JPH11214851A - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は高周波モジュールに関し、基板内蔵
コンデンサの内蔵効率を改善し、量産時にコンデンサを
設定する誘電体層のバラツキ対策を行う手間を少なく
し、更に焼成後の反りを防止して、基板表面の印刷処理
が簡単にできるようにすることを目的とする。 【構成】 複数の誘電体層を積層した多層基板にストリ
ップライン導体７とＧＮＤ電極と複数のコンデンサを内
蔵し、ストリップライン導体７に対し積層方向の両側に
ＧＮＤ電極３、４を配置してトリプレート型ストリップ
ライン共振器を構成した高周波モジュールにおいて、多
層基板の積層方向の略中央部分（領域Ｃ）にトリプレー
ト型のストリップライン共振器を設定し、トリプレート
型のストリップライン共振器に対し積層方向の下側（領
域Ｄ）には、高周波短絡用のコンデンサを設定し上側
（領域Ｂ、Ａ）には、それ以外のコンデンサ等を配置し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話、自動車電話
等の無線機器、或いはその他各種通信機器等の分野にお
いて利用可能な高周波モジュールに関する。特に、本発
明は、トリプレート型ストリップライン共振器を用いた
ＶＣＯ（電圧制御発振器）、アンテナ切り換え器などに
利用可能な高周波モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】図３〜図５は従来例を示した図であり、
図３〜図５中、１は部品搭載面（表面）、２は底面、
３、４、５はＧＮＤ電極、７はストリップライン導体、
９はビア（Ｖｉａ）（または、ビアホール）、１０、１
１はコンデンサ電極、１２は不要接地容量発生部分を示
す。

【０００３】また、Ｃ₁ 〜Ｃ₁₀はコンデンサ、Ｃ₁₁は可
変コンデンサ、Ｌ₁ 、Ｌ₂ はコイル、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は抵
抗、ＶＣはバリキャップダイオード（可変容量ダイオー
ド）、ＳＬはストリップライン、Ｑ₁ 、Ｑ₂ はトランジ
スタ、ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子、Ｖ_ccは電源
電圧、Ｖ_CONTは入力端子ＩＮに入力する制御電圧を示
す。

【０００４】§１：ＶＣＯの回路例の説明・・・図３参
照 図３は従来のＶＣＯの回路例である。以下、図３に基づ
いて、ＶＣＯ（電圧制御発振器）の回路例を説明する。
従来、ＶＣＯとして、図示のようなストリップライン共
振器を用いたＶＣＯの回路が知られていた。

【０００５】このＶＣＯの回路は、コンデンサＣ₁ 〜Ｃ
₁₀、可変コンデンサＣ₁₁、コイルＬ ₁ 、Ｌ₂ 、抵抗Ｒ₁
〜Ｒ₄ 、バリキャップダイオード（可変容量ダイオー
ド）ＶＣ、ストリップラインＳＬ等で構成されている。
そして、この回路には、入力端子ＩＮと、出力端子ＯＵ
Ｔが設けてあり、電圧Ｖ_ccの電源に接続して使用するよ
うに構成されている。

【０００６】前記構成において、コンデンサＣ₁ 、
Ｃ₂ 、Ｃ₃ は高周波短絡用（バイパス用）のコンデンサ
であり、可変コンデンサＣ₁₁は、発振周波数調整用の可
変コンデンサである。また、ストリップラインＳＬは、
ストリップライン共振器を構成しており、発振周波数を
決定する回路の一部となっている。

【０００７】前記回路において、入力端子ＩＮに制御電
圧Ｖ_CONTが入力すると、該制御電圧Ｖ_CONTに応じた周波
数で発振し、出力端子ＯＵＴからＶＣＯの出力信号を取
り出すことができる。

