-2、誘電体膜４
-2、金属反射層６、及び保護膜７が順次積層された構造
を有している。このように、結晶化誘起層８-2を相変化
記録膜５と第２の誘電体膜４-2との間に設けた場合にお
いても、光ディスク１-1に関して説明したのと同様の効
果を得ることができる。

【００２８】結晶化誘起層は、相変化記録膜５の両側に
設けることが好ましい。図３に、本発明のさらに他の実
施形態に係る無初期化型相変化光ディスクの断面図を示
す。図３に示す相変化光ディスク１-3は、ＬｔｏＨタイ
プの相変化光ディスクであって、基板２上に、半透明干
渉層３、誘電体膜４-1、結晶化誘起層８-1、相変化記録
膜５、結晶化誘起層８-2、誘電体膜４-2、金属反射層
６、及び保護膜７が順次積層された構造を有している。

【００２９】このように、相変化記録膜５の両側に結晶
化誘起層８-1，８-2を設けた場合、相変化記録膜５の結
晶化の核として機能する面の面積が増加する。したがっ
て、相変化記録膜５の結晶化をより容易に生じさせるこ
とが可能となり、上述した効果がより顕著となる。

【００３０】以上説明したように、無初期化型相変化光
ディスク１-1〜１-3において、結晶化誘起層８-1，８-2
は、相変化記録膜５に、その結晶化の核として機能する
表面を提供する。したがって、結晶化誘起層８-1，８-2
は厚く形成する必要はなく、例えば、１０〜１００オン
グストローム程度の厚さに形成される。

【００３１】結晶化誘起層８-1，８-2を第１或いは第２
の誘電体４-1，４-2と同程度の厚さに形成してもよい。
この場合、結晶化誘起層８-1，８-2は、相変化記録膜の
蒸発等を防止する保護膜として用いられ得る。したがっ
て、この場合、第１或いは第２の誘電体膜４-1，４-2を
別途設ける必要がない。

【００３２】しかしながら、結晶化誘起層８-1，８-2を
薄く形成し、さらに第１及び第２の誘電体膜４-1，４-2
を設けることが好ましい。この場合、相変化記録膜５の
結晶化の核を提供する機能と、相変化記録膜５の耐熱保
護を行う機能とを、結晶化誘起層８-1，８-2と誘電体膜
４-1，４-2とにそれぞれ分担させることができる。した
がって、結晶化誘起層８-1，８-2及び誘電体膜４-1，４
-2をそれぞれ最適な材料で構成することが可能となる。

【００３３】上述したように、図１〜図３に示す光ディ
スク１-1〜１-3によると、結晶化誘起層８-1，８-2が設
けられるため、製造直後の相変化記録膜５を非晶質状態
から結晶質状態に容易に変化させることができる。この
変化をさらに容易に生じさせるために、スパッタガスと
してＫｒ或いはＸｅを用い、５×１０^-2ｔｏｒｒ以上の
スパッタガス圧下で、真空スパッタリング法により相変
化記録膜５を成膜することが好ましい。以下にその理由
を説明する。

【００３４】上述したようにスパッタ法等により基板２
上に相変化記録膜５を形成した場合、製造直後におい
て、記録膜５は安定性が過剰に高い非晶質状態となる。
したがって、従来の方法により製造した相変化光ディス
クには、初期結晶化を施す必要がある。

【００３５】本発明者らは、製造直後において記録膜５
の非晶質状態の安定性が過剰に高い理由の１つは、記録
膜５の原料原子或いは原料分子が過剰な速度で基板面に
衝突することにあると考えた。すなわち、記録膜原料を
基板２上に付着させる際に、原料原子或いは原料分子は
非常に高い速度で基板２に衝突するため、原料は基板２
に付着した瞬間に非常に高い温度から急激に冷却され
る。この極端に高い冷却速度が、成膜直後の記録膜５に
おける非晶質状態の安定性を過剰に高くしているのであ
る。

【００３６】ここで、記録膜５の原料原子或いは原料分
子の速度は、その平均自由工程に依存するものと考えら
れる。したがって、原料原子或いは原料分子の平均自由
工程を低減することにより、原料原子或いは原料分子の
基板面に対する入射エネルギーを低減することが可能と
なる。

【００３７】真空スパッタ法により基板２上に記録膜５
を形成する場合、上記平均自由工程を低減する方法とし
ては、例えば、Ｋｒガス等のスパッタガス圧を増加させ
て、原料原子或いは原料分子とスパッタガスとの衝突回
数を増加させることが考えられる。

