JPH11214439A - 電子部品の実装方法 - Google Patents
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- JPH11214439A JPH11214439A JP1108998A JP1108998A JPH11214439A JP H11214439 A JPH11214439 A JP H11214439A JP 1108998 A JP1108998 A JP 1108998A JP 1108998 A JP1108998 A JP 1108998A JP H11214439 A JPH11214439 A JP H11214439A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接合部の信頼性が高いバンプ付電子部品の実
装方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１の電極２上に半田バンプ６が形成
されたバンプ付き電子部品５を実装するに際し、半田融
点温度より高い融点の硬化剤を含むボンド４を塗布した
後に、バンプ付電子部品５を圧着ツール７に保持させて
基板１に搭載し、押圧しながら加熱する。この加熱過程
で半田融点温度より低く設定される制御切換温度範囲に
到達したならば、圧着ツール７の高さ位置ｈを制御する
制御方式に切り換える。半田バンプ６が溶融し流動する
時点ではボンド４は未硬化であり、かつ高さ位置が保た
れているため、溶融半田は押しつぶされることなく、ま
たボンド４によって流動を阻害されることなく電極２表
面に沿って濡れ拡がり、広い底部を有する鼓状の強度に
優れた接合部を形成することができる。
装方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１の電極２上に半田バンプ６が形成
されたバンプ付き電子部品５を実装するに際し、半田融
点温度より高い融点の硬化剤を含むボンド４を塗布した
後に、バンプ付電子部品５を圧着ツール７に保持させて
基板１に搭載し、押圧しながら加熱する。この加熱過程
で半田融点温度より低く設定される制御切換温度範囲に
到達したならば、圧着ツール７の高さ位置ｈを制御する
制御方式に切り換える。半田バンプ６が溶融し流動する
時点ではボンド４は未硬化であり、かつ高さ位置が保た
れているため、溶融半田は押しつぶされることなく、ま
たボンド４によって流動を阻害されることなく電極２表
面に沿って濡れ拡がり、広い底部を有する鼓状の強度に
優れた接合部を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を基板に
実装する電子部品の実装方法に関するものである。
実装する電子部品の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を基板に実装する方法として、
電子部品または基板の電極に予め半田バンプやプリコー
ト半田などの半田部を形成する方法が知られている。実
装時に加熱されることによりこれらの半田部が溶融し、
電子部品を基板の電極に半田付けする。また、電子部品
と基板の隙間はアンダーフィル樹脂で封止され、アンダ
ーフィル樹脂は半田接合部を包み込んで補強するととも
に異物の侵入を防ぐ機能を有する。
電子部品または基板の電極に予め半田バンプやプリコー
ト半田などの半田部を形成する方法が知られている。実
装時に加熱されることによりこれらの半田部が溶融し、
電子部品を基板の電極に半田付けする。また、電子部品
と基板の隙間はアンダーフィル樹脂で封止され、アンダ
ーフィル樹脂は半田接合部を包み込んで補強するととも
に異物の侵入を防ぐ機能を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記アンダ
ーフィル樹脂は、電子部品の搭載前に基板に塗布される
場合がある。電子部品の小型化によって電子部品と基板
の隙間は狭くなり、実装後のアンダーフィル樹脂の注入
が困難になっていることなどの理由によるものである。
この場合には、半田部を溶融させるための加熱と、アン
ダーフィル樹脂を熱硬化させるための加熱が同一の加熱
工程で行われる。
ーフィル樹脂は、電子部品の搭載前に基板に塗布される
場合がある。電子部品の小型化によって電子部品と基板
の隙間は狭くなり、実装後のアンダーフィル樹脂の注入
が困難になっていることなどの理由によるものである。
この場合には、半田部を溶融させるための加熱と、アン
ダーフィル樹脂を熱硬化させるための加熱が同一の加熱
工程で行われる。
【０００４】半田部が溶融して電極に半田付けされた後
の形状は、ヒートサイクルによる熱応力に対する強度の
面から、半田が被接合面のできるだけ広い範囲に拡がっ
