JPH11224941A - プログラム可能なカラーバランスを有するアクティブピクセルセンサの製造方法 - Google Patents
プログラム可能なカラーバランスを有するアクティブピクセルセンサの製造方法Info
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Abstract
得るため、電圧依存の信号処理を行うと、センサにてノ
イズを発生する。 【解決手段】 ピクセルアーキテクチャ20は、各色
ごとに転送ゲートバスを有している。例えば、TGgバ
ス1は列A内の緑ピクセルの各転送ゲート24に接続さ
れ、TGrバス2は列A内の赤ピクセルの各転送ゲート
24に接続されている。各色毎にバスを有しており、色
毎にPD22に電荷を蓄積する時間を決めることが可能
である。このように、PD22に蓄積される電荷に依存
した方法でカラーバランスを測るので、回路のノイズを
減らすことが可能である。
Description
ルセンサ(APS)と称される半導体光センサおよびイ
メージャに関し、特に、高い信号対雑音比(SN比)を
維持しつつ、カラーイメージセンサにプログラム可能な
カラーバランスを提供する手段に関する。
その各ピクセルは通常、光感知手段、リセット手段、電
荷転送手段、電荷−電圧変換手段、および増幅器全体ま
たは一部を含む。APS装置は、イメージャ内の各ライ
ンまたは行が選択され、行および列選択信号を用いて読
み出す(各々、メモリ装置のワードおよびビットライン
に相当する)ことにより動作される。
1および図2に示す。図1のピクセルは、フォトダイオ
ード(PD)またはフォトゲート(PG)のいずれかで
ある光検出器(PDET)、転送ゲート(TG)、浮遊
拡散領域(FD)、リセットゲート(RG)を含むリセ
ットトランジスタ、行選択ゲート(RSG)を含む行選
択トランジスタ、および信号トランジスタ(SIG)と
を有する。図2のピクセルは、一般的にはフォトダイオ
ード(PD)である光検出器(PDET)、リセットゲ
ート(RG)を含むリセットトランジスタ、行選択ゲー
ト(RSG)を含む行選択トランジスタ、および信号ト
ランジスタ(SIG)を有する。従来型の全てのピクセ
ルでは、上述の行単位センサ読み出しモードを容易に実
施するために、一つのピクセル内のTGノード、RGノ
ード、およびRSGノードは、ピクセル一列に対して割
り当てられた単一のバスにて接続される。図1のピクセ
ルの蓄積時間は、TGが動作停止され蓄積が開始された
時点から、その後動作されてFDに電荷を転送するまで
の時間であるため、その行の各ピクセルの蓄積時間は同
じである。蓄積時間が、RGが動作されPDがリセット
された時点から、読み出し信号が印加されPD内の電荷
が読み出されるまでの時間である図2のピクセルにおい
ても同様に、行の各ピクセルの蓄積時間は同じである。
常、各行の撮像が他の行へ一時的に置き換えられ、順次
実行される。そして、各行は同じ蓄積時間を有する。カ
ラー撮像時においては、イメージセンサにはカラーフィ
ルタアレー(CFA)がかけられる。これらの個々のカ
ラーフィルタは通常、異なる量の光エネルギーを通過さ
せ、センサに入射させる。カラーフィルタは元来、カラ
ーバランスまたはディスプレイ目的のために要求される
光エネルギーを、必要量は通過させない。
力がアナログかデジタルかに係わらず、センサ出力には
信号処理を実施しなければならない。それによって、各
カラーチャンネルに適切な利得を供給し、所望のカラー
バランスを生成する。APS装置では、この電圧依存の
信号処理はチップ上にて実施できるが、それによる欠点
を以下に挙げる。
のシリコン面積および電力を消費し、フレームレートを
低下させる。
いてカラーバランスを改良したAPS装置が必要とされ
ていることは明白であろう。
回避しつつ、プログラム可能なカラーバランスをカラー
イメージセンサにて実施可能にすることにより、上記の
問題の解決を図る。電圧依存の信号処理を実施しないプ
ログラマブルカラーバランス手段を提供する一つのアプ
ローチは、各カラーの蓄積時間を調節することである。
それを実施すると、ピクセル内に生成される信号電荷は
所望のカラーバランスに比例しており、その後の処理は
全く必要が無い。本発明は、いずれの所定のカラーに対
しても個別に蓄積を制御する方法を提供する。その際、
同じセンサ読み出し機構を保持し、また従来技術の装置
において必要な更なる電圧依存のカラーバランス信号処
理を不要とする。以上は、所定の行内の各カラーに、別
々の転送ゲートバスまたはリセットゲートバスを設ける
ことにより可能になる。このようにして、所定の行の各
カラーの蓄積時間は、個別に制御される。
ためのものである。本発明の一つの態様にしたがって要
約すれば、本発明は半導体イメージセンサであって、半
導体基板の主要表面上に形成され、その各々が光検出器
を有する複数のピクセルと、前記ピクセルに配列され少
なくとも二つの異なる色から成る複数のカラーフィルタ
と、光検出器に近接し複数の電極の一つに制御される転
送ゲートとを含む。その転送ゲートは、所定の電圧が転
送ゲートの前記電極に印加されると、光検出器に近接す
る静電位を変調させ、静電位を光検出器から感知ノード
へ転送する。半導体イメージセンサは更に、異なる色の
各色に対して少なくとも一つのカラーバスが設けられる
よう配置される複数のバスを含む。各バスは前記電極の
一つを介して、異なる色の一つのみと関連する転送ゲー
トと動作が連係するよう接続される。半導体イメージセ
ンサはまた、各カラーバスに対して少なくとも一つの接
続を有し、所定の電圧をバスにて所定のタイミングで発
生させることが可能なタイミング回路を含む。この半導
体イメージセンサにおいては、各異なる色に対して、タ
イミング回路によって他の異なる色に関係なく制御され
る蓄積期間を設定することができる。
用が効率的である、信号対雑音比(SN比)が高い、並
びにプログラム可能なカラーバランスを提供する、とい
う点が挙げられる。
特徴、並びに利点は、以下の好適な実施形態の詳細な説
明を読むことおよび添付図面を参照することにより、よ
り明確に理解されよう。なお、添付の複数の図面に共通
の要素は、理解しやすくするために、できるかぎり類似
の符号を付してある。
構想される新しいピクセル構成を、図3、図4、図5、
および図6に示す。本発明は、他の物理的実施形態にて
も実施可能である。図3、図4,図5,図6に示す実施
形態が選ばれた理由は、本発明者が知る限り、それらが
本発明にとって最適な実施形態であるからである。
を形成するように配置されたピクセルを有するセンサに
本発明を組み入れた、四つのピクセルのアレーを示す。
図3および図4の各図では、ピクセルは象限を形成する
よう配置されている。この象限は、二つのピクセルを含
む二つの行から成る。二つの行が並列することによっ
て、列越しに隣接するピクセルが二対存在する。図示さ
れるCFAパターンは、ベイヤー方式のCFAパターン
に基づいており、第一の列では赤と緑のピクセルが交互
に並び、次の列では緑と青のピクセルが交互に並ぶ。そ
して、続く列の緑のピクセルが前の列の緑のピクセルと
列越しに隣接しないよう配置される。各図内の各ピクセ
ルの構造的レイアウトは同じであり、同様の位置に同様
の要素が配置されている。
が、それぞれ図1および図2に示すピクセルと近似して
いることは明白であろう。それにより、本発明の概念が
従来技術と比較されて明確に説明される。
0は、フォトダイオードまたはフォトゲートのいずれか
である光検出器(PD)22と、転送ゲート(TG)2
4と、浮遊拡散領域(FD)25と、リセットゲート
(RG)を含むリセットトランジスタと、列選択ゲート
(RSG)29を含む列選択トランジスタ28と、信号
トランジスタ(SIG)21とを有する。従来技術の装
置では、一ピクセル内の転送ゲート、リセットゲート、
および列選択ノードは各々、各ピクセル列ごとのバスに
よって接続されており、センサの列単位での読み出しが
