JPH11240735A - 基板として用いるためのガラス組成物 - Google Patents
基板として用いるためのガラス組成物Info
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- JPH11240735A JPH11240735A JP10048099A JP4809998A JPH11240735A JP H11240735 A JPH11240735 A JP H11240735A JP 10048099 A JP10048099 A JP 10048099A JP 4809998 A JP4809998 A JP 4809998A JP H11240735 A JPH11240735 A JP H11240735A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
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- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
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- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上に透明電極を形成しても膜の剥離やクラ
ックが発生しにくく、溶解性に優れ、比重が小さい、フ
ラットディスプレイ用基板等に好適なガラス組成物を得
る。 【解決手段】５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が６０×
１０-7〜７５×１０-7／℃の範囲にあり、重量％で実質
的に、ＳｉＯ2 ：７４超〜８６、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜１２
未満、ＳｉＯ2 ＋Ａｌ2 Ｏ3 ：７４超〜８６、ＭｇＯ：
０〜１０、ＣａＯ：０〜１５、Ｎａ2 Ｏ：０〜１４、Ｋ
2 Ｏ：０〜１４、Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜１５．５、Ｍ
ｇＯ＋ＣａＯ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１４〜２６未満から
なる。
ックが発生しにくく、溶解性に優れ、比重が小さい、フ
ラットディスプレイ用基板等に好適なガラス組成物を得
る。 【解決手段】５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が６０×
１０-7〜７５×１０-7／℃の範囲にあり、重量％で実質
的に、ＳｉＯ2 ：７４超〜８６、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜１２
未満、ＳｉＯ2 ＋Ａｌ2 Ｏ3 ：７４超〜８６、ＭｇＯ：
０〜１０、ＣａＯ：０〜１５、Ｎａ2 Ｏ：０〜１４、Ｋ
2 Ｏ：０〜１４、Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１〜１５．５、Ｍ
ｇＯ＋ＣａＯ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：１４〜２６未満から
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットディスプ
レイ、特に透明電極を使用し、パネル周囲をフリットシ
ールすることで製造されるフィールドエミッションディ
スプレイ（ＦＥＤ）やプラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ）用などに用いる基板用ガラス組成物に関する。
レイ、特に透明電極を使用し、パネル周囲をフリットシ
ールすることで製造されるフィールドエミッションディ
スプレイ（ＦＥＤ）やプラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ）用などに用いる基板用ガラス組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラットディスプレイに関して様々な表
示方式が開発されているが、そのなかでも、前面、背面
のガラス基板上に電極を形成し、両基板間で発生させた
電子線や放電を利用し蛍光体を発光させる自発光式のデ
ィスプレイが注目されてきている。その代表例としては
ＦＥＤやＰＤＰなどが挙げられる。
示方式が開発されているが、そのなかでも、前面、背面
のガラス基板上に電極を形成し、両基板間で発生させた
電子線や放電を利用し蛍光体を発光させる自発光式のデ
ィスプレイが注目されてきている。その代表例としては
ＦＥＤやＰＤＰなどが挙げられる。
【０００３】ＦＥＤは現在様々な方式が提案されている
が、いずれも、背面基板上の電極で発生させた電子線を
前面基板上の透明電極に照射し、透明電極上にパターニ
ングした蛍光体を励起・発光させる方式を採用してい
る。このとき、ブラウン管と同様に照射空間は真空状態
が必要となるため、パネルは周囲をフリットシールされ
た後、真空排気されて作製される。
が、いずれも、背面基板上の電極で発生させた電子線を
前面基板上の透明電極に照射し、透明電極上にパターニ