た形状となるのが望ましい。しかしながらアンダーフィ
ル樹脂を予め基板上に塗布する従来の方法では、半田部
とアンダーフィル樹脂とが同時に加熱されるため、半田
部の溶融時には周囲のアンダーフィル樹脂の硬化が既に
開始していた。このため硬化によって粘度が上昇したア
ンダーフィル樹脂は、溶融半田が被接合面に沿って拡が
るのを阻害し、その結果前述の望ましい形状の接合部が
得られず形状不良を発生する場合があった。このよう
に、従来の電子部品の実装方法では、接合部の形状不良
により接合部の強度が確保されず、接合部の信頼性が低
下するという問題点があった。
の形状は、ヒートサイクルによる熱応力に対する強度の
面から、半田が被接合面のできるだけ広い範囲に拡がっ
た形状となるのが望ましい。しかしながらアンダーフィ
ル樹脂を予め基板上に塗布する従来の方法では、半田部
とアンダーフィル樹脂とが同時に加熱されるため、半田
部の溶融時には周囲のアンダーフィル樹脂の硬化が既に
開始していた。このため硬化によって粘度が上昇したア
ンダーフィル樹脂は、溶融半田が被接合面に沿って拡が
るのを阻害し、その結果前述の望ましい形状の接合部が
得られず形状不良を発生する場合があった。このよう
に、従来の電子部品の実装方法では、接合部の形状不良
により接合部の強度が確保されず、接合部の信頼性が低
下するという問題点があった。
【０００５】そこで本発明は、接合部の信頼性が高い電
子部品の実装方法を提供することを目的とする。
子部品の実装方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の電子部品
の実装方法は、電子部品と基板の電極の少なくともいず
れか一方に半田部を形成しておき、この半田部を介して
電子部品を基板に接合する電子部品の実装方法であっ
て、基板の電極上またはこの電極上に形成された半田部
上に、半田融点温度より高い融点温度を有する硬化剤を
含むボンドを塗布する工程と、前記電子部品を保持した
圧着ツールを昇降手段により昇降させて前記ボンドが塗
布された基板に前記電子部品を搭載する工程と、この電
子部品を押圧手段によって基板に押圧しながら加熱手段
によって加熱することにより前記ボンドを硬化させる工
程と、前記ボンドが硬化を開始する前に前記半田部を溶
融させて前記電子部品を前記基板に半田付けする工程と
を含み、前記電子部品を加熱する工程において前記半田
部の温度が制御切換温度範囲に到達するまでは、前記押
圧手段を制御することにより電子部品を基板に押圧する
押圧荷重を制御し、制御切換温度範囲に到達した後は前
記昇降手段を制御することにより電子部品の基板に対す
る高さ位置を制御するようにした。
の実装方法は、電子部品と基板の電極の少なくともいず
れか一方に半田部を形成しておき、この半田部を介して
電子部品を基板に接合する電子部品の実装方法であっ
て、基板の電極上またはこの電極上に形成された半田部
上に、半田融点温度より高い融点温度を有する硬化剤を
含むボンドを塗布する工程と、前記電子部品を保持した
圧着ツールを昇降手段により昇降させて前記ボンドが塗
布された基板に前記電子部品を搭載する工程と、この電
子部品を押圧手段によって基板に押圧しながら加熱手段
によって加熱することにより前記ボンドを硬化させる工
程と、前記ボンドが硬化を開始する前に前記半田部を溶
融させて前記電子部品を前記基板に半田付けする工程と
を含み、前記電子部品を加熱する工程において前記半田
部の温度が制御切換温度範囲に到達するまでは、前記押
圧手段を制御することにより電子部品を基板に押圧する
押圧荷重を制御し、制御切換温度範囲に到達した後は前
記昇降手段を制御することにより電子部品の基板に対す
る高さ位置を制御するようにした。
【０００７】請求項２記載の電子部品の実装方法は、前
記半田部の温度が前記制御切換温度範囲に到達するのに
必要な時間を実験値に基づいて設定しておき、前記電子
部品を加熱する工程においてこの設定された時間に基づ
いて制御方式を切り換えるようにした。
記半田部の温度が前記制御切換温度範囲に到達するのに
必要な時間を実験値に基づいて設定しておき、前記電子
部品を加熱する工程においてこの設定された時間に基づ
いて制御方式を切り換えるようにした。
【０００８】請求項３記載の電子部品の実装方法は、請
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度の６０％に設定され
る設定温度と半田融点温度の間であるようにした。
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度の６０％に設定され
る設定温度と半田融点温度の間であるようにした。
【０００９】請求項４記載の電子部品の実装方法は、請
