JPH11310432A - 基板用ガラス組成物 - Google Patents
基板用ガラス組成物Info
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- JPH11310432A JPH11310432A JP11729198A JP11729198A JPH11310432A JP H11310432 A JPH11310432 A JP H11310432A JP 11729198 A JP11729198 A JP 11729198A JP 11729198 A JP11729198 A JP 11729198A JP H11310432 A JPH11310432 A JP H11310432A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
Abstract
(57)【要約】
【課題】表示装置基板用ガラス組成物を得る。
【解決手段】重量%で、SiO2 :45〜65未満、A
l2 O3 :0〜30、SiO2 +Al2 O3 :58〜7
5未満、B2 O3 :2〜10、MgO:0〜10、Ca
O:0〜15、Na2 O:0〜12、K2 O:0〜1
6、Na2 O+K2O:1〜17.5、MgO+CaO
+Na2 O+K2 O:15超〜32、B2 O3 +MgO
+CaO+Na2 O+K2 O:25超〜42からなる。
l2 O3 :0〜30、SiO2 +Al2 O3 :58〜7
5未満、B2 O3 :2〜10、MgO:0〜10、Ca
O:0〜15、Na2 O:0〜12、K2 O:0〜1
6、Na2 O+K2O:1〜17.5、MgO+CaO
+Na2 O+K2 O:15超〜32、B2 O3 +MgO
+CaO+Na2 O+K2 O:25超〜42からなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットディスプ
レイ、特に透明電極を使用し、パネル周囲をフリットシ
ールすることで製造されるフィールドエミッションディ
スプレイ(FED)やプラズマディスプレイパネル(P
DP)用などの基板用ガラス組成物に関する。
レイ、特に透明電極を使用し、パネル周囲をフリットシ
ールすることで製造されるフィールドエミッションディ
スプレイ(FED)やプラズマディスプレイパネル(P
DP)用などの基板用ガラス組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】フラットディスプレイに関して様々な表
示方式が開発されているが、そのなかでも、前面、背面
のガラス基板上に電極を形成し、両基板間で発生させた
電子線や放電を利用し蛍光体を発光させる自発光式のデ
ィスプレイが注目されてきている。その代表例としては
FEDやPDPなどが挙げられる。
示方式が開発されているが、そのなかでも、前面、背面
のガラス基板上に電極を形成し、両基板間で発生させた
電子線や放電を利用し蛍光体を発光させる自発光式のデ
ィスプレイが注目されてきている。その代表例としては
FEDやPDPなどが挙げられる。
【0003】FEDは現在様々な方式が提案されている
が、いずれも、背面基板上の電極で発生させた電子線を
前面基板上の透明電極に照射し、透明電極上にパターニ
ングした蛍光体を励起・発光させる方式を採用してい
る。このとき、ブラウン管と同様に照射空間は真空状態
が必要となるため、パネルは周囲をフリットシールされ
た後、真空排気されて作製される。
が、いずれも、背面基板上の電極で発生させた電子線を
前面基板上の透明電極に照射し、透明電極上にパターニ
ングした蛍光体を励起・発光させる方式を採用してい
る。このとき、ブラウン管と同様に照射空間は真空状態
が必要となるため、パネルは周囲をフリットシールされ
た後、真空排気されて作製される。
【0004】また、PDPは一般的に、前面基板上の透
明電極間でプラズマ放電を起こし紫外線を発生させ、背
面基板上に形成された画素空間中の蛍光体を励起・発光
させている。この放電はXe−Ne混合ガス中で行う必
要があるため、パネルは周囲をフリットシールし混合ガ
スを封入して作製される。
明電極間でプラズマ放電を起こし紫外線を発生させ、背
面基板上に形成された画素空間中の蛍光体を励起・発光
させている。この放電はXe−Ne混合ガス中で行う必
要があるため、パネルは周囲をフリットシールし混合ガ
スを封入して作製される。
【0005】いずれの方式にも共通することとして、前
面基板上に透明電極を形成すること、および前面、背面
の基板をフリットシールしてパネルを作製することが挙
げられる。透明電極としてはITO(In2 O3 :S
n)やSnO2 が一般的に用いられている。
面基板上に透明電極を形成すること、および前面、背面
の基板をフリットシールしてパネルを作製することが挙
げられる。透明電極としてはITO(In2 O3 :S
n)やSnO2 が一般的に用いられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このようなフラットデ
ィスプレイ用基板として、建築用または自動車用として
広く用いられるソーダ石灰ガラスや、特開平3−409
33や特開平7−257937、特開平8−16513
8、特開平8−290938、特開平9−202641
等に開示された、耐熱性を改善した高歪点ガラスが知ら
れている。しかし、透明電極として使用されるITOや
