JPH11238808A - ダイオードの温度補償回路およびレーザーダイオード駆動回路 - Google Patents

ダイオードの温度補償回路およびレーザーダイオード駆動回路

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JPH11238808A
JPH11238808A JP10041508A JP4150898A JPH11238808A JP H11238808 A JPH11238808 A JP H11238808A JP 10041508 A JP10041508 A JP 10041508A JP 4150898 A JP4150898 A JP 4150898A JP H11238808 A JPH11238808 A JP H11238808A
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voltage
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diode
laser diode
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JP10041508A
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Keiichi Itoigawa
敬一 糸魚川
Makoto Haneda
誠 羽田
Hiroaki Hanawa
洋明 塙
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Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のレーザーダイオードの温度補償は、サ
ーミスタを用いて行なっており、サーミスタの温度特性
が1次関数であるため、高精度の温度補償が困難であ
り、より精度の高い温度補償回路が望まれていた。 【解決手段】 温度補償しようとするレーザーダイオー
ド(42)とは別個にダイオードを2個用意し、第1の
ダイオード(12)に定電流源(11)からの電流を流
して定電圧を発生する定電圧回路(10)と、該定電圧
回路で発生された電圧を2乗する電圧2乗回路と、この
電圧2乗回路からの電圧を入力電圧とする電圧−電流変
換回路の出力電流を第2のダイオードに流してそのアノ
ード電圧を上記電圧−電流変換回路の入力側に負帰還さ
せるように構成するとともに、上記電圧−電流変換回路
の出力電流をカレントミラー回路(32,33)で転写
した電流をレーザーダイオードに流すようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード特にレ
ーザーダイオードの温度補償に適用して有効な技術に関
し、レーザーダイオードと同一の温度特性を有するダイ
オードを利用してレーザーダイオードの温度補償を行な
うようにした技術に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に半導体素子は温度依存性を有して
おり、それをキャンセルするため種々の温度補償回路が
実用化されている。温度補償回路に関する技術として
は、例えばホール素子の温度依存性をキャンセルする温
度補償回路を提案した特公平3−51118号や特開昭
57−197883号などがある。
【0003】特公平3−51118号の発明は、ホール
素子の磁気−電気変換特性は温度依存性が駆動電流の温
度依存性とほぼ一致することに着目し、ホール素子の駆
動電流を検出する監視手段と、検出された電流に比例し
た電圧を発生する回路とを設け、ホール素子の出力を弁
別するコンパレータに対して安定したスレッシュホール
ド電圧を与えることにより温度補償するようにしたもの
である。
【0004】また、特開昭57−197883号の発明
は、ホール素子を適当な温度温度依存性を持った定電圧
源で駆動することにより、ホール素子の磁気−電気変換
特性の温度依存性を補償するようにしたものである。
【0005】従来、コンパクトディスクのピックアップ
や光通信の送信用の発光素子として使用されるレーザー
ダイオードは、レーザー発振を開始するしきい値電流が
温度に比例して指数関数的に変化するという温度依存性
を有している。レーザーダイオードに関しても、従来よ
り負の抵抗温度係数を有するサーミスタを用いて温度依
存性をキャンセルする温度補償回路が実用化されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】レーザーダイオードの
発振を開始するしきい値電流はeT/T0で表され、図2に
示されているように指数関数的に変化する。しかるに、