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲に到達したことを圧着ツールに設けられた温
度計測手段によって検出するようにした。
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲に到達したことを圧着ツールに設けられた温
度計測手段によって検出するようにした。
【００１０】請求項５記載の電子部品の実装方法は、請
求項４記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度であるようにした。
求項４記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度であるようにした。
【００１１】各請求項記載の発明によれば、半田融点温
度より高い融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバン
プ付電子部品の搭載前に基板に塗布し、半田バンプが溶
融した後にボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプの
溶融後はバンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御す
ることにより、溶融半田の電極上面での流動が阻害され
ず、良好な形状の接合部を得ることができる。
度より高い融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバン
プ付電子部品の搭載前に基板に塗布し、半田バンプが溶
融した後にボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプの
溶融後はバンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御す
ることにより、溶融半田の電極上面での流動が阻害され
ず、良好な形状の接合部を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）、図２（ａ），
（ｂ）は本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実
装方法の工程説明図、図３（ａ）は同バンプ付電子部品
の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ、図３
（ｂ）は同バンプ付電子部品の実装方法のバンプ付き電
子部品の高さ位置および押圧荷重の時間的変化を示すグ
ラフ、図３（ｃ）は同バンプ付電子部品の実装方法のボ
ンドの粘度の時間的変化を示すグラフである。なお図１
（ａ），（ｂ）、図２（ａ），（ｂ）はバンプ付電子部
品の実装方法を工程順に示すものである。
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）、図２（ａ），
（ｂ）は本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実
装方法の工程説明図、図３（ａ）は同バンプ付電子部品
の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ、図３
（ｂ）は同バンプ付電子部品の実装方法のバンプ付き電
子部品の高さ位置および押圧荷重の時間的変化を示すグ
ラフ、図３（ｃ）は同バンプ付電子部品の実装方法のボ
ンドの粘度の時間的変化を示すグラフである。なお図１
（ａ），（ｂ）、図２（ａ），（ｂ）はバンプ付電子部
品の実装方法を工程順に示すものである。
【００１３】図１（ａ）において、基板１上には電極２
が形成されている。この電極２上を覆って基板１上にデ
ィスペンサ３によりボンド４が塗布される。ボンド４は
半田の融点温度より高い融点温度を有する硬化剤を含む
熱硬化性の接着材である。次に、このボンド４が塗布さ
れた基板１に半田バンプ６が形成されたバンプ付電子部
品５が搭載される。
が形成されている。この電極２上を覆って基板１上にデ
ィスペンサ３によりボンド４が塗布される。ボンド４は
半田の融点温度より高い融点温度を有する硬化剤を含む
熱硬化性の接着材である。次に、このボンド４が塗布さ
れた基板１に半田バンプ６が形成されたバンプ付電子部
品５が搭載される。
【００１４】バンプ付電子部品５は図１（ｂ）に示すよ
うに、圧着ツール７に吸着して保持されており、圧着ツ
ール７は昇降手段８により昇降する。また圧着ツール７
は押圧手段９により下方に押圧され、圧着ツール７の下
面に保持したバンプ付電子部品５の半田バンプ６を基板
１の電極２に押圧する。これにより、半田バンプ６の表
面に形成された酸化膜は破壊され、半田の露出部が形成
される。
うに、圧着ツール７に吸着して保持されており、圧着ツ
ール７は昇降手段８により昇降する。また圧着ツール７