SnO2 の50〜350℃における平均熱膨張係数は約
40×10-7/℃であるのに対し、これら基板ガラスの
50〜350℃における平均熱膨張係数は75×10-7
〜95×10-7/℃と大きいため、温度変化によって生
じる膨脹、収縮のため両者が剥離したり、透明電極膜に
クラックを生じたりするなどの問題があり、歩留を低下
させるという課題があった。
ィスプレイ用基板として、建築用または自動車用として
広く用いられるソーダ石灰ガラスや、特開平3−409
33や特開平7−257937、特開平8−16513
8、特開平8−290938、特開平9−202641
等に開示された、耐熱性を改善した高歪点ガラスが知ら
れている。しかし、透明電極として使用されるITOや
SnO2 の50〜350℃における平均熱膨張係数は約
40×10-7/℃であるのに対し、これら基板ガラスの
50〜350℃における平均熱膨張係数は75×10-7
〜95×10-7/℃と大きいため、温度変化によって生
じる膨脹、収縮のため両者が剥離したり、透明電極膜に
クラックを生じたりするなどの問題があり、歩留を低下
させるという課題があった。
【0007】また、平均熱膨張係数が50×10-7/℃
以下である液晶用の基板ガラスも知られている(特開昭
63−74935、特開平4−160030、特開平4
−325434、特開平6−263473)。これらを
基板ガラスとして用いれば、透明電極との熱膨脹係数が
近いため、上記歩留を向上することが可能となる。しか
し、これら基板ガラスの熱膨張係数は非常に小さく、こ
れに適したシールフリット材料の焼成温度は非常に高い
ため、フリットシール時に画素を構成している他の部材
の化学変化や軟化流動が起こるという問題があった。
以下である液晶用の基板ガラスも知られている(特開昭
63−74935、特開平4−160030、特開平4
−325434、特開平6−263473)。これらを
基板ガラスとして用いれば、透明電極との熱膨脹係数が
近いため、上記歩留を向上することが可能となる。しか
し、これら基板ガラスの熱膨張係数は非常に小さく、こ
れに適したシールフリット材料の焼成温度は非常に高い
ため、フリットシール時に画素を構成している他の部材
の化学変化や軟化流動が起こるという問題があった。
【0008】ここで、平均熱膨張係数が60×10-7〜
75×10-7/℃である基板用ガラスが知られている
(特開平3−170343、特開平9−24943
0)。これらのガラスを基板として用いれば、透明電極
と熱膨脹係数が比較的近いため、上記歩留を向上するこ
とが可能となり、またアルミナセラミックス基板用のシ
ールフリット材料を用いて他の部材の化学変化や軟化流
動を起こすことなくパネルを製造することが可能とな
る。しかし、特開平3−170343記載のガラス組成
物は比重が大きく、部材の軽量化が困難であり、また傷
が付きやすいという課題があった。また、特開平9−2
49430記載のガラス組成物はSiO2 およびAl2
O3 含有量が多いため、高温粘度が高く、フロート成形
が困難であるという課題があった。フロート成形はガラ
スの粘度として104 ポアズに相当する温度付近で行わ
れるが、1300℃を超える温度では成形が困難である
ため、それ以下の温度で成形できるガラスが求められて
いる。
75×10-7/℃である基板用ガラスが知られている
(特開平3−170343、特開平9−24943
0)。これらのガラスを基板として用いれば、透明電極
と熱膨脹係数が比較的近いため、上記歩留を向上するこ
とが可能となり、またアルミナセラミックス基板用のシ
ールフリット材料を用いて他の部材の化学変化や軟化流
動を起こすことなくパネルを製造することが可能とな
る。しかし、特開平3−170343記載のガラス組成
物は比重が大きく、部材の軽量化が困難であり、また傷
が付きやすいという課題があった。また、特開平9−2
49430記載のガラス組成物はSiO2 およびAl2
O3 含有量が多いため、高温粘度が高く、フロート成形
が困難であるという課題があった。フロート成形はガラ
スの粘度として104 ポアズに相当する温度付近で行わ
れるが、1300℃を超える温度では成形が困難である
ため、それ以下の温度で成形できるガラスが求められて
いる。
【0009】また、平均熱膨張係数が72×10-7付近
であるガラスとしてショット社のD263、コーニング
社の#0211などが知られている。しかし、これらの
ガラスはZnOを多量含有するため、フロート法による
成形時に失透が生じやすいという課題があった。
であるガラスとしてショット社のD263、コーニング
社の#0211などが知られている。しかし、これらの
ガラスはZnOを多量含有するため、フロート法による
成形時に失透が生じやすいという課題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、50〜350
℃の平均熱膨張係数が60×10-7〜75×10-7/℃
の範囲にあり、重量%表示で実質的に、 SiO2 45〜65未満、 Al2 O3 0〜30未満、 SiO2 +Al2 O3 58〜75未満、 B2 O3 2〜10、 MgO 0〜10、 CaO 0〜15、 Na2 O 0〜12、 K2 O 0〜16、 Na2 O+K2 O 1〜17.5、 MgO+CaO+Na2 O+K2 O 15超〜32、 B2 O3 +MgO+CaO+Na2 O+K2 O 25超〜42、 からなる基板用ガラス組成物である。