【０００８】§２：ＶＣＯモジュールの説明・・・図４
参照 図４は従来のＶＣＯモジュール断面図である。以下、図
４に基づいて、ＶＣＯモジュールの１例を説明する。こ
のＶＣＯモジュール例は、図３に示したＶＣＯ回路の各
素子を多層基板に実装してＶＣＯモジュールとした例で
ある。前記多層基板は、例えば、１０００℃以下の低温
焼成可能なガラス−セラミックスで構成し、電極は、銀
を主体とした導体を使用する。

【０００９】前記ＶＣＯモジュールの小型化のために、
ストリップラインＳＬ、コンデンサ、コイルを多層基板
に内蔵させている。この場合、ストリップラインＳＬを
構成するストリップライン導体７を多層基板の内部層に
設定し、該ストリップライン導体７を、多層基板の積層
方向の両側からＧＮＤ電極で挟み込むようにして、２つ
のＧＮＤ電極３、４を設けることにより、トリプレート
型ストリップライン共振器としている。

【００１０】前記トリプレート型ストリップライン共振
器では、設計で必要とするラインインピーダンスにする
ため、２つのＧＮＤ電極３、４と、ストリップライン導
体７との間隔をある程度あける必要があるため、共振器
としての厚みは、ＶＣＯモジュールの厚み全体に対し
て、かなりの部分を占めることになる。

【００１１】図示の例では、トランジスタＱ₁ 、Ｑ₂ 、
バリキャップダイオードＶＣ、及び抵抗Ｒ₁ 〜Ｒ₄ をデ
ィスクリート部品で構成し、多層基板の部品搭載面（表
面）１に搭載する（図示省略）。

【００１２】そして、前記部品以外の回路素子は、多層
基板内部に設定するが、この場合、多層基板の積層方向
の領域を、上側（部品搭載面１側）の領域Ａと、下側
（底面２側）の領域Ｂに分け、領域Ｂには、トリプレー
ト型ストリップライン共振器を設定（内蔵）し、領域Ａ
には、その他の素子（コンデンサ、コイル等）を設定す
る。

【００１３】具体的には、次の通りである。先ず、多層
基板の領域Ｂでは、底面２側の内部最下層にＧＮＤ電極
３を設け、その積層方向上側には、ストリップライン導
体７を設け、更にその上側にはＧＮＤ電極４を設ける。

【００１４】このようにして、ストリップライン導体７
を、積層方向の両側からＧＮＤ電極３、４で挟み込むよ
うに各パターンを配置して、トリプレート型ストリップ
ライン共振器を構成する。そして、ストリップライン導
体７の一端部をビア９によりＧＮＤ電極３に接続し、他
端部をビア９によりコンデンサ電極（非接地電極）１１
（例えば、コンデンサＣ₉ を構成する一方のコンデンサ
電極）に接続する。

【００１５】また、前記領域Ａには、コンデンサＣ₁ 〜
Ｃ₁₀、及びコイルＬ₁ 、Ｌ₂ を設定する。この場合、例
えば、コンデンサ電極１１とＧＮＤ電極４との間には、
不要接地容量発生部分１２が発生する。

【００１６】§３：基板の反りの説明・・・図５参照 図５は従来の基板の反り説明図であり、Ａ図は基板の反
り例１、Ｂ図は基板の反り例２である。以下、図５に基
づいて、基板の反りについて説明する。

【００１７】ＶＣＯモジュールは、複数の誘電体層を積
層した多層基板により製作する。このＶＣＯモジュール
では、基本的に多層基板を構成する誘電体層と、電極層
の焼成縮率は略同等となるように設計されているが、完
全には等しく設計することは困難である。

【００１８】従って、前記のような電極配置の設計を行
うと、基板の誘電体層と電極層の僅かな焼成縮率の差に
より基板焼成後、基板に反りが発生する。この場合、Ａ
図に示したように、上側に凸の反りが発生したり、或い
は、Ｂ図に示したように、下側に凸に反りが発生したり
する。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】前記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) ：多層基板に、少なくとも、トリプレート型ストリ
ップライン共振器、及び複数のコンデンサ等を内蔵させ
たＶＣＯモジュールでは、多層基板の積層方向上側（部
品搭載面１側）の領域Ａに全てのコンデンサ電極をパタ
ーニングしているため、積層方向の上側に電極が密集し
ている。

