JPH11233330A - 高飽和磁束密度フェライト材料およびこれを用いたフェライトコア - Google Patents
高飽和磁束密度フェライト材料およびこれを用いたフェライトコアInfo
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- JPH11233330A JPH11233330A JP10029569A JP2956998A JPH11233330A JP H11233330 A JPH11233330 A JP H11233330A JP 10029569 A JP10029569 A JP 10029569A JP 2956998 A JP2956998 A JP 2956998A JP H11233330 A JPH11233330 A JP H11233330A
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- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
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- Magnetic Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】飽和磁束密度Ｂｓの値が４３００Ｇ以上の高飽
和磁束密度フェライト材料を提供する。 【解決手段】４７．７〜５０．５モル％のＦｅ2 Ｏ
3 と、３．５モル％以下（０を含む）のＣｕＯと、残部
がＺｎＯおよびＮｉＯであり、かつＺｎＯ／ＮｉＯのモ
ル比が０．８２〜１．１である主成分１００重量に対
し、０．０５〜０．８重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．００
５〜０．１５重量部のＭｏＯ3 を含有する高飽和磁束密
度フェライト材料。
和磁束密度フェライト材料を提供する。 【解決手段】４７．７〜５０．５モル％のＦｅ2 Ｏ
3 と、３．５モル％以下（０を含む）のＣｕＯと、残部
がＺｎＯおよびＮｉＯであり、かつＺｎＯ／ＮｉＯのモ
ル比が０．８２〜１．１である主成分１００重量に対
し、０．０５〜０．８重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．００
５〜０．１５重量部のＭｏＯ3 を含有する高飽和磁束密
度フェライト材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は飽和磁束密度の高い
酸化物磁性材料およびこれを用いたフェライトコアに関
するものである。
酸化物磁性材料およびこれを用いたフェライトコアに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料は、イン
ダクター、変圧器、安定器、電磁石、ノイズ除去等のコ
アとして広く使用されている。
ダクター、変圧器、安定器、電磁石、ノイズ除去等のコ
アとして広く使用されている。
【０００３】近年、携帯電話やノート型パソコンなどの
バッテリー駆動型の携帯機器については、小型・薄型化
の進展とともに、これらに搭載する電源に対しても小型
・薄型化が強く求められている。たとえば、ノイズ除去
用のコアを小型にした場合、大きな電流を流すことがむ
ずかしくなり、そのために大きな電流を流すことのでき
るフェライト材料として飽和磁束密度の大きい材料が求
められていた。
バッテリー駆動型の携帯機器については、小型・薄型化
の進展とともに、これらに搭載する電源に対しても小型
・薄型化が強く求められている。たとえば、ノイズ除去
用のコアを小型にした場合、大きな電流を流すことがむ
ずかしくなり、そのために大きな電流を流すことのでき
るフェライト材料として飽和磁束密度の大きい材料が求
められていた。
【０００４】すなわち、フェライト材料でもってコア形
状とし、巻き線を施してコイルとした場合に、巻き線に
加える電流を大きくすると、磁束密度が大きくなるが、
ある程度にまで大きくなると飽和し、それ以上の磁束密
度が得られないという特性があり、この時の磁束密度は
飽和磁束密度（以下、この飽和磁束密度の値をＢｓ値と
略記する）と呼ばれ、そして、Ｂｓ値を越えるような電
流を流すと発熱等の不都合が生じてしまう。したがっ
て、Ｂｓ値が大きいほど大きな電流を流すことができ
る。
