JPH11207870A

JPH11207870A - 金属箔張回路用基板およびこれを用いてなる回路板ならびに金属箔張回路板

Info

Publication number: JPH11207870A
Application number: JP1435398A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Shibagaki; 和芳柴垣; Yoshiaki Murakami; 吉昭村上
Original assignee: Nitto Denko Corp; Nitto Shinko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp; Nitto Shinko Corp
Priority date: 1998-01-27
Filing date: 1998-01-27
Publication date: 1999-08-03

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のセラミック基板の欠点である脆さ、焼結
後の板厚精度、後加工性等を改善するとともに、従来の
高誘電率の無機粉末を分散した有機系ポリマー材料から
なる基板の製品不均一性、吸水特性等を改善することが
でき、しかも、高周波特性に優れた低損失な金属箔張回
路用基板を提供する。【解決手段】下記のシート状基材（Ｘ）が一層積層され
てなる誘電体層１の両面に、金属箔２が積層接着されて
いる金属箔張回路用基板である。（Ｘ）下記のマトリックス樹脂（Ａ）に下記の特性
（Ｂ）を備えたセラミック粉末が分散されてなるシート
状基材。（Ａ）低誘電性エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂およびビニル系樹脂からなる群から選ばれ
た少なくとも一つ。（Ｂ）周波数１ＭＨｚにおける誘電率が３０以上。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波帯域（ＧＨ
ｚ帯）で用いられる各種の電子機器類、例えば通信機器
類、計測機器類等に実装される小形の金属箔張回路用基
板およびこれを用いてなる回路板ならびに金属箔張回路
板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、回路用基板としては、エポキ
シ系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹
脂等のマトリックス樹脂からなる樹脂溶液を、ガラス繊
維等の補強用基材に含浸させ、この樹脂含浸補強用基材
と、銅箔等の高導電体箔とを積層一体化させてなる基板
が一般的に用いられている。

【０００３】最近の各種電子機器類等に使用される周波
数帯は、チャンネル数確保等のために、従来のＫＨｚ帯
やＭＨｚ帯からＧＨｚ帯の高周波数側にシフトしてい
る。しかしながら、上述の回路用基板の形成材料のＧＨ
ｚ帯における誘電特性は、誘電率（εｒ）が約３．５〜
５．０、誘電正接（ｔａｎδ）が約０．０２〜０．０８
であり、最近の電子機器類は、ますます小形、軽量化、
高性能化の傾向にあるため、上記回路用基板には、さら
に高誘電率で低誘電正接が要求されている。

【０００４】従来より、上記高誘電率基板としては、ア
ルミナ基板等のセラミック基板が用いられているが、上
記無機材料では、板厚精度良く大きなサイズのものが作
り難く、脆い等の欠点もある。さらに、穴あけ加工等の
後加工が困難であり、基板の焼結前後で収縮量が大き
く、製品としての寸法精度やパターン精度が不充分であ
るという欠点もある。

【０００５】そこで、最近では、高誘電率基板として、
有機系ポリマー材料からなるものが提案されている。例
えば、無機質の高誘電体粒子を含有させたポリフェニレ
ンオキサイド樹脂からなるシートと、金属箔とを配設一
体化してなる積層板（特開平５−５７８５２号公報）
や、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と高誘電率の無機粉
末とを配合してなる積層板（特開平７−９６０９号公
報）が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平５−５７８５２号公報に記載の積層板は、樹脂粉末
と充填材粉末との混合物を押出機で押し出すシート化法
によって製造しているため、均一な製品が得られなかっ
たり、充填材粉末との界面にボイド等が残りやすく、吸
水特性に劣る等の欠点がある。また、上記特開平７−９
６０９号公報に記載の積層板は、誘電正接が０．０１２
以上であり、誘電特性的になお改善が必要である。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、従来のセラミック基板の欠点である脆さ、焼結
後の板厚精度、後加工性等を改善するとともに、従来の
有機系ポリマー材料からなる基板の製品不均一性、吸水
特性等を改善することができ、しかも高周波特性に優れ
た低損失な金属箔張回路用基板およびこれを用いてなる
回路板ならびに金属箔張回路板の提供をその目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、下記のシート状基材（Ｘ）が一層もし
くは二層以上積層されてなる誘電体層の少なくとも片面
に、金属箔が積層接着されている金属箔張回路用基板を
第１の要旨とする。（Ｘ）下記のマトリックス樹脂（Ａ）に下記の特性
（Ｂ）を備えたセラミック粉末が分散されてなるシート
状基材。（Ａ）低誘電性エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂およびビニル系樹脂からなる群から選ばれ
た少なくとも一つ。（Ｂ）周波数１ＭＨｚにおける誘電率が３０以上。