上記サーミスタを用いたレーザーダイオードの温度補償
回路にあっては、サーミスタの温度特性が1次関数であ
るため、高精度の温度補償が困難であり、より精度の高
い温度補償回路が望まれていた。なお、上記レーザーダ
イオードのしきい値電流の温度特性を表す関数eT/T0
おいて、T0はダイオードの特性の一つを表すパラメー
タで、ダイオードによって固有の値をとる。
【0007】本発明の目的は、レーザーダイオードの温
度依存性を高精度に補償可能な駆動回路を提供し、もっ
てこの駆動回路を使用した光通信システムにおいて信号
のSN比を向上させることができるようにすることにあ
る。
【0008】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述および添附図面
から明らかになるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。
【0010】すなわち、レーザーダイオードに限らずダ
イオードは一般に指数関数で表される温度特性を有する
点に着目し、温度補償しようとするレーザーダイオード
とは別個にダイオードを2個用意し、第1のダイオード
に定電流源からの電流を流して定電圧を発生する定電圧
回路と、該定電圧回路で発生された電圧を2乗する電圧
2乗回路と、この電圧2乗回路からの電圧を入力電圧と
する電圧−電流変換回路とを設け、前記電圧−電流変換
回路の出力電流を第2のダイオードに流してそのアノー
ド電圧を上記電圧−電流変換回路の入力側に負帰還させ
るように構成するとともに、上記電圧−電流変換回路の
出力電流をカレントミラー回路で転写した電流をレーザ
ーダイオードに流すようにしたものである。
【0011】上記した手段によれば、レーザーダイオー
ドと同じ指数関数の温度特性を有するダイオードを用い
てレーザーダイオードに流す電流を生成しているため、
レーザーダイオードのしきい値電流が周囲温度によって
変化してもレーザーダイオードに流される電流はレーザ
ーダイオードのしきい値電流と同様な温度特性に従って
指数関数的に変化さるようになり、これによって精度の
高い温度補償を行なうことができる。
【0012】上記電圧−電流変換回路は、上記電圧2乗
回路の出力電圧を非反転入力端子に受け上記第2のダイ
オードのアノード電圧を反転入力端子に受けるようにさ
れた演算増幅回路と、該演算増幅回路の出力電圧によっ
て制御されカレントミラー回路をなす第2の電流源およ
び第3の電流源とから構成され、上記第2電流源の電流
が上記第2のダイオードに流されてそのアノード電圧が
上記演算増幅回路の非反転入力端子に負帰還させるとと
もに、上記第3の電流源からの電流が温度補償すべきダ
イオードに流されるように構成されると良い。これによ
って、比較的簡単な構成で高精度の電圧−電流変換回路
を実現することができ、回路の占有面積ないしは回路の
実装密度を高めることができる。
【0013】また、望ましくは上記電圧−電流変換回路
の出力電流をカレントミラー回路で転写増幅した電流を
レーザーダイオードに流すようにする。これによって、
レーザーダイオードに流される電流に比べてダミーダイ
オード(第2のダイオード)に流れる電流を少なくする
ことができ、回路全体の消費電力を抑えることができ
る。
【0014】さらに、上記電圧2乗回路および電圧−電
流変換回路は各々オペアンプ(演算増幅回路)を用いた
アナログ集積回路で構成することができるが、定電圧回
路と電圧2乗回路および電圧電流変換回路を1つの半導
体集積回路として構成するようにしてもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
【0016】図1は、本発明に係る温度補償回路を備え
たレーザーダイオードの駆動回路の一実施例を示す。
【0017】図1において、10は定電圧回路、20は
この定電圧回路10で発生された電圧を2乗する電圧2
乗回路、30はこの電圧2乗回路20の出力電圧を電流
に変換する電圧−電流変換回路、41は前記電圧電流変
換回路30の第1の出力電流I1によって順方向電流が
流されるように接続されたダミーダイオード、42は前
記電圧電流変換回路30の第2の出力電流I2によって
駆動電流が流されるように接続されたレーザーダイオー
ドである。
【0018】この実施例では、上記定電圧回路10は、
電源電圧Vccと接地電位との間に直列形態に接続され
た定電流源11と第1のダイオード12とにより構成さ
れており、ダイオード12に定電流源11から供給され
る定電流I0が流されることによってそのアノード端子
n0に順方向電圧Vd0に等しい定電圧が発生される。上
記ダイオード12は、指数関数で表される温度特性を有
する素子であればどのような素子であってもよい。ダイ