状とし、巻き線を施してコイルとした場合に、巻き線に
加える電流を大きくすると、磁束密度が大きくなるが、
ある程度にまで大きくなると飽和し、それ以上の磁束密
度が得られないという特性があり、この時の磁束密度は
飽和磁束密度（以下、この飽和磁束密度の値をＢｓ値と
略記する）と呼ばれ、そして、Ｂｓ値を越えるような電
流を流すと発熱等の不都合が生じてしまう。したがっ
て、Ｂｓ値が大きいほど大きな電流を流すことができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般的
に用いられるＮｉ−Ｚｎ系フェライトではＢｓ値が４３
００Ｇ（ガウス）未満と低いものである。
に用いられるＮｉ−Ｚｎ系フェライトではＢｓ値が４３
００Ｇ（ガウス）未満と低いものである。
【０００６】また、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに各種添加
物を加えて特性を高めることが提案されているが（特開
昭４９−２０９２号、特開昭４９−２０９３号、特公昭
５２−２７３５８号および特開平６−２９５８１１号参
照）、いずれも上記問題を解決するものではなかった。
物を加えて特性を高めることが提案されているが（特開
昭４９−２０９２号、特開昭４９−２０９３号、特公昭
５２−２７３５８号および特開平６−２９５８１１号参
照）、いずれも上記問題を解決するものではなかった。
【０００７】したがって本発明の目的はＢｓ値が４３０
０Ｇ以上の高飽和磁束密度フェライト材料を提供するこ
とにある。
０Ｇ以上の高飽和磁束密度フェライト材料を提供するこ
とにある。
【０００８】また、本発明の他の目的は、本発明の高飽
和磁束密度フェライト材料でもって所定形状になしたフ
ェライトコアを提供することにある。
和磁束密度フェライト材料でもって所定形状になしたフ
ェライトコアを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の高飽和磁束密度
フェライト材料は、４７．７〜５０．５モル％のＦｅ2
Ｏ3 と、３．５モル％以下（０を含む）のＣｕＯと、残
部がＺｎＯおよびＮｉＯであり、かつＺｎＯ／ＮｉＯの
モル比が０．８２〜１．１である主成分１００重量に対
し、０．０５〜０．８重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．００
５〜０．１５重量部のＭｏＯ3 を含有することを特徴と
する。
フェライト材料は、４７．７〜５０．５モル％のＦｅ2
Ｏ3 と、３．５モル％以下（０を含む）のＣｕＯと、残
部がＺｎＯおよびＮｉＯであり、かつＺｎＯ／ＮｉＯの
モル比が０．８２〜１．１である主成分１００重量に対
し、０．０５〜０．８重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．００
５〜０．１５重量部のＭｏＯ3 を含有することを特徴と
する。
【００１０】本発明の他の高飽和磁束密度フェライト材
料は、上記本発明の高飽和磁束密度フェライト材料にお
いて、主成分１００重量部に０．２７重量部以下のＣｏ
Ｏを含有することを特徴とする。
料は、上記本発明の高飽和磁束密度フェライト材料にお
いて、主成分１００重量部に０．２７重量部以下のＣｏ
Ｏを含有することを特徴とする。
【００１１】さらに本発明のフェライトコアは、本発明
の高飽和磁束密度フェライト材料でもって所定形状にな
したことを特徴とする。
の高飽和磁束密度フェライト材料でもって所定形状にな
したことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の高飽和磁束密度フェライ
ト材料は、Ｎｉ−Ｚｎ（−Ｃｕ）系フェライト材料に対
し、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ3 、ＣｏＯを添加するととも
に、上述のとおりに組成を限定し、これによって、Ｂｓ
値４３００Ｇ以上、さらには４５００Ｇ以上を達成し、
そして、室温（２５℃）における比抵抗を１０8 Ω・ｃ
ｍ以上という高い抵抗にして、しかも、透磁率μを３０
０以上とした高飽和磁束密度が得られた点が特徴であ
る。
ト材料は、Ｎｉ−Ｚｎ（−Ｃｕ）系フェライト材料に対
し、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ3 、ＣｏＯを添加するととも