【００３８】通常、相変化光ディスク１-1〜１-3の記録
膜５は、スパッタガスとしてＡｒを用い５×１０^-3ｔｏ
ｒｒ程度のガス圧下でスパッタリングすることにより形
成されるが、本発明者らは、様々な原料を用いて記録膜
５を成膜したところ、いずれの原料を用いた場合におい
てもスパッタガス圧を２×１０^-2ｔｏｒｒ以上に高める
ことにより、記録膜形成直後における非晶質状態の安定
性を低減することができ、特に、スパッタガス圧を５×
１０^-2ｔｏｒｒ以上とすることにより、上記原料原子或
いは原料分子の運動エネルギーを大幅に低減することが
できることを確認した。なお、スパッタガス圧が５×１
０^-1ｔｏｒｒより高い場合、記録膜５中へのスパッタガ
スの混入量が過剰となるおそれがある。

【００３９】また、スパッタガスとしてより大きな分子
量を有する分子を用いることにより、上記運動エネルギ
ーを低減することが可能である。Ａｒ、Ｋｒ及びＸｅは
同族元素でありいずれも化学的に不活性であるが、周期
率表においてＫｒはＡｒに対して１周期高次の元素であ
り、ＸｅはＡｒに対して２周期高次の元素である。すな
わち、Ｋｒ及びＸｅはＡｒに比べて大きな原子量（分子
量）を有している。そのため、スパッタガスとして、Ｋ
ｒガス或いはＸｅガスを用いた場合、Ａｒガスを用いた
場合に比べて、上記原料原子或いは原料分子の運動エネ
ルギーをより低減することができる。

【００４０】したがって、相変化記録膜５の成膜時に、
例えば、スパッタガス圧を高めることにより、スパッタ
ガスとしてより大きな分子量を有する分子を用いること
により、或いはそれらを組み合せることにより、製造直
後の相変化記録膜５を非晶質状態から結晶質状態に容易
に変化させることができる。すなわち、相変化光ディス
ク１-1〜１-3を無初期化型とすることができる。

【００４１】次に、上記相変化光ディスク１-1〜１-3に
用いられる材料等について説明する。

【００４２】上記光ディスク１-1〜１-3において、基板
２としては、ポリカーボネート等の合成樹脂やガラス等
からなる透明基板が用いられる。

【００４３】また、上記光ディスク１-1〜１-3におい
て、相変化記録膜５は、光照射により非晶質と結晶質と
の間で可逆的に相変化する材料で構成されることが必要
である。この相変化記録膜５を構成する材料として、例
えば、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ のようなＧｅ、Ｓｂ及びＴｅ
からなる３元合金、またはＩｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる
３元合金等を挙げることができる。

【００４４】相変化記録膜５への記録は、記録膜５を融
点以上に加熱しさらに急冷して非晶質状態とすることに
より行なわれる。また、記録された情報の消去は、非晶
質状態にある記録膜５を結晶化温度以上かつ融点未満に
加熱して結晶質状態とすることにより行われる。なお、
相変化記録膜５は、レーザ光等を照射することにより溶
融される程度に薄い必要がある。したがって、通常、相
変化記録膜５は、５０〜３００オングストローム程度の
厚さに形成される。

【００４５】誘電体膜４-1，４-2は、記録膜５にレーザ
光等を照射する際に記録膜５が蒸発するのを防止するた
めに設けられる。すなわち、誘電体膜４-1，４-2を設け
ることにより、記録膜５の穴明きを防ぎ、記録膜５の耐
熱保護を図ることができる。

【００４６】誘電体膜４-1，４-2に用いられる材料とし
ては、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ 混合物、ＳｉＯ₂ 、Ｔ
ｉＯ₂ 、及びＡｌ₂ Ｏ₃ 等の光透過性の誘電体を挙げる
ことができる。なお、上記光ディスク１-1〜１-3におい
て、誘電体膜４-1は、半透明干渉層３及び金属反射層６
等との相乗効果により再生信号を光学的にエンハンスす
るように設計されており、通常、５００〜３０００オン
グストローム程度の厚さに形成される。

【００４７】また、誘電体膜４-2は、レーザ光等の照射
により溶融された記録膜５の冷却を促進するために薄く
形成され、通常、５０〜３００オングストローム程度の
厚さに制御される。なお、近年、データ転送速度の高速
化に伴い、記録速度の高速化が求められている。この場
合、感度を向上させる必要があるため、急冷（熱の保持
能力が低い）タイプではなく徐冷（熱の保持能力が高
い）タイプの相変化光ディスクも検討されている。した
がって、上記光ディスク１-1〜１-3を徐冷タイプとする
場合は、熱の保持能力を高めるために、誘電体膜４-2は
通常３００〜３０００オングストローム程度の厚さに形
成される。