【００２０】量産時には、これらのコンデンサの容量精
度を安定的に作り上げていく必要があるが、コンデンサ
を設定した誘電体層は、必ずしも安定しておらず、製造
ロット間で層厚みにバラツキが生じるため、それがその
まま内蔵コンデンサの定数バラツキとなる。

【００２１】(2) ：前記内蔵コンデンサバラツキを回避
するために、コンデンサの層厚みについて事前に厚み判
定をする必要がある。しかし、内蔵コンデンサが複数層
にわたる場合は、厚みを判定する層が複数層となるた
め、厚み判定処理に手間と時間がかかる。

【００２２】(3) ：コンデンサによっては、接地してい
ないものもあるため、不要に接地容量を持たないように
するためのパターニング上の配慮が必要となる。従っ
て、多層基板内の電極の利用率は、必ずしも良好ではな
かった。

【００２３】(4) ：特に、高周波短絡用（バイパス用）
のコンデンサは、定数が大きく、かつ接地させる必要が
あるため、ＧＮＤ電極を大きめに設定する必要がある。
従って、接地しないコンデンサにとっては、浮遊接地容
量は、大敵で、ＶＣＯの特性劣化の大きな原因となって
いた。

【００２４】(5) ：基本的に多層基板を構成する誘電体
層と、電極層の焼成縮率は略同等となるように設計され
ているが、完全には等しく設計することは困難である。
従って、前記のような電極配置の設計を行うと、基板の
誘電体層と電極層の僅かな焼成縮率の差により基板焼成
後、基板に反りが発生する。

【００２５】この反りは極僅かであれば問題はないが、
反りが大きくなると、焼成後の基板表面に、電極パター
ン等をスクリーン印刷する際、スクリーンが基板面に対
して平行に当たらなくなる。その結果、印刷性が悪くな
り、かつ印刷するパターンかすれや、にじみが発生し、
場合によっては印刷時にスクリーンが破れたりする。

【００２６】本発明は、このような従来の課題を解決
し、量産時にコンデンサを設定する誘電体層のバラツキ
対策を行う際の手間を少なくすると共に、焼成後の反り
を防止して、基板表面の印刷処理が簡単にできるように
することを目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明は前記の目的を達
成するため、複数の誘電体層を積層した多層基板に、少
なくとも、ストリップライン導体と、複数のＧＮＤ電極
と、複数のコンデンサを内蔵すると共に、前記ストリッ
プライン導体に対し、積層方向の両側に、前記ＧＮＤ電
極を配置してトリプレート型ストリップライン共振器を
構成した高周波モジュール（ＶＣＯモジュール等）にお
いて、多層基板の積層方向の略中央部分に、前記トリプ
レート型ストリップライン共振器を設定し、該トリプレ
ート型ストリップライン共振器に対し、積層方向の下側
（底面側）には、高周波短絡用のコンデンサを設定し、
上側（部品搭載面側）には、その以外のコンデンサ等を
配置した。

【００２８】

【作用】前記構成に基づく本発明の作用を説明する。Ｖ
ＣＯモジュール等の高周波モジュールを製造する場合、
複数の誘電体層を用意し、それぞれの誘電体層に、導体
ペーストの印刷等により、ストリップライン導体、ＧＮ
Ｄ電極、コンデンサ電極等の各導体パターン等をパター
ニングして、各誘電体層を積層する。その後、前記複数
の誘電体層を積層した多層基板を焼成する。

【００２９】前記の製造工程において、多層基板の積層
方向の略中央となる誘電体層に、前記トリプレート型ス
トリップライン共振器を構成する各導体パターンをパタ
ーニングする。