【０００９】そして、上記金属箔張回路用基板の金属箔
に所定の回路パターンが形成されてなる回路板を第２の
要旨とする。また、上記回路板の回路パターン表面に、
接着剤層を介して、金属箔が積層接着されてなる金属箔
張回路板、あるいは上記回路板の回路パターン表面に、
接着剤層を介して、上記金属箔張回路用基板をその金属
箔が表面に露呈するよう積層接着してなる金属箔張回路
板を第３の要旨とする。

【００１０】本発明者らは、上記課題を解決し得る回路
用基板について鋭意研究を重ねた。その結果、分子内に
水酸基やカルボキシル基等の極性基の少ない低誘電性エ
ポキシ樹脂、非極性なフッ素系樹脂、耐熱性に優れたポ
リオレフィン系樹脂およびビニル系樹脂からなる群から
選ばれた少なくとも一つをマトリックス樹脂（Ａ）と
し、これに高誘電率の上記特殊なセラミック粉末を分散
させてなるシート状基材（Ｘ）を少なくとも一層積層さ
せた誘電体層をその回路用基板に用いることにより、上
記課題を解決できることを見いだし本発明に到達した。
すなわち、上記誘電体層を構成するシート状基材（Ｘ）
が、有機系ポリマー材料である上記特殊なマトリックス
樹脂（Ａ）に、高誘電率である上記特殊なセラミック粉
末が分散されてなる。そのため、従来のセラミック基板
の欠点である脆さ、焼結後の板厚精度、後加工性等を改
善することができ、しかも高周波特性に優れ低損失とな
る。また、上記シート状基材（Ｘ）を積層するだけで所
望の誘電体層を形成することができ、従来の有機系ポリ
マー材料からなる基板のような押し出し等による工程が
ないため、均一な製品を作製することができるととも
に、ボイド等の残存がないため吸水特性等の問題も改善
することができる。

【００１１】さらに、低誘電性のマトリックス樹脂
（Ａ）と、高誘電率のセラミック粉末とを用いることに
より、誘電体内での電磁波の波長短縮率を大きくするこ
とができるため、プリント基板としては回路パターンの
小形化が可能であり、この基板が搭載される機器類（例
えば、携帯電話等）をコンパクトにすることが可能であ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。

【００１３】本発明の金属箔張回路用基板は、特殊なシ
ート状基材（Ｘ）が一層もしくは二層以上積層されてな
る誘電体層の少なくとも片面に、金属箔が積層接着され
た構成をとる。しかも、この金属箔張回路用基板自身
は、基板の構成、板厚等により、リジッド・タイプで
も、フレキシブル・タイプでも可能である。

【００１４】上記誘電体層は、特殊なシート状基材
（Ｘ）を少なくとも一層備えた構成である。そして、上
記誘電体層が単層の場合は、シート状基材（Ｘ）単層の
みで誘電体層を構成し、上記誘電体層が二層以上の多層
の場合は、その層の数に応じてシート状基材（Ｘ）が複
数積層されて多層構造の誘電体層を構成する。

【００１５】上記特殊なシート状基材（Ｘ）は、特定の
マトリックス樹脂（Ａ）に特殊なセラミック粉末が分散
された構成をとる。上記特定のマトリックス樹脂（Ａ）
としては、低誘電性エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、ポリ
オレフィン系樹脂、ビニル系樹脂があげられ、単独でも
しくは２種以上併せて用いられる。

【００１６】上記低誘電性エポキシ樹脂としては、周波
数１ＭＨｚにおける誘電率が３．５以下で、かつ誘電正
接が０．０１未満のものが好ましく、より好ましくは誘
電率が３．３以下で、かつ誘電正接が０．００８以下で
ある。すなわち、上記誘電率が３．５を越えるか、ある
いは誘電正接が０．０１以上であると、樹脂系としての
誘電体損失が大きくなる傾向が見られるからである。

