JPH11233575A - 半導体デバイス測定用の回路基板 - Google Patents

半導体デバイス測定用の回路基板

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JPH11233575A
JPH11233575A JP10029603A JP2960398A JPH11233575A JP H11233575 A JPH11233575 A JP H11233575A JP 10029603 A JP10029603 A JP 10029603A JP 2960398 A JP2960398 A JP 2960398A JP H11233575 A JPH11233575 A JP H11233575A
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JP
Japan
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circuit board
board
semiconductor device
test board
test
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JP10029603A
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English (en)
Inventor
Akio Ota
明男 太田
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2801Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
    • G01R31/2805Bare printed circuit boards
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 いわゆるLSIテスタにおいて、限られたテ
ストボード上の配置スペースを有効に利用しつつ、大規
模な回路も組み込むことが可能な回路基板を提供する。 【解決手段】 DUT3の電気的特性を測定する際、円
板状のテストボード1とともに用いられるとともに、そ
のテストボード1の上面中心部1aにDUT3が装着さ
れた状態で、テストボード1の上面中心部1a以外の上
面周辺部1bに相対して搭載される半導体デバイス測定
用の回路基板4であって、テストボード1の外周にそっ
て円弧状の外縁部4aを有し、かつ、テストボード1の
上面中心部1bに近接しつつ、上記外縁部4aに相対し
て円弧状の内縁部4bを有することにより、その全体的
な平面形状が扇形に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、たとえばLSI
やICなどの半導体デバイスについて動作確認・特性評
価を行う際に用いられる半導体デバイス測定用の回路基
板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIやICなどといった半導体
デバイスについて動作確認や特性評価を行うためには、
電気的特性を測定する装置、いわゆるLSIテスタが使
用されており、一般的なLSIテスタにおいては、作業
ステーション上に円板状のテストボードが備えられてい
る。テストボードの上面中心部には、上記半導体デバイ
スがソケットを介して装着され、作業ステーションから
テストボードを通じて半導体デバイスにテストパターン
信号などが入出力されている。
【0003】具体的に説明すると、作業ステーション内
には、円筒型のテストヘッドが備えられており、このテ
ストヘッドに対して上記テストボードが装着されてい
る。さらに、テストヘッドには、上記半導体デバイスの
測定に必要なインターフェースカードなどが装備されて
おり、このインターフェースカードからのテストパター
ン信号などがテストボードを通じて半導体デバイスの端
子に入出力されている。つまり、測定性能に影響の大き
い入出力インターフェースは、信号経路長を最短とする
ために、半導体デバイス近傍のテストヘッドに装備され
た状況とされている。
【0004】この種のLSIテスタにおいて最近では、
半導体デバイス測定用の回路基板が用いられており、こ
の回路基板がテストボードの上面中心部以外の上面周辺
部に搭載された状態で、その回路基板を介して信号が伝
送されている。この回路基板は、一般的なプリント配線
基板と同様に矩形平板状であり、その基板面には、テス
ト信号に対して電気的な各種処理を施すアナログ回路な
どが組み込まれている。このような回路基板を利用する
ことによって、信号に基づく測定処理の効率化が図られ
ている。
【0005】図4は、従来におけるLSIテスタのテス
トボード周辺を示した外観平面図であって、この図に示
すように、テストボード90は、円板状に形成されてお
り、その上面中心部90aには、被測定物となる半導体
デバイス91が装着されている。また、回路基板92
は、テストボード90の上面中心部90a以外の上面周
辺部90bに相対して搭載された状態とされている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のL
SIテスタにおいて用いられる半導体デバイス測定用の
回路基板では、以下に説明するような不具合があった。
【0007】つまり、図4に示すように、テストボード
90の上面中心部90aには、被測定物となる半導体デ
バイス91が装着されることから、回路基板92の配置
スペースは、上面中心部90a以外のドーナツ形の上面
周辺部90bに限定される。したがって、そのような湾
曲した配置スペースの上面周辺部90bに対して矩形平
板状の回路基板92を配置させる場合、自ずとその回路