に、上述のとおりに組成を限定し、これによって、Ｂｓ
値４３００Ｇ以上、さらには４５００Ｇ以上を達成し、
そして、室温（２５℃）における比抵抗を１０8 Ω・ｃ
ｍ以上という高い抵抗にして、しかも、透磁率μを３０
０以上とした高飽和磁束密度が得られた点が特徴であ
る。
【００１３】このようなＮｉ−Ｚｎ（−Ｃｕ）系フェラ
イト材料は、Ｆｅ2 Ｏ3 を４７．７〜５０．５モル％、
好適には４８．０〜５０．０モル％に、ＣｕＯを３．５
モル％以下、好適には、３．０モル％以下に、また、残
部がＺｎＯ、ＮｉＯであり、かつＺｎＯ／ＮｉＯのモル
比が０．８２〜１．１、好適には０．８５〜１．０であ
るものを主成分とした。
イト材料は、Ｆｅ2 Ｏ3 を４７．７〜５０．５モル％、
好適には４８．０〜５０．０モル％に、ＣｕＯを３．５
モル％以下、好適には、３．０モル％以下に、また、残
部がＺｎＯ、ＮｉＯであり、かつＺｎＯ／ＮｉＯのモル
比が０．８２〜１．１、好適には０．８５〜１．０であ
るものを主成分とした。
【００１４】Ｆｅ2 Ｏ3 が４７．７モル％未満では、Ｂ
ｓ値と透磁率μが低下し、５０．５モル％を越えると抵
抗値が低下する。ＣｕＯが３．５モル％を越えると透磁
率μやＢｓ値が低下する。ただし、ＣｕＯは必須成分で
はなく、透磁率μの向上のためには実質上含有させない
方がよく、他方、Ｂｓ値を改善させるためには含有させ
るのがよく、最適には２モル％程度がよい。また、Ｚｎ
Ｏ／ＮｉＯのモル比が０．８２未満では、透磁率μが低
下し、１．１を越えるとＢｓ値が低下する。
ｓ値と透磁率μが低下し、５０．５モル％を越えると抵
抗値が低下する。ＣｕＯが３．５モル％を越えると透磁
率μやＢｓ値が低下する。ただし、ＣｕＯは必須成分で
はなく、透磁率μの向上のためには実質上含有させない
方がよく、他方、Ｂｓ値を改善させるためには含有させ
るのがよく、最適には２モル％程度がよい。また、Ｚｎ
Ｏ／ＮｉＯのモル比が０．８２未満では、透磁率μが低
下し、１．１を越えるとＢｓ値が低下する。
【００１５】さらに上記主成分１００重量に対し、Ｂｉ
2 Ｏ3 を０．０５〜０．８重量部、好適には０．１０〜
０．５重量部で、ＭｏＯ3 を０．００５〜０．１５重量
部、好適には０．０１〜０．１重量部で含有させる。
2 Ｏ3 を０．０５〜０．８重量部、好適には０．１０〜
０．５重量部で、ＭｏＯ3 を０．００５〜０．１５重量
部、好適には０．０１〜０．１重量部で含有させる。
【００１６】本発明においては、ＣｕＯ量が少ないの
で、難焼結性になるが、焼結促進剤としてＢｉ2 Ｏ3 を
添加し、これによって焼結性を高める。そこで、Ｂｉ2
Ｏ3 が０．０５重量部未満の場合には焼結性が低下し、
０．８重量部を越えるとＢｓ値が低下する。
で、難焼結性になるが、焼結促進剤としてＢｉ2 Ｏ3 を
添加し、これによって焼結性を高める。そこで、Ｂｉ2
Ｏ3 が０．０５重量部未満の場合には焼結性が低下し、
０．８重量部を越えるとＢｓ値が低下する。
【００１７】ＭｏＯ3 は焼結密度を高くするために添加
するが、この添加量が０．００５重量部未満では透磁率
μが低下し、０．１５重量部を越えるとＢｓ値が低下す
る。
するが、この添加量が０．００５重量部未満では透磁率
μが低下し、０．１５重量部を越えるとＢｓ値が低下す
る。
【００１８】また、本発明の高飽和磁束密度フェライト
材料については、主成分１００重量部に０．２７重量部
以下、好適には０．２５重量部以下でＣｏＯを含有させ
ると、さらにＢｓ値が高くなるという点で望ましい。た
だし、０．２７重量部を越えるように添加すると透磁率
μが低下する。
材料については、主成分１００重量部に０．２７重量部
以下、好適には０．２５重量部以下でＣｏＯを含有させ
ると、さらにＢｓ値が高くなるという点で望ましい。た
だし、０．２７重量部を越えるように添加すると透磁率
μが低下する。
【００１９】本発明の高飽和磁束密度フェライト材料を
作製するには、主成分であるＦｅ2Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｎｉ
Ｏの各原料（必要に応じてＣｕＯを添加する）を上述し
た組成比率で調合し、振動ミル等で粉砕混合し、その
後、仮焼し、この仮焼粉体にＢｉ2 Ｏ3 やＭｏＯ3 を加
え、ボールミルを用いて粉砕し、その後、バインダーを
加えて造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形状