【００１７】上記低誘電性エポキシ樹脂としては、エポ
キシ当量が３００〜２０００ｇ／ｅｑの範囲にあるもの
が好ましく、より好ましくは３５０〜１５００ｇ／ｅｑ
の範囲である。すなわち、エポキシ当量が３００ｇ／ｅ
ｑ未満であると、種々の硬化剤との反応により、極性基
である水酸基が多量に生成し誘電特性的に好ましくな
く、また架橋密度が高くなりすぎ、マトリックス樹脂と
しての強靱性が劣る傾向が見られるからである。逆に、
エポキシ当量が２０００ｇ／ｅｑを越えると、生成する
水酸基の数が少なくなりすぎ、金属箔との接着性が低下
する傾向が見られるからである。

【００１８】上記エポキシ樹脂としては、低誘電性のも
のであれば分子骨格的にも特に制限はなく、例えばビス
フェノールＡ型，ビスフェノールＦ型，ビスフェノール
Ｓ型等のジグリシジルエーテル類、フェノールノボラッ
クやクレゾールノボラック型等からなる各種ノボラック
類、ビフェニル骨格型、ナフタレン骨格型、フルオレン
骨格型、スピロ環型、グリシジルエステル型、脂環式や
複素環式等のものがあげられる。これらは単独でもしく
は２種以上併せて用いられる。なかでも、耐熱性、耐半
田性に優れる点で、種々のビスフェノール型のジグリシ
ジルエーテル類、種々のノボラック類、ナフタレン骨格
型が好ましい。なお、難燃性を付与する目的で、上記エ
ポキシ樹脂の骨格に臭素原子を導入した臭素化エポキシ
樹脂を用いても差し支えない。

【００１９】上記低誘電性エポキシ樹脂の硬化剤として
は、従来公知のものを使用することができ、例えば脂肪
族，芳香族，環状等の各種アミン系、酸無水物系、アル
コール系やフェノール系等のものがあげられる。これら
は単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

【００２０】上記フッ素系樹脂としては、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、フルオロエチレンプロピ
レンポリマー、パーフルオロアルキルビニルエーテルポ
リマー等が好ましく、なかでも耐熱性、強靱性に優れる
点で、ＰＴＦＥが好適である。

【００２１】上記ポリオレフィン系樹脂としては、超高
分子量ポリエチレン、超高分子量ポリプロピレン、ポリ
メチルペンテン等の耐熱性に優れた樹脂が好ましい。ま
た、上記ビニル系樹脂としては、超高分子量ポリスチレ
ン等の耐熱性に優れた樹脂が好ましい。上記ポリオレフ
ィン系樹脂およびビニル系樹脂の分子量としては、３×
１０⁵〜８×１０⁶が好ましく、特に好ましくは５×１
０⁵〜６×１０⁶である。

【００２２】上記マトリックス樹脂（Ａ）に分散させる
セラミック粉末は、周波数１ＭＨｚにおける誘電率が３
０以上であることが必要であり、好ましくは４０〜１０
０００、特に好ましくは５０〜５０００である。すなわ
ち、誘電率が３０未満であると、複合体としての誘電率
の増加をあまり期待できないからである。

【００２３】また、上記セラミック粉末は、周波数１Ｍ
Ｈｚにおける誘電正接が０．０８以下が好ましく、より
好ましくは０．０７以下、特に好ましくは０．０６以下
である。すなわち、誘電正接が０．０８を越えると、複
合体としての誘電特性が低下し、誘電体損失の増加をも
たらすおそれがあるからである。

【００２４】このようなセラミック粉末としては、無機
系高誘電率セラミック粉末が好ましく、例えば二酸化チ
タン（ＴｉＯ₂）または酸化バリウム，酸化ストロンチ
ウム，酸化ジルコニウム，酸化カルシウム等との化合物
あるいは混合物を混晶ないし固溶体としたもの等が挙げ
られる。なかでも、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ₃）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、チ
タン酸カルシウム、スズ酸バリウム、ジルコン酸バリウ
ム、ジルコン酸ストロンチウム等がより好ましく、特に
好ましくはＴｉＯ₂、ＳｒＴｉＯ₃、ＢａＴｉＯ₃であ
る。

【００２５】上記セラミック粉末の平均粒子径として
は、０．１〜１５μｍの範囲のものが好ましく、特に好
ましくは０．３〜１０μｍである。なお、その粒度分布
範囲としては、０．０２〜３０μｍが好ましい。すなわ
ち、平均粒子径が０．１μｍ未満であると、上記セラミ
ック粉末を分散させてなる樹脂溶液のチクソ性が増大
し、シート状繊維基材に樹脂溶液を均一に含浸するのが
困難になるからである。逆に、平均粒子径が１５μｍを
越えると、セラミック粉末を分散させてなる樹脂溶液の
安定性が悪くなり、相分離が生じたり、またはシート状
繊維基材に浸漬含浸させた後の樹脂の表面平滑性が著し
く低下したり、あるいはキャスティング法によりシート
状基材（Ｘ）を作製する際に、シート切れが生じる等の
種々の問題が懸念されるからである。