ングした蛍光体を励起・発光させる方式を採用してい
る。このとき、ブラウン管と同様に照射空間は真空状態
が必要となるため、パネルは周囲をフリットシールされ
た後、真空排気されて作製される。
【０００４】また、ＰＤＰは一般的に、前面基板上の透
明電極間でプラズマ放電を起こし紫外線を発生させ、背
面基板上に形成された画素空間中の蛍光体を励起・発光
させている。この放電はＸｅ−Ｎｅ混合ガス中で行う必
要があるため、パネルは周囲をフリットシールし混合ガ
スを封入して作製される。
明電極間でプラズマ放電を起こし紫外線を発生させ、背
面基板上に形成された画素空間中の蛍光体を励起・発光
させている。この放電はＸｅ−Ｎｅ混合ガス中で行う必
要があるため、パネルは周囲をフリットシールし混合ガ
スを封入して作製される。
【０００５】いずれの方式にも共通することとして、前
面基板上に透明電極を形成すること、および前面、背面
の基板をフリットシールしてパネルを作製することが挙
げられる。透明電極としてはＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ：Ｓ
ｎ）やＳｎＯ2 が一般的に用いられている。
面基板上に透明電極を形成すること、および前面、背面
の基板をフリットシールしてパネルを作製することが挙
げられる。透明電極としてはＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ：Ｓ
ｎ）やＳｎＯ2 が一般的に用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなフラットデ
ィスプレイ用基板として、建築用または自動車用として
広く用いられるソーダ石灰ガラスや、特開平３−４０９
３３や特開平７−２５７９３７、特開平８−１６５１３
８、特開平８−２９０９３８、特開平９−２０２６４１
等に開示された、耐熱性を改善した高歪点ガラスが知ら
れている。しかし、透明電極として使用されるＩＴＯや
ＳｎＯ2 の５０〜３５０℃における平均熱膨張係数は約
４０×１０-7／℃であるのに対し、これら基板ガラスの
５０〜３５０℃における平均熱膨張係数は７５×１０-7
〜９５×１０-7／℃と大きいため、温度変化によって生
じる膨脹、収縮のため両者が剥離したり、透明電極膜に
クラックを生じたりするなどの問題があり、歩留を低下
させるという課題があった。
ィスプレイ用基板として、建築用または自動車用として
広く用いられるソーダ石灰ガラスや、特開平３−４０９
３３や特開平７−２５７９３７、特開平８−１６５１３
８、特開平８−２９０９３８、特開平９−２０２６４１
等に開示された、耐熱性を改善した高歪点ガラスが知ら
れている。しかし、透明電極として使用されるＩＴＯや
ＳｎＯ2 の５０〜３５０℃における平均熱膨張係数は約
４０×１０-7／℃であるのに対し、これら基板ガラスの
５０〜３５０℃における平均熱膨張係数は７５×１０-7
〜９５×１０-7／℃と大きいため、温度変化によって生
じる膨脹、収縮のため両者が剥離したり、透明電極膜に
クラックを生じたりするなどの問題があり、歩留を低下
させるという課題があった。
【０００７】また、平均熱膨張係数が５０×１０-7／℃
以下である液晶用の基板ガラスも知られている（特開昭
６３−７４９３５、特開平４−１６００３０、特開平４
−３２５４３４、特開平６−２６３４７３）。これらを
基板ガラスとして用いれば、透明電極との熱膨脹係数が
近いため、上記歩留を向上することが可能となる。しか
し、これら基板ガラスの熱膨張係数は非常に小さいた
め、これに適合するシール用フリット材料の焼成温度は
非常に高くなり、フリットシール時に画素を構成してい
る他の部材の化学変化や軟化流動が起こるという問題が
あった。
以下である液晶用の基板ガラスも知られている（特開昭
６３−７４９３５、特開平４−１６００３０、特開平４
−３２５４３４、特開平６−２６３４７３）。これらを
基板ガラスとして用いれば、透明電極との熱膨脹係数が
近いため、上記歩留を向上することが可能となる。しか
し、これら基板ガラスの熱膨張係数は非常に小さいた
め、これに適合するシール用フリット材料の焼成温度は
非常に高くなり、フリットシール時に画素を構成してい
る他の部材の化学変化や軟化流動が起こるという問題が
あった。
【０００８】ここで、平均熱膨張係数が６０×１０-7〜
７５×１０-7／℃である基板用ガラスが知られている
（特開平３−１７０３４３、特開平９−２４９４３
０）。これらのガラスを基板として用いれば、透明電極
と熱膨脹係数が比較的近いため、上記歩留を向上するこ
とが可能となり、またアルミナセラミックス基板用のシ
ールフリット材料を用いて他の部材の化学変化や軟化流
動を起こすことなくパネルを製造することが可能とな
る。しかし、特開平３−１７０３４３記載のガラス組成
物は比重が大きく、部材の軽量化が困難であり、また傷
が付きやすいという課題があった。また、特開平９−２
４９４３０記載のガラス組成物はＡｌ2 Ｏ3 含有量が多
いため、高温粘度が高く、フロート成形が困難であると
いう課題があった。フロート成形はガラスの粘度として
１０4 ポアズに相当する温度付近で行われるが、１３０
０℃を超える温度では成形が困難であるため、それ以下
の温度で成形できるガラスが求められている。
７５×１０-7／℃である基板用ガラスが知られている