【００４８】金属反射層６に用いられる材料としては、
例えば、ＡｌＭｏ合金等を挙げることができる。この金
属反射層６は、再生信号をエンハンスするため、及び放
熱性を高めるために、通常、５００〜３０００オングス
トローム程度の厚さに形成される。

【００４９】また、半透明干渉層３に用いられる材料と
しては、Ａｕ等を挙げることができる。この半透明干渉
層３は、基板２側から照射されたレーザ光等が記録膜５
へと到達可能である程度に薄い必要がある。また、半透
明干渉層３は、半透明干渉層３と金属反射層６との間で
光の干渉を生じさせて再生信号をエンハンスするため
に、ある程度の厚さを必要とする。そのため、半透明干
渉層３は、通常、２０〜２００オングストローム程度に
形成される。

【００５０】保護膜７は、光ディスク１-1〜１-3を取扱
う際に反射層６等に傷等が生ずるのを防止するために設
けられる。保護膜７は、例えば、ＵＶ硬化樹脂等を用い
て形成することができる。

【００５１】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００５２】（実施例１）図４に示すスパッタ装置を用
いて、以下に示す方法により図１に示す相変化光ディス
ク１-1を作製した。なお、図４は、相変化光ディスクの
製造に用いられるスパッタ装置を概略的に示す図であ
る。

【００５３】相変化光ディスク１-1を作製するに当た
り、まず、直径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍであ
り、一方の主面に幅０．６μｍの渦巻線状の連続溝が形
成されたポリカーボネート製のディスク２を、溝が形成
された面が下方を向くように、チャンバー２１内に設け
られた円盤状の基台９に保持させた。なお、基台９はデ
ィスク２を保持しつつ回転することが可能である。

【００５４】次に、バルブ１１を開き、真空ターボポン
プ１２を駆動することにより、チャンバー２１内を１０
^-6ｔｏｒｒまで減圧した。さらに、基台９を６０ｒｐｍ
の速度で回転させつつ、バルブ１０-1を開放してＡｒガ
スをチャンバー２１内に導入した。なお、チャンバー内
のＡｒガス圧は、バルブ１１の開放状態及び真空ターボ
ポンプ１２の排気能力を変えることなく、図示しないマ
スフローコントローラを用いてＡｒ流量を制御すること
により５×１０^-3ｔｏｒｒとした。

【００５５】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-1とを電気的に接続して、電極１４-1に
１３．５６ＭＨｚ、１５０ＷのＲＦ電力を供給した。以
上のようにして、電極１４-1上に配置されたＡｕターゲ
ット１３-1のＡｒガスによるスパッタリングを開始し
た。約１分間プリスパッタした後、Ａｕターゲット１３
-1の上方に配置されたシャッタ１５-1を開放した。所定
の時間経過した後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-1とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-1を閉じた。以上のようにして、ディスク２上に半
透明干渉層３として、厚さ１００オングストロームのＡ
ｕ膜３を成膜した。

【００５６】Ａｕ膜３を成膜した後、バルブ１０-1を閉
じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＡｕ原子と
を真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了
後、再度バルブ１０-1を開放して、マスフローコントロ
ーラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導
入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０^-3ｔｏｒｒ
に制御した。

【００５７】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に
６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ₂ ターゲット１
３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１
分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ ターゲット
１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。
８分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-2を閉じた。以上のようにして、Ａｕ膜３上に誘電
体膜４-1として、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ
／ＳｉＯ₂ 膜４-1を成膜した。

【００５８】ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1を成膜した後、バ
ルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガ
スとＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 分子とを真空ターボポンプ１２を
用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放し
て、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガス
をチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス
圧を５×１０^-3ｔｏｒｒに制御した。

【００５９】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に
４００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-4上に配置されたＣｅＯ₂ ターゲット１３-4のＡ
ｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリ
スパッタした後、ＣｅＯ₂ ターゲット１３-4の上方に配
置されたシャッタ１５-4を開放した。１５秒経過後、切
替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを
電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じた。以上
のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1上に結晶化誘起
層８-1として、厚さ５０オングストロームのＣｅＯ₂ 膜
８-1を成膜した。

【００６０】ＣｅＯ₂ 膜８-1を成膜した後、バルブ１０
-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＣｅ
Ｏ₂ 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。
排気終了後、バルブ１０-2を開放して、マスフローコン
トローラで流量制御しつつＫｒガスをチャンバー２１内
に導入し、チャンバー内のＫｒガス圧を５×１０^-2ｔｏ
ｒｒに制御した。