実施しやすくなっている。図1の従来技術のピクセルに
おける蓄積期間は、転送ゲートが動作停止された時点で
開始し、転送ゲートが動作されて電荷が浮遊拡散領域へ
転送される時点で終了する。所定の列内の各ピクセルの
転送ゲートはすべて単一のバスによって接続されている
ため、その列の各ピクセルの蓄積期間は本質的に同じで
ある。
ート24の位置は、各列にて二つの個別の転送ゲート信
号バス1および2、または3および4によって配線でき
るよう設計されている。本実施形態では、列Aに緑転送
ゲート(TGg)バス1と赤転送ゲート(TGr)バス
2が設けられ、列BにTGgバス3と青転送ゲート(T
Gb)バス4が設けられる。列AのTGrバス2は、列
A内の赤ピクセルの各転送ゲート24に電気的に接続す
る。列AのTGgバス1は、その列内の緑ピクセルの全
ての転送ゲート24に電気的に接続する。列BのTGg
バス3は、列B内の緑ピクセルの各転送ゲート24に電
気的に接続し、列BのTGbバス4は、列B内の青ピク
セルの各転送ゲート24に電気的に接続する。
作モードを、図3に伴い図11を参照しながら以下に説
明する。このモードは、焦点面シャッターモードと称さ
れる。図3に示す本構成は、他のモードでも使用できる
よう構想されているが、本構成には以下に説明するモー
ドが最適であると発明者は考える。図3に示すピクセル
アーキテクチャ20内で用いる色のうち、赤が最も感度
が高いと考えられ、青が最も感度が低いと考えられる。
イメージセンサはまず図11に示すように、全ての転送
ゲート24およびリセットゲートが時刻T1の以前に動
作されることにより、初期化される。列Aの蓄積期間を
開始するには、TGgバス1が動作停止され、光検出器
22内に電荷が蓄積される。これは、列A内の全ての緑
ピクセルに同時に実施される。所定時間後、TGrバス
2が動作停止され、列A内の全ての赤ピクセルが電荷の
蓄積を始める。この時点で列A内の全てのピクセルが、
蓄積期間に入っている。列Aでは所望の期間蓄積が実施
される。その間、FDはリセットされ、リセットレベル
がサンプルされ保持される。続いて、TGrバス2およ
びTGgバス1両方が同時に動作され、信号電荷は浮遊
拡散領域へ転送される。その信号レベルは、サンプルさ
れ保持される。以上の間、列Bでも蓄積が実施されてい
る。TGbバス4がまず、TGgバス3より列時間上早
い時点で動作停止され、その後にTGrバスの動作停止
が続く。続いて列Bは、列Aと同様に読み出される。以
上の過程が、イメージセンサの全ての列において実施さ
れる。その実施は、同じtgのタイミング、即ち奇数列
は列Aと同じ、遇数列は列Bと同じタイミングにて行わ
れる。列時間内のtg動作停止の相対的位置によって決
定される相対的蓄積時間は、所望のカラーバランスが得
られるよう調節される。最も感度の低い色は、最も長い
蓄積時間を有する。即ち、そうであるようプログラムさ
れている。他の色の蓄積時間は、それに比べて適切に短
く設定され、プログラムされた最も長い蓄積時間の比率
で設定することも可能である。図12は、図3の装置の
他の動作モードを示し、そこでは全ての蓄積期間は同じ
時間範囲に重なっている。
0は、通常はフォトダイオードである光検出器(PD)
32と、リセットゲート(RG)37を含むリセットト
ランジスタと、列選択ゲート(RSG)を含む列選択ト
ランジスタ38と、信号トランジスタ(SIG)31と
を有する。これは、一列の各ピクセルの蓄積期間が同じ
である、図2に示す従来技術の装置と類似の構成であ
る。その従来技術の装置において蓄積期間は、光検出器
がリセットされた後リセットゲートが動作停止された時
点から、光検出器内の電荷を読み出すよう読み出し信号
が印加される時点までである。所定の列内の各ピクセル
のリセットゲートは単一のバスで接続されているため、
それらピクセルの蓄積期間は本質的に同じである。
個別のリセットゲートバス6および7、または8および
9が配線できるよう設計されている。図4によれば、列
Aに緑リセットゲート(RGg)バス6と赤リセットゲ
ート(RGr)バス7が備えられ、列BにはRGgバス
8と青リセットゲート(RGb)バス9が備えられる。
列AのRGrバス7は、その列内の全ての赤ピクセルの
リセットゲート37に電気的に接続する。列AのRGg
バス6は、その列内の全ての緑ピクセルのリセットゲー
ト37に電気的に接続する。列BのRGgバス8は、列
B内の全ての緑ピクセルのリセットゲート37に電気的
に接続し、列BのRGbバス9は、列B内の全ての青ピ
クセルのリセットゲート37に電気的に接続する。
の特徴を有する。ただし、図4のアーキテクチャには転
送ゲートがなく、リセットゲート37を用いて蓄積期間
を設定する点が異なる。使用する光検出器32の種類に
よって、ピクセルアーキテクチャ30では蓄積期間の設
定にリセットゲート37を用いることが可能になる。光
検出器32は、標準的なフォトダイオード、またはピン
接続部33およびピン非接続部34の両方を含む部分的
にピン接続されたフォトダイオード、のいずれかであ
る。光検出器の大部分はピン接続されたフォトダイオー
ドであり、ピン接続部33によって形成される。ピン非
接続部34は、信号トランジスタ31の入力ノードとし
て使用される浮遊領域として機能する。
4を参照しながら以下に説明する。図4に示すピクセル
アーキテクチャ30内で使用される色のうち、図3に関
して前述したと同じく、赤が最も感度が高いと考えら
れ、青が最も感度が低いと考えられる。イメージセンサ
は、リセットゲート37が動作されることにより初期化
される。列Aの蓄積期間を開始するには、RGgバス6
が動作停止され、電荷が光検出器32に蓄積される。こ
れは、列A内の全ての緑ピクセルに同時に実施される。
所定時間後、RGrバス7が動作停止され、列A内の全
ての赤ピクセルが電荷の蓄積を始める。列Aでは所望の
期間蓄積が実施され、その後信号レベルがサンプルされ
保持される。続いて、両色のピクセルのリセットゲート
が動作され、リセットレベルがサンプルされる。以上の
間、列Bでも蓄積が実施されている。RGbバス9がま
ず、RGgバス8より列時間上早い時点で動作停止され
る。続いて列Bは、列Aと同様に読み出される。以上の
過程が、イメージセンサの全ての列において実施され
る。その実施は、同様のタイミング、即ち奇数列は列A
と同じ、遇数列は列Bと同じタイミングにて行われる。
列時間内でのリセットゲート37の動作停止によって決
定される相対的蓄積時間は、所望のカラーバランスが得
られるよう調節される。最も感度の低い色は、最も長い
蓄積時間を有する。即ち、そうであるようプログラムさ
れている。他の色の蓄積時間は、それに比べて適切に短
く設定され、プログラムされた最も長い蓄積時間の比率
で設定することも可能である。
の電荷依存の方法では、ノイズ電子の蓄積が最小限に押
さえられるので、SN比が向上される。また、回路ノイ
ズを増加させ、ピクセル電子ノイズを発生させる基板電
位の揺らぎを誘発させる可能性のある、信号処理の必要
量が低減される。
コン面積の利用と高いSN比を特徴とする、プログラム
可能なカラーバランス達成手段を提供する。図示するベ
イヤー方式のCFAパターンでは、一列につき一本、追
加の金属ラインが必要である。他のCFAパターンで
は、一列につき一本より多くの追加のバスが必要な場合
もある。しかし、CMOS(相補型金属酸化膜半導体)
製造プロセスでは多くの金属層が設けられ、金属層は互
いに重なり合って配置されることができ、またピクセル
内には追加のトランジスタやゲートは必要ないことか
ら、一本の金属線の追加が充填率に悪影響を及ぼすこと
はない。更に本アーキテクチャは、現在の単一増幅器読
み出し機構と共に使用でき、同一のピクセルを使用して
いることから、イメージサンプリングアパーチャの違い
に起因するイメージアーティファクトは発生しない。な
お、一列につきいくつかのロジックデコーダ回路が必要
となる。しかし、これらはイメージアレー外のCMOS