（特開平３−１７０３４３、特開平９−２４９４３
０）。これらのガラスを基板として用いれば、透明電極
と熱膨脹係数が比較的近いため、上記歩留を向上するこ
とが可能となり、またアルミナセラミックス基板用のシ
ールフリット材料を用いて他の部材の化学変化や軟化流
動を起こすことなくパネルを製造することが可能とな
る。しかし、特開平３−１７０３４３記載のガラス組成
物は比重が大きく、部材の軽量化が困難であり、また傷
が付きやすいという課題があった。また、特開平９−２
４９４３０記載のガラス組成物はＡｌ2 Ｏ3 含有量が多
いため、高温粘度が高く、フロート成形が困難であると
いう課題があった。フロート成形はガラスの粘度として
１０4 ポアズに相当する温度付近で行われるが、１３０
０℃を超える温度では成形が困難であるため、それ以下
の温度で成形できるガラスが求められている。
【０００９】また、平均熱膨張係数が７２×１０-7／℃
付近であるガラスとしてショット社のＤ２６３、コーニ
ング社の＃０２１１などが知られている。しかし、これ
らのガラスはＺｎＯを多量含有するため、フロート法に
よる成形時に失透が生じやすいという課題があった。
付近であるガラスとしてショット社のＤ２６３、コーニ
ング社の＃０２１１などが知られている。しかし、これ
らのガラスはＺｎＯを多量含有するため、フロート法に
よる成形時に失透が生じやすいという課題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、５０〜３５０
℃の平均熱膨張係数が６０×１０-7〜７５×１０-7／℃
の範囲にあり、重量％表示で実質的に、 ＳｉＯ2 ７４超〜８６、 Ａｌ2 Ｏ3 ０〜１２未満、 ＳｉＯ2 ＋Ａｌ2 Ｏ3 ７４超〜８６、 ＭｇＯ ０〜１０、 ＣａＯ ０〜１５、 Ｎａ2 Ｏ ０〜１４、 Ｋ2 Ｏ ０〜１４、 Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ １〜１５．５、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ １４〜２６未満、 からなる基板用のガラス組成物である。
℃の平均熱膨張係数が６０×１０-7〜７５×１０-7／℃
の範囲にあり、重量％表示で実質的に、 ＳｉＯ2 ７４超〜８６、 Ａｌ2 Ｏ3 ０〜１２未満、 ＳｉＯ2 ＋Ａｌ2 Ｏ3 ７４超〜８６、 ＭｇＯ ０〜１０、 ＣａＯ ０〜１５、 Ｎａ2 Ｏ ０〜１４、 Ｋ2 Ｏ ０〜１４、 Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ １〜１５．５、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ １４〜２６未満、 からなる基板用のガラス組成物である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による組成の限定理由は以
下の通りである。
下の通りである。
【００１２】ＳｉＯ2 ：ガラスの骨格を形成する成分
で、７４重量％（以下単に％と記載する）以下では、ガ
ラスの耐熱性が悪くなり、化学的耐久性が低下する。好
ましくは７５％以上である。他方、８６％超では熱膨張
係数が低下する。好ましくは８５％以下である。
で、７４重量％（以下単に％と記載する）以下では、ガ
ラスの耐熱性が悪くなり、化学的耐久性が低下する。好
ましくは７５％以上である。他方、８６％超では熱膨張
係数が低下する。好ましくは８５％以下である。
【００１３】Ａｌ2 Ｏ3 ：必須成分ではないが、ガラス
転移点を上げ、耐熱性を向上させる効果があるため含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１２％
以上ではガラスの高温粘度が上昇し、フロート成形が困
難になる。好ましくは１１％以下である。
転移点を上げ、耐熱性を向上させる効果があるため含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１２％
以上ではガラスの高温粘度が上昇し、フロート成形が困
難になる。好ましくは１１％以下である。
【００１４】ＳｉＯ2 ＋Ａｌ2 Ｏ3 ：ガラスの耐熱性や
化学的耐久性を向上させるため、少なくとも一方を合量
で７４％超含有する。好ましくは７５％以上である。他
方、合量で８６％超ではガラスの熱膨張係数が低下し、
かつフロート成形が困難になる。好ましくは８５％以下
である。
化学的耐久性を向上させるため、少なくとも一方を合量
で７４％超含有する。好ましくは７５％以上である。他
方、合量で８６％超ではガラスの熱膨張係数が低下し、
かつフロート成形が困難になる。好ましくは８５％以下
である。
【００１５】ＭｇＯ：必須成分ではないが、ガラスの溶
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１０％
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは９％以下である。
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１０％
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは９％以下である。
【００１６】ＣａＯ：必須成分ではないが、ガラスの溶