【００６１】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ ターゲット
１３-3のＫｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ ターゲ
ット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放し
た。４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-3を閉じた。以上のようにして、ＣｅＯ₂ 膜８-1上
に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストローム
のＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５を成膜した。

【００６２】Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５を成膜した後、バ
ルブ１０-2を閉じ、チャンバー２１内に残留するＫｒガ
スとＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 分子とを真空ターボポンプ１２
を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放し
て、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガス
をチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス
圧を５×１０^-3ｔｏｒｒに制御した。

【００６３】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に
６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ₂ ターゲット１
３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１
分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ ターゲット
１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。
３分経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と
電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2
を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５
上に誘電体膜４-2として、厚さ３００オングストローム
のＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2を成膜した。

【００６４】ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2を成膜した後、バ
ルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガ
スとＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 分子とを真空ターボポンプ１２を
用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放
して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガ
スをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガ
ス圧を５×１０^-3ｔｏｒｒに制御した。

【００６５】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-1とを電気的に接続して、電極１４-1に
１５０ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-1上に配置されたＡｕターゲット１３-1のＡｒガ
スによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパ
ッタした後、Ａｕターゲット１３-1の上方に配置された
シャッタ１５-1を開放した。２分３０秒経過後、切替ス
イッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-1とを電気
的に絶縁し、さらにシャッタ１５-1を閉じた。以上のよ
うにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2上に金属反射層６と
して、厚さ１０００オングストロームのＡｕ膜６を成膜
した。

【００６６】上述した方法により、ディスク２上にそれ
ぞれの膜を成膜した後、ディスク２をチャンバー２１か
ら取り出した。このディスク２のＡｕ膜６上に、スピン
コータを用いてＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ光
を照射することにより、Ａｕ膜６上に保護膜７を形成し
た。

【００６７】以上のようにして、ディスク２上に、厚さ
１００オングストロームのＡｕ膜３、厚さ８５０オング
ストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1、厚さ５０オング
ストロームのＣｅＯ₂ 膜８-1、厚さ１００オングストロ
ームのＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５、厚さ３００オングスト
ロームのＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2、厚さ１０００オング
ストロームのＡｕ膜６、及び厚さ８μｍの保護膜７を順
次積層してＬｔｏＨタイプの相変化光ディスク１-1を作
製した。この相変化光ディスク１-1をサンプルＡとす
る。

【００６８】また、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５の成膜時の
Ｋｒガス圧を５×１０^-1ｔｏｒｒに制御したこと以外は
サンプルＡと同様にしてＬｔｏＨタイプの相変化光ディ
スク１-1を作製した。すなわち、サンプルＢに比べ、Ｇ
ｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５の成膜時における急冷度をさらに
低減して相変化光ディスク１-1を作製した。この相変化
光ディスク１-1をサンプルＢとする。

【００６９】（実施例２）図４に示すスパッタ装置を用
いて、以下に示す方法により図２に示す相変化光ディス
ク１-2を作製した。すなわち、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1
とＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５との間にＣｅＯ₂ 膜８-1を設
ける代わりに、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５とＺｎＳ／Ｓｉ
Ｏ₂ 膜４-2との間に厚さ５０オングストロームのＣｅＯ
₂ 膜８-2を設けたこと以外はサンプルＡと同様にしてＬ
ｔｏＨタイプの相変化光ディスク１-2を作製した。この
相変化光ディスク１-2をサンプルＣとする。

【００７０】また、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1とＧｅ₂ Ｓ
ｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５との間にＣｅＯ₂ 膜８-1を設ける代わり
に、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５とＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2
との間に厚さ５０オングストロームのＣｅＯ₂ 膜８-2を
設けたこと以外はサンプルＢと同様にしてＬｔｏＨタイ
プの相変化光ディスク１-2を作製した。この相変化光デ
ィスク１-2をサンプルＤとする。

【００７１】（実施例３）図４に示すスパッタ装置を用
いて、以下に示す方法により図３に示す相変化光ディス
ク１-3を作製した。すなわち、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５
とＺｎＳ／ＳｉＯ ₂ 膜４-2との間に厚さ５０オングスト
ロームのＣｅＯ₂ 膜８-2を設けたこと以外はサンプルＡ
と同様にしてＬｔｏＨタイプの相変化光ディスク１-3を
作製した。この相変化光ディスク１-3をサンプルＥとす
る。