ロジックに組み込まれるため、ピクセルおよびイメージ
アレー領域に悪影響を及ぼすことはない。またロジック
デコーダ回路は列ごとにて動作するため、イメージ処理
信号回路にノイズを発生させることはない。
セットゲート信号バスを設置するという概念は、上述し
たとおり列ごとにだけでなく、イメージアレー全体にも
適用可能である。この適用は、機械的シャッターが読み
出し期間中閉鎖され、フレーム撮像モードでの動作が容
易になっている場合に好ましい。
を、三重リニア装置(tri-linear device)40におい
て示す。この装置の動作のためのタイミングチャート
を、図13および図14に示す。三重リニア装置40
は、リニアセンサ80、81、および82を含む。各リ
ニアセンサ80,81,82は、フォトダイオード42
を含む光検出器と、転送ゲート43と、浮遊拡散領域4
4とを有する。更に各リニアセンサ80,81,82
は、列選択ゲート(RSG)、リセットゲート(R
G)、および信号トランジスタ(SIG)を含む制御回
路45を有する。ここで、三つのリニア装置80,8
1,82にはそれぞれカラーフィルタが設けられ、リニ
アセンサ80,81,82が赤、緑、または青の波長に
感度を有するよう設定されている。更に重要なことに、
各リニアセンサ80,81,82には個別の転送ゲート
バスTGr、TGg、およびTGbがそれぞれ備えられ
ている。それにより各リニアセンサ80,81,82に
とって独自の蓄積期間を、転送ゲートバスを通じて個別
に制御することができる。
に配列された他の実施形態を示す。本実施形態のアクテ
ィブピクセルセンサ75は個別のリニアセンサ83、8
4、および85を含み、各リニアセンサは、リセットゲ
ート48に隣接してフォトダイオード47を有し、更に
信号トランジスタ(SIG)と列選択ゲート(RSG)
を含む制御回路49を有する。前述のリニア装置の実施
形態と同様に、図6の各リニアセンサ83,84,85
には個別のリセットゲートバスRGr、RGg、および
RGbが備えられており、それらバスの電位は互いに別
々に制御される。リセットゲートバスRGr,RGg,
RGbは、各リニアセンサ83,84,85の個別のリ
セット制御を可能にする。図6のリニアセンサの蓄積期
間は、ピクセルのリセット後に開始し、フォトダイオー
ド内に蓄積された電荷がSIGによって感知されるまで
続く。したがって個別のリセットゲートバスRGr,R
Gg,RGbは、各リニアセンサ83,84,85の独
立した制御を可能にする。
ンサ50を示す。このアクティブピクセルセンサは、フ
ォトゲート52から転送ゲート53を通じて浮遊拡散領
域54へ電荷を転送する、フォトゲート52をベースに
したピクセルを含む。蓄積期間は、フォトゲート52が
蓄積から放出へとスイッチされて蓄積が開始するタイミ
ングと、続いてフォトゲートが蓄積に戻されて信号電荷
が浮遊拡散領域54へ転送されるタイミングとで決定さ
れる。電荷は、浮遊拡散領域54へ転送されると、リセ
ットゲート(RG)、列選択ゲート(RSG)、および
信号(SIG)トランジスタを含む制御回路55によっ
て感知される。浮遊拡散領域は、SIGトランジスタへ
の入力部として機能する。図7の従来技術の装置では、
各イメージセンサのフォトゲート52を制御するため
に、単一のバスが備えられる。
ルセンサを示す。このアクティブピクセルセンサでは電
荷が、フォトゲート57から、制御回路59内のSIG
トランジスタに直接転送される。上述の図7の従来技術
装置と動作が類似しているが、ここでは蓄積期間は、信
号レベルの読み出し後にリセットを容易にするようフォ
トゲート57が蓄積にスイッチされる時点によって左右
される。したがって蓄積期間は、ピクセル56がリセッ
トゲート58を通じてリセットされた時点から、SIG
トランジスタがフォトゲート57の電荷レベルを読み出
す時点までである。
づくアクティブピクセルセンサを有する本発明の実施形
態を示す。このアクティブピクセルセンサでは電荷を、
フォトゲート62から転送ゲート63を通じて浮遊拡散
領域64へ転送する。蓄積期間は、フォトゲート62が
放出へスイッチされて蓄積が開始するタイミングと、続
いてフォトゲートが蓄積に戻されて信号電荷が浮遊拡散
領域64へ転送されるタイミングとで決定される。電荷
は、浮遊拡散領域64へ転送されると、リセットゲート
(RG)、列選択ゲート(RSG)、および信号(SI
G)トランジスタを含む制御回路65によって感知され
る。浮遊拡散領域は、SIGトランジスタへの入力部と
して機能する。
ピクセル71を用いるアクティブピクセルセンサ70を
有する本発明の実施形態を示す。ここでは蓄積期間は、
信号レベルの読み出し後にリセットを容易にするようフ
ォトゲート72が蓄積にスイッチされる時点によって左
右される。したがって蓄積期間は、フォトゲート72を
バイアスして蓄積へスイッチしリセットゲート73へ電
荷を転送することによってアクティブピクセルセンサ7
0内でピクセルがリセットされた時点から、SIGトラ
ンジスタがフォトゲート72の電荷レベルを読み出す時
点までである。図10に示す本発明が図8の従来技術の
ピクセルと異なる点は、赤、緑、および青それぞれに対
して個別のバスPGr、PGg、およびPGbが設けら
れ、各色のフォトゲート72を個別に制御できる点であ
る。
る、焦点面シャッターモードでの動作を表すタイミング
チャートである。各蓄積期間の長さは、適切なカラーバ
ランスを達成するよう調節されている。tgは緑ピクセ
ルの蓄積期間を表し、列Aおよび列Bそれぞれにて実施
される。trは赤ピクセルの蓄積期間を表し、蓄積期間
のうちの最短である。tbは青ピクセルの蓄積期間を表
し、蓄積期間うちの最長である。
における、グローバルシャッターモードでの動作を表す
タイミングチャートである。蓄積期間を表す記号は、図
11で使用したものと同じである。このチャートによれ
ば、各色の蓄積時間は同時に終了する。それによりイメ
ージは、全てのピクセルによって同時に撮像される。異
なる色のためのピクセルは、異なる長さの蓄積期間を有
するが、蓄積は同時に実施される。最短色(赤)の蓄積
期間は、他のチャンネルのより長い蓄積期間内に含まれ
る。
された装置における、焦点面シャッターモードでの動作
を表すタイミングチャートである。赤チャンネルの蓄積
期間は緑チャンネルのそれよりも有意に短く、緑チャン
ネルの蓄積期間は青チャンネルのそれよりも有意に短く
示されている。
された装置における、グローバルシャッターモードでの
動作を表すタイミングチャートである。この装置では、
一つのカラーチャンネル内の各ピクセル要素の蓄積は、
同時に実施される。異なる色のためのチャンネルは、異
なる長さの蓄積期間を有するが、蓄積は同時に実施され
る。ここでは各カラーチャンネルの蓄積期間は、異なる
タイミングで開始および終了することによって、各蓄積
期間の中心部が同じ時点に実施されるよう調節されてい
る。しかし蓄積期間は、このように互いにセンタリング
されている必要はない。
ードが、以上によって説明される。これらモードの明ら
かな変形は当業者にとって明白であり、本発明の範囲は
請求項にしたがってしかるべく判断される。
る。
ある。
ある。
ある。
列した実施形態を示す略図である。
図である。
た、従来技術のアクティブピクセルセンサを示す略図で
ある。
た、従来技術の他のアクティブピクセルセンサを示す略
図である。
たアクティブピクセルセンサを含む、本発明の実施形態
を示す略図である。
いたアクティブピクセルセンサを含む、本発明の実施形
態を示す略図である。
ターモードでの動作を表すタイミングチャートである。
ャッターモードでの動作を表すタイミングチャートであ
る。
ターモードでの動作を表すタイミングチャートである。
ャッターモードでの動作を表すタイミングチャートであ
る。
ト(TGr)バス、4青転送ゲート(TGb)バス、
6,8 緑リセットゲート(RGg)バス、7赤リセッ
トゲート(RGr)バス、9 青リセットゲート(RG
