JPH11248939A - 光学材料用ポリスチレン系フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学的等方性に優れるポリスチレン系フィル
ムを提供する。 【解決手段】 正面レターデーションが０ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下のポリスチレン系フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、位相差フィルム、
偏光板フィルム、低反射フィルム等の光学材料用として
好適なポリスチレン系フィルムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来光学材料用フィルムとして、その高
い透明性、光学的等方性からセルロースアセテート（Ｃ
Ａ）フィルムが用いられている。しかしながらこのＣＡ
フィルムは、耐薬品性、弾性率、引裂強度等が弱く、そ
の用途は限定されていた。近年特開昭６３−８１１３
８、特開平３−９９８２８、特開平９−１９９５９のよ
うなシンジオタクチック−ポリスチレン（ＳＰＳ）系フ
ィルムが開示されている。これはＣＡフィルムの弱点で
ある耐薬品性、弾性率、引裂強度同等の高い力学特性を
有しているが製膜条件が適当でなく、本来有しているは
ずの光学的等方性、全光透過性、耐折強度、耐熱性が不
足していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
的等方性に優れるポリスチレン系フィルムを提供するこ
とにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は次の各発
明によって達成される。すなわち本発明は （１）正面レターデーションが０ｎｍ以上１００ｎｍ以
下であることを特徴とするポリスチレン系フィルム、
（２）厚み方向レターデーションが０ｎｍ以上２５０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする（１）項に記載のポリス
チレン系フィルム、（３）全光透過率が８５％以上１０
０％以下であることを特徴とする（１）又は（２）項に
記載のポリスチレン系フィルム、（４）耐折強度が３０
回以上１０００回以下であることを特徴とする（１）、
（２）又は（３）項に記載のポリスチレン系フィルム、
（５）１１０℃１０分の熱収縮率が０％以上１％以下で
あることを特徴とする（１）、（２）、（３）又は
（４）項に記載のポリスチレン系フィルム、（６）該ポ
リスチレン系フィルムがシンジオタクチック構造を有す
ることを特徴とする（１）〜（５）項のいずれか１項に
記載のポリスチレン系フィルム、（７）該ポリスチレン
系フィルムの構成成分中のスチレン成分含有率が７０ｗ
ｔ％以上９９ｗｔ％以下であることを特徴とする（１）
〜（６）項のいずれか１つに記載のフィルム、（８）
（１）〜（７）項のいずれか１項に記載のポリスチレン
系フィルムを用いた位相差フィルム、（９）（１）〜
（７）項のいずれか１項に記載のポリスチレン系フィル
ムを用いた偏光板フィルム、及び（１０）（１）〜
（７）項のいずれか１項に記載のポリスチレン系フィル
ムを用いた低反射フィルムを提供するものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明のポリスチレン系フィルム
は正面レターデーションが０ｎｍ以上１００ｎｍ以下で
あり、より好ましくは０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、さらに
好ましくは０ｎｍ以上５０ｎｍ以下にすることである。
さらに液晶表示素子と組み合わせて使用する位相差フィ
ルム用基板として使用する場合は、厚み方向のレターデ
ーションも制御する必要があり好ましくは０ｎｍ以上２
５０ｎｍ以下、より好ましくは０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下、さらに好ましくは０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であ
る。さらに全光透過性は８５％以上１００％以下が好ま
しく、８８％以上９９％以下がより好ましく、９０％以
上９８％以下がさらに好ましい。さらに液晶基板へ張り
付ける場合、折り曲げ適性を必要とし、好ましい耐折強
度は３０回以上１０００回以下、より好ましくは４０回
以上７００回以下、さらに好ましくは５０回以上５００
回以下である。また、液晶表示素子として使用される場
合自動車内で使用され、この場合夏期には１００℃近い
熱に曝される。従って高い耐熱性を要求され、その目安
となるのが１１０℃１０分の熱収縮率である。この熱収
縮率は好ましくは０％以上１％以下、より好ましくは０
％以上０．８％以下、さらに好ましくは０％以上０．６
％以下である。