【００７２】また、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５とＺｎＳ／
ＳｉＯ₂ 膜４-2との間に厚さ５０オングストロームのＣ
ｅＯ₂ 膜８-2を設けたこと以外はサンプルＢと同様にし
てＬｔｏＨタイプの相変化光ディスク１-3を作製した。
この相変化光ディスク１-3をサンプルＦとする。

【００７３】（比較例）図５は、初期結晶化を必要とす
る従来の相変化光ディスクを概略的に示す断面図であ
る。図５において、相変化光ディスク１-4は、基板２上
に、半透明干渉層３、誘電体膜４-1、相変化記録膜５、
誘電体膜４-2、金属反射層６、及び保護膜７が順次積層
された構造を有している。

【００７４】この相変化光ディスク１-4を、図４に示す
スパッタ装置を用い、以下に示す方法により作製した。

【００７５】まず、サンプルＡと同様にして、ディスク
２上に、厚さ１００オングストロームのＡｕ膜３及び厚
さ８５０オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1を
順次積層した。

【００７６】ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1を成膜した後、バ
ルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガ
スとＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 分子とを真空ターボポンプ１２を
用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放し
て、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガス
をチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス
圧を５×１０^-3ｔｏｒｒに制御した。

【００７７】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-3上に配置されたＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ ターゲット
１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約
１分間プリスパッタした後、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ ターゲ
ット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放し
た。２０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ
１５-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂
膜４-1上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングス
トロームのＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５を成膜した。

【００７８】以上のようにして形成したＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔ
ｅ₅ 膜５上に、サンプルＡに関して説明したのと同様の
方法により厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／Ｓｉ
Ｏ₂膜４-2を成膜した。

【００７９】ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2を成膜した後、バ
ルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガ
スとＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 分子とを真空ターボポンプ１２を
用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放
して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガ
スをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガ
ス圧を５×１０^-3ｔｏｒｒに制御した。

【００８０】次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源
１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に
２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電
極１４-4上に配置されたＡｌＭｏターゲット１３-4のＡ
ｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリ
スパッタした後、ＡｌＭｏターゲット１３-4の上方に配
置されたシャッタ１５-4を開放した。２分３０秒経過
後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４
-4とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じ
た。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2上に金
属反射層６として、厚さ１０００オングストロームのＡ
ｌＭｏ膜６を成膜した。

【００８１】上述した方法により、ディスク２上にそれ
ぞれの膜を成膜した後、サンプルＡに関して説明したの
と同様の方法により、ＡｌＭｏ膜６上に保護膜７を形成
した。

【００８２】以上のようにして、ディスク２上に、厚さ
１００オングストロームのＡｕ膜３、厚さ８５０オング
ストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-1、厚さ１００オン
グストロームのＧｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５、厚さ３００オ
ングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 膜４-2、厚さ１００
０オングストロームのＡｌＭｏ膜６、及び厚さ８μｍの
保護膜７を順次積層してＬｔｏＨタイプの相変化光ディ
スク１-4を作製した。この相変化光ディスク１-4を比較
用サンプルとする。

【００８３】以上のようにして作製したサンプルＡ〜Ｆ
及び比較用サンプルについて、相変化記録膜であるＧｅ
₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ 膜５の成膜条件の違いと、結晶化誘起層
であるＣｅＯ₂ 膜８-1，８-2の有無とを下記表に纏め
る。

【００８４】

【表１】

【００８５】次に、これらサンプルＡ〜Ｆ及び比較用サ
ンプルについて、作製直後における相変化記録膜５の非
晶質状態の安定性を、図６に示す光ディスクドライブ装
置を用いて、以下に示す方法により評価した。なお、図
６は、光ディスクドライブ装置を概略的に示す図であ
る。

【００８６】図６に示すように、相変化光ディスク１
は、スピンドルモータ３２の回転軸に保持される。ディ
スク１は、スピンドルモータ３２の回転数を制御するこ
とにより、所定の回転数で回転される。本実施例におい
ては、ＤＶＤ−ＲＡＭを想定して、ディスク１と光学ヘ
ッド３３との相対速度が８．２ｍ／ｓで一定となるよう
に、ディスク１の回転軸と光学ヘッド３３との間の距離
に応じてディスク１の回転速度を変化させる、いわゆる
線速度一定方式を採用した。

【００８７】入力装置３６から入力される信号は、変調
回路３５において、例えばＤＶＤ−ＲＡＭを想定した場
合は８／１６変調で、１または０の信号へとデジタル化
される。変調回路３５からのデジタル信号はレーザドラ
イバ３７へと送られ、光学ヘッド３３から出射されるレ
ーザ光のＯＮ／ＯＦＦを制御する。これにより、ディス
ク１上へのデータの書込みが行われる。