b)バス、20,30,60 ピクセルアーキテクチ
ャ、21,31 信号トランジスタ、22,32 光検
出器、24,43,53,63 転送ゲート、25,4
4,54,64 浮遊拡散領域、37,48,58,7
3 リセットゲート、28,38列選択トランジスタ、
29 列選択ゲート、33 ピン接続部、34 ピン非
接続部、40 三重リニア装置、42,47 フォトダ
イオード、45,49,55,59,65 制御回路、
50,70,75 アクティブピクセルセンサ、52,
57,62,72 フォトゲート、56,71 ピクセ
ル、80,81,82,83,84,85 リニアセン
サ。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板の主要表面上に形成される複
数のピクセルと、 前記ピクセルに配列された少なくとも二種類の異なる色
から成る複数のカラーフィルタと、 各前記ピクセルが感知ノードを含む光検出器を有する、
半導体を基板としたイメージセンサの製造方法であっ
て、 前記光検出器に隣接し、所定の信号をゲートに印加した
時に前記光検出器に近接する静電位を整流する制御手段
を有する複数のゲートを設けるステップと、 前記異なる色の各色に対して少なくとも一つのバスが備
えられるよう配置される複数のバスであって、その各々
が前記制御手段を介して、前記異なる色の一つのみと関
連する前記ゲートと動作が連係するよう接続する複数の
バスを設けるステップと、 前記ゲートを制御し、前記異なる色に対して個別の蓄積
時間を設定するステップと、 を有することを特徴とするイメージセンサの製造方法。
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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TW (1) | TW398155B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006121151A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Sony Corp | 信号処理方法および信号処理装置並びに物理情報取得装置 |
JP2007504770A (ja) * | 2003-09-03 | 2007-03-01 | イーストマン コダック カンパニー | 拡大したダイナミックレンジを有する画像センサ |
JP2008177593A (ja) * | 2008-02-18 | 2008-07-31 | Sony Corp | 固体撮像素子及びカメラ装置 |
JP2011520351A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-07-14 | イーストマン コダック カンパニー | 画像センサの同心露光シーケンス |
US8174598B2 (en) | 2008-06-06 | 2012-05-08 | Sony Corporation | Solid state image capture device and camera system |
KR101162555B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2012-07-05 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 그 제어 방법 |
JP2013153528A (ja) * | 2013-04-03 | 2013-08-08 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像方法 |
JP2014175832A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7387253B1 (en) * | 1996-09-03 | 2008-06-17 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader system comprising local host processor and optical reader |
US6606120B1 (en) * | 1998-04-24 | 2003-08-12 | Foveon, Inc. | Multiple storage node full color active pixel sensors |
US6239456B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-05-29 | Photobit Corporation | Lock in pinned photodiode photodetector |
US6455833B1 (en) * | 1999-03-09 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Superposed multi-junction color APS |
EP1102323B1 (en) | 1999-11-19 | 2012-08-15 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Method for detecting electromagnetic radiation using an optoelectronic sensor |
US6943837B1 (en) * | 1999-12-31 | 2005-09-13 | Intel Corporation | Method and apparatus for colormetric channel balancing for solid state image sensor using time division multiplexed sampling waveforms |
JP2001285717A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
AU5458101A (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-20 | Eyetronic S.A. | Multiwavelength optical microsensor, digital spectrophotometer and polychromator |
DE10041847A1 (de) * | 2000-08-25 | 2002-03-07 | Gavitec Gmbh | Aufnahmesensor mit einer Vielzahl von lichtempfindlichen Zellen und dessen Verwendung |
US7270273B2 (en) * | 2001-01-22 | 2007-09-18 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader having partial frame operating mode |
DE60213559T2 (de) * | 2001-01-22 | 2007-10-18 | Hand Held Products, Inc. | Optischer leser mit teilbild-ausschnitt-funktion |
US7268924B2 (en) | 2001-01-22 | 2007-09-11 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader having reduced parameter determination delay |
US7331523B2 (en) | 2001-07-13 | 2008-02-19 | Hand Held Products, Inc. | Adaptive optical image reader |