【０００６】本発明のポリスチレンはシンジオタクチッ
ク構造でも、アイソタクチック構造でも、アタクチック
構造でもかまわない。これらの中でシンジオタクチック
構造が、力学強度が高く、熱収縮率も小さく特に優れて
いる。以下に、シンジオタクチック構造のものを例にと
って説明する。本発明で用いるシンジオタクチック−ポ
リスチレン系重合体とは、炭素−炭素結合から形成され
る主鎖に対して側鎖であるフェニル基やその誘導体が交
互に反対方向に位置する立体構造を有するものであり、
その立体規則性（タクティシティー）は同位炭素による
核磁気共鳴法（¹³Ｃ−ＮＭＲ法）により定量されるのが
一般的でかつ精度に優れる。この¹³Ｃ−ＮＭＲ法により
測定される立体規則性は、連続する複数個の構成単位の
存在割合、例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合
はトライアッド、５個の場合はペンダッドによって示す
ことができる。本発明に言うシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体とは、通常はラセミダイアッド
で７５％以上、１００％以下、好ましくは８５％以上、
１００％以下、若しくはラセミペンタヘッドで３０％以
上、１００％以下、好ましくは５０％以上、１００％以
下の立体規則性を有するものである。具体的には立体規
則性のポリスチレン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ
（ハロゲン化スチレン）、ポリ（ハロゲン化アルキルス
チレン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル
安息香酸エステル）が挙げられる。ここでポリ（アルキ
ルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、ポリ
（エチルスチレン）、ポリ（プロピルスチレン）、ポリ
（ブチルスチレン）、ポリ（フェニルスチレン）、ポリ
（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）、ポリ
（アセナフチン）などがある。また、ポリ（ハロゲン化
スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ
（ブロモスチレン）、ポリ（フルオロスチレン）などが
ある。また、ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポ
リ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）な
どがある。これらのなかで、より好ましいものは、ポリ
（スチレン）、ポリ（メチルスチレン）であり、さらに
好ましいのが、ポリ（スチレン）である。

【０００７】これらのシンジオタクチック−ポリスチレ
ン系重合体は、上述のようなホモポリマー以外にも、共
重合体であってもよい。共重合体のコモノマー成分とし
ては、上述のスチレン系重合体を構成するモノマーのほ
か、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテ
ン等のオレフィンモノマー、ブタジエン、イソブレン等
のジエンモノマー、環状オレフィンモノマー、環状ジエ
ンモノマーやメタクリル酸メチル、無水マレイン酸、ア
クリロニトリル等の極性ビニルモノマー等を挙げること
ができる。これらの内、スチレンを主成分として、これ
に、アルキルスチレン、水素化スチレン、ハロゲン化ス
チレンを共重合したものが好ましい。これらの中でも、
ｐ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−ターシ
ャリーブチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｍ−クロ
ロスチレン、ｐ−フルオロスチレン、水素化スチレンで
あり、特に好ましいのがｐ−メチルスチレンである。こ
れらの添加量は、好ましくは、ポリマー全体の０ｗｔ％
以上３０ｗｔ％以下、より好ましくは１ｗｔ％以上２０
ｗｔ％以下、さらに好ましくは３ｗｔ％以上１０ｗｔ％
以下である。これらの共重合により、結晶化速度を遅く
し球晶の生成を抑制する。この結果透明性が高く、耐折
強度の高いシンジオタクチック−ポリスチレン系フィル
ムを達成することができる。

【０００８】また、シンジオタクチック−ポリスチレン
系重合体と他のポリマーをブレンドして使用してもよ
い。好ましいポリマーブレンド成分としては、上述のよ
うなシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
や、アタクチック構造を有するスチレン系重合体が相溶
性の観点から好ましい。これらの中でとくに好ましいの
が、シンジオタクチック構造を有するポリスチレンを主
成分とし、これに、ｐ−メチルスチレン、ｍ−メチルス
チレン、ｐ−ターシャリーブチルスチレン、ｐ−クロロ
スチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−フルオロスチレ
ン、水素化スチレンなどを構成成分としてなるシンジオ
タクチック構造あるいはアタクチック構造のホモポリマ
ー、あるいは／および、これらのモノマーの少なくとも
一種とスチレンからなるシンジオタクチック構造あるい
はアタクチック構造を有するコポリマーをブレンドする
のが好ましい。特に、シンジオタクチック構造を有する
ｐ−メチルスチレンやシンジオタクチック構造を有する
ｐ−メチルスチレンとスチレンの共重合体をシンジオタ
クチック構造を有するポリスチレンとブレンドしたもの
が好ましい。これらのブレンドするポリマーの添加量は
好ましくは、ポリマーの合計量の０ｗｔ％以上３０ｗｔ
％以下、より好ましくは１ｗｔ％２０ｗｔ％以下、さら
に好ましくは３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である。ブレ
ンドにより結晶化速度を遅くし球晶の生成を抑制する。
この結果透明性が高く、耐折強度の高いシンジオタクチ
ック−ポリスチレン系フィルムを達成することができ
る。