は押圧手段９により下方に押圧され、圧着ツール７の下
面に保持したバンプ付電子部品５の半田バンプ６を基板
１の電極２に押圧する。これにより、半田バンプ６の表
面に形成された酸化膜は破壊され、半田の露出部が形成
される。
【００１５】昇降手段８および押圧手段９は制御部１０
に接続されており、制御部１０によって昇降手段８およ
び押圧手段９を制御することにより、バンプ付電子部品
５を基板１に実装する際のバンプ付電子部品５の高さ位
置、および半田バンプ６が電極２を押圧する押圧荷重を
制御することができる。なお、昇降手段８および押圧手
段９としては、送りねじとモータの組み合わせなどを用
いることにより、単一の駆動機構によって昇降手段８お
よび押圧手段９を兼ねさせてもよい。
に接続されており、制御部１０によって昇降手段８およ
び押圧手段９を制御することにより、バンプ付電子部品
５を基板１に実装する際のバンプ付電子部品５の高さ位
置、および半田バンプ６が電極２を押圧する押圧荷重を
制御することができる。なお、昇降手段８および押圧手
段９としては、送りねじとモータの組み合わせなどを用
いることにより、単一の駆動機構によって昇降手段８お
よび押圧手段９を兼ねさせてもよい。
【００１６】次に、バンプ付電子部品５の半田バンプ６
が電極２に当接したならば、図２（ａ）に示すように押
圧手段９を制御して圧着ツール７を介してバンプ付電子
部品５を基板１に対して押圧するとともに、圧着ツール
７に内蔵された加熱手段１１によりバンプ付電子部品５
を加熱する。また圧着ツール７には温度計測手段が設け
られており、求められた圧着ツール７の温度は制御部１
０に伝えられ、制御部１０は所定の温度プロファイルに
従って加熱手段１１を制御する。
が電極２に当接したならば、図２（ａ）に示すように押
圧手段９を制御して圧着ツール７を介してバンプ付電子
部品５を基板１に対して押圧するとともに、圧着ツール
７に内蔵された加熱手段１１によりバンプ付電子部品５
を加熱する。また圧着ツール７には温度計測手段が設け
られており、求められた圧着ツール７の温度は制御部１
０に伝えられ、制御部１０は所定の温度プロファイルに
従って加熱手段１１を制御する。
【００１７】このときの加熱温度、バンプ付電子部品５
の押圧荷重および高さ位置、ボンド４の粘度のそれぞれ
の変化の状態について図３を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）において、タイミングｔ０はバ
ンプ付電子部品５のバンプ６を基板１に当接させて押圧
を開始したタイミングを示している。加熱温度は図３
（ａ）の折れ線ａで示すように、加熱開始タイミングｔ
０から上昇し、予熱温度として設定される所定温度Ｔ１
に到達した後、所定時間の間ほぼ一定温度に維持され
る。この一定温度を保つ時間は、ボンド４の粘度の低下
を確保するための加熱工程である。
の押圧荷重および高さ位置、ボンド４の粘度のそれぞれ
の変化の状態について図３を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）において、タイミングｔ０はバ
ンプ付電子部品５のバンプ６を基板１に当接させて押圧
を開始したタイミングを示している。加熱温度は図３
（ａ）の折れ線ａで示すように、加熱開始タイミングｔ
０から上昇し、予熱温度として設定される所定温度Ｔ１
に到達した後、所定時間の間ほぼ一定温度に維持され
る。この一定温度を保つ時間は、ボンド４の粘度の低下
を確保するための加熱工程である。
【００１８】このとき、図３（ｂ）に示すように電子部
品５を基板１に押圧する押圧荷重は、押圧手段９を制御
することにより折れ線ｂ１に示すように一定荷重値Ｆに
保持される。そして押圧を継続している間バンプ付電子
部品５の高さ位置は、折れ線ｂ２（破線で示す）に示す
ように時間の経過とともに半田が押圧されて変形するこ
とによりわずかづつ下降する。この過程でバンプ６の高
さのばらつきが吸収され、全てのバンプが電極の上面に
押圧される。
品５を基板１に押圧する押圧荷重は、押圧手段９を制御
することにより折れ線ｂ１に示すように一定荷重値Ｆに
保持される。そして押圧を継続している間バンプ付電子
部品５の高さ位置は、折れ線ｂ２（破線で示す）に示す
ように時間の経過とともに半田が押圧されて変形するこ
とによりわずかづつ下降する。この過程でバンプ６の高
さのばらつきが吸収され、全てのバンプが電極の上面に
押圧される。
【００１９】その結果、バンプ６と電極２の接合面積を
十分に確保することができ、信頼性の高い接合部を得る
ことができる。このとき、加熱によって半田が軟化する
ため低荷重で半田を変形させることができ、バンプ付電
子部品５に高荷重を負荷することによる破損などのトラ
ブルを防止することができる。また、この加熱工程にお