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１５％
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは１４％以下である。
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１５％
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは１４％以下である。
【００１７】Ｎａ2 Ｏ：必須成分ではないが、ガラスの
溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含
有させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１４
％超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラス
の化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは１３％
以下である。
溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含
有させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１４
％超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラス
の化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは１３％
以下である。
【００１８】Ｋ2 Ｏ：必須成分ではないが、ガラスの溶
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１４％
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラスの
化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは１３％以
下である。
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは１％以上である。しかし、１４％
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラスの
化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは１３％以
下である。
【００１９】Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：ガラスの溶解温度での
粘性を下げ、溶解しやすくするため、少なくとも一方を
合量で１％以上含有する。好ましくは２％以上である。
他方、合量で１５．５％超ではガラスの熱膨張係数が大
きくなり、かつ化学耐久性が低下する。好ましくは１５
％以下である。
粘性を下げ、溶解しやすくするため、少なくとも一方を
合量で１％以上含有する。好ましくは２％以上である。
他方、合量で１５．５％超ではガラスの熱膨張係数が大
きくなり、かつ化学耐久性が低下する。好ましくは１５
％以下である。
【００２０】ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ：ガラ
スの溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすくするため、
少なくとも１つを合量で１４％以上含有する。好ましく
は１５％以上である。他方、合量で２６％以上ではガラ
スの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度が高くな
り、化学耐久性が低下する。好ましくは２５％以下であ
る。
スの溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすくするため、
少なくとも１つを合量で１４％以上含有する。好ましく
は１５％以上である。他方、合量で２６％以上ではガラ
スの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度が高くな
り、化学耐久性が低下する。好ましくは２５％以下であ
る。
【００２１】以上の成分の他、ＳＯ3 、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｓ
ｂ2 Ｏ3 等の清澄剤、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の
着色剤を適宜使用できる。また、電子線等によるブラウ
ニングを防止するため、ＴｉＯ2 、ＣｅＯ2 をそれぞれ
２％以下、合量で２％以下添加できる。
ｂ2 Ｏ3 等の清澄剤、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の
着色剤を適宜使用できる。また、電子線等によるブラウ
ニングを防止するため、ＴｉＯ2 、ＣｅＯ2 をそれぞれ
２％以下、合量で２％以下添加できる。
【００２２】また、ＣａＯ、ＭｇＯと同様の効果を得る
ために、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯを添加できる。ただ