JP3711072B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2005-10-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 撮像装置 |
US7071983B2 (en) * | 2002-06-19 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for controlling photosensitive charge transfers |
US7446812B2 (en) * | 2004-01-13 | 2008-11-04 | Micron Technology, Inc. | Wide dynamic range operations for imaging |
KR100855957B1 (ko) | 2004-02-09 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 화면 주변부의 밝기를 보상하는 고체 촬상 소자 및 그구동 방법 |
US7880785B2 (en) * | 2004-07-21 | 2011-02-01 | Aptina Imaging Corporation | Rod and cone response sensor |
US7916180B2 (en) * | 2004-08-25 | 2011-03-29 | Protarius Filo Ag, L.L.C. | Simultaneous multiple field of view digital cameras |
WO2006026354A2 (en) | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Newport Imaging Corporation | Apparatus for multiple camera devices and method of operating same |
US7795577B2 (en) * | 2004-08-25 | 2010-09-14 | Richard Ian Olsen | Lens frame and optical focus assembly for imager module |
US7564019B2 (en) | 2005-08-25 | 2009-07-21 | Richard Ian Olsen | Large dynamic range cameras |
US8124929B2 (en) * | 2004-08-25 | 2012-02-28 | Protarius Filo Ag, L.L.C. | Imager module optical focus and assembly method |
US8081234B2 (en) | 2004-12-29 | 2011-12-20 | Intel Corporation | Technique for increased exposure range in image sensors |
US7911518B2 (en) * | 2005-02-01 | 2011-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Variable exposure for color image sensor |
EP2953350B1 (en) | 2005-03-11 | 2017-09-27 | Hand Held Products, Inc. | Bar code reading device with global electronic shutter control |
US7780089B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-08-24 | Hand Held Products, Inc. | Digital picture taking optical reader having hybrid monochrome and color image sensor array |
US7611060B2 (en) * | 2005-03-11 | 2009-11-03 | Hand Held Products, Inc. | System and method to automatically focus an image reader |
US7568628B2 (en) | 2005-03-11 | 2009-08-04 | Hand Held Products, Inc. | Bar code reading device with global electronic shutter control |
US7770799B2 (en) * | 2005-06-03 | 2010-08-10 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader having reduced specular reflection read failures |
US20070102622A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-05-10 | Olsen Richard I | Apparatus for multiple camera devices and method of operating same |
US7964835B2 (en) | 2005-08-25 | 2011-06-21 | Protarius Filo Ag, L.L.C. | Digital cameras with direct luminance and chrominance detection |
US7566855B2 (en) * | 2005-08-25 | 2009-07-28 | Richard Ian Olsen | Digital camera with integrated infrared (IR) response |
US20070258006A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-11-08 | Olsen Richard I | Solid state camera optics frame and assembly |
JP4486015B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2010-06-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US7427734B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-23 | Digital Imaging Systems Gmbh | Multiple photosensor pixel |
DE102006013810B4 (de) * | 2006-03-22 | 2009-06-10 | Martin Langfeld | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung von Farbinformationen eines Objektabbildes mit Hilfe eines CCD-Bildsensors im TDI-Betriebsmodus |
US8059174B2 (en) * | 2006-05-31 | 2011-11-15 | Ess Technology, Inc. | CMOS imager system with interleaved readout for providing an image with increased dynamic range |