基板92全体の縦横寸法に限界が生じ、回路基板92に
組み込むべき回路も必然的に制限されるという不具合が
あった。
【0008】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、限られたテストボード上の配置ス
ペースを有効に利用しつつ、大規模な回路も組み込むこ
とが可能な半導体デバイス測定用の回路基板を提供する
ことをその課題とする。
【0009】
【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【0010】すなわち、本願発明により提供される半導
体デバイス測定用の回路基板は、半導体デバイスの電気
的特性を測定する際、円板状のテストボードとともに用
いられるとともに、そのテストボードの上面中心部に上
記半導体デバイスが装着された状態で、上記テストボー
ドの上面中心部以外の上面周辺部に相対して搭載される
半導体デバイス測定用の回路基板であって、上記テスト
ボードの外周形状に同調して湾曲した輪郭形状の外縁部
を有し、かつ、上記テストボードの上面中心部に近接し
つつ、上記外縁部に相対して湾曲した輪郭形状の内縁部
を有することを特徴としている。
【0011】上記技術的手段が講じられた本願発明によ
り提供される半導体デバイス測定用の回路基板では、半
導体デバイスの電気的特性を測定する際、たとえばLS
Iテスタにおける円板状のテストボードに装着された状
態で用いられる。つまり、テストボードの上面中心部に
は、測定対象物となる半導体デバイスが装着される一
方、回路基板は、テストボードの上面中心部以外の上面
周辺部に相対して搭載される。そして、回路基板の基板
面は、測定時の信号に電気的な各種処理を施すための回
路が組み込まれるが、そのような回路基板の平面形状
は、テストボードの外周形状に同調して湾曲した輪郭形
状の外縁部を有し、かつ、テストボードの上面中心部に
近接しつつ、外縁部に相対して湾曲した輪郭形状の内縁
部を有する形状とされている。すなわち、回路基板は、
テストボードにおける上面周辺部の配置スペースに整合
した形状、その一例としてたとえば扇形のような形状と
されており、限られた配置スペースを余すことなく利用
可能な平面形状とされている。
【0012】したがって、本願発明により提供される半
導体デバイス測定用の回路基板によれば、テストボード
における上面周辺部の配置スペースに整合した形状の回
路基板は、限られた配置スペースを存分に利用できる平
面形状とされるので、そのような限られたテストボード
上の配置スペースを有効に利用しつつ、その回路基板の
基板面に大規模な回路を組み込むことができ、ひいて
は、半導体デバイスの測定性能を向上させることができ
る。
【0013】なお、半導体デバイスとしては、たとえば
LSIやICなどといった集積回路チップが適用可能で
ある。
【0014】好ましい実施の形態においては、上記半導
体デバイス測定用の回路基板は、上記外縁部および上記
内縁部を内外周として環状に形成されている。
【0015】このような半導体デバイス測定用の回路基
板によれば、テストボードにおける上面周辺部の配置ス
ペース全体にわたって環状の回路基板が配置されるの
で、そのような回路基板の基板面は、限られた配置スペ
ースを余すことなく最大限に拡充されることとなり、よ
り大幅に大規模な回路を組み込むことができる。
【0016】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【0018】図1は、本願発明にかかる半導体デバイス
測定用の回路基板を用いたLSIテスタの一実施形態を
示した外観平面図、図2は、図1におけるX−X断面を
示した断面図である。なお、LSIテスタ自体は、従来
より周知のものであることから、その全体を図示しな
い。本実施形態で示されるLSIテスタとは、LSIや
ICなどといった半導体デバイスについて動作確認や特
性評価を行うための電気的特性を測定する装置である。
【0019】図1および図2に示すように、LSIテス
タは、図示しない作業ステーション上にテストボード1
を備えているとともに、作業ステーション内には、テス
トボード1を組み付けるためのテストヘッド2を備えて
いる。テストボード1は、テストヘッド2の上面に装置
されている。また、テストボード1は、円板状に形成さ
れ、その上面中心部1aには、被測定物とされた半導体
デバイス(以下、Device Under Test を略して「DU
T」という)3が装着されている。一方、半導体デバイ
ス測定用の回路基板4は、テストボードの上面中心部1
a以外の上面周辺部1bに相対して搭載されている。
【0020】テストボード1は、たとえばガラスエポキ
シ材などで円板状に形成され、図示しない作業ステーシ
ョンからDUT3に対して入出力される信号を中継する
ものである。このテストボード1の上面中心部1aに
は、図示しないソケットが設けられており、このソケッ
トを介してDUT3が装着された状態で電気的に接続さ
れる。また、テストボード1の上面周辺部1bは、回路
基板4を配置するスペースとされているが、テストボー
ド1の外周に近接する狭小部分は、配置不可能とされて
いる。このようなテストボード1を通じて後述するテス
トヘッド2からDUT3に対して信号が入出力されてい
る。
【0021】テストヘッド2は、円筒型の外観形状を有
しており、その内部は図示しないが、DUT3の測定に
必要なインターフェースカード、一例としてピンエレク
トロニクスカードなどが装備されている。このインター
フェースカードからの信号が上記テストボード1を通じ
てDUT3の図示しない端子に入出力されている。つま
り、測定性能に影響の大きい入出力インターフェースな
どは、信号経路長を最短とするために、DUT3に近く