いてボンド４の粘度は図３（ｃ）のグラフｃに示すよう
に加熱の進行につれて低下する。
十分に確保することができ、信頼性の高い接合部を得る
ことができる。このとき、加熱によって半田が軟化する
ため低荷重で半田を変形させることができ、バンプ付電
子部品５に高荷重を負荷することによる破損などのトラ
ブルを防止することができる。また、この加熱工程にお
いてボンド４の粘度は図３（ｃ）のグラフｃに示すよう
に加熱の進行につれて低下する。
【００２０】次に図３（ａ）に示すタイミングｔｃ、す
なわち半田融点温度Ｔｍ（１８４℃）の６０％に設定さ
れた設定温度と半田融点温度Ｔｍの間の制御切換温度範
囲（図中斜線範囲）に到達するために必要な時間として
予め実験によって設定される制御切換時間に到達するタ
イミングにて、図３（ｂ）に示すように圧着ツール７の
制御方式が切換えられる。すなわち、タイミングｔｃに
なったならば、押圧荷重の制御から昇降手段８による圧
着ツール７の高さ位置制御に切換えられ、その結果バン
プ付電子部品５の基板１に対する高さは、図２（ｂ）に
示すように高さｈに保持される。
なわち半田融点温度Ｔｍ（１８４℃）の６０％に設定さ
れた設定温度と半田融点温度Ｔｍの間の制御切換温度範
囲（図中斜線範囲）に到達するために必要な時間として
予め実験によって設定される制御切換時間に到達するタ
イミングにて、図３（ｂ）に示すように圧着ツール７の
制御方式が切換えられる。すなわち、タイミングｔｃに
なったならば、押圧荷重の制御から昇降手段８による圧
着ツール７の高さ位置制御に切換えられ、その結果バン
プ付電子部品５の基板１に対する高さは、図２（ｂ）に
示すように高さｈに保持される。
【００２１】この制御温度切換範囲の具体例としては、
Ｓｎ中にＰｂを３７％含ませた一般的な半田（融点温度
１８４℃）では、１１０℃〜１８４℃、またＳｎ中にＡ
ｇを３．５％含ませた高融点型の半田（融点温度２２１
℃）では、１３３℃〜２２１℃の範囲となる。このよう
に制御切換温度範囲を広く取っているのは、加熱工程で
は加熱条件に影響する要因が多く、実際の昇温速度のば
らつきが避けられないからである。
Ｓｎ中にＰｂを３７％含ませた一般的な半田（融点温度
１８４℃）では、１１０℃〜１８４℃、またＳｎ中にＡ
ｇを３．５％含ませた高融点型の半田（融点温度２２１
℃）では、１３３℃〜２２１℃の範囲となる。このよう
に制御切換温度範囲を広く取っているのは、加熱工程で
は加熱条件に影響する要因が多く、実際の昇温速度のば
らつきが避けられないからである。
【００２２】この後図３（ａ）に示すように加熱温度は
上昇し、タイミングｔｍにて半田融点温度Ｔｍに到達し
て半田バンプ６は溶融する。そして溶融した半田は電極
２の上面と半田接合される。このとき、半田バンプ６の
周囲はボンド４が充填されて無酸素状態となっているた
め、半田バンプ６を電極に押圧する際に露出した半田は
再び酸化されることはなく、良好な半田接合が行われ
る。また、半田接合に際しフラックスを使用しないの
で、半田接合後の洗浄を必要としない。
上昇し、タイミングｔｍにて半田融点温度Ｔｍに到達し
て半田バンプ６は溶融する。そして溶融した半田は電極
２の上面と半田接合される。このとき、半田バンプ６の
周囲はボンド４が充填されて無酸素状態となっているた
め、半田バンプ６を電極に押圧する際に露出した半田は
再び酸化されることはなく、良好な半田接合が行われ
る。また、半田接合に際しフラックスを使用しないの
で、半田接合後の洗浄を必要としない。
【００２３】この過程では、バンプ付電子部品５の高さ
は昇降手段８によってｈに保たれているため、溶融した
半田バンプ６が押しつぶされることがない。またボンド
４に含まれる硬化剤の融点温度は半田の融点温度Ｔｍ以
上であるため、半田の溶融時点ではまだボンド４は熱硬
化を開始していない。このため溶融半田の周囲のボンド
４は低粘度であり、溶融半田の電極２上面での流動を妨
げない。したがって溶融半田は電極２の上面に沿って濡
れ拡がり、図２（ｂ）に示すように、底面が広く鼓状断
面を有する強度の優れた良好な接合部を得ることができ
る。
は昇降手段８によってｈに保たれているため、溶融した
半田バンプ６が押しつぶされることがない。またボンド
４に含まれる硬化剤の融点温度は半田の融点温度Ｔｍ以
上であるため、半田の溶融時点ではまだボンド４は熱硬
化を開始していない。このため溶融半田の周囲のボンド
４は低粘度であり、溶融半田の電極２上面での流動を妨
げない。したがって溶融半田は電極２の上面に沿って濡
れ拡がり、図２（ｂ）に示すように、底面が広く鼓状断
面を有する強度の優れた良好な接合部を得ることができ
る。
【００２４】この後、所定の加熱温度Ｔ２を所定時間保
持することによりボンド４は完全硬化して接合部を固定
し、バンプ付電子部品５の実装が完了する。