【０００９】このような中で好ましいポリマー組成を下
記に示す。（ここで、ｓｙｎはシンジオタクチック、ａ
ｔｃはアタクチック、ｉｓｏはアイソタクチックを示
す。） （１）ホモポリマー Ｐ−１：ｓｙｎ−ポリ（スチレン） Ｐ−２： 〃 −ポリ（ｐ−メチルスチレン） Ｐ−３： 〃 −ポリ（ｐ−クロロスチレン） Ｐ−４： 〃 −ポリ（水素化スチレン） Ｐ−５：ｉｓｏ−ポリ（スチレン） Ｐ−６：ａｔｏ−ポリ（スチレン） （２）コポリマー ｗｔ比 Ｐ−７：ｓｙｎ−ポリ（スチレン／ｐ−メチルスチレン） (95/ 5） Ｐ−８： 〃 −ポリ（スチレン／ｐ−メチルスチレン） (85/15） Ｐ−９： 〃 −ポリ（スチレン／ｐ−クロロスチレン） (95/ 5） Ｐ−10： 〃 −ポリ（スチレン／ｐ−クロロスチレン） (85/15） Ｐ−11： 〃 −ポリ（スチレン／水素化スチレン） (95/ 5） Ｐ−12： 〃 −ポリ（スチレン／水素化スチレン） (85/15） Ｐ−13： 〃 −ポリ（スチレン／水素化スチレン／ｐ−メチルスチレン） (95/ 5/ 5)

【００１０】 （３）ポリマーブレンド 重量比 Ｐ−14：ｓｎｄ−ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポリ（ｐ−メチルスチレン） (95/5) Ｐ−15： 〃 −ポリ（スチレン）＋ 〃 (85/15) Ｐ−16： 〃 −ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポリ（ｐ−クロロスチレン） （95/5) Ｐ−17： 〃 −ポリ（スチレン）＋ 〃 (85/15) Ｐ−18： 〃 −ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポリ（水素化スチレン） （95/5) Ｐ−19： 〃 −ポリ（スチレン）＋ 〃 (85/15) Ｐ−20： 〃 −ポリ（スチレン）＋ａｔｃ−ポリ（スチレン） （95/5) Ｐ−21： 〃 −ポリ（スチレン）＋ 〃 (85/15) Ｐ−22： 〃 −ポリ（スチレン）＋ｉｓｏ−ポリ（スチレン） （95/5) Ｐ−23： 〃 −ポリ（スチレン）＋ 〃 (85/15) Ｐ−24： 〃 −ポリ（スチレン）＋ａｔｃ−ポリ（ｐ−メチルスチレン） （95/5) Ｐ−25： 〃 −ポリ（スチレン）＋ 〃 (85/15) Ｐ−26： 〃 −ポリ（スチレン）＋ａｔｃ−ポリ（水素化スチレン） （95/5) Ｐ−27： 〃 −ポリ（スチレン）＋ 〃 (85/15) Ｐ−28： 〃 −ポリ（スチレン）＋ａｔｃ−ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポ リ（ｐ−メチルスチレン） (95/5/5) Ｐ−29：ｓｎｄ−ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポリ（ｐ−メチルスチレン＋ス チレン共重合体(モル 比=10:90) ） (70/30) Ｐ−30：ｓｎｄ−ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポリ（ｐ−メチルスチレン＋ス チレン共重合体(モル 比=10:90) ） (50/50) Ｐ−31：ｓｎｄ−ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポリ（ｐ−メチルスチレン＋ス チレン共重合体(モル 比=5:95)） (70/30) Ｐ−32：ｓｎｄ−ポリ（スチレン）＋ｓｙｎ−ポリ（ｐ−メチルスチレン＋ス チレン共重合体(モル 比=30:70) ） (90/10)