位置するテストヘッド2に装備されている。
【0022】DUT3は、たとえばLSIやICなどと
いった集積回路チップであり、メモリやマイクロプロセ
ッサ、またはASICなどのロジックデバイス、あるい
はアナログ・デジタルなどが混在したロジックデバイス
などが適用される。
【0023】回路基板4は、DUT3の測定オプション
などとして用意されたものであり、一般的なプリント配
線基板と同様に、基板面にたとえばアナログ回路などが
組み込まれているが、その外観形状が一般的なものとは
異なっている。つまり、回路基板4の外縁部4aは、テ
ストボード1の外周にそって円弧状に形成され、かつ、
外縁部4aに相対する内縁部4bも、外縁部4aと同様
に円弧状に形成されており、その内縁部4bがテストボ
ード1の上面中心部1aに近接している。すなわち、回
路基板4は、扇形のような平面形状とされている。ま
た、回路基板4は、図2によく示されるように、スペー
サ4cを介してテストボード1の上面周辺部1bと接続
されており、このスペーサ4cによって回路基板4が直
接テストボード1と接触することのないようになされて
いる。なお、スペーサ4cに代えてコネクタを介して回
路基板4が接続されていてもよい。このような回路基板
4およびDUT3がテストボード1上の各所定位置に搭
載された状況で入出力信号に基づく測定が行われてお
り、テストヘッド2からの信号は、テストボード1を通
じつつ回路基板4を介してDUT3に入出力されてい
る。
【0024】要点について説明すると、DUT3の電気
的特性を測定する際、回路基板4は、LSIテスタにお
ける円板状のテストボード1に装着された状態で用いら
れる。つまり、テストボード1の上面中心部1aには、
DUT3が装着される一方、回路基板4は、テストボー
ド1の上面中心部1a以外の上面周辺部1bに相対して
搭載される。そして、回路基板4の基板面には、測定信
号に電気的な各種処理を施すための回路が組み込まれて
いるが、そのような回路基板4の平面形状は、テストボ
ード1の外周にそった円弧状の外縁部4aおよび内縁部
4bを有して扇形に形成されている。すなわち、回路基
板4は、テストボード1における上面周辺部1bの配置
スペースに整合した扇形の形状とされており、限られた
配置スペースを余すことなく利用可能な平面形状とされ
ている。
【0025】したがって、上記説明した半導体デバイス
測定用の回路基板4によれば、テストボード1における
上面周辺部1bの配置スペースに整合した形状の回路基
板4は、限られた配置スペースを存分に利用できる扇形
の平面形状とされるので、そのような限られたテストボ
ード1上の配置スペースを有効に利用しつつ、その回路
基板4の基板面に大規模な回路を組み込むことができ、
ひいては、DUT3の測定性能を向上させることができ
る。
【0026】次に、図3は、本願発明にかかる半導体デ
バイス測定用の回路基板を用いたLSIテスタの他の実
施形態を示した外観平面図であって、この図を参照して
他の実施形態について説明する。なお、この他の実施形
態については、先に説明した実施形態と回路基板のみが
相違する点であることから、回路基板以外の部材につい
ては、図1と同一の符号を付してその詳細な説明を省略
する。
【0027】図3に示すように、回路基板14は、外縁
部14aおよび内縁部14bを内外周としてドーナツ形
に形成されており、その中空部がテストボード1の上面
中心部1aに相対してテストボード1上に搭載されてい
る。
【0028】このような他の実施形態によれば、テスト
ボード1における上面周辺部1bの配置スペース全体に
わたってドーナツ形の回路基板4が配置されるので、そ
のような回路基板14の基板面は、限られた配置スペー
スを余すことなく最大限に拡充されることとなり、より
大幅に大規模な回路を回路基板14に組み込むことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明にかかる半導体デバイス測定用の回路
基板を用いたLSIテスタの一実施形態を示した外観平
面図である。
【図2】図1におけるX−X断面を示した断面図であ
る。
【図3】本願発明にかかる半導体デバイス測定用の回路
基板を用いたLSIテスタの他の実施形態を示した外観
平面図である。
【図4】従来におけるLSIテスタのテストボード周辺
を示した外観平面図である。
【符号の説明】
1 テストボード 1a 上面中心部 1b 上面周辺部 2 テストヘッド 3 DUT(半導体デバイス) 4 回路基板 4a 外縁部 4b 内縁部 14 回路基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体デバイスの電気的特性を測定する
    際、円板状のテストボードとともに用いられるととも
    に、そのテストボードの上面中心部に上記半導体デバイ
    スが装着された状態で、上記テストボードの上面中心部
    以外の上面周辺部に相対して搭載される半導体デバイス
    測定用の回路基板であって、 上記テストボードの外周形状に同調して湾曲した輪郭形
    状の外縁部を有し、かつ、上記テストボードの上面中心
    部に近接しつつ、上記外縁部に相対して湾曲した輪郭形
    状の内縁部を有することを特徴とする、半導体デバイス
    測定用の回路基板。
  2. 【請求項2】 上記外縁部および上記内縁部を内外周と
    して環状に形成されている、請求項1に記載の半導体デ
    バイス測定用の回路基板。
JP10029603A 1998-02-12 1998-02-12 半導体デバイス測定用の回路基板 Pending JPH11233575A (ja)

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