持することによりボンド４は完全硬化して接合部を固定
し、バンプ付電子部品５の実装が完了する。
【００２５】なお、上記実施の形態では、半田バンプの
温度が予め設定された制御切換温度範囲内に到達するの
に必要な時間を実験結果に基づいて設定し、加熱工程に
おいてこの時間に基づいて制御方式を切り換えるように
しているが、圧着ツール７の温度を温度センサなどの温
度計測手段によって求め、この検出温度が制御温度切換
範囲としての半田融点温度Ｔｍに到達したならば、制御
方式を押圧荷重の制御から電子部品５の高さ位置の制御
に切り換えるようにしても良い。
温度が予め設定された制御切換温度範囲内に到達するの
に必要な時間を実験結果に基づいて設定し、加熱工程に
おいてこの時間に基づいて制御方式を切り換えるように
しているが、圧着ツール７の温度を温度センサなどの温
度計測手段によって求め、この検出温度が制御温度切換
範囲としての半田融点温度Ｔｍに到達したならば、制御
方式を押圧荷重の制御から電子部品５の高さ位置の制御
に切り換えるようにしても良い。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、半田融点温度より高い
融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバンプ付電子部
品の搭載前に基板に塗布し、半田バンプが溶融した後に
ボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプの溶融後はバ
ンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御するようにし
たので、溶融半田の流動が阻害されず、良好な形状の接
合部を得ることができる。また半田接合に際してフラッ
クスを使用する必要がなく、実装後の洗浄を必要とせず
に信頼性を確保することができる。
融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバンプ付電子部
品の搭載前に基板に塗布し、半田バンプが溶融した後に
ボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプの溶融後はバ
ンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御するようにし
たので、溶融半田の流動が阻害されず、良好な形状の接
合部を得ることができる。また半田接合に際してフラッ
クスを使用する必要がなく、実装後の洗浄を必要とせず
に信頼性を確保することができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
【図３】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のバンプ付き電子部品の高さ位置および押圧荷重の
時間的変化を示すグラフ （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のボンドの粘度の時間的変化を示すグラフ
品の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のバンプ付き電子部品の高さ位置および押圧荷重の
時間的変化を示すグラフ （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のボンドの粘度の時間的変化を示すグラフ
１ 基板 ２ 電極 ４ ボンド ５ バンプ付電子部品 ６ 半田バンプ ７ 圧着ツール ８ 昇降手段 ９ 押圧手段 １０ 制御部
Claims (5)
- 【請求項１】電子部品と基板の電極の少なくともいずれ
か一方に半田部を形成しておき、この半田部を介して電
子部品を基板に接合する電子部品の実装方法であって、
基板の電極上またはこの電極上に形成された半田部上
に、半田融点温度より高い融点温度を有する硬化剤を含
むボンドを塗布する工程と、前記電子部品を保持した圧
着ツールを昇降手段により昇降させて前記ボンドが塗布
された基板に前記電子部品を搭載する工程と、この電子
部品を押圧手段によって基板に押圧しながら加熱手段に
よって加熱することにより前記ボンドを硬化させる工程
と、前記ボンドが硬化を開始する前に前記半田部を溶融
させて前記電子部品を前記基板に半田付けする工程とを
含み、前記電子部品を加熱する工程において前記半田部
の温度が制御切換温度範囲に到達するまでは、前記押圧
手段を制御することにより電子部品を基板に押圧する押
圧荷重を制御し、制御切換温度範囲に到達した後は前記
昇降手段を制御することにより電子部品の基板に対する
高さ位置を制御することを特徴とする電子部品の実装方
法。 - 【請求項２】前記半田部の温度が前記制御切換温度範囲