に成形し、９５０〜１４００℃の範囲で焼成する。
作製するには、主成分であるＦｅ2Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｎｉ
Ｏの各原料（必要に応じてＣｕＯを添加する）を上述し
た組成比率で調合し、振動ミル等で粉砕混合し、その
後、仮焼し、この仮焼粉体にＢｉ2 Ｏ3 やＭｏＯ3 を加
え、ボールミルを用いて粉砕し、その後、バインダーを
加えて造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形状
に成形し、９５０〜１４００℃の範囲で焼成する。
【００２０】かくして得られた焼結体については、ボイ
ドを低減させるようにして、密度を５．１ｇ／ｃｍ3 以
上、好適には５．２ｇ／ｃｍ3 以上にするとよい。密度
が５．１ｇ／ｃｍ3 未満の場合には、実効的な磁性体占
有率が低くなり、透磁率μ、Ｂｓ値等の磁気特性が低下
する。
ドを低減させるようにして、密度を５．１ｇ／ｃｍ3 以
上、好適には５．２ｇ／ｃｍ3 以上にするとよい。密度
が５．１ｇ／ｃｍ3 未満の場合には、実効的な磁性体占
有率が低くなり、透磁率μ、Ｂｓ値等の磁気特性が低下
する。
【００２１】なお、本発明の高飽和磁束密度フェライト
材料は上記成分以外のものを排除するものではない。た
とえば、ＭｎＯを０．１５重量部以下の範囲で、あるい
はＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｋ2 Ｏ、Ｓ
等をいずれも０．０５重量部未満の範囲で含んでもよ
い。
材料は上記成分以外のものを排除するものではない。た
とえば、ＭｎＯを０．１５重量部以下の範囲で、あるい
はＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｋ2 Ｏ、Ｓ
等をいずれも０．０５重量部未満の範囲で含んでもよ
い。
【００２２】つぎに本発明の高飽和磁束密度フェライト
材料を用いて作製したフェライトコアについて、その例
を図１により説明する。
材料を用いて作製したフェライトコアについて、その例
を図１により説明する。
【００２３】図１の（ａ）はリング状のトロイダルコア
１を示し、（ｂ）はボビン状コア２を示し、それぞれの
巻き線部１ａ、２ａに巻き線を施すことによってコイル
をなす。そして、ＤＣ−ＤＣコンバータ等、各種電気の
電源やノイズ除去用のチョークコイル等に使用できる。
１を示し、（ｂ）はボビン状コア２を示し、それぞれの
巻き線部１ａ、２ａに巻き線を施すことによってコイル
をなす。そして、ＤＣ−ＤＣコンバータ等、各種電気の
電源やノイズ除去用のチョークコイル等に使用できる。
【００２４】
【実施例】（例１）４９．５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、２
モル％のＣｕＯと、残部がＺｎＯ、ＮｉＯであり、かつ
ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．０になるように調合した
主成分を振動ミルで混合した後、８００℃〜９５０℃で
仮焼した。この仮焼粉体に表１に示す量のＣｏＯとＢｉ
2 Ｏ3 とＭｏＯ3 を添加し、ボールミルにて粉砕した
後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧縮成型して図
１に示すトロイダルコア１の形状に成形し、この成形体
を９５０〜１４００℃で焼成し、これによって試料Ｎ
ｏ．１〜１８を作製した。この焼成において、焼結性の
良否を○と×との２分し、○は１４００℃以下で
もって焼結する場合であり、×は１４００℃を越える
温度にまで高めることで焼結する場合である。なお、試
料Ｎｏ．６〜８を除き、いずれの試料も焼結体密度が
５．１ｇ／ｃｍ3 以上である。
モル％のＣｕＯと、残部がＺｎＯ、ＮｉＯであり、かつ
ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．０になるように調合した
主成分を振動ミルで混合した後、８００℃〜９５０℃で
仮焼した。この仮焼粉体に表１に示す量のＣｏＯとＢｉ
2 Ｏ3 とＭｏＯ3 を添加し、ボールミルにて粉砕した
後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧縮成型して図