オードは一般に指数関数で表される温度特性を有するの
で、PN接合ダイオード、PINダイオードあるいはレ
ーザーダイオード等どのようなダイオードでも使用する
ことができる。
【0019】上記定電圧回路10で発生された定電圧V
d0は電圧2乗回路20に入力されて2乗され、Vd02
して出力される。この電圧2乗回路20は、一般に汎用
ICとして提供されているものを使用することができ
る。
【0020】上記電圧−電流回路30は、オペアンプ3
1と、該オペアンプ31の出力電圧に応じた電流I1,
I2をそれぞれ流す定電流源32,33と、これらの定
電流源32,33がそれぞれ接続された一対の電流出力
端子34,35とを備え、上記電圧2乗回路20の出力
電圧Vd02がオペアンプ31の非反転入力端子(+端
子)に印加されるとともに、上記定電流源32,33の
一方(この実施例では32)に接続された第1の電流出
力端子34が上記オペアンプ31の反転入力端子(−端
子)に接続されている。上記第1の電流出力端子34と
接地電位との間にはダミーダイオード41が、また第2
の電流出力端子35と接地電位との間にはレーザーダイ
オード42が接続されている。上記ダミーダイオード4
1も、前記定電圧発生回路10内のダイオード11と同
様に、指数関数で表される温度特性を有する素子であれ
ばどのような素子であってもよい。
【0021】さらに、この実施例の電圧−電流変換回路
30は、第1の出力電流I1がダミーダイオード41に
流され、その順方向電圧すなわちアノード電圧Vd1が上
記オペアンプ31の反転入力端子に印加されている。こ
れによって、オペアンプ31は、反転入力端子の電圧が
非反転入力端子の入力電圧Vd02に一致するように負帰
還動作される。しかるに、第1の電流出力端子34には
ダミーダイオード41が接続されており、このダミーダ
イオード41の電圧−電流特性は指数関数で表される温
度依存性を有するため、ダミーダイオード41の周囲温
度が変動してもオペアンプ31の作用によって定電流源
32が制御されてダミーダイオード41にはその順方向
電圧Vd1が電圧2乗回路20の出力電圧Vd02に一致す
るような電流I1が流されることとなる。
【0022】一方、上記電圧−電流変換回路30内の定
電流源32と33は共にオペアンプ31の出力電圧によ
って制御されて一種のカレントミラー回路を構成してい
る。そのため、上記第2電流出力端子35に接続された
レーザーダイオード42には、上記ダミーダイオード4
1に流れる電流と同一または比例した電流が流されるよ
うになり、レーザーダイオード42のしきい値電流がそ
の周囲温度の変動により変化しても、それに応じて駆動
電流I2が変動される。その結果、この実施例に おける
レーザーダイオード42は、周囲温度が変動しても自動
的に温度補償された駆動電流が流され、安定したレーザ
ー発振動作を行なう。
【0023】なお、上記実施例において、カレントミラ
ー回路を構成する定電流源32,33は各々ベース端子
にオペアンプ31の出力電圧を受けエミッタが抵抗を介
して電源電圧端子に、またコレクタが電流出力端子3
4,35に接続されたバイポーラトランジスタにより構
成することができ、その電流比はエミッタのサイズ比と
エミッタに接続された抵抗の比を所望の値に選択するこ
とにより設定することができる。
【0024】次に、本実施例のレーザーダイオード駆動
回路の温度補償機能を、数式を用いて説明する。
【0025】レーザーダイオードのしきい値電流をIt
h、周囲温度をT(絶対温度)で表すと、しきい値電流
Ithの温度依存性は、次式(1)で表せる。
【0026】
【数1】 また、第1のダイオード12に電流を流す定電流源11
の電流をI0、第1のダイオード12の順方向電圧をVd
0とすると、I0は次式(2)で表されることが知られて
いる。
【0027】
【数2】 なお、式(2)において、qは電子の電荷量、kはボル
ツマン係数である。式(2)を変形して、Vd0に関する
式として表すと、次式(3)のようになる。
【0028】
【数3】 上記式(3)を2乗すると、
【0029】
【数4】 となる。従って、前記実施例の電圧2乗回路20の出力
電圧は、式(4)で表される。
【0030】次に、ダミーダイオード41の順方向電圧
をVd1とすると、このダミーダイオード41には定電流
源32の電流I1が流れるため、I1とVd1との関係は次
式(5)で表される。
【0031】
【数5】 ここで、上記式(4)の電圧が電圧−電流変換回路30
を構成するオペアンプ31の非反転入力端子(+)に印
加されると、オペアンプ31は、反転入力端子(−)の
電圧が非反転入力端子(+)の入力電圧Vd02に一致す
るように負帰還動作される。つまり、Vd1=Vd02とな