【００８８】本実施例においてディスク１は相変化光デ
ィスクであるので、ディスク１への情報の記録、ディス
ク１に記録された情報の消去、及びディスク１に記録さ
れた情報の再生は、全てレーザ光等を照射することによ
り行われる。

【００８９】図７に、相変化光ディスクにおける、情報
の記録・消去・再生に必要なレーザ光のパワーをグラフ
にして示す。なお、図中、横軸は時間を示し、縦軸はレ
ーザ光のパワーを示している。

【００９０】図７に示すように、情報の記録を行う場合
は、レーザ光のパワーをＰ_w まで高めて相変化記録膜５
を溶融・急冷することにより非晶質状態とする。また、
記録された情報の消去を行う場合は、レーザ光のパワー
をＰ_e 程度として、相変化記録膜５をその結晶化温度以
上、融点未満まで加熱することにより結晶化させる。な
お、図中、Ｐ_r は記録された情報の再生を行う場合に必
要なレーザ光のパワーである。ディスク１に情報を書込
むと、その部分は非晶質となる。非晶質部分と結晶質部
分とでは反射率が異なるので、ディスク１上を一定かつ
弱いパワーのレーザ光を用いて走査することにより、記
録された信号を反射光量の差として検出することができ
る。

【００９１】ディスク１にパワーＰ_r のレーザ光を照射
することにより得られる再生信号は、光学ヘッド３３に
接続されたプリアンプ３８で増幅される。増幅された再
生信号は、次に２値化回路３９において、アナログ信号
からデジタル信号へとデジタル化される。デジタル化さ
れた再生信号は、さらに復調回路４０において、８／１
６変調に基づいて復調され、アナログ信号として出力装
置４１へと出力される。

【００９２】なお、図７において、制御系４３は、レー
ザドライバ３７を介して光学ヘッド３３から出射される
レーザ光強度を制御したり、例えば、リニアモータ駆動
制御系４６を介してリニアモータ３４を駆動することに
より光学ヘッド３３を所望の位置に制御するのに用いら
れる。また、制御系４３は、フォーカス駆動制御系４４
やトラック駆動制御系４５を介して、光学ヘッド３３に
設けられた対物レンズアクチュエータを駆動することに
より、ディスク１の面振れやトラックの偏心に追従する
ように対物レンズの位置を制御するのに用いられる。

【００９３】このように構成される光ディスクドライバ
装置３０を用いて、サンプルＡ〜Ｆ及び比較用サンプル
について、以下に示す方法により、製造直後における相
変化記録膜の非晶質状態の安定性について評価を行っ
た。すなわち、ディスク１（サンプルＡ〜Ｆ及び比較用
サンプル）に初期結晶化を行うことなく、上記光ディス
クドライバ装置３０により、図７に示すパワーＰ_e の消
去用のレーザ光及びパワーＰ_w の記録用のレーザ光を照
射した。すなわち、オーバーライト記録を行った。

【００９４】なお、信号の記録は、ＤＶＤ−ＲＡＭを想
定して、線速度が８．２ｍ／ｓで一定となるようにスピ
ンドルモータ３２の回転数を制御し、８／１６変調、デ
ューティ５０％として、周波数９．７２ＭＨｚのレーザ
光を照射してマークエッジ記録を行い、相変化記録膜５
にマーク長の最も短い３Ｔの記録マークを形成すること
により行った。また、記録パワーＰ_w は１３ｍＷとし、
消去パワーＰ_e は６ｍＷとした。

【００９５】また、作製直後における相変化記録膜５は
非晶質状態にあり、かつサンプルＡ〜Ｆ及び比較用サン
プルは全てＬｔｏＨメディアであるため、作製直後にお
ける相変化記録膜５の反射率は０．１８程度と十分に高
かった。したがって、光ディスクドライブ装置３０にお
いて、サーボ制御可能であり、また、試験中にサーボ制
御不能となることはなかった。

【００９６】次に、情報を記録したディスク１について
記録の再生を行い、スペクトラム・アナライザを用いて
Ｃ／Ｎ値を測定した。なお、Ｃ／Ｎ値が低すぎる場合
は、パワーＰ_e の消去用のレーザ光を照射することによ
る相変化記録膜５の結晶化が不完全であったと判断する
ことができる。したがって、この場合は、オーバーライ
ト記録を再度行った。

【００９７】十分に大きなＣ／Ｎ値が得られるまで、相
変化記録膜５の同じ領域に対して、上記オーバーライト
記録とＣ／Ｎ値の測定とを繰り返し行い、その繰返し回
数により、作製直後における相変化記録膜５の非晶質状
態の安定性を評価した。以下にその結果を示す。