１に示すトロイダルコア１の形状に成形し、この成形体
を９５０〜１４００℃で焼成し、これによって試料Ｎ
ｏ．１〜１８を作製した。この焼成において、焼結性の
良否を○と×との２分し、○は１４００℃以下で
もって焼結する場合であり、×は１４００℃を越える
温度にまで高めることで焼結する場合である。なお、試
料Ｎｏ．６〜８を除き、いずれの試料も焼結体密度が
５．１ｇ／ｃｍ3 以上である。
【００２５】
【表１】
【００２６】これら各試料の焼結体でもってトロイダル
コア１の形状となし、これに線径０．２ｍｍの被膜銅線
を７ターン巻き付けて１００ＫＨｚで初透磁率μを測定
した。
コア１の形状となし、これに線径０．２ｍｍの被膜銅線
を７ターン巻き付けて１００ＫＨｚで初透磁率μを測定
した。
【００２７】また、各トロイダルコア１に、図２に示す
ように線径０．２ｍｍの被膜銅線を用いて一次側巻き線
３を１００ターン、二次側巻き線４を３０ターン巻き付
けて、一次側巻き線３に電源５を、二次側巻き線４に磁
束計６をそれぞれ接続し、１００Ｈｚ、５００ｍＡの条
件でＢｓ値を測定した。また、抵抗値はＪＩＳ−Ｃ−２
１４１の規格にしたがって測定した。これらの結果も表
１に示す。
ように線径０．２ｍｍの被膜銅線を用いて一次側巻き線
３を１００ターン、二次側巻き線４を３０ターン巻き付
けて、一次側巻き線３に電源５を、二次側巻き線４に磁
束計６をそれぞれ接続し、１００Ｈｚ、５００ｍＡの条
件でＢｓ値を測定した。また、抵抗値はＪＩＳ−Ｃ−２
１４１の規格にしたがって測定した。これらの結果も表
１に示す。
【００２８】表１に示す結果から明らかなとおり、本発
明の試料Ｎｏ．９〜１４および試料Ｎｏ．１６、１７に
ついては、焼結性が良好であり、透磁率μが３００以上
にまで高く、さらにＢｓ値が４４００Ｇ以上あり、しか
も、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上あった。また、試料Ｎ
ｏ．１３、１４、１６および１７については、ＣｏＯを
添加したことで、Ｂｓ値が４５００Ｇ以上になった。
明の試料Ｎｏ．９〜１４および試料Ｎｏ．１６、１７に
ついては、焼結性が良好であり、透磁率μが３００以上
にまで高く、さらにＢｓ値が４４００Ｇ以上あり、しか
も、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上あった。また、試料Ｎ
ｏ．１３、１４、１６および１７については、ＣｏＯを
添加したことで、Ｂｓ値が４５００Ｇ以上になった。
【００２９】これに対し、試料Ｎｏ．６〜８ではＢｉ2
Ｏ3 が添加されていないので、焼結性が低下し、焼結体
密度が５．１ｇ／ｃｍ3 未満になる。また、試料Ｎｏ．
１〜３ではＢｉ2 Ｏ3 が０．８重量部を越えるので、Ｂ
ｓ値が低い。また、試料Ｎｏ．１、４、６ではＭｏＯ3
が添加されていないので、透磁率μが低く、試料Ｎｏ．
３、５、８では０．１５重量部を越えるので、Ｂｓ値が
低い。さらにまた、試料Ｎｏ．１５、１８ではＣｏＯを
０．２７重量部を越えるので、透磁率μが低い。
Ｏ3 が添加されていないので、焼結性が低下し、焼結体
密度が５．１ｇ／ｃｍ3 未満になる。また、試料Ｎｏ．
１〜３ではＢｉ2 Ｏ3 が０．８重量部を越えるので、Ｂ
ｓ値が低い。また、試料Ｎｏ．１、４、６ではＭｏＯ3
が添加されていないので、透磁率μが低く、試料Ｎｏ．
３、５、８では０．１５重量部を越えるので、Ｂｓ値が
低い。さらにまた、試料Ｎｏ．１５、１８ではＣｏＯを
０．２７重量部を越えるので、透磁率μが低い。
【００３０】（例２）つぎに（例１）の本発明の試料を
作製するに当たって、添加成分であるＣｏＯを０．１重
量部、Ｂｉ2 Ｏ3 を０．１重量部、ＭｏＯ3 を０．０１
重量部にして、主成分の組成比を表２に示すように幾と
おりにも変え、その他の条件を（例１）とまったく同じ
にしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎｏ．１９〜
３４を得た
作製するに当たって、添加成分であるＣｏＯを０．１重
量部、Ｂｉ2 Ｏ3 を０．１重量部、ＭｏＯ3 を０．０１
重量部にして、主成分の組成比を表２に示すように幾と
おりにも変え、その他の条件を（例１）とまったく同じ
にしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎｏ．１９〜
３４を得た