【００３０】また、トリプレート型ストリップライン共
振器に対し、その積層方向の下側（底面側）の誘電体層
には、高周波短絡用のコンデンサを構成するコンデンサ
電極を導体ペーストの印刷等によりパターニングし、上
側（部品搭載面側）の誘電体層には、その他のコンデン
サを構成するコンデンサ電極や、その他の素子等の導体
パターンを、導体ペーストの印刷等によりパターニング
する。

【００３１】ところで、高周波短絡用のコンデンサは、
定数の精度は、例えば、約±３０％程度でも問題はない
が、それ以外のコンデンサは、約±５％程度の精度は必
要である。しかし、実際の量産時では、多層基板の内蔵
の高周波短絡用のコンデンサ以外のコンデンサは、誘電
体層の厚みのバラツキがそのまま、定数のバラツキとな
り、ＶＣＯの特性バラツキとなる。ただし、高周波短絡
用のコンデンサについては、誘電体層の厚みバラツキは
殆ど問題にならない。

【００３２】例えば、多層基板が、シート積層方法で製
作される場合、誘電体層は、シート製造時に、工程上の
製造条件により製造ロット間でシートの厚みバラツキを
起こすが、１本のシート内（製造ロット内）では製造条
件が一定であるため、比較的シートの厚みバラツキは小
さい。

【００３３】従って、前記のように各パターンを配置す
れば、高周波短絡用のコンデンサについては、シート厚
みについて対策する必要がないため、量産時にコンデン
サを設定する誘電体層のバラツキ対策を行う層数が少な
くて済み、前記バラツキ対策のための手間が少なくな
る。

【００３４】また、多層基板の積層方向における電極パ
ターンの密度が、積層方向の中央に対して、略対称的に
なる。従って、多層基板の焼成後の反りに対し、基板全
体としてバランスがとれるようになるため、基板の反り
が小さくなる。このため、基板焼成後の基板表面の印刷
処理が良好に行え、かすれ、にじみ等の発生がなくな
る。

【００３５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１、図２は、本発明の実施例を示した図であ
り、図１、図２中、図３〜図５と同じものは、同一符号
で示してある。また、１４はＧＮＤ電極、１５〜１８は
コンデンサ電極、１９は搭載部品のパッド電極を示す。
なお、本実施例で使用するＶＣＯの回路は、図３に示し
た従来の回路と同じなので、図３も援用して説明する。

【００３６】§１：実施例の基本構成の説明・・・図１
参照 図１は実施例の基本構成説明図である。以下、図１に基
づいて、実施例の基本構成を説明する。この実施例は、
図３に示したＶＣＯ回路の各素子を多層基板に実装して
ＶＣＯモジュールとしたものである。

【００３７】なお、部品搭載面１は、ＶＣＯモジュール
を構成するディスクリート部品（トランジスタＱ₁ 、Ｑ
₂ 等）を搭載する面であり、表面とも記す。また、底面
２は、ＶＣＯモジュールを、マザーボード等へ実装する
際の底面側（マザーボード側）のことである。そして、
以下の説明では、部品搭載面１側を上側、底面２側を下
側とも記す。

【００３８】ＶＣＯモジュールの基本構成は次の通りで
ある。図示のように、複数の誘電体層を積層した多層基
板の積層方向の領域を、上側から領域Ａ、領域Ｂ、領域
Ｃ、領域Ｄに分け、前記領域Ｃを略中央部分の領域とす
る。

【００３９】そして、前記領域Ｃに、ストリップライン
導体７と、その積層方向の両側に配置したＧＮＤ電極
３、４からなるトリプレート型ストリップライン共振器
を配置する。

【００４０】また、前記領域Ｃの下側（底面２側）の領
域Ｄには、高周波短絡用（バイパス用）のコンデンサＣ
₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃ を配置し、前記領域Ｃの上側（部品搭載
面１側）の領域Ｂには残りのコンデンサを配置し、更
に、その上側の領域Ａには、コイル等を配置する。