【００９８】まず、比較用サンプルについて上記測定を
行ったところ、１回目のオーバーライト記録直後では、
３Ｔ信号の記録マークに関するスペクトルは殆ど観測さ
れなかった。オーバーライト記録とＣ／Ｎ値の測定とを
繰り返し行ったところ、Ｃ／Ｎ値が４０ｄＢに達するの
に６回のオーバーライト記録を必要とした。また、Ｃ／
Ｎ値が５２ｄＢに達するのに１５回のオーバーライト記
録を必要とした。以上から、従来の方法により製造した
比較用サンプルは、作製直後において、相変化記録膜の
非晶質状態が過剰に安定であることが確認された。すな
わち、比較用サンプルは、大出力のレーザーを用いた初
期結晶化装置により記録膜全面の初期結晶化を行う必要
があることが確認された。

【００９９】次に、サンプルＡについて上記測定を行っ
たところ、１回目のオーバーライト記録で、４８ｄＢを
超えるＣ／Ｎ値を得ることができた。また、オーバーラ
イト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢ
とすることができた。また、サンプルＢについて上記測
定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録で、Ｃ
／Ｎ値を５１ｄＢとすることができた。また、オーバー
ライト記録を２回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄ
Ｂとすることができた。

【０１００】以上の結果から、誘電体膜４-1と相変化記
録膜５との間に結晶化誘起層８-1を設けることにより、
製造直後における記録膜５を非晶質状態から結晶質状態
へと容易に変化させることが可能となることが確認され
た。また、相変化記録膜５の成膜時に、スパッタリング
ガスとしてＫｒを用い、スパッタリングガス圧を高める
ことにより、記録膜原料の急冷度を低減し、作製直後に
おける相変化記録膜５の非晶質状態の過剰な安定性を低
減可能であることが確認された。

【０１０１】次に、サンプルＣについて上記測定を行っ
たところ、１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を４
８ｄＢとすることができた。また、オーバーライト記録
を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢとするこ
とができた。また、サンプルＤについて上記測定を行っ
たところ、１回目のオーバーライト記録の直後にＣ／Ｎ
値は５１ｄＢに達し、２回目のオーバーライト記録でＣ
／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。以上の結果か
ら、相変化記録膜５と誘電体膜４-1との間に結晶化誘起
層８-2を設けた場合に置いても、サンプルＡ及びＢに関
して説明したのと同様の効果が得られることが確認され
た。

【０１０２】次に、サンプルＥ，Ｆについて上記測定を
行ったところ、ともに１回目のオーバーライト記録でＣ
／Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。以上の結果
から、結晶化誘起層８-1，８-2の双方を設けることによ
り、一方のみを設けた場合に比べて、製造直後において
非晶質状態にある記録膜５をさらに容易に結晶質状態へ
と変化させることが可能となることが確認された。

【０１０３】上述したように、本発明の実施例に係るサ
ンプルＡ〜Ｆによると、製造直後において非晶質状態に
ある記録膜５を容易に結晶質状態へと変化させることが
できた。これは、本発明の実施例に係るサンプルＡ〜Ｆ
に設けられた結晶化誘起層の表面が、相変化記録膜の結
晶化の核として機能したため、製造直後の相変化記録膜
５の非晶質状態から結晶質状態への変化を妨げるエネル
ギー障壁が低減されたためであると考えられる。

【０１０４】また、サンプルＡ〜Ｆによると、比較用サ
ンプルに比べ、オーバーライト記録時における記録マー
クの消去率が著しく向上した。これは、サンプルＡ〜Ｆ
には結晶化誘起層が設けられているため、製造直後以外
においても非晶質状態から結晶質状態への変化がより容
易に生じたことによると考えられる。

【０１０５】以上示したように、本発明によると、相変
化記録膜と接するように、結晶質の結晶化誘起層が設け
られる。この結晶化誘起層の相変化記録膜と接する面
は、相変化記録膜の結晶化の核として機能する。そのた
め、製造直後の相変化記録膜をより容易に非晶質状態か
ら結晶質状態へと変化させることができる。

【０１０６】また、基板上に相変化記録膜を成膜する際
に、スパッタガスとしてＫｒガス或いはＸｅガスを用い
ること、スパッタガス圧を高めること、或いはそれらを
組み合せることにより、基板面へと衝突する記録膜原料
原子或いは分子の速度を低減することができる。そのた
め、記録膜原料の急冷度が低減され、作製される相変化
記録膜は、適度な安定性を有する非晶質状態となる。