るように動作する。従って、上記式(5)の右辺は、次
式(6)のようになる。
【0032】
【数6】 従って、式(4)および式(6)より式(5)は、次式
(7)のように変形される。
【0033】
【数7】 ところで、レーザーダイオード42に流される定電流源
33からの電流I2は、定電流源32と33とがカレン
トミラー回路を構成していることからI2はI1に比例す
る。つまり、I2∝I1である。ここで、I2とI1の比I
2/I1をAとおくと、レーザーダイオード42に流れさ
れる電流I2は、次式(8)で表される。
【0034】
【数8】 上記式(8)より、(kln2I0)T/q=T/T0、つま
りq/(kln2I0)=T0となるように定電流源11の電
流I0 を設定してやれば、式(8)は式(1)と同じに
なるので、レーザーダイオード42に流れる電流I2
は、温度Tに対して指数関数的に制御されることが分か
る。従って、レーザーダイオード42のしきい値電流I
thが指数関数で表される温度依存性を有していても、図
1の実施例の回路においては、電圧−電流変換回路30
が周囲温度に応じて指数関数的に変化する電流I2を第
2の電流 出力端子35よりレーザーダミーダイオード
42に流すことができるため、レーザーダイオード42
は温度の変動に係わらず安定して発振動作するようにな
る。
【0035】以上説明したように、上記実施例は、温度
補償しようとするレーザーダイオードとは別個にダイオ
ードを2個用意し、第1のダイオードに定電流源からの
電流を流して定電圧を発生する定電圧回路と、該定電圧
回路で発生された電圧を2乗する電圧2乗回路と、この
電圧2乗回路からの電圧を入力電圧とする電圧−電流変
換回路とを設け、前記電圧−電流変換回路の出力電流を
第2のダイオードに流してそのアノード電圧を上記電圧
−電流変換回路の入力側に負帰還させるように構成する
とともに、上記電圧−電流変換回路の出力電流をカレン
トミラー回路で転写した電流をレーザーダイオードに流
すようにしたので、レーザーダイオードのしきい値電流
が周囲温度によって変化してもレーザーダイオードに流
される電流はレーザーダイオードのしきい値電流と同様
な温度特性に従って指数関数的に変化されるようにな
り、これによって精度の高い温度補償を行なうことがで
きるという効果がある。
【0036】また、上記電圧−電流変換回路の出力電流
をカレントミラー回路で転写増幅した電流をレーザーダ
イオードに流すようにしたので、レーザーダイオードに
流される電流に比べてダミーダイオード(第2のダイオ
ード)に流れる電流を少なくすることができ、回路全体
の消費電力を抑えることができるという効果がある。
【0037】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば上記
実施例では、電圧2乗回路20と電圧電圧変換回路30
をそれぞれ別個のICチップで構成しているが、前記第
1および第2のダイオードを1つの半導体チップ上に形
成して同一の温度特性を持たせたり、さらにレーザーダ
イオードをも同一のチップ上に形成して第1および第2
のダイオードと同一の温度特性を持たせることにより、
温度補償精度を上げることができる。また、前記定電圧
発生回路10を含めて1つの半導体集積回路として構成
したり、電圧2乗回路20とオペアンプ31の機能をD
SP(ディジタル・シグナル・プロセッサ)で置き換え
ることも可能である。
【0038】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるレーザ
ーダイオードの駆動回路に適用した場合について説明し
たがこの発明はそれに限定されるものでなく、発光ダイ
オードその他のダイオードは勿論、指数関数の温度特性
を有する素子の温度補償回路一般に利用することができ
る。
【0039】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
【0040】すなわち、レーザーダイオードの温度依存
性を高精度に補償可能な駆動回路を実現することがで
き、これによってこの駆動回路を使用した光通信システ
ムにおいて信号のSN比を向上させることができるよう
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る温度補償機能を備えたレーザーダ
イオードの駆動回路の一実施例を示す回路構成図であ
る。
【図2】レーザーダイオードのしきい値電流の温度特性
を示すグラフである。
【符号の説明】