【００４１】すなわち、多層基板の略中央の領域Ｃに、
トリプレート型ストリップライン共振器を設定し、その
下側の領域Ｄに、高周波短絡用のコンデンサＣ₁ 、
Ｃ₂ 、Ｃ ₃ を設定する。また、前記トリプレート型スト
リップライン共振器の上側の領域Ｂには、特性出しコン
デンサＣ₄ 〜Ｃ₁₀を設定し、更にその上側の領域Ａに
は、その他の素子（コイル等）を設定する。

【００４２】なお、この場合、ＧＮＤ電極４の一部を除
去して、その部分にコンデンサ電極１１を設定し、この
コンデンサ電極１１と、その上の層に設定したコンデン
サ電極１０とで、無接地のコンデンサを構成する。前記
の配置にする理由は次の通りである。

【００４３】(1) ：ＶＣＯを構成する高周波短絡用のコ
ンデンサＣ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃ は、全てＧＮＤに接続（接
地）しており、かつ、信号を通過させるための他のコン
デンサＣ₄ 〜Ｃ₁₀より定数（容量）が大きい（５〜１０
倍）。

【００４４】従って、効率的に容量値を得るためには、
高周波短絡用のコンデンサＣ₁ 、Ｃ ₂ 、Ｃ₃ は、ＧＮＤ
電極とサンドイッチ構造が作り易いトリプレート型スト
リップライン共振器の下側の領域Ｄが適している。

【００４５】(2) ：高周波短絡用のコンデンサＣ₁ 、Ｃ
₂ 、Ｃ₃ 以外のコンデンサ（特性出しコンデンサＣ₄ 〜
Ｃ₁₀）は、信号の周波数や、出力電力、信号のＣ／Ｎ比
等を決めており、高周波短絡用のコンデンサに比べて定
数（容量）は小さい。

【００４６】また、高周波短絡用のコンデンサＣ₁ 、Ｃ
₂ 、Ｃ₃ 以外の各々のコンデンサは、部品搭載面１に搭
載した部品（トランジスタ等）と接続し、かつ、ＧＮＤ
電極に接続（接地）しないものもあることから、多層基
板の積層方向において、前記トリプレート型ストリップ
ライン共振器の上側（部品搭載面１側）の領域Ｂが適し
ている。

【００４７】すなわち、前記高周波短絡用のコンデンサ
Ｃ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃ 以外のコンデンサで、接地容量があっ
てはならないものについては、トリプレート型ストリッ
プライン共振器の特性に影響の少ない所（例えば、スト
リップライン導体７がパターニングされてない上側等）
に、前記ＧＮＤ電極４の一部を除去し、その領域にコン
デンサの片側の電極（コンデンサ電極１１）を設定する
ことができる。

【００４８】上記に該当するコンデンサ電極１１は、前
記トリプレート型ストリップライン共振器の下側のＧＮ
Ｄ電極３に対しては、ある程度距離をおけるので、接地
容量の影響を小さくすることができる。

【００４９】(3) ：高周波短絡用のコンデンサＣ₁ 、Ｃ
₂ 、Ｃ₃ は、定数の精度は、約±３０％程度でも問題は
ないが、それ以外のコンデンサは、約±５％程度の精度
は必要である。しかし、実際の量産時では、多層基板の
内蔵コンデンサは、誘電体層の厚みのバラツキがそのま
ま、定数のバラツキとなる。

【００５０】例えば、多層基板が、シート積層方法で製
作される場合、誘電体層は、シート製造時に、工程上の
製造条件により製造ロット間で厚みバラツキを起こす。
ただし、１本のシート内（製造ロット内）では製造条件
が一定であるので、比較的シート厚みのバラツキは小さ
い。実際には、ロット間で約±１０％、ロット内で約±
３％程度である。

【００５１】そのため、多ロットにわたる量産を行う場
合、高周波短絡用のコンデンサＣ₁、Ｃ₂ 、Ｃ₃ は、問
題なく基板内に内蔵できるが、それ以外のコンデンサ
は、そのまま内蔵できない。