【００１１】これらのスチレン系重合体の分子量は、重
量平均分子量が１０万以上８０万以下のものが好まし
く、特に好ましくは、２０万以上６０万以下のものであ
る。さらに分子量分布は、重量平均分子（Ｍw)／数平均
分子量（Ｍn)が１．５以上、５以下、さらに好ましくは
２以上４以下が好ましい。このようなシンジオタクチッ
クポリスチレン系重合体は、例えば不活性炭化水素溶媒
中または、溶媒の不存在下に、チタン化合物及び水とト
リアルキルアルミニウムの縮合生成物を触媒として、ス
チレン系単量体（上記スチレン系重合体の構成成分に対
応する単量体）を重合することにより製造することがで
きる（特開昭６２−１８７７０８号公報）。あるいは、
チタン化合物及びカチオンと複数の基が元素に結合した
アニオンとからなる化合物を触媒として重合することに
より製造することができる（特開平４−２４９５０
４）。

【００１２】またさらに本発明の目的を妨げない範囲
で、シリカ、タルク、チタニア、アルミナ、炭酸カルシ
ウム、酸化カルシウム、塩化カルシウム等およびこれら
の混合物等の無機微粒子、架橋ポリスチレン、架橋ポリ
メチルメタクリレート等の有機微粒子、および酸化防止
剤、帯電防止剤、色素等を配合することができる。さら
に本発明において製膜中のモノマー析出防止のために
は、スチレン系重合体あるいはその組成物中の残量スチ
レン単量体が７０００ｐｐｍ以下であることが好まし
い。以上のような本発明のスチレン系重合体あるいは該
重合体を含む組成物を素材として、フィルムを製膜す
る。製膜は熔融製膜、溶液製膜いずれを用いても良い。
本発明の正面、厚み方向のレターデーション、熱収縮
率、全光透過性、耐折強度を達成するためには、以下に
述べる製膜法がポイントとなる。即ち平面内、厚み方向
に均一な、かつ無配向な膜を作ることにある。熔融製膜
を行なう場合は、加熱熔融して押し出し、冷却、固化さ
せて製膜する。熔融押出しは、２５０℃〜３３０℃、よ
り好ましくは２７０℃〜３２０℃で熔融するが、一軸押
し出し機、二軸押し出し機のいずれを用いても良い。こ
の後に二次凝集粒子を粉砕、除去あるいはゴミ、異物除
去のためにメッシュフィルターを使用することが好まし
い。この後に２５０℃〜３３０℃、より好ましくは２７
０℃〜３２０℃に加熱したＴ−ダイを通して押し出し冷
却ドラム上でフィルムに成形する。本発明の特徴の一つ
は、このＴ−ダイの上側リップより下側リップの温度を
２℃以上３０℃以下、より好ましくは３℃以上２０℃以
下だけ高くすることにある。これは下側リップ側は冷却
ドラムに接触し急冷されるのに対し上側リップ側は空気
側のため冷却速度が遅い。このため予め下側リップ側の
温度を高くすることで両面の冷却速度のバランスを取り
厚み方向分布を均一にすることができる。

【００１３】さらに、本発明ではＴ−ダイと冷却ドラム
の間、即ち熔融体が空気中を垂れる距離を２０ｃｍ以上
６０ｃｍ以下にするのが好ましく、より好ましくは２５
ｃｍ以上５０ｃｍ以下である。この距離が上記範囲未満
では高温の熔融体が冷却ドラム上で急冷され収縮する
が、長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の収縮の異方性
から面内の異方性を生じやすい。一方この範囲を上回る
と冷却ドラムに達する前に熔融体が固化し好ましくな
い。さらに冷却ドラムと熔融体との密着を良化し厚みム
ラを小さくするために、エアナイフ、エアチャンバー、
タッチロール、静電印加等の方法を用いても良い。これ
らのなかで、平面性の観点から静電印加法を用いるのが
好ましい。冷却ドラムの温度は、原反シートのガラス転
移温度（Ｔｇ）−７０℃〜Ｔｇ、より好ましくはＴｇ−
５０℃〜Ｔｇ−２０℃の範囲である。さらに冷却ロール
からの剥取り張力もポイントであり、好ましい張力は１
kg/m幅以上１０kg/m幅以下、より好ましくは２kg/m幅以
上８kg/m幅以下である。