10 定電圧回路 11 定電流源 12 第1のダイオード 20 電圧2乗回路 30 電圧−電流変換回路 31 オペアンプ 32,33 定電流源 34 第1の出力電流端子 35 第2の出力電流端子 41 ダミーダイオード(第2のダイオード) 42 レーザーダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04B 10/26 10/14 10/04 10/06 (72)発明者 羽田 誠 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立制作所半導体事業部内 (72)発明者 塙 洋明 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立マイコンシステム内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1のダイオードと該ダイオードに流す
    電流を供給する第1の電流源とからなる定電圧回路と、
    該定電圧回路で発生された電圧を2乗する電圧2乗回路
    と、該電圧2乗回路からの出力電圧を入力電圧とする電
    圧−電流変換回路とを備え、前記電圧−電流変換回路の
    出力電流を第2のダイオードに流してそのアノード電圧
    を上記電圧−電流変換回路の入力側に負帰還させるよう
    に構成するとともに、上記電圧−電流変換回路の出力電
    流をカレントミラー回路で転写した電流を温度補償すべ
    きダイオードに流すように構成したことを特徴とするダ
    イオードの温度補償回路。
  2. 【請求項2】 上記電圧−電流変換回路は、上記電圧2
    乗回路の出力電圧を非反転入力端子に受け上記第2のダ
    イオードのアノード電圧を反転入力端子に受けるように
    された演算増幅回路と、該演算増幅回路の出力電圧によ
    って制御されカレントミラー回路をなす第2の電流源お
    よび第3の電流源とから構成され、上記第2電流源の電
    流が上記第2のダイオードに流されてそのアノード電圧
    が上記演算増幅回路の非反転入力端子に負帰還させると
    ともに、上記第3の電流源からの電流が温度補償すべき
    ダイオードに流されるように構成されてなることを特徴
    とする請求項1に記載のダイオードの温度補償回路。
  3. 【請求項3】 上記カレントミラー回路の電流比が所定
    の値に設定されることにより、上記第3の電流源に流さ
    れる電流が上記第2の電流源に流される電流よりも大き
    くなるように設定されていることを特徴とする請求項1
    または2に記載のダイオードの温度補償回路。
  4. 【請求項4】 第1のダイオードと該ダイオードに流
    す電流を供給する第1の電流源とからなる定電圧発生回
    路と、 該定電圧回路で発生された電圧を2乗する電圧2乗回路
    と、 上記電圧2乗回路の出力電圧を非反転入力端子に受け上
    記第2のダイオードのアノード電圧を反転入力端子に受
    けるようにされた演算増幅回路と、該演算増幅回路の出
    力電圧によって制御されカレントミラー回路をなす第2
    の電流源および第3の電流源とにより構成された電圧−
    電流変換回路とを備え、 上記第2の電流源はダミーダイオードが接続される第1
    の電流出力端子に結合されるとともに、上記第3の電流
    源はレーザーダイオードが接続される第2の電流出力端
    子に結合され、上記第1の電流出力端子の電圧が上記演
    算増幅回路の反転入力端子に負帰還させるように構成さ
    れてなることを特徴とするレーザーダイオードの駆動回
    路。
  5. 【請求項5】 上記電圧2乗回路および上記電圧−電流
    変換回路はそれぞれが異なる半導体チップ上において半
    導体集積回路として形成されていることを特徴とする請
    求項4に記載のレーザーダイオードの駆動回路。
  6. 【請求項6】 上記第1および第2のダイオードが1つ
    の半導体チップ上に形成されていることを特徴とする請
    求項4に記載のレーザーダイオードの駆動回路。
  7. 【請求項7】 上記第1および第2のダイオードと上記
    レーザーダイオードが1つの半導体チップ上に形成され
    ていることを特徴とする請求項4に記載のレーザーダイ
    オードの駆動回路。
  8. 【請求項8】 上記定電圧発生回路と上記電圧2乗回路
    および上記電圧−電流変換回路が一つの単結晶シリコン
    チップ上に形成されてなることを特徴とする請求項4、
    6または7に記載のレーザーダイオードの駆動回路。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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