に到達するのに必要な時間を実験値に基づいて設定して
おき、前記電子部品を加熱する工程においてこの設定さ
れた時間に基づいて制御方式を切り換えることを特徴と
する請求項１記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項３】前記制御切換温度範囲が前記半田部の融点
温度の６０％に設定される設定温度と半田融点温度の間
であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装
方法。 - 【請求項４】前記制御切換温度範囲に到達したことを圧
着ツールに設けられた温度計測手段によって検出するこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項５】前記制御切換温度範囲が前記半田部の融点
温度であることを特徴とする請求項４記載の電子部品の
実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01108998A JP3539176B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01108998A JP3539176B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 電子部品の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214439A true JPH11214439A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3539176B2 JP3539176B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=11768270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01108998A Expired - Lifetime JP3539176B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3539176B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003993A1 (ja) * | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Toray Engineering Co., Ltd. | 実装方法および実装装置 |
| JP2009212186A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法および装置 |
| JP2009277962A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Nec Corp | 電子部品の製造装置及びその製造方法 |
| JP2015164222A (ja) * | 2015-05-14 | 2015-09-10 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装方法および実装装置 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP01108998A patent/JP3539176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003993A1 (ja) * | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Toray Engineering Co., Ltd. | 実装方法および実装装置 |
| JP2009212186A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法および装置 |
| JP2009277962A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Nec Corp | 電子部品の製造装置及びその製造方法 |
| JP2015164222A (ja) * | 2015-05-14 | 2015-09-10 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装方法および実装装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3539176B2 (ja) | 2004-07-07 |
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