℃の平均熱膨張係数が60×10-7〜75×10-7/℃
の範囲にあり、重量%表示で実質的に、 SiO2 45〜65未満、 Al2 O3 0〜30未満、 SiO2 +Al2 O3 58〜75未満、 B2 O3 2〜10、 MgO 0〜10、 CaO 0〜15、 Na2 O 0〜12、 K2 O 0〜16、 Na2 O+K2 O 1〜17.5、 MgO+CaO+Na2 O+K2 O 15超〜32、 B2 O3 +MgO+CaO+Na2 O+K2 O 25超〜42、 からなる基板用ガラス組成物である。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明による組成の成分について
説明する。 SiO2 :ガラスの骨格を形成する成分で、45重量%
(以下単に%と記載する)未満では、ガラスの耐熱性が
悪くなり、化学的耐久性が低下する。好ましくは46%
以上である。他方、65%以上では熱膨張係数が低下す
る。好ましくは64%以下である。
説明する。 SiO2 :ガラスの骨格を形成する成分で、45重量%
(以下単に%と記載する)未満では、ガラスの耐熱性が
悪くなり、化学的耐久性が低下する。好ましくは46%
以上である。他方、65%以上では熱膨張係数が低下す
る。好ましくは64%以下である。
【0012】Al2 O3 :必須成分ではないが、ガラス
転移点を上げ、耐熱性を向上させる効果があるため含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、30%
以上ではガラスの高温粘度が上昇し、フロート成形が困
難になる。好ましくは29%以下である。
転移点を上げ、耐熱性を向上させる効果があるため含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、30%
以上ではガラスの高温粘度が上昇し、フロート成形が困
難になる。好ましくは29%以下である。
【0013】SiO2 +Al2 O3 :ガラスの耐熱性や
化学的耐久性を向上させるため、合量で58%以上含有
する。好ましくは59%以上である。他方、合量で75
%以上ではガラスの熱膨張係数が低下し、かつフロート
成形が困難になる。好ましくは74%以下である。
化学的耐久性を向上させるため、合量で58%以上含有
する。好ましくは59%以上である。他方、合量で75
%以上ではガラスの熱膨張係数が低下し、かつフロート
成形が困難になる。好ましくは74%以下である。
【0014】B2 O3 :ガラスの溶解時の粘性を下げ、
溶解を促進する効果があるため2%以上含有する。好ま
しくは3%以上である。しかし、10%超ではガラスの
熱膨脹係数が低下する。好ましくは9%以下である。
溶解を促進する効果があるため2%以上含有する。好ま
しくは3%以上である。しかし、10%超ではガラスの
熱膨脹係数が低下する。好ましくは9%以下である。
【0015】MgO:必須成分ではないが、ガラスの溶
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、10%
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは9%以下である。
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、10%
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは9%以下である。
【0016】CaO:必須成分ではないが、ガラスの溶
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、15%
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは14%以下である。
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、15%
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ失透温度
が高くなる。好ましくは14%以下である。
【0017】Na2 O:必須成分ではないが、ガラスの
溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含
有させうる。好ましくは1%以上である。しかし、12
%超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラス
の化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは11%
以下である。
溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含
有させうる。好ましくは1%以上である。しかし、12
%超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラス
の化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは11%
以下である。
【0018】K2 O:必須成分ではないが、ガラスの溶
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、16%