【００２６】上記セラミック粉末の配合量は、上記マト
リックス樹脂（Ａ）１００重量部（以下「部」と略す）
に対して、５０〜４００部の範囲が好ましく、より好ま
しくは７０〜３５０部である。

【００２７】上記シート状繊維基材としては、補強材と
して用いられるものであれば特に制限はないが、織布、
不織布、マット状のもの等が好ましく、材質的には、種
々のガラス質やセラミック質、またはアラミド樹脂、Ｐ
ＴＦＥ、超高分子量ポリエチレン等からなる高強度の有
機質ポリマーが好ましく、なかでも機械的強度、取り扱
い作業性、価格等の点で、ガラス繊維が好適である。

【００２８】上記シート状繊維基材の厚みとしては、３
０〜２００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは３５
〜１５０μｍである。すなわち、厚みが３０μｍ未満で
あると、樹脂溶液の含浸工程での作業性、仕上がり外観
等が悪くなる傾向が見られ、２００μｍを越えると、樹
脂含浸後の表面凹凸が大きくなりやすく、金属箔張回路
板での微細パターン加工が難しくなる傾向が見られるか
らである。

【００２９】上記誘電体層の少なくとも片面に積層接着
させる金属箔としては、従来公知のものであれば特に制
限はないが、銅箔、ニッケル箔、ステンレス箔、アルミ
ニウム箔、銀箔等が好ましい。これらは、単独箔もしく
は複合箔として、あるいはメッキ箔として用いることが
できる。また、上記金属箔の厚みとしては、パターン加
工精度等の点で、１０〜３５μｍが好ましい。なお、上
記金属箔は、誘電体層の少なくとも片面に積層接着され
ていればよいが、誘電体層の両面に積層接着させても差
し支えない。

【００３０】つぎに、本発明の金属箔張回路用基板の製
法について具体的に説明する。まず、金属箔張回路用基
板の誘電体層を構成するシート状基材（Ｘ）は、下記に
述べる浸漬含浸法、キャスティング法、成型品切削法、
プレス成型法等により作製することができる。

【００３１】（浸漬含浸法）まず、上記マトリックス樹
脂（Ａ）である低誘電性エポキシ樹脂の溶液に、上記特
殊なセラミック粉末を分散させる。つぎに、この混合溶
液中に上記特殊なシート状繊維基材を浸漬した後、この
シート状繊維基材を混合溶液中から引き上げ、シート状
繊維基材に上記低誘電性エポキシ樹脂およびセラミック
粉末を含浸させることにより、低誘電性エポキシ樹脂を
主成分とするシート状基材（Ｘ）を作製することができ
る。

【００３２】（キャスティング法）まず、上記マトリッ
クス樹脂（Ａ）であるフッ素系樹脂のディスパージョン
液に、上記セラミック粉末を分散させる。つぎに、この
分散液をキャスティングし、シート化することにより、
フッ素系樹脂を主成分とするシート状基材（Ｘ）を作製
することができる。なお、上記分散液をキャスティング
しシート化したものと、上記シート状繊維基材とを、プ
レス機等を用いてプレス積層することにより、フッ素系
樹脂を主成分とするシート状基材（Ｘ）と、シート状繊
維基材とを積層一体化させることもできる。

【００３３】（成型品切削法，プレス成型法）まず、上
記フッ素系樹脂の微粉末と、上記セラミック粉末の微粉
末とを固相で分散配合し、一旦成型品を作製する。そし
て、この成型品をシート状に切削するか、あるいは直接
シート状にプレス成型することにより、フッ素系樹脂を
主成分とするシート状基材（Ｘ）を作製することができ
る。

【００３４】なお、上記シート状基材（Ｘ）は、使用す
るマトリックス樹脂（Ａ）の特性等に応じて、上述の浸
漬含浸法、キャスティング法、成型品切削法、プレス成
型法等を適宜に選択することにより作製される。