【００３１】
【表２】
【００３２】これら各試料に対し、（例１）と同様に透
磁率μとＢｓ値と抵抗を測定したところ、表２に示すよ
うな結果が得られた。また、各試料の密度をアルキメデ
ス法によって測定した。
磁率μとＢｓ値と抵抗を測定したところ、表２に示すよ
うな結果が得られた。また、各試料の密度をアルキメデ
ス法によって測定した。
【００３３】表２に示す結果から明らかなとおり、本発
明の試料Ｎｏ．２６〜３３については、焼結性が良好で
あり、透磁率μが３００以上あり、さらにＢｓ値が４５
５０Ｇ以上あり、しかも、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上
あった。
明の試料Ｎｏ．２６〜３３については、焼結性が良好で
あり、透磁率μが３００以上あり、さらにＢｓ値が４５
５０Ｇ以上あり、しかも、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上
あった。
【００３４】しかるに、試料Ｎｏ．１９、２０ではＦｅ
2 Ｏ3 量が少なく、Ｂｓ値が低かった。試料Ｎｏ．２
２、２３ではＦｅ2 Ｏ3 量が多く、そのために比抵抗が
低い。また、試料Ｎｏ．２０、２１、２３ではＣｕＯ量
が多く、そのために透磁率μが低い。さらにまた、Ｚｎ
Ｏ／ＮｉＯのモル比が０．８２未満の試料Ｎｏ．２４で
は、透磁率μが低く、１．１を越える試料Ｎｏ．２５で
は、Ｂｓ値が低い。そして、密度が５．１ｇ／ｃｍ3 以
下の試料Ｎｏ．３４では透磁率μ、Ｂｓ値ともに低かっ
た。
2 Ｏ3 量が少なく、Ｂｓ値が低かった。試料Ｎｏ．２
２、２３ではＦｅ2 Ｏ3 量が多く、そのために比抵抗が
低い。また、試料Ｎｏ．２０、２１、２３ではＣｕＯ量
が多く、そのために透磁率μが低い。さらにまた、Ｚｎ
Ｏ／ＮｉＯのモル比が０．８２未満の試料Ｎｏ．２４で
は、透磁率μが低く、１．１を越える試料Ｎｏ．２５で
は、Ｂｓ値が低い。そして、密度が５．１ｇ／ｃｍ3 以
下の試料Ｎｏ．３４では透磁率μ、Ｂｓ値ともに低かっ
た。
【００３５】（例３）つぎに（例１）の本発明の試料を
作製するに当たって、ＣｏＯを含有させないで、添加成
分であるＢｉ2 Ｏ3 を０．１重量部、ＭｏＯ3 を０．０
１重量部にして、主成分の組成比を表３に示すようにＣ
ｕＯをまったく添加しないで、さらにＦｅ2 Ｏ3 および
ＺｎＯ／ＮｉＯを幾とおりにも変え、その他の条件を
（例１）と同じにしてトロイダルコア１の形状をなす試
料Ｎｏ．３５〜４０を得た。これら各試料に対し、（例
１）と同様に透磁率μ、Ｂｓ値、抵抗ならびに密度を測
定したところ、表３に示すような結果が得られた。
作製するに当たって、ＣｏＯを含有させないで、添加成
分であるＢｉ2 Ｏ3 を０．１重量部、ＭｏＯ3 を０．０
１重量部にして、主成分の組成比を表３に示すようにＣ
ｕＯをまったく添加しないで、さらにＦｅ2 Ｏ3 および
ＺｎＯ／ＮｉＯを幾とおりにも変え、その他の条件を
（例１）と同じにしてトロイダルコア１の形状をなす試
料Ｎｏ．３５〜４０を得た。これら各試料に対し、（例
１）と同様に透磁率μ、Ｂｓ値、抵抗ならびに密度を測
定したところ、表３に示すような結果が得られた。
【００３６】
【表３】
【００３７】表３に示す結果から明らかなとおり、本発
明の試料Ｎｏ．３５〜３８については、焼結性が良好で
あり、透磁率μが３８０以上あり、さらにＢｓ値が４４
００Ｇ以上あり、しかも、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上
あった。しかるに、密度が５．１ｇ／ｃｍ3 以下の試料
Ｎｏ．３９〜４０では透磁率μ、Ｂｓ値ともに低かっ
た。
明の試料Ｎｏ．３５〜３８については、焼結性が良好で
あり、透磁率μが３８０以上あり、さらにＢｓ値が４４
００Ｇ以上あり、しかも、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上
あった。しかるに、密度が５．１ｇ／ｃｍ3 以下の試料
Ｎｏ．３９〜４０では透磁率μ、Ｂｓ値ともに低かっ
た。
【００３８】（例４）つぎに（例１）の本発明の試料を
作製するに当たって、添加成分であるＣｏＯを０．１重
量部、Ｂｉ2 Ｏ3 を０．１重量部、ＭｏＯ3 を０．０１
重量部にして、主成分の組成比を表４に示すようにＣｕ
Ｏをまったく添加しないで、さらにＦｅ2 Ｏ3 およびＺ
ｎＯ／ＮｉＯを幾とおりにも変え、その他の条件を（例