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラスの
化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは15%以
下である。
解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有
させうる。好ましくは1%以上である。しかし、16%
超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつガラスの
化学耐久性が低下する傾向がある。好ましくは15%以
下である。
【0019】Na2 O+K2 O:ガラスの溶解温度での
粘性を下げ、溶解しやすくするため、合量で1%以上含
有する。好ましくは2%以上である。他方、合量で1
7.5%超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ
化学耐久性が低下する。好ましくは17%以下である。
粘性を下げ、溶解しやすくするため、合量で1%以上含
有する。好ましくは2%以上である。他方、合量で1
7.5%超ではガラスの熱膨張係数が大きくなり、かつ
化学耐久性が低下する。好ましくは17%以下である。
【0020】MgO+CaO+Na2 O+K2 O:ガラ
スの溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすくするため、
合量で15%超含有する。好ましくは16%以上であ
る。他方、合量で32%超ではガラスの熱膨張係数が大
きくなり、かつ失透温度が高くなり、化学耐久性が低下
する。好ましくは31%以下である。
スの溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすくするため、
合量で15%超含有する。好ましくは16%以上であ
る。他方、合量で32%超ではガラスの熱膨張係数が大
きくなり、かつ失透温度が高くなり、化学耐久性が低下
する。好ましくは31%以下である。
【0021】B2 O3 +MgO+CaO+Na2 O+K
2 O:ガラスの溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすく
するため、合量で25%超含有する。好ましくは26%
以上である。他方、合量で42%超ではガラスの熱膨張
係数が大きくなり、かつ失透温度が高くなり、化学耐久
性が低下する。好ましくは41%以下である。
2 O:ガラスの溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすく
するため、合量で25%超含有する。好ましくは26%
以上である。他方、合量で42%超ではガラスの熱膨張
係数が大きくなり、かつ失透温度が高くなり、化学耐久
性が低下する。好ましくは41%以下である。
【0022】以上の成分の他、SO3 、As2 O3 、S
b2 O3 等の清澄剤、Fe2 O3 、NiO、CoO等の
着色剤を適宜使用できる。また、電子線等によるブラウ
ニングを防止するため、TiO2 、CeO2 をそれぞれ
2%以下、合量で2%以下添加できる。
b2 O3 等の清澄剤、Fe2 O3 、NiO、CoO等の
着色剤を適宜使用できる。また、電子線等によるブラウ
ニングを防止するため、TiO2 、CeO2 をそれぞれ
2%以下、合量で2%以下添加できる。
【0023】また、CaO、MgOと同様の効果を得る
ために、SrO、BaO、ZnOを添加できる。ただ
し、SrO、BaOの過度の添加は比重を大きくするお
それがあり、またZnOの過度の添加は失透温度の上昇
をまねくおそれがあるため、SrO、BaO、ZnOを
それぞれ2%以下、合量で2%以下とすることが好まし
い。また、Na2 O、K2 Oと同様の効果を得るため
に、Li2 Oを添加できる。ただし、過度の添加はガラ
ス転移点の低下をもたらすおそれがあるため、1%以下
とすることが好ましい。
ために、SrO、BaO、ZnOを添加できる。ただ
し、SrO、BaOの過度の添加は比重を大きくするお
それがあり、またZnOの過度の添加は失透温度の上昇
をまねくおそれがあるため、SrO、BaO、ZnOを
それぞれ2%以下、合量で2%以下とすることが好まし
い。また、Na2 O、K2 Oと同様の効果を得るため
に、Li2 Oを添加できる。ただし、過度の添加はガラ
ス転移点の低下をもたらすおそれがあるため、1%以下
とすることが好ましい。
【0024】本発明の基板用ガラス組成物は、典型的に
は、50〜350℃の平均熱膨張係数が60×10-7〜
75×10-7/℃の範囲にあるので、ガラス基板上に透
明電極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにく
く、高い歩留でFEDやPDPなどのパネルを製造する
ことが可能となる。また、アルミナセラミックス基板用
のシールフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、
パネルを製造することが可能である。より好ましくは5
0〜350℃の平均熱膨張係数が61×10-7〜74×
10-7/℃の範囲である。
は、50〜350℃の平均熱膨張係数が60×10-7〜
75×10-7/℃の範囲にあるので、ガラス基板上に透
明電極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにく
く、高い歩留でFEDやPDPなどのパネルを製造する
ことが可能となる。また、アルミナセラミックス基板用
のシールフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、
パネルを製造することが可能である。より好ましくは5
0〜350℃の平均熱膨張係数が61×10-7〜74×
10-7/℃の範囲である。
【0025】また、本発明の基板用ガラス組成物の、ガ
ラスの粘度として104 ポアズに相当する温度は130
0℃以下であることが好ましい。より好ましくは127
0℃以下である。このため、フロート法による成形に適
している。
ラスの粘度として104 ポアズに相当する温度は130
0℃以下であることが好ましい。より好ましくは127
0℃以下である。このため、フロート法による成形に適
している。
【0026】さらに、本発明の基板用ガラス組成物の比
重は2.6未満であることが好ましい。これによって、
部材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能
となる。
重は2.6未満であることが好ましい。これによって、
部材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能
となる。
【0027】本発明のガラスは、例えば次のような方法
で製造できる。通常使用される各成分の原料を目標組成
となるように調合し、これを溶解炉に連続的に投入し、
1500〜1700℃に加熱して溶融する。この溶解ガ
ラスをフロート法により所定の板厚に成形し、徐冷後切
断する。
で製造できる。通常使用される各成分の原料を目標組成
となるように調合し、これを溶解炉に連続的に投入し、
1500〜1700℃に加熱して溶融する。この溶解ガ
ラスをフロート法により所定の板厚に成形し、徐冷後切
断する。
【0028】
【実施例】各成分の原料を目標組成になるように調合
し、白金坩堝を用いて1550〜1650℃の温度で4
時間加熱し溶融した。溶解にあたっては、白金スターラ
ーを挿入し2時間撹拌しガラスの均質化を行った。次い
で溶解ガラスを流し出し、板状に成形後徐冷した。
し、白金坩堝を用いて1550〜1650℃の温度で4
時間加熱し溶融した。溶解にあたっては、白金スターラ
ーを挿入し2時間撹拌しガラスの均質化を行った。次い
で溶解ガラスを流し出し、板状に成形後徐冷した。
【0029】こうして得られたガラスの比重d、平均熱
膨張係数α(単位:×10-7/℃)、ガラス転移点Tg
(単位:℃)、ガラスの粘度として104 ポアズに相当
する温度T4 (単位:℃)を測定し、表1〜2にガラス
組成とともに示した。以下に各物性の測定方法を示す。
膨張係数α(単位:×10-7/℃)、ガラス転移点Tg
(単位:℃)、ガラスの粘度として104 ポアズに相当
する温度T4 (単位:℃)を測定し、表1〜2にガラス
組成とともに示した。以下に各物性の測定方法を示す。
【0030】比重:泡を含まない約20gのガラス塊を
アルキメデス法によって測定する。
アルキメデス法によって測定する。
【0031】平均熱膨張係数:示差熱膨張計を用いて、
石英ガラスを参照試料として室温から5℃/分の割合で
昇温した際のガラスの伸び率を測定する。測定はガラス
が軟化してもはや伸びが観測されなくなる温度(屈伏
点)まで行い、50〜350℃の平均の線熱膨張係数を
算出した。
石英ガラスを参照試料として室温から5℃/分の割合で
昇温した際のガラスの伸び率を測定する。測定はガラス
が軟化してもはや伸びが観測されなくなる温度(屈伏
点)まで行い、50〜350℃の平均の線熱膨張係数を
算出した。
【0032】ガラス転移点:熱膨張曲線における屈曲点
をガラス転移点とした。ガラスの粘度として104 ポア
ズに相当する温度:ガラスの粘度として104ポアズに
相当する温度を回転粘度計にて測定した。このうち、例
15〜19は比較例であり、例15はソーダ石灰ガラス
の例、例16は特開平3−170343記載の組成物の
例、例17〜19は特開平9−249430記載の組成
物の例である。
をガラス転移点とした。ガラスの粘度として104 ポア
ズに相当する温度:ガラスの粘度として104ポアズに
相当する温度を回転粘度計にて測定した。このうち、例
15〜19は比較例であり、例15はソーダ石灰ガラス
の例、例16は特開平3−170343記載の組成物の
例、例17〜19は特開平9−249430記載の組成
物の例である。
【0033】表1より明らかなように、本発明の実施例
におけるガラスの平均熱膨張係数は60×10-7〜75
×10-7/℃の範囲にあるため、ガラス基板上に透明電
極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにくく、高
い歩留でFEDやPDPなどのパネルを製造することが
可能となる。また、アルミナセラミックス基板用のシー
ルフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、パネル
を製造することができる。また、ガラスの粘度として1
04 ポアズに相当する温度が1300℃以下であるた
め、フロート法による成形に適している。さらに、比重
が2.6未満であるため、部材の軽量化が達成でき、よ
り軽いパネルの製造が可能となる。
におけるガラスの平均熱膨張係数は60×10-7〜75
×10-7/℃の範囲にあるため、ガラス基板上に透明電