【００１４】正面、厚み方向の両方のレターデーション
を本発面の範囲に入れる必要のある場合（例えば位相差
膜用支持体）、この未延伸シートを用いるのが好まし
い。但し未延伸シートはＴ−ダイのリップの凹凸の影響
を受け易いため、表面を１００℃から２３０℃に加熱し
た加熱ローラーを通すことでカレンダリングすることも
好ましい。さらに厚み方向のレターデーションが３００
ｎｍ以上でも良い偏光板、低反射坂用支持体等の場合、
この未延伸シートを延伸しても良い。延伸は縦、横の同
時２軸延伸でも逐次２軸延伸でも良いが、縦、横の逐次
延伸が好ましい。延伸方法としては、テンターによる方
法、ロール間で延伸する方法、圧延による方法などがあ
り、これらを組み合わせて適用すればよいが、好ましい
のは、テンターによる方法、ロール間で延伸する方法で
ある。より具体的には、ロール間延伸で縦延伸後、テン
ターで横延伸を行うのがさらに好ましい。延伸温度は、
縦、横とも、１００℃〜１５０℃、より好ましくは１０
５℃〜Ｔ１３５℃、さらに好ましくは１１０℃〜１３０
℃に設定すれば良い。延伸速度は、縦、横とも１０００
〜８０００％／分、好ましくは２０００〜６０００％／
分、さらに好ましくは、２５００〜４０００％／分であ
る。面積延伸倍率は１０〜１６倍、好ましくは１１〜１
５倍、さらに好ましくは１２〜１４．５倍である。この
とき縦、横の屈折率が一致するように縦、横の延伸倍率
を調整する。

【００１５】上述の条件で延伸して得られた延伸フィル
ムに、さらに熱固定を行う。熱固定は緊張状態あるいは
弛緩状態あるいは制限収縮状態で２００℃から２５０℃
の間で１秒から９０秒実施するのが好ましい。より好ま
しくは１％〜１０％の制限収縮状態で２１０℃から２４
０の間で１０秒から６０秒行うものである。さらに本発
明の正面レターデーションを達成するには、熱固定後、
テンター内のチャックを外した状態で１５０℃〜２００
℃で３秒以上２０秒以下熱処理することが好ましい。こ
れによりフィルム中の延伸歪みを完全に抜くことがで
き、正面レターデーションをより小さくすることができ
る。さらにこの時の巻き取り張力を１kg/m幅以上１０kg
/m幅以下、より好ましくは２kg/m幅以上８kg/m幅以下に
するのが好ましい。このようにして製膜したフィルムの
厚みは２０〜２００μｍ、より好ましくは、３０〜１０
０μｍ、さらに好ましくは、４０〜８０μｍである。

【００１６】さらに本発明では溶液製膜でも実施でき
る。シンジオタクチック−ポリスチレン系ポリマーを溶
解する溶媒として芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等）、脂環式炭化水素（シクロヘキサン、
シクロヘキセン等）、ハロゲン化炭化水素（ジクロロメ
タン、ジクロロエタン等）、環状アミド（Ｎ- メチルピ
ロリドン、Ｎ- エチルピロリドン等）、環状エーテル
（ジオキサン等）が挙げられる。これらの溶剤は単独で
用いても良く混合して用いても良い。これに３ｗｔ％〜
３０ｗｔ％、より好ましくは５ｗｔ％〜２０ｗｔ％とな
るように上記シンジオタクチック−ポリスチレン系ポリ
マーを溶解する。この時シリカ、アルミナ、タルク、酸
化チタン等の無機微粒子や架橋ポリスチレン、架橋ポリ
アクリレート等の有機微粒子を０．００１％〜１％添加
しても良い。これらの微粒子は球形でも針状でも不定形
でも良く、０．０１〜２０μm が好ましく、０．１〜３
μm がさらに好ましい。また、リン酸エステルやフタル
酸エステルのような可塑剤を１〜２５ｗｔ％、より好ま
しくは３〜２０ｗｔ％添加するのも好ましい。このポリ
マーの溶解液（ドープ）をフィルターで濾過後、バン
ド、あるいはドラムの上に流延、乾燥した後剥取り、さ
らに後乾燥し製膜する。この時本発明の正面、厚み方向
レターデーションを達成する上でのポイントは乾燥速度
であり、１分〜１０分、より好ましくは２分〜８分で乾
燥するようにするのが好ましい。溶剤の乾燥によりドー
プは収縮するが、乾燥速度が速すぎると縦、横方向の収
縮がドラムやベルトとの摩擦で厚み方向の収縮に追いつ
かず、厚み方向レターデーションの大きな膜となる。さ
らに乾燥後の剥取り時の残留溶剤量をポリマーの固形分
量に対し１０％以上５０％以下、より好ましくは１５％
以上４０％以下にするのが好ましい。この範囲に溶剤が
残留していると、剥取り時の張力で配向した分子を後乾
燥中に不均一化することで正面、厚み方向のレターデー
ションを小さくすることができる。