１）と同じにしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎ
ｏ．４１〜４６を得た。これら各試料に対し、（例１）
と同様に透磁率μ、Ｂｓ値、抵抗および密度を測定した
ところ、表４に示すような結果が得られた。
作製するに当たって、添加成分であるＣｏＯを０．１重
量部、Ｂｉ2 Ｏ3 を０．１重量部、ＭｏＯ3 を０．０１
重量部にして、主成分の組成比を表４に示すようにＣｕ
Ｏをまったく添加しないで、さらにＦｅ2 Ｏ3 およびＺ
ｎＯ／ＮｉＯを幾とおりにも変え、その他の条件を（例
１）と同じにしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎ
ｏ．４１〜４６を得た。これら各試料に対し、（例１）
と同様に透磁率μ、Ｂｓ値、抵抗および密度を測定した
ところ、表４に示すような結果が得られた。
【００３９】
【表４】
【００４０】表４に示す結果から明らかなとおり、本発
明の試料Ｎｏ．４１〜４４については、焼結性が良好で
あり、透磁率μが３６０以上あり、さらにＢｓ値が４５
００Ｇ以上あり、しかも、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上
あった。しかるに、密度が５．１ｇ／ｃｍ3 以下の試料
Ｎｏ．４５、４６では透磁率μ、Ｂｓ値ともに低かっ
た。
明の試料Ｎｏ．４１〜４４については、焼結性が良好で
あり、透磁率μが３６０以上あり、さらにＢｓ値が４５
００Ｇ以上あり、しかも、比抵抗が１０8 Ω・ｃｍ以上
あった。しかるに、密度が５．１ｇ／ｃｍ3 以下の試料
Ｎｏ．４５、４６では透磁率μ、Ｂｓ値ともに低かっ
た。
【００４１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の高飽和磁束密度
フェライト材料によれば、４７．７〜５０．５モル％の
Ｆｅ2 Ｏ3 と、３．５モル％以下（０を含む）のＣｕＯ
と、残部がＺｎＯおよびＮｉＯであり、かつＺｎＯ／Ｎ
ｉＯのモル比が０．８２〜１．１である主成分１００重
量に対し、０．０５〜０．８重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、
０．００５〜０．１５重量部のＭｏＯ3 を含有させるこ
とで、比抵抗１０8 Ω・ｃｍ以上、透磁率μ３００以上
の高飽和磁束密度を得るとともに、ＢＳ値が４３００Ｇ
以上達成できた。
フェライト材料によれば、４７．７〜５０．５モル％の
Ｆｅ2 Ｏ3 と、３．５モル％以下（０を含む）のＣｕＯ
と、残部がＺｎＯおよびＮｉＯであり、かつＺｎＯ／Ｎ
ｉＯのモル比が０．８２〜１．１である主成分１００重
量に対し、０．０５〜０．８重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、
０．００５〜０．１５重量部のＭｏＯ3 を含有させるこ
とで、比抵抗１０8 Ω・ｃｍ以上、透磁率μ３００以上
の高飽和磁束密度を得るとともに、ＢＳ値が４３００Ｇ
以上達成できた。
【００４２】また、本発明においては、さらにＣｏＯを
含有させることで、いっそう高いＢＳ値が得られた。
含有させることで、いっそう高いＢＳ値が得られた。
【００４３】さらにまた、本発明の高飽和磁束密度フェ
ライト材料を用いて、フェライトコアを作製すること
で、小型化でき、そして、大きな電流を流すことがで
き、これにより、このフェライトコアを電源用に用いる
ことで、各種電子機器が小型化できた。
ライト材料を用いて、フェライトコアを作製すること
で、小型化でき、そして、大きな電流を流すことがで
き、これにより、このフェライトコアを電源用に用いる
ことで、各種電子機器が小型化できた。
【図１】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明のフェラ
イトコアを示す斜視図である。
イトコアを示す斜視図である。
【図２】飽和磁束密度Ｂｓの値の測定方法を示す説明図
である。
である。
１ リング状トロイダルコア ２ ボビン状コア １ａ、２ａ 巻き線部 ３ 一次側巻き線 ４ 二次側巻き線 ５ 電源 ６ 磁束計
Claims (3)
- 【請求項１】４７．７〜５０．５モル％のＦｅ2 Ｏ
3 と、３．５モル％以下（０を含む）のＣｕＯと、残部
がＺｎＯおよびＮｉＯであり、かつＺｎＯ／ＮｉＯのモ