し、ＳｒＯ、ＢａＯの過度の添加は比重を大きくするお
それがあり、またＺｎＯの過度の添加は失透温度の上昇
をまねくおそれがあるため、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯを
それぞれ２％以下、合量で２％以下とすることが好まし
い。また、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏと同様の効果を得るため
に、Ｌｉ2 Ｏを添加できる。ただし、過度の添加はガラ
ス転移点の低下をもたらすおそれがあるため、１％以下
とすることが好ましい。さらに、溶解性を向上するため
にＢ2 Ｏ3 を添加できる。ただし、過度の添加はガラス
転移点の低下をもたらすおそれがあるため、２％未満と
することが好ましい。
ために、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯを添加できる。ただ
し、ＳｒＯ、ＢａＯの過度の添加は比重を大きくするお
それがあり、またＺｎＯの過度の添加は失透温度の上昇
をまねくおそれがあるため、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯを
それぞれ２％以下、合量で２％以下とすることが好まし
い。また、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏと同様の効果を得るため
に、Ｌｉ2 Ｏを添加できる。ただし、過度の添加はガラ
ス転移点の低下をもたらすおそれがあるため、１％以下
とすることが好ましい。さらに、溶解性を向上するため
にＢ2 Ｏ3 を添加できる。ただし、過度の添加はガラス
転移点の低下をもたらすおそれがあるため、２％未満と
することが好ましい。
【００２３】本発明の基板用ガラス組成物は、典型的に
は、５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が６０×１０-7〜
７５×１０-7／℃の範囲にあるので、ガラス基板上に透
明電極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにく
く、高い歩留でＦＥＤやＰＤＰなどのパネルを製造する
ことが可能となる。また、アルミナセラミックス基板用
のシールフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、
パネルを製造することが可能である。より好ましくは５
０〜３５０℃の平均熱膨張係数が６１×１０-7〜７４×
１０-7／℃の範囲である。
は、５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が６０×１０-7〜
７５×１０-7／℃の範囲にあるので、ガラス基板上に透
明電極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにく
く、高い歩留でＦＥＤやＰＤＰなどのパネルを製造する
ことが可能となる。また、アルミナセラミックス基板用
のシールフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、
パネルを製造することが可能である。より好ましくは５
０〜３５０℃の平均熱膨張係数が６１×１０-7〜７４×
１０-7／℃の範囲である。
【００２４】また、本発明の基板用ガラス組成物の、ガ
ラスの粘度として１０4 ポアズに相当する温度は１３０
０℃以下であることが好ましい。より好ましくは１２７
０℃以下である。このため、フロート法による成形に適
している。
ラスの粘度として１０4 ポアズに相当する温度は１３０
０℃以下であることが好ましい。より好ましくは１２７
０℃以下である。このため、フロート法による成形に適
している。
【００２５】また、本発明の基板用ガラス組成物の失透
温度は、ガラスの粘度として１０4ポアズに相当する温
度より低いことが好ましい。これにより、ガラス中に失
透を生じることなくフロート法による成形が可能とな
る。
温度は、ガラスの粘度として１０4ポアズに相当する温
度より低いことが好ましい。これにより、ガラス中に失
透を生じることなくフロート法による成形が可能とな
る。
【００２６】さらに、本発明の基板用ガラス組成物の比
重は２．６未満であることが好ましい。これによって、
部材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能
となる。
重は２．６未満であることが好ましい。これによって、
部材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能
となる。
【００２７】本発明のガラス組成物のガラス転移点は、
好ましくは５６０℃以上であり、特に好ましくは５８０
℃以上である。かかるガラス転移点を有するガラス組成
物からなる基板は熱処理時の変形を抑制することができ
る。
好ましくは５６０℃以上であり、特に好ましくは５８０
℃以上である。かかるガラス転移点を有するガラス組成
物からなる基板は熱処理時の変形を抑制することができ
る。
【００２８】本発明のガラスは、例えば次のような方法
で製造できる。通常使用される各成分の原料を目標組成
となるように調合し、これを溶解炉に連続的に投入し、