【００３５】本発明の金属箔張回路用基板における誘電
体層は、先に述べたように、上記シート状基材（Ｘ）が
一層のみからなる単層構造であっても、シート状基材
（Ｘ）が二層以上積層されてなる多層構造のいずれであ
っても差し支えない。そして、上記誘電体層が多層構造
の場合には、上述の方法により作製した各シート状基材
（Ｘ）を積層することにより誘電体層が作製される。こ
の場合、積層される各シート状基材（Ｘ）のマトリック
ス樹脂（Ａ）としては、低誘電性エポキシ樹脂、フッ素
系樹脂、ポリオレフィン系樹脂およびビニル系樹脂のい
ずれか一つの樹脂であればよく、誘電体層を構成する各
シート状基材（Ｘ）のマトリックス樹脂（Ａ）は同一種
類であっても、異なる種類のものであっても差し支えな
い。

【００３６】なお、マトリックス樹脂（Ａ）として、フ
ッ素系樹脂、ポリオレフィン系樹脂もしくはビニル系樹
脂を使用する場合は、これら樹脂が非極性であるため、
低誘電性エポキシ樹脂を使用する場合に比べて、金属箔
との接着性が若干劣る。したがって、シート状基材
（Ｘ）の表面に、乾式処理や湿式処理等の接着化処理を
施すことが好ましい。上記乾式処理としては、コロナ処
理、スパッタエッチング処理、プラズマ処理、種々の紫
外線照射処理、火炎照射処理、各種の雰囲気ガス条件下
での放電加工処理があげられる。これらの処理は単独で
もしくは２種以上組み併せて行われる。なかでも、フッ
素系樹脂を主成分とするシート状基材（Ｘ）の場合は、
湿式処理を行うことが好ましく、特にナトリウム・ナフ
タレン錯体からなる溶液、ナトリウム・アンモニアのテ
トラヒドロフラン（ＴＨＦ）からなる溶液等への浸漬処
理法が好ましい。

【００３７】上記誘電体層の厚みとしては、積層するシ
ート状基材（Ｘ）の積層数により異なるが、３５μｍ〜
１．６ｍｍが好ましく、特に好ましくは４０μｍ〜０．
８ｍｍである。

【００３８】このようにして得られた誘電体層の少なく
とも片面に、上記金属箔を積層用真空プレス機等を用い
て、温度１５０〜３９０℃、圧力５〜５０ｋｇ／ｃｍ²
の条件下、２０〜１２０分間加熱加圧する等の方法によ
り積層接着することにより、図１および図２に示すよう
な、本発明の金属箔張回路用基板を作製することができ
る。ここで、図１は、単一のシート状基材（Ｘ）からな
る誘電体層１の片面にのみ、上記金属箔２が積層接着さ
れてなる本発明の片面金属箔張回路用基板の一例を示す
模式図であり、図２は、上記誘電体層１の両面に上記金
属箔２がそれぞれ積層接着されてなる両面金属箔張回路
用基板の一例を示す模式図である。

【００３９】そして、本発明の回路板は、上記で得られ
た片面もしくは両面金属箔張回路用基板の金属箔上に所
定のパターン加工、すなわちフォトレジストをコーティ
ングした後、所定のフォトマスクを介して露光、現像
し、ついで目的のパターンにエッチング加工を施すこと
により作製することができる。例えば、図１および図２
に示すような、片面もしくは両面金属箔張回路用基板の
金属箔２に、上記パターン加工を施すことにより、図３
および図４に示すような、所定の回路パターン２０が形
成されてなる回路板を作製することができる。

【００４０】さらに、本発明の金属箔張回路板は、上記
で得られた回路板の回路パターン表面に、層間接着用の
プリプレグシート等の接着剤層を介して、上記金属箔を
積層プレス機等を用いて積層接着することにより作製す
ることができる。例えば、図３および図４に示すよう
な、回路板の回路パターン２０表面に、接着剤層３を介
して、上記金属箔２を積層接着することにより、図５お
よび図６に示すような、金属箔張回路板を作製すること
ができる。

【００４１】上記接着剤層形成材料としては、上記プリ
プレグシート以外に、各種汎用の接着用プリプレグシー
トや樹脂シート等が用いられる。

【００４２】あるいは、本発明の金属箔張回路板は、上
記で得られた回路板の回路パターン表面に、上記と同様
の接着剤層を介して、上記で得られた金属箔張回路用基
板をその金属箔が表面に露呈するよう、積層プレス機等
を用いて積層接着することにより作製することができ
る。例えば、図３に示すような、回路板の回路パターン
２０表面に、接着剤層３を介して、図１に示すような、
片面金属箔張回路用基板をその金属箔２が表面に露呈す
るよう積層接着することにより、図７に示すような、金
属箔張回路板を作製することができる。また、図３に示
すような、回路板の回路パターン２０表面に、接着剤層
３を介して、図２に示すような、両面金属箔張回路用基
板を積層接着することにより、図８に示すような、金属
箔張回路板を作製することができる。