ル比が０．８２〜１．１である主成分１００重量に対
し、０．０５〜０．８重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．００
５〜０．１５重量部のＭｏＯ3 を含有することを特徴と
する高飽和磁束密度フェライト材料。 - 【請求項２】請求項１記載の主成分１００重量部に０．
２７重量部以下のＣｏＯを含有することを特徴とする高
飽和磁束密度フェライト材料。 - 【請求項３】請求項１または請求項２の高飽和磁束密度
フェライト材料でもって所定形状になしたフェライトコ
ア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02956998A JP3544615B2 (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 高飽和磁束密度フェライト材料およびこれを用いたフェライトコア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02956998A JP3544615B2 (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 高飽和磁束密度フェライト材料およびこれを用いたフェライトコア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233330A true JPH11233330A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3544615B2 JP3544615B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=12279766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02956998A Expired - Fee Related JP3544615B2 (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 高飽和磁束密度フェライト材料およびこれを用いたフェライトコア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3544615B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
| CN109336578A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-02-15 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和用途 |
| JP2021040014A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 株式会社村田製作所 | フェライトコアおよび巻線型コイル部品 |
-
1998
- 1998-02-12 JP JP02956998A patent/JP3544615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
| CN109336578A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-02-15 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和用途 |
| JP2021040014A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 株式会社村田製作所 | フェライトコアおよび巻線型コイル部品 |
| US11710594B2 (en) | 2019-09-03 | 2023-07-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ferrite core and winding coil component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3544615B2 (ja) | 2004-07-21 |
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