１５００〜１７００℃に加熱して溶融する。この溶解ガ
ラスをフロート法により所定の板厚に成形し、徐冷後切
断する。
で製造できる。通常使用される各成分の原料を目標組成
となるように調合し、これを溶解炉に連続的に投入し、
１５００〜１７００℃に加熱して溶融する。この溶解ガ
ラスをフロート法により所定の板厚に成形し、徐冷後切
断する。
【００２９】
【実施例】各成分の原料を目標組成になるように調合
し、白金坩堝を用いて１５５０〜１６５０℃の温度で４
時間加熱し溶融した。溶解にあたっては、白金スターラ
ーを挿入し２時間撹拌しガラスの均質化を行った。次い
で溶解ガラスを流し出し、板状に成形後徐冷した。
し、白金坩堝を用いて１５５０〜１６５０℃の温度で４
時間加熱し溶融した。溶解にあたっては、白金スターラ
ーを挿入し２時間撹拌しガラスの均質化を行った。次い
で溶解ガラスを流し出し、板状に成形後徐冷した。
【００３０】こうして得られたガラスの比重ｄ、平均熱
膨張係数α（単位：×１０-7／℃）、ガラス転移点Ｔg
（単位：℃）、ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当
する温度Ｔ4 （単位：℃）、失透温度Ｔd （単位：℃）
を測定し、表１〜２にガラス組成とともに示した。以下
に各物性の測定方法を示す。
膨張係数α（単位：×１０-7／℃）、ガラス転移点Ｔg
（単位：℃）、ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当
する温度Ｔ4 （単位：℃）、失透温度Ｔd （単位：℃）
を測定し、表１〜２にガラス組成とともに示した。以下
に各物性の測定方法を示す。
【００３１】比重：泡を含まない約２０ｇのガラス塊を
アルキメデス法によって測定する。
アルキメデス法によって測定する。
【００３２】平均熱膨張係数：示差熱膨張計を用いて、
石英ガラスを参照試料として室温から５℃／分の割合で
昇温した際のガラスの伸び率を測定する。測定はガラス
が軟化してもはや伸びが観測されなくなる温度（屈伏
点）まで行い、５０〜３５０℃の平均の線熱膨張係数を
算出した。
石英ガラスを参照試料として室温から５℃／分の割合で
昇温した際のガラスの伸び率を測定する。測定はガラス
が軟化してもはや伸びが観測されなくなる温度（屈伏
点）まで行い、５０〜３５０℃の平均の線熱膨張係数を
算出した。
【００３３】ガラス転移点：熱膨張曲線における屈曲点
をガラス転移点とした。
をガラス転移点とした。
【００３４】ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当す
る温度：ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当する温
度を回転粘度計にて測定した。
る温度：ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当する温
度を回転粘度計にて測定した。
【００３５】失透温度：失透する温度を測定した。
【００３６】このうち、例１５〜１９は比較例であり、
例１５はソーダ石灰ガラスの例、例１６は特開平３−１
７０３４３記載の組成物の例、例１７〜１９は特開平９
−２４９４３０記載の組成物の例である。
例１５はソーダ石灰ガラスの例、例１６は特開平３−１
７０３４３記載の組成物の例、例１７〜１９は特開平９
−２４９４３０記載の組成物の例である。
【００３７】表１より明らかなように、本発明の実施例
におけるガラスの平均熱膨張係数は６０×１０-7〜７５
×１０-7／℃の範囲にあるため、ガラス基板上に透明電
極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにくく、高
い歩留でＦＥＤやＰＤＰなどのパネルを製造することが
可能となる。また、アルミナセラミックス基板用のシー
ルフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、パネル
を製造することができる。また、ガラスの粘度として１
０4 ポアズに相当する温度が１３００℃以下であり、か
つ失透温度がそれ以下の温度であるため、フロート法に
よる成形に適している。また、比重が２．６未満である
ため、部材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造
が可能となる。
におけるガラスの平均熱膨張係数は６０×１０-7〜７５
×１０-7／℃の範囲にあるため、ガラス基板上に透明電
極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにくく、高
い歩留でＦＥＤやＰＤＰなどのパネルを製造することが
可能となる。また、アルミナセラミックス基板用のシー
ルフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、パネル
を製造することができる。また、ガラスの粘度として１
０4 ポアズに相当する温度が１３００℃以下であり、か
つ失透温度がそれ以下の温度であるため、フロート法に
よる成形に適している。また、比重が２．６未満である
ため、部材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造
が可能となる。
【００３８】一方、例１５は平均熱膨張係数が８７×１