【００５２】ただし、各コンデンサの電極は、スクリー
ン印刷により一定に形成されるため、各コンデンサ間の
定数の比率は常に一定である。従って、製造されたシー
トの厚みが分かれば、その厚みに合ったコンデンサ用ス
クリーンを用意して量産に当たれば安定して製造するこ
とができる。

【００５３】よって、基板内蔵のコンデンサを作るため
には、できるだけ１つのスクリーン内（同一誘電体層
上）に、前記コンデンサの片側の電極がパターニングさ
れた方がシートの厚み判定を行う層数が少なくて済み効
率的である。

【００５４】(4) ：前記のようにすれば、多層基板の積
層方向における電極パターンの密度が積層方向の中央に
対して、略対称的配置となり、若干の焼成縮率の異なる
電極層と、誘電体からなる多層基板の焼成後の基板の反
りに対し、基板全体としてバランスがとれるようになる
ため、基板の反りが小さくなる。

【００５５】§２：具体例による説明・・・図２参照 図２は実施例のＶＣＯモジュール断面図である。以下、
図２に基づいて、ＶＣＯモジュールの具体例について説
明する。

【００５６】前記回路構成のＶＣＯを多層基板で設計す
る場合、前記のように、高周波短絡用のコンデンサ
Ｃ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃ と、他のコンデンサとを分けて設定す
る。この場合、高周波短絡用のコンデンサＣ₁ 、Ｃ₂ 、
Ｃ₃ は、定数の精度が±３０％の精度で良いが、それ以
外のコンデンサ（Ｃ₄ 〜Ｃ₁₀）は、定数の精度を±５％
以下にする必要がある。

【００５７】例えば、ＶＣＯモジュールを１ＧＨ_Z 帯用
に設計する場合、高周波短絡用のコンデンサはＣ₁ 、Ｃ
₂ 、Ｃ₃ の定数は３０ｐＦ程度であり、その他のコンデ
ンサＣ₄ 〜Ｃ₁₀は１０ｐＦ以下となる。

【００５８】図示のように、多層基板を、複数の誘電体
層を積層したもので構成し、その積層方向の領域を、上
側から領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄに分け、前記領
域Ｃを略中央部分の領域とする。そして、多層基板の積
層方向の略中央の領域Ｃには、ストリップライン導体
７、及び２つのＧＮＤ電極３、４で構成されたトリプレ
ート型ストリップライン共振器を設定する。

【００５９】この場合、ストリップライン導体７の下側
（底面２側）には、任意の間隔をあけてＧＮＤ電極３を
設定し、上側（部品搭載面１側）には、任意の間隔をあ
けてＧＮＤ電極４を設定する。そして、ストリップライ
ン導体７を、積層方向の両側から２つのＧＮＤ電極３、
４で挟み込むように配置（サンドイッチ構造）してトリ
プレート型ストリップライン共振器を構成する。

【００６０】また、前記トリプレート型ストリップライ
ン共振器を設定した領域Ｃの下側の領域Ｄには、高周波
短絡用のコンデンサＣ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃ を配置し、前記領
域Ｃの上側の領域Ｂには、特性出しコンデンサＣ₄ 〜Ｃ
₁₀を設定し、更にその上側の領域Ａには、その他の素子
（コイル等）を設定する。

【００６１】なお、前記ストリップライン導体７、ＧＮ
Ｄ電極３、４、コンデンサ電極、コイル等は、例えば、
導体ペーストの印刷により、導体パターンとして各誘電
体層上に形成する。以下、各領域について具体的に説明
する。

【００６２】(1) ：前記領域Ｄに設定した高周波短絡用
のコンデンサＣ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃ は、次のようにして設定
する。領域Ｄでは、底面２側（最下層）に、シールド用
のＧＮＤ電極１４を、ベタパターン（誘電体層の略全面
にパターニングした電極）として設定する。