極を形成しても膜の剥離やクラックが発生しにくく、高
い歩留でFEDやPDPなどのパネルを製造することが
可能となる。また、アルミナセラミックス基板用のシー
ルフリット材料を用いてパネル周囲をシールし、パネル
を製造することができる。また、ガラスの粘度として1
04 ポアズに相当する温度が1300℃以下であるた
め、フロート法による成形に適している。さらに、比重
が2.6未満であるため、部材の軽量化が達成でき、よ
り軽いパネルの製造が可能となる。
【0034】一方、例15は平均熱膨張係数が87×1
0-7/℃であるため、ガラス基板上に透明電極を形成し
たときに膜の剥離やクラックが発生しやすく、高い歩留
でパネルを製造することは困難である。また、例16は
比重が大きいため、部材の軽量化は困難である。また、
例17〜19はガラスの粘度として104 ポアズに相当
する温度が1300℃以上になるため、フロート法によ
る成形が困難である。
0-7/℃であるため、ガラス基板上に透明電極を形成し
たときに膜の剥離やクラックが発生しやすく、高い歩留
でパネルを製造することは困難である。また、例16は
比重が大きいため、部材の軽量化は困難である。また、
例17〜19はガラスの粘度として104 ポアズに相当
する温度が1300℃以上になるため、フロート法によ
る成形が困難である。
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】
【発明の効果】本発明によるガラスは、平均熱膨張係数
が60×10-7〜75×10-7/℃の範囲にあるため、
ガラス基板上に透明電極を形成しても膜の剥離やクラッ
クが発生しにくく、またアルミナセラミックス基板用の
シールフリット材料を用いてパネル周囲をシールできる
ため、フラットディスプレイ、特にFEDやPDP用な
どの基板等、かかる特性を要求する用途に最適である。
また、ガラスの粘度として104 ポアズに相当する温度
が1300℃以下であるため、フロート法による成形に
適している。さらに、比重が2.6未満であるため、部
材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能と
なる。
が60×10-7〜75×10-7/℃の範囲にあるため、
ガラス基板上に透明電極を形成しても膜の剥離やクラッ
クが発生しにくく、またアルミナセラミックス基板用の
シールフリット材料を用いてパネル周囲をシールできる
ため、フラットディスプレイ、特にFEDやPDP用な
どの基板等、かかる特性を要求する用途に最適である。
また、ガラスの粘度として104 ポアズに相当する温度
が1300℃以下であるため、フロート法による成形に
適している。さらに、比重が2.6未満であるため、部
材の軽量化が達成でき、より軽いパネルの製造が可能と
なる。
Claims (3)
- 【請求項1】50〜350℃の平均熱膨張係数が60×
10-7〜75×10-7/℃の範囲にあり、重量%表示で
実質的に、 SiO2 45〜65未満、 Al2 O3 0〜30未満、 SiO2 +Al2 O3 58〜75未満、 B2 O3 2〜10、 MgO 0〜10、 CaO 0〜15、 Na2 O 0〜12、 K2 O 0〜16、 Na2 O+K2 O 1〜17.5、 MgO+CaO+Na2 O+K2 O 15超〜32、 B2 O3 +MgO+CaO+Na2 O+K2 O 25超〜42、 からなる基板用ガラス組成物。 - 【請求項2】ガラスの粘度として104 ポアズに相当す
る温度が1300℃以下である請求項1記載の基板用ガ
ラス組成物。 - 【請求項3】比重が2.6未満である請求項1または2
記載の基板用ガラス組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11729198A JPH11310432A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 基板用ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11729198A JPH11310432A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 基板用ガラス組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11310432A true JPH11310432A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14708124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11729198A Pending JPH11310432A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 基板用ガラス組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11310432A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-04-27 JP JP11729198A patent/JPH11310432A/ja active Pending
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