【００４３】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００４４】まず、実施例および比較例に先立ち、金属
箔張回路用基板の誘電体層形成材料として、下記の表１
に示す特性（誘電正接、誘電率）を備えた材料を準備し
た。なお、各特性の値は、ＪＩＳＣ６４８１に記載
の方法に基づく測定値である。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【実施例１】まず、低誘電性エポキシ樹脂（三井石油化
学工業社製Ｒ２６１１Ｍ７５、エポキシ当量４０１ｇ／
ｅｑ）６５．５部（固形分換算）と、フェノール系硬化
剤（三井石油化学工業社製Ｑ２６１１Ｍ７０、水酸基当
量２０３ｇ／ｅｑ）３４．５部（固形分換算）とからな
るメチルエチルケトン溶液（以下「Ａ溶液」という）を
調製した。また、エポキシ系カップリング剤としてβ−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン１部と、チタン酸バリウム（平均粒子径１．５
μｍ、粒度分布範囲約０．１〜５．０μｍ）１２０部と
からなるメチルエチルケトン溶液（以下「Ｂ溶液」とい
う）を調製した。つぎに、上記Ａ溶液とＢ溶液とを混合
し、この混合溶液中に厚み０．１ｍｍのＨガラスクロス
（旭シュエーベル社製）を浸漬し、上記樹脂等を含浸さ
せた後、１２０℃で１５分間乾燥した。この工程を２回
繰り返して、厚み１１０μｍのシート状基材（プリプレ
グ）を得た。そして、このプリプレグを５枚重ね合わ
せ、その両面に厚み１８μｍの電解銅箔を配置し、積層
用真空プレス機にて、温度１８０℃、圧力４０ｋｇ／ｃ
ｍ²の条件下、９０分間加熱加圧することにより、両面
銅箔張回路用基板（７層構造）を作製した。

【００４７】ついで、上記両面銅箔張回路用基板の両面
の電解銅箔に、通常のサブトラクティブ法によりパター
ン加工を施した。すなわち、フォトレジストをディッピ
ングコートし、所定のフォトマスクを介して、露光、現
像、エッチング加工することにより、目的とする回路板
を作製した。

【００４８】

【実施例２】上記Ｈガラスクロスに代えて、厚み０．０
５ｍｍのＥガラスクロスを用いる以外は、実施例１と同
様にして、厚み７５μｍのプリプレグを得た。このプリ
プレグを７枚重ね合わせ、その両面に厚み１８μｍの電
解銅箔を配置した後、実施例１と同様にして、両面銅箔
張回路用基板（９層構造）を作製した。そして、この両
面銅箔張回路用基板を用いて、実施例１と同様にして回
路板を作製した。

【００４９】

【実施例３】ＰＴＦＥ樹脂のディスパージョン（ダイキ
ン工業社製ポリフロンＴＦＥＤ−１、固形分濃度約６
０重量％、平均粒子径約０．２〜０．４μｍ、ｐＨ約１
０）１０００ｍｌに、平均粒子径が約０．３μｍの二酸
化チタン（ルチル型）９００ｇを添加し、充分に混合す
ることにより分散液を得た。そして、この分散液をアル
ミニウム箔の上にキャスティングした後、乾燥（１１０
℃、１分）および焼結（３３０℃、３分）の各工程を３
回繰り返し行った。その後、キャスティング・シートを
上記アルミニウム箔から剥離し、厚み３５μｍのシート
状基材を得た。そして、このシート状基材を８枚重ね合
わせ、その両面に厚み１８μｍの電解銅箔を配置し、積
層用真空プレス機にて、温度３５０℃、圧力１０ｋｇ／
ｃｍ²の条件下、６０分間加熱加圧することにより、両
面銅箔張回路用基板（１０層構造）を作製した。そし
て、この両面銅箔張回路用基板を用いて、実施例１と同
様にして回路板を作製した。