【００１７】このようにして得たポリスチレン系フィル
ムに表面処理を行なうことも好ましい。これにより液晶
基板、偏光基板との密着を改良できる。好ましい表面処
理はグロー放電処理、コロナ処理、紫外線照射処理、火
炎処理が挙げられる。この中で最も好ましいのがグロー
放電処理である。さらに密着性改良のために表面処理し
た支持体上に下塗り層を設けても良い。例えば、塩化ビ
ニル、塩化ビニリデン、ブタジエン、酢酸ビニル、スチ
レン、アクリロニトリル、メタクリル酸エステル、メタ
クリル酸、アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸な
どの単独又は共重合体の他、水溶性ポリエステル、ポリ
ウレタン、エポキシ樹脂、ゼラチン、ニトロセルロー
ス、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロースなどが用いられる。さらに必要に応じて帯電防
止剤を添加し、表面抵抗率を１０¹²以下に低下させても
よい。表面抵抗率を低下させる手段に特に制限はない。
例えばＳｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｖ等の酸化物の微粉末
を添加する方法、導電性ポリマーを添加する方法、界面
活性剤を添加する方法などがある。これらの方法のうち
好ましいものはＳｎＯ₂ 等の金属酸化物を添加する方法
である。

【００１８】このようにして実施したポリスチレン系フ
ィルムを支持体に、特開昭５９−４９５０１，同５９−
５０４０１、同６０−５９２５０記載の低反射層を付与
することができる。また特開昭５５−３５３２５、同６
０−１９１２０４、特開平６−５９１２２記載の偏光層
を付与することができる。さらに特開平８−５８３７、
同７−２８７１２０、同９−１９７３９７記載の位相差
膜を付与することもできる。以下に本発明で用いた測定
法について記載する。 （１）正面レターデーション エリプソメーター（偏光解析計ＡＥＰ−１００；島津製
作所（株）製）を用いて、波長６３２．８ｎｍにおける
フィルム面に垂直方向から測定した値を正面レターデー
ションとした。 正面レターデーション（nm）＝（ｎx −ｎy ）×フィルム厚
み（nm） 但し：ｎx ＝ＭＤ方向屈折率、ｎy ＝ＴＤ方向屈折率 （２）厚み方向レターデーション エリプソメーター（偏光解析計ＡＥＰ−１００；島津製
作所（株）製）を用い透過モードでレターデーションの
角度依存性を測定し、求めたＭＤ方向屈折率（ｎx ）、
ＴＤ方向屈折率（ｎy ）、厚み方向屈折率（ｎz ）から
下記式に従って得た。 厚み方向レターデーション(nm)＝｛（ｎx ＋ｎy ）／２
−ｎz ｝×フィルム厚み(nm) （３）耐折強度 １２０ｍｍ長×１０ｍｍ幅に切り出したサンプルを２５
℃６０％ｒｈにおいてＩＳＯ１１８４−１９８３に従っ
てＭＤ、ＴＤ方向測定し、その平均値を示した。 （４）熱収縮 ５０ｍｍ幅×２５０ｍｍ長に裁断したサンプルに２０ｃ
ｍ間隔の孔をあけ、２５℃６０％ＲＨ（相対湿度）下で
３時間調湿後、孔の間隔を測長する（Ｌ0 ）。これを無
張力下１１０℃３０分間空気恒温槽中で熱処理する。こ
れを２５℃６０％ＲＨ下で３時間調湿後、孔の間隔を測
長する（Ｌ1 ）。１００×（Ｌ0 −Ｌ1）／Ｌ0 （％）
に従いＭＤ、ＴＤの熱収縮を測定しその平均値とした。 （５）全光透過性 ８０μm 厚で製膜した支持体に対しＪＩＳ−Ｋ６７１４
に従って求めた。 （６）ヘイズ ヘイズ計（１００１ＤＰ型 日本電色工業（株）製）を
用いて測定した。