０-7／℃であるため、ガラス基板上に透明電極を形成し
たときに膜の剥離やクラックが発生しやすく、高い歩留
でパネルを製造することは困難である。また、例１６は
比重が大きいため、部材の軽量化は困難である。また、
例１７〜１９はガラスの粘度として１０4 ポアズに相当
する温度が１３００℃以上になるため、フロート法によ
る成形が困難である。
０-7／℃であるため、ガラス基板上に透明電極を形成し
たときに膜の剥離やクラックが発生しやすく、高い歩留
でパネルを製造することは困難である。また、例１６は
比重が大きいため、部材の軽量化は困難である。また、
例１７〜１９はガラスの粘度として１０4 ポアズに相当
する温度が１３００℃以上になるため、フロート法によ
る成形が困難である。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】
【発明の効果】本発明によるガラスは、平均熱膨張係数
が６０×１０-7〜７５×１０-7／℃の範囲にあるため、
ガラス基板上に透明電極を形成しても膜の剥離やクラッ
クが発生しにくく、またアルミナセラミックス基板用の
シールフリット材料を用いてパネル周囲をシールできる
ため、フラットディスプレイ、特にＦＥＤやＰＤＰ用な
どの基板等、かかる特性を要求する用途に最適である。
また、ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当する温度
が１３００℃以下であるため、フロート法による成形に
適している。さらに、比重が２．６未満であるため、部
材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能と
なる。
が６０×１０-7〜７５×１０-7／℃の範囲にあるため、
ガラス基板上に透明電極を形成しても膜の剥離やクラッ
クが発生しにくく、またアルミナセラミックス基板用の
シールフリット材料を用いてパネル周囲をシールできる
ため、フラットディスプレイ、特にＦＥＤやＰＤＰ用な
どの基板等、かかる特性を要求する用途に最適である。
また、ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当する温度
が１３００℃以下であるため、フロート法による成形に
適している。さらに、比重が２．６未満であるため、部
材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能と
なる。
Claims (3)
- 【請求項１】５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が６０×
１０-7〜７５×１０-7／℃の範囲にあり、重量％表示で
実質的に、 ＳｉＯ2 ７４超〜８６、 Ａｌ2 Ｏ3 ０〜１２未満、 ＳｉＯ2 ＋Ａｌ2 Ｏ3 ７４超〜８６、 ＭｇＯ ０〜１０、 ＣａＯ ０〜１５、 Ｎａ2 Ｏ ０〜１４、 Ｋ2 Ｏ ０〜１４、 Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ １〜１５．５、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ １４〜２６未満 からなる基板として用いるためのガラス組成物。 - 【請求項２】ガラスの粘度として１０4 ポアズに相当す
る温度が１３００℃以下である請求項１記載の基板とし
て用いるためのガラス組成物。 - 【請求項３】比重が２．６未満である請求項１または２
記載の基板として用いるためのガラス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10048099A JPH11240735A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板として用いるためのガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10048099A JPH11240735A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板として用いるためのガラス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11240735A true JPH11240735A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12793882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10048099A Pending JPH11240735A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 基板として用いるためのガラス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11240735A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-02-27 JP JP10048099A patent/JPH11240735A/ja active Pending
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