【００６３】そして、前記ＧＮＤ電極１４と、前記トリ
プレート型ストリップライン共振器を構成するＧＮＤ電
極３との間に、前記高周波短絡用のコンデンサＣ₁ 、Ｃ
₂ 、Ｃ₃ のホット側のコンデンサ電極１５、１６を設定
して、サンドイッチ構造の電極配置とする。この場合、
ホット側のコンデンサ電極１５、１６の一端部は、ビア
９により、領域Ｂ、領域Ａの所定のパターンに接続す
る。

【００６４】このようにすれば、多層基板内の電極を有
効利用することができると共に、コンデンサの容量値を
効率良く大きくできる。 (2) ：領域Ｂに設定するコンデンサで、コンデンサ
Ｃ₄ 、Ｃ₆ 、Ｃ₇ は、一方の電極を接地するコンデンサ
なので、トリプレート型ストリップライン共振器を構成
するＧＮＤ電極４の上側に設定する。

【００６５】この場合、領域Ｂに、例えば、ホット側の
コンデンサ電極１７、１８等を設定し、これらのコンデ
ンサ電極１７、１８と、ＧＮＤ電極４により、前記コン
デンサＣ₄ 、Ｃ₆ 、Ｃ₇ を構成し、必要とする容量値が
得られるように配置する。

【００６６】一方、接地しないコンデンサＣ₅ 、Ｃ₈ 、
Ｃ₉ 、Ｃ₁₀は、前記ＧＮＤ電極４で、共振器としての特
性に影響の少ない部分を除去して、その領域に、これら
のコンデンサを設定する。例えば、接地しないコンデン
サ電極１０、１１等を設定し、これらの電極により、前
記各コンデンサＣ₅ 、Ｃ₈ 、Ｃ₉ 、Ｃ₁₀を構成する。

【００６７】このようにすれば、前記各コンデンサは、
単一層（領域Ｂが単一層）で形成できる。従って、量産
時には、その間の誘電体層のみ厚み判定を行い、その誘
電体層の積層方向で、上側に配置するコンデンサの片側
の電極について厚みに応じてパターン面積を変化させて
いるスクリーンを用意しておけば、量産時のコンデンサ
の容量バラツキに対応することができる。

【００６８】(3) ：多層基板の領域Ａには、コイル
Ｌ₁ 、Ｌ₂ のパターン、及び各素子間を結ぶ配線を設定
する。また、可変コンデンサＣ₁₁は、片側のコンデンサ
電極を基板内部に設定し、もう一方のコンデンサ電極を
部品搭載面１に設定する。そして、部品搭載面１に設定
した電極をトリミング用として、周波数調整が行えるよ
うにする。

【００６９】このようにして作られた多層基板の表面、
すなわち、部品搭載面１には、２個のトランジスタ
Ｑ₁ 、Ｑ₂ と、バリキャップダイオードＶＣと、４個の
抵抗器が搭載される。ただし、抵抗器については、印刷
抵抗を用いても何ら問題はない。

【００７０】（他の実施例）以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 (1) ：前記実施例では、ＶＣＯモジュールを、１ＧＨ_Z
帯として設計しているが、本発明は、任意の周波数帯で
のＶＣＯモジュールを設計することが可能である。特
に、数１００ＭＨ_Z 帯用では、コンデンサの容量値が大
きくなるため、基板内でのコンデンサの積層数は必然的
に多くなる。従って、前記実施例のコンデンサ層につい
て更に多層化しても良い。

【００７１】その場合、多層基板の下側に設定した高周
波短絡用のコンデンサは、シールド用のＧＮＤ電極１４
が、必ず外側となるように配置し、ホット側のコンデン
サ電極１５、１６とサンドイッチ構造にする。

【００７２】また、トリプレート型ストリップライン共
振器の上側（領域Ｂ）に設定したコンデンサ（特性出し
コンデンサ）は、それぞれ、片方のコンデンサ電極を、
積層方向で上側から覆い隠すようにして、他方のコンデ
ンサ電極をパターニングする。

【００７３】(2) ：前記実施例で示した回路構成のＶＣ
Ｏモジュールに限らず、他の同様なＶＣＯモジュールに
適用可能である。 (3) ：ＶＣＯモジュールに限らず、ストリップラインを
使用したアンテナ切り換え器等の各種高周波モジュール
にも同様に適用可能である。