US8184190B2 (en) * | 2006-11-28 | 2012-05-22 | Youliza, Gehts B.V. Limited Liability Company | Simultaneous global shutter and correlated double sampling read out in multiple photosensor pixels |
US7604360B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-10-20 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Integrated sensor for correlated color temperature and illuminance sensing |
US7852519B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-12-14 | Hand Held Products, Inc. | Dual-tasking decoder for improved symbol reading |
US20080198251A1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus, and system providing multiple pixel integration periods |
US8587706B2 (en) | 2008-01-30 | 2013-11-19 | Gentex Corporation | Imaging device |
US8629927B2 (en) * | 2008-04-09 | 2014-01-14 | Gentex Corporation | Imaging device |
US8227844B2 (en) * | 2008-01-14 | 2012-07-24 | International Business Machines Corporation | Low lag transfer gate device |
US8743247B2 (en) * | 2008-01-14 | 2014-06-03 | International Business Machines Corporation | Low lag transfer gate device |
DE102008027188A1 (de) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Volkswagen Ag | Bildaufnahmevorrichtung |
JP4582205B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2010-11-17 | トヨタ自動車株式会社 | 電動車両 |
US8111307B2 (en) * | 2008-10-25 | 2012-02-07 | Omnivision Technologies, Inc. | Defective color and panchromatic CFA image |
US8628015B2 (en) * | 2008-10-31 | 2014-01-14 | Hand Held Products, Inc. | Indicia reading terminal including frame quality evaluation processing |
TWI618412B (zh) * | 2008-12-16 | 2018-03-11 | 邰祐南 | 雜訊消除影像感測器 |
US8405750B2 (en) * | 2009-06-08 | 2013-03-26 | Aptina Imaging Corporation | Image sensors and image reconstruction methods for capturing high dynamic range images |
US20100316291A1 (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Shulan Deng | Imaging terminal having data compression |
US8212197B2 (en) * | 2009-07-02 | 2012-07-03 | Xerox Corporation | Image sensor with integration time compensation |
US8295601B2 (en) * | 2009-08-12 | 2012-10-23 | Hand Held Products, Inc. | Indicia reading terminal having multiple exposure periods and methods for same |
US8587595B2 (en) | 2009-10-01 | 2013-11-19 | Hand Held Products, Inc. | Low power multi-core decoder system and method |
US20110080500A1 (en) * | 2009-10-05 | 2011-04-07 | Hand Held Products, Inc. | Imaging terminal, imaging sensor having multiple reset and/or multiple read mode and methods for operating the same |
JP5446738B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5232189B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2013-07-10 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US9076706B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor based on depth pixel structure |
US9137432B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Backside illumination image sensor, operating method thereof, image processing system and method of processing image using the same |
US8913153B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-12-16 | Aptina Imaging Corporation | Imaging systems and methods for generating motion-compensated high-dynamic-range images |
US8629926B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-01-14 | Honeywell International, Inc. | Imaging apparatus comprising image sensor array having shared global shutter circuitry |
US9172889B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-10-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems and methods for generating auto-exposed high-dynamic-range images |