【００１９】

【実施例】以下に実施例をあげて、本発明を詳細に説明
するが、本発明は、これに限定されるものではない。 実施例１ （１）ポリマーの重合 シンジオタクチック−ポリスチレン系樹脂（ＳＰＳ） 反応容器に下記比率で仕込み、５０℃において３時間重
合反応を実施した。 反応溶媒；トルエン ６リットル 反応触媒；テトラエトキシチタン ５ミリモル メチルアルミノキサン アルミニウム原子として５００
ミリモル モノマー；スチレン４４．５：ｐ−メチルスチレン５．
５（重量比） 反応終了後、生成物を塩酸とメタノールとの混合液で洗
浄して、触媒成分を分解除去後、乾燥することによりこ
の共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が４４万であり、
数平均分子量（Ｍｎ）が２４万であった。この共重合体
中のｐ−メチルスチレン単位の含有割合は５ｗｔ％、残
部はスチレン単位であった。また、この共重合体は12Ｃ
−ＮＭＲによる分析から、１４５．１１ｐｐｍ、１４
５．２２ｐｐｍ、１４２．０９ｐｐｍに吸収が認めら
れ、そのピーク面積から算出したスチレン単位のラセミ
ペンタッドでのシンジオタクティシティーは７２％であ
った。またｐ−メチルスチレンの含率は５ｗｔ％であっ
た。このポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）、融点（Ｔ
ｍ）はそれぞれ９７℃、２５０℃であった。このポリマ
−をＳＰＳ−１としする。同様にして、スチレン／ｐ−
メチルスチレンの仕込み比（重量比）を４９．５／０．
５、３６．５／１３．５とし重合を行い、ｐ−メチルス
チレン含率が１ｗｔ％（残部はスチレン単位）、２９ｗ
ｔ％（残部はスチレン単位）のＳＰＳ系ポリマーを得
た。これらをおのおのＳＰＳ−２及び３とした。これら
のＭｗはそれぞれ４０万、４２万、Ｍｎはそれぞれ２２
万、２３万、シンジオタクティシティーはそれぞれ７
４、７１、Ｔｇはそれぞれ１００℃、９５℃、Ｔｍはそ
れぞれ２５７、２４８であった。 アイソタクチック−ポリスチレン系樹脂（ＩＰＳ） 特開昭６２−１０４８１８実施例１の比較例２に記載の
方法に従って重合した。これをＩＰＳとした。 アタクチック−ポリスチレン系樹脂（ＡＰＳ） 特開昭６２−１０４８１８実施例１の比較例１に記載の
方法に従って重合した。これをＡＰＳとした。

【００２０】（２）支持体の熔融製膜 ＳＰＳ−１，２，３とＡＰＳ及びＩＰＳのペレットを１
５０℃にて減圧、乾燥後１３０℃の熱風中攪拌しながら
結晶化させた。この結晶化ペレット中のモノマー含有量
はそれぞれ、３００、４５０、５００、３００、３００
ｐｐｍであった。この後、ＳＰＳ−１、２、３、ＡＰ
Ｓ、ＩＰＳをベント付単軸押出機を用いて、３００℃で
熔融し、２μm の焼結金属フィルターで濾過した後、Ｔ
−ダイから押出した。この時、Ｔ−ダイの下側のリップ
の温度を表１に示すように上側リップより高くした。こ
れを６０℃のキャスティングドラム上で冷却固化した。
この時Ｔ−ダイと冷却ドラムの距離を表１に示す値に設
定した。さらに冷却ドラムには静電印加法を用いて密着
性を確保した。冷却固化後の未延伸シートを表１に示す
張力で剥取った後、１５０℃の熱ロールを用いて表面の
ダイ筋を消した。このようにして、８０μm の未延伸シ
ートを得た。さらに表１の本発明−４及び５は、上記方
法と同様の方法で得た９００μm の未延伸シートをさら
に縦方向に１２０℃で３．２倍、次いで横方向１２５℃
で３．４倍に逐次２軸延伸を行った。この後テンター内
のチャックを外し表１に示した温度で１５秒熱処理を行
った。このようにして、８０μm の延伸シートを得た。