【００７４】(4) ：コンデンサ層を構成する誘電体層の
材料は、他の層と同一でも良く、また、他の層より誘電
率の高い誘電体を使用しても良い。更に、その誘電体層
の厚みについては、他の層と同一でも良く、また他の層
より薄くても良い。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) ：トリプレート型ストリップライン共振器の両側
に、コンデンサを効率良く設定したので、ＶＣＯモジュ
ールなど、高周波モジュールの量産時に、コンデンサの
誘電体層の厚みバラツキの対策をするための手間が簡素
化される。

【００７６】(2) ：トリプレート型ストリップライン共
振器の両側に、コンデンサを効率良く設定したので、多
層基板内に設定した電極を効率的に利用できる。従っ
て、多層基板の積層数を無駄に増やさないで済む。ま
た、電極の効率的な配置により、回路素子に寄生する不
要接地容量を防止することができる。

【００７７】(3) ：例えば、底面側（最下層）にシール
ド用のＧＮＤ電極を設定し、このＧＮＤ電極と、トリプ
レート型ストリップライン共振器を構成する下側のＧＮ
Ｄ電極との間に、高周波短絡用のコンデンサを構成する
ホット側のコンデンサ電極を設定して、サンドイッチ構
造の電極配置としている。

【００７８】このようにすれば、多層基板内の電極を有
効利用することができると共に、コンデンサの容量値を
効率良く大きくできる。 (4) ：トリプレート型ストリップライン共振器を、多層
基板の積層方向の略中央部分に設定し、その積層方向の
両側に、コンデンサを配置している。従って、多層基板
の積層方向における電極パターンの密度が、積層方向の
中央に対して略対称的配置となり、多層基板の焼成後の
反りに対し、基板全体としてバランスがとれるようにな
るため、基板の反りが小さくなる。そのため、焼成後の
表面導体の印刷が良好に行える。

【００７９】(5) ：高周波短絡用のコンデンサ以外のコ
ンデンサの中には、接地容量があってはならないものも
あり、それらについては、トリプレート型ストリップラ
イン共振器の特性に影響の少ない所に、トリプレート型
ストリップライン共振器を構成する上側のＧＮＤ電極の
一部を除去して、コンデンサの片側の電極を設定してい
る。

【００８０】このため、前記コンデンサは、前記トリプ
レート型ストリップライン共振器の下側のＧＮＤ電極に
対しては、ある程度距離をおけるので、接地容量の影響
を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の基本構成説明図である。

【図２】実施例のＶＣＯモジュール断面図である。

【図３】従来のＶＣＯの回路例である。

【図４】従来のＶＣＯモジュール断面図である。

【図５】従来の基板の反り説明図である。

【符号の説明】

１ 部品搭載面（表面） ２ 底面 ３、４、５、１４ ＧＮＤ電極 ７ ストリップライン導体 １０、１１、１５〜１８ コンデンサ電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の誘電体層を積層した多層基板に、 少なくとも、ストリップライン導体（７）と、複数のＧ
   ＮＤ電極と、複数のコンデンサを内蔵すると共に、 前記ストリップライン導体（７）に対し、積層方向の両
   側に、ＧＮＤ電極（３、４）を配置してトリプレート型
   ストリップライン共振器を構成した高周波モジュールに
   おいて、 前記トリプレート型ストリップライン共振器に対し、積
   層方向の上側（部品搭載面１側）と下側（底面２側）の
   双方に、それぞれコンデンサを配置したことを特徴とす
   る高周波モジュール。
2. 【請求項２】 前記トリプレート型のストリップライン
   共振器の下側（底面２側）に配置したコンデンサは、高
   周波短絡用のコンデンサ（Ｃ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃）であり、 上側（部品搭載面１側）に配置したコンデンサは、それ
   以外のコンデンサであることを特徴とした請求項１記載
   の高周波モジュール。