EP2815393B1 (en) | 2012-02-14 | 2023-04-05 | Gentex Corporation | High dynamic range imager system |
US9007488B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-04-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Systems and methods for generating interpolated high-dynamic-range images |
EP2833619B1 (en) | 2012-03-30 | 2023-06-07 | Nikon Corporation | Image pickup element and image pickup device |
US9338372B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Column-based high dynamic range imaging systems |
US9293500B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-03-22 | Apple Inc. | Exposure control for image sensors |
US9276031B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-03-01 | Apple Inc. | Photodiode with different electric potential regions for image sensors |
US9041837B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Apple Inc. | Image sensor with reduced blooming |
US9741754B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors |
US9549099B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Hybrid image sensor |
US9319611B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-19 | Apple Inc. | Image sensor with flexible pixel summing |
US9270960B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-02-23 | Marvell International Ltd. | System and method for green imbalance compensation in images |
US9596423B1 (en) | 2013-11-21 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Charge summing in an image sensor |
US9596420B2 (en) | 2013-12-05 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Image sensor having pixels with different integration periods |
US9473706B2 (en) | 2013-12-09 | 2016-10-18 | Apple Inc. | Image sensor flicker detection |
US10285626B1 (en) | 2014-02-14 | 2019-05-14 | Apple Inc. | Activity identification using an optical heart rate monitor |
US9277144B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-03-01 | Apple Inc. | System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation |
US9232150B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-01-05 | Apple Inc. | System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor |
US9584743B1 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation |
US9497397B1 (en) | 2014-04-08 | 2016-11-15 | Apple Inc. | Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison |
US9538106B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-01-03 | Apple Inc. | Image sensor having a uniform digital power signature |
US9686485B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Pixel binning in an image sensor |
US9526468B2 (en) | 2014-09-09 | 2016-12-27 | General Electric Company | Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers |
US20170061586A1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | Nokia Technologies Oy | Method, apparatus and computer program product for motion deblurring of image frames |
US9912883B1 (en) | 2016-05-10 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters |
CN109716525B (zh) | 2016-09-23 | 2020-06-09 | 苹果公司 | 堆叠式背面照明spad阵列 |
US10656251B1 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Signal acquisition in a SPAD detector |
WO2018140522A2 (en) | 2017-01-25 | 2018-08-02 | Apple Inc. | Spad detector having modulated sensitivity |
US10962628B1 (en) | 2017-01-26 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Spatial temporal weighting in a SPAD detector |
US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