【００５０】

【実施例４】まず、実施例３と同様にして分散液を調製
した。つぎに、この分散液に実施例２と同様のＥガラス
クロスを浸漬し、ディッピング・コートした後、乾燥
（１１０℃、１分）および焼結（３３０℃、３分）の各
工程を２回繰り返し行い、厚み８０μｍのプリプレグを
得た。そして、このプリプレグを８枚重ね合わせ、その
両面に厚み１８μｍの電解銅箔を配置し、積層用真空プ
レス機にて、温度３８０℃、圧力３０ｋｇ／ｃｍ²の条
件下、６０分間加熱加圧することにより、両面銅箔張回
路用基板（１０層構造）を作製した。そして、この両面
銅箔張回路用基板を用いて、実施例１と同様にして回路
板を作製した。

【００５１】

【実施例５】超高分子量ポリエチレン（平均分子量約５
×１０⁵、平均粒子径約２０μｍ）１００部に、実施例
１と同様のチタン酸バリウム１５０部を配合し、充分に
混合、分散した。これを、所定の金型に充填した後、室
温下で加圧成型した。ついで、金型に充填した状態のま
まで、熱風式乾燥炉中（１５０℃）で１２時間焼結し
た。そして、室温までゆっくり冷却した後、成型ブロッ
クを金型から取り出した。これを、切削機にて厚み０．
１ｍｍに切削し、セラミック粉末配合の樹脂複合シート
を得た後、複合シートの表面にコロナ処理を行った。そ
して、この樹脂複合シートを３枚重ね合わせ、その両面
には厚み２０μｍのコロナ処理した超高分子量ポリエチ
レンシートを介して、厚み１８μｍの圧延銅箔を配置
し、積層用真空プレス機にて、温度１６５℃、圧力１０
ｋｇ／ｃｍ²の条件下、３０分間加熱加圧することによ
り、両面銅箔張回路用基板（５層構造）を作製した。そ
して、この両面銅箔張回路用基板を用いて、実施例１と
同様にして回路板を作製した。

【００５２】

【実施例６】まず、実施例１と同様にして、プリプレグ
（低誘電性エポキシ樹脂配合）を作製した。一方、実施
例５と同様にして、樹脂複合シート（超高分子量ポリエ
チレン配合）を作製した。つぎに、上記プリプレグを４
枚重ね合わせ、その両面に上記樹脂複合シートをそれぞ
れ配置し、さらにその両面に、厚み１８μｍの圧延銅箔
を配置し、積層用真空プレス機にて、温度１７０℃、圧
力１５ｋｇ／ｃｍ²の条件下、３０分間加熱加圧するこ
とにより、両面銅箔張回路用基板（８層構造）を作製し
た。そして、この両面銅箔張回路用基板を用いて、実施
例１と同様にして回路板を作製した。

【００５３】

【実施例７】実施例２におけるＢ溶液のセラミック粉末
を、平均粒子径１．２μｍ、粒度分布範囲約０．１〜
５．０μｍのチタン酸ストロンチウム２２０部（固形分
換算）に変更した以外は、実施例２と同様にして両面銅
箔張回路用基板（９層構造）を作製した。そして、この
両面銅箔張回路用基板を用いて、実施例１と同様にして
回路板を作製した。

【００５４】

【比較例】実施例２のＡ溶液に代えて、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製エピコート
♯８２８とエピコート♯１００１の２：１当量混合物、
エポキシ当量２８５ｇ／ｅｑ）５８部と、フェノール系
硬化剤（三井石油化学工業社製Ｑ２６１１Ｍ７０、水酸
基当量２０３ｇ／ｅｑ）４２部（固形分換算）とからな
るメチルエチルケトン溶液を用いる以外は、実施例２と
同様にして両面銅箔張回路用基板（９層構造）を作製し
た。そして、この両面銅箔張回路用基板を用いて、実施
例１と同様にして回路板を作製した。

【００５５】このようにして得られた実施例品および比
較例品の各回路板を用い、ＪＩＳＣ６４８１に記載の
方法に準じて、誘電率、誘電正接および銅箔接着強度を
測定した。その結果を下記の表２および表３に示す。