【００２１】

【表１】

【００２２】（３）支持体の溶液製膜 ＳＰＳ−３のペレットとジクロロメタンを２０：８０
（重量比）で溶解したドープを２μm のフィルターで濾
過した後、鏡面仕上げしたステンレス板上にキャスティ
ングした。この後、５分で残留溶剤が２０％になるよう
に乾燥した後剥取り、さらに１５０℃のオーブン中で残
留溶剤が１％以下になるまで乾燥し、８０μm の溶液製
膜フィルムを得た。 （４）評価試験 このようにして得たスチレン系フィルムの正面、厚み方
向レターデーション、全光透過性、耐折強度、熱収縮を
上記方法で測定し、表２に示した。本発明を実施するこ
とで良好な物性を達成した。さらに５０cm角に裁断した
これらのＳＰＳ系フィルムを、直交方向に設置した２枚
の偏光板の間に置き、透過光を用い目視で光学的均一性
を評価し、色ムラの発生していない面積比を測定した。
比較例として特開平９−１９９５９、実施例１記載方法
に準じて作成した８０μm のＳＰＳ系フィルムを評価し
た。本発明を実施することでこれらに対し良好な光学的
均一性を達成している。

【００２３】

【表２】

【００２４】（５）低反射膜、偏光膜、位相差膜の作成 本発明- １〜７の溶融製膜および本発明の溶液製膜のポ
リスチレン系フィルムを支持体に、特開昭６０−５９２
５０記載の低反射層を付与し低反射膜を作成した。同様
に特開昭５５−３５３２５記載の偏光層を付与し偏光板
を作成した。さらに本発明- １〜３，６，７，８，９の
溶融製膜のシンジオタクチック−、アタクチック−、ア
イソタクチック−ポリスチレン系フィルムを支持体に、
特開平８−５８３７記載の位相差膜を付与することで位
相差フィルムを作成した。いずれも良好な光学特性を示
した。

【００２５】

【発明の効果】本発明は光学特性に優れるポリスチレン
系フィルムを提供した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｂ 1/04 Ｇ０２Ｂ 1/04 Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５１０ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５１０ // Ｂ２９Ｋ 25:00 Ｂ２９Ｌ 7:00

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 正面レターデーションが０ｎｍ以上１０
   ０ｎｍ以下であることを特徴とするポリスチレン系フィ
   ルム。
2. 【請求項２】 厚み方向レターデーションが０ｎｍ以上
   ２５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
   のポリスチレン系フィルム。
3. 【請求項３】 全光透過率が８５％以上１００％以下で
   あることを特徴とする請求項１又は２に記載のポリスチ
   レン系フィルム。
4. 【請求項４】 耐折強度が３０回以上１０００回以下で
   あることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のポリ
   スチレン系フィルム。
5. 【請求項５】 １１０℃１０分の熱収縮率が０％以上１
   ％以下であることを特徴とする請求項１、２、３又は４
   に記載のポリスチレン系フィルム。
6. 【請求項６】 該ポリスチレン系フィルムがシンジオタ
   クチック構造を有することを特徴とする請求項１〜５の
   いずれか１つに記載のポリスチレン系フィルム。
7. 【請求項７】 該ポリスチレン系フィルムの構成成分中
   のスチレン成分含有率が７０ｗｔ％以上９９ｗｔ％以下
   であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに
   記載のフィルム。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１つに記載のポ
   リスチレン系フィルムを用いた位相差フィルム。
9. 【請求項９】 請求項１〜７のいずれか１つに記載のポ
   リスチレン系フィルムを用いた偏光板フィルム。
10. 【請求項１０】 請求項１〜７のいずれか１つに記載の
    ポリスチレン系フィルムを用いた低反射フィルム。