US11233966B1 (en) | 2018-11-29 | 2022-01-25 | Apple Inc. | Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes |
WO2021102366A1 (en) | 2019-11-20 | 2021-05-27 | Gigajot Technology, Inc. | Scalable-pixel-size image sensor |
US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
US12069384B2 (en) | 2021-09-23 | 2024-08-20 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5848577A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-22 | Semiconductor Res Found | 固体撮像装置の画像信号読出し方法 |
JPS5856458U (ja) | 1981-10-09 | 1983-04-16 | 株式会社日立製作所 | カラ−固体撮像装置 |
DE3615342A1 (de) * | 1985-05-08 | 1986-11-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Farbbildsensor |
JPS6273878A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子 |
EP0396093B1 (en) | 1989-05-02 | 1999-06-23 | Sony Corporation | Charge transfer device having multiple registers |
US5105264A (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-14 | Eastman Kodak Company | Color image sensor having an optimum exposure time for each color |
JP2768453B2 (ja) | 1992-03-03 | 1998-06-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びそれを用いた装置 |
US5541645A (en) * | 1994-07-28 | 1996-07-30 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for dynamically determining and setting charge transfer and color channel exposure times for a multiple color, CCD sensor of a film scanner |
US5625210A (en) | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
US5903021A (en) * | 1997-01-17 | 1999-05-11 | Eastman Kodak Company | Partially pinned photodiode for solid state image sensors |
-
1997
- 1997-10-29 US US08/960,418 patent/US6714239B2/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-11 TW TW087115189A patent/TW398155B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-17 DE DE69839471T patent/DE69839471D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-17 EP EP98203495A patent/EP0913869B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-22 JP JP30080698A patent/JP4220032B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-29 KR KR1019980045756A patent/KR100592619B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101162555B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2012-07-05 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 그 제어 방법 |
US8513710B2 (en) | 2002-10-17 | 2013-08-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and control method for same |
US8547463B2 (en) | 2002-10-17 | 2013-10-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and control method for same |
JP2007504770A (ja) * | 2003-09-03 | 2007-03-01 | イーストマン コダック カンパニー | 拡大したダイナミックレンジを有する画像センサ |
JP2006121151A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Sony Corp | 信号処理方法および信号処理装置並びに物理情報取得装置 |
JP2008177593A (ja) * | 2008-02-18 | 2008-07-31 | Sony Corp | 固体撮像素子及びカメラ装置 |
JP2011520351A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-07-14 | イーストマン コダック カンパニー | 画像センサの同心露光シーケンス |
US8174598B2 (en) | 2008-06-06 | 2012-05-08 | Sony Corporation | Solid state image capture device and camera system |
US8810704B2 (en) | 2008-06-06 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Solid state image capture device and camera system |
JP2014175832A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US9191636B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device having varying pixel exposure times |
JP2013153528A (ja) * | 2013-04-03 | 2013-08-08 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像方法 |
Also Published As
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