【００５６】

【表２】

【００５７】

【表３】

【００５８】上記表２および表３の結果から、全実施例
品は誘電率が高く、しかも比較例品に比べて、誘電正接
が低いことが確認された。

【００５９】

【発明の効果】以上のように、本発明の金属箔張回路用
基板は、上記特殊なシート状基材（Ｘ）が一層もしくは
二層以上積層されてなる誘電体層の少なくとも片面に、
金属箔が積層接着された構成をとる。そして、上記誘電
体層を構成するシート状基材（Ｘ）が、有機系ポリマー
材料である上記特殊なマトリックス樹脂（Ａ）に、高誘
電率の上記特殊なセラミック粉末が分散されてなる。そ
のため、従来のセラミック基板の欠点である脆さ、焼結
後の板厚精度、後加工性等を改善することができ、しか
も、高周波特性に優れ低損失となるという優れた効果を
奏する。また、上記シート状基材（Ｘ）を積層するだけ
で所望の誘電体層を形成することができ、従来の有機系
ポリマー材料からなる基板のような押し出し等による工
程がないため、均一な製品を作製することができるとと
もに、ボイド等の残存がないため吸水特性等の問題も改
善することができる。

【００６０】さらに、本発明によれば、低誘電性のマト
リックス樹脂（Ａ）と、高誘電率のセラミック粉末とを
用いることにより、誘電体内での電磁波の波長短縮率を
大きくすることができるため、プリント基板としては回
路パターンの小形化が可能であり、この基板が搭載され
る機器類（例えば、携帯電話等）をコンパクトにできる
という優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る片面金属箔張回路用基
板の模式図である。

【図２】本発明の一実施例に係る両面金属箔張回路用基
板の模式図である。

【図３】本発明の一実施例に係る回路板の模式図であ
る。

【図４】本発明の一実施例に係る回路板の模式図であ
る。

【図５】本発明の一実施例に係る金属箔張回路板の模式
図である。

【図６】本発明の一実施例に係る金属箔張回路板の模式
図である。

【図７】本発明の一実施例に係る金属箔張回路板の模式
図である。

【図８】本発明の一実施例に係る金属箔張回路板の模式
図である。

【符号の説明】

１誘電体層２金属箔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記のシート状基材（Ｘ）が一層もしく
は二層以上積層されてなる誘電体層の少なくとも片面
に、金属箔が積層接着されていることを特徴とする金属
箔張回路用基板。（Ｘ）下記のマトリックス樹脂（Ａ）に下記の特性
（Ｂ）を備えたセラミック粉末が分散されてなるシート
状基材。（Ａ）低誘電性エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂およびビニル系樹脂からなる群から選ばれ
た少なくとも一つ。（Ｂ）周波数１ＭＨｚにおける誘電率が３０以上。
【請求項２】上記シート状基材（Ｘ）が、さらにシー
ト状繊維基材を含有している請求項１記載の金属箔張回
路用基板。
【請求項３】上記低誘電性エポキシ樹脂が、下記の硬
化物特性（ｘ）および（ｙ）の双方を備えている請求項
１または２記載の金属箔張回路用基板。（ｘ）周波数１ＭＨｚにおける誘電率が３．５以下。（ｙ）周波数１ＭＨｚにおける誘電正接が０．０１未
満。
【請求項４】上記フッ素系樹脂が、ポリテトラフルオ
ロエチレンである請求項１〜３のいずれか一項に記載の
金属箔張回路用基板。
【請求項５】上記ポリオレフィン系樹脂が、超高分子
量ポリエチレンおよび超高分子量ポリプロピレンの少な
くとも一方である請求項１〜４のいずれか一項に記載の
金属箔張回路用基板。
【請求項６】上記ビニル系樹脂が、超高分子量ポリス
チレンである請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属
箔張回路用基板。
【請求項７】上記セラミック粉末が、二酸化チタン、
チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸バリウムからな
る群から選ばれた少なくとも一つである請求項１〜６の
いずれか一項に記載の金属箔張回路用基板。
【請求項８】上記シート状繊維基材が、ガラス繊維、
アラミド繊維、超高分子量ポリエチレン繊維およびポリ
テトラフルオロエチレン繊維からなる群から選ばれた少
なくとも一つである請求項２〜７のいずれか一項に記載
の金属箔張回路用基板。
【請求項９】請求項１〜８のいずれか一項に記載の金
属箔張回路用基板の金属箔に所定の回路パターンが形成
されてなる回路板。
【請求項１０】請求項９に記載の回路板の回路パター
ン表面に、接着剤層を介して、金属箔が積層接着されて
なる金属箔張回路板。
【請求項１１】請求項９に記載の回路板の回路パター
ン表面に、接着剤層を介して、請求項１〜８のいずれか
一項に記載の金属箔張回路用基板をその金属箔が表面に
露呈するよう積層接着してなる金属箔張回路板。