【０１０７】したがって、本発明によると、相変化記録
膜に隣接して結晶質の結晶化誘起層を設け、相変化記録
膜を適切な方法により成膜することにより、相変化記録
膜の初期結晶化を行う必要がなく、作製直後からオーバ
ーライト記録が可能な無初期化型相変化光ディスクを製
造することが可能となる。

【０１０８】また、本発明によると、スパッタリング条
件の僅かな変更により、上記非晶質状態の安定性を制御
可能である。したがって、容易に実現可能であり、かつ
制御も簡単である。さらに、本発明によると、結晶化誘
起層、相変化記録膜、金属反射層等を連続的に成膜する
ことが出来るため、無初期化型相変化光ディスクを高い
効率で製造可能である。

【０１０９】なお、上記実施例においては、無初期化型
とすることによる効果が顕著なＬｔｏＨメディアについ
て説明したが、ＨｔｏＬメディアであっても本発明の方
法により無初期化型の相変化光ディスクを製造可能であ
ることは言うまでもない。

【０１１０】また、上記実施例においては、相変化光デ
ィスクを製造する際に、相変化記録膜の材料としてＧｅ
ＳｂＴｅ系材料を用いたが、本発明はこれに限られるも
のではなく、ＩｎＳｂＴｅ系材料、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系
材料、及びＩｎＳｅ系材料等、様々な相変化記録材料を
用いた場合においても同様の効果を得ることができるの
は言うまでもない。

【０１１１】さらに、上記実施例においては、相変化記
録膜をスパッタリングにより成膜する際に、スパッタガ
スとしてＫｒガスを用いた場合について説明したが、Ｘ
ｅガスを用いた場合においても同様の効果を得ることが
できるのは言うまでもない。

【０１１２】

【発明の効果】以上示したように、本発明によると、相
変化記録膜と接するように、結晶質の結晶化誘起層が設
けられる。この結晶化誘起層の相変化記録膜と接する面
は、相変化記録膜の結晶化の核を提供する。そのため、
製造直後の相変化記録膜をより容易に非晶質状態から結
晶質状態へと変化させることができる。したがって、本
発明によると、記録膜の初期結晶化を必要とすることな
く製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型
相変化光記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る無初期化型相変化光
記録媒体を概略的に示す断面図。

【図２】本発明の他の実施形態に係る無初期化型相変化
光記録媒体を概略的に示す断面図。

【図３】本発明のさらに他の実施形態に係る無初期化型
相変化光記録媒体を概略的に示す断面図。

【図４】相変化光記録媒体の製造に用いられるスパッタ
装置を概略的に示す図。

【図５】従来の相変化光記録媒体を概略的に示す断面
図。

【図６】光ディスクドライブ装置を概略的に示す図。

【図７】相変化光記録媒体への情報の記録・消去・再生
に必要なレーザ光のパワーを示すグラフ。

【符号の説明】

１-n…相変化光記録媒体 ２…基板 ３…半透明干渉層 ４-n…誘電体膜 ５…相変化記録膜 ６…金属反射層 ７…保護膜 ８-n…結晶化誘起層 ９…基台 １０-n，１１…バルブ １２…真空ターボポンプ １３-n…ターゲット １４-n…電極 １５-n…シャッタ １６…ＲＦ電源 １７…切替スイッチ ２１…チャンバー ３２…スピンドルモータ ３３…光学ヘッド ３４…リニアモータ ３５…変調回路 ３６…入力装置 ３７…レーザドライバ ３８…プリアンプ ３９…２値化回路 ４０…復調回路 ４１…出力装置 ４３〜４６…制御系

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相変化記録膜の初期結晶化を必要とする
   ことなく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初
   期化型相変化光記録媒体であって、 光透過性の基板と、 前記基板の一方の主面上に形成され、光ビームを照射す
   ることにより可逆的に相変化して光学的特性に変化を生
   ずる相変化記録膜と、 前記相変化記録膜上に形成された反射層と、 前記相変化記録膜と接して配置され、光透過性を有しか
   つ結晶質の結晶化誘起層とを具備することを特徴とする
   無初期化型相変化光記録媒体。
2. 【請求項２】 前記結晶化誘起層は、真空スパッタ法に
   よる成膜直後において結晶質の薄膜を形成する誘電体材
   料から実質的になることを特徴とする請求項１に記載の
   無初期化型相変化光記録媒体。
3. 【請求項３】 前記結晶化誘起層は酸化セリウムから実
   質的になることを特徴とする請求項１に記載の無初期化
   型相変化光記録媒体。