JPH0946012A - 低誘電率フレキシブル配線基板 - Google Patents
低誘電率フレキシブル配線基板Info
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- JPH0946012A JPH0946012A JP22447095A JP22447095A JPH0946012A JP H0946012 A JPH0946012 A JP H0946012A JP 22447095 A JP22447095 A JP 22447095A JP 22447095 A JP22447095 A JP 22447095A JP H0946012 A JPH0946012 A JP H0946012A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、低誘電率フレキシブル配線基板に
おいて、特定の接着剤層を用いることにより、特に反り
が極めて少ない上、高周波でデータを高速、大量に、し
かも高密度伝送が可能であり、誘電損失が極めて少ない
低誘電率フレキシブル配線基板を提供することを目的と
するものである。 【構成】 本発明は、絶縁フィルムと金属箔とを接着剤
層で接着した低誘電率フレキシブル配線基板において、
前記絶縁フィルムが周波数1MHzで誘電率3以下、誘
電正接0.002以下で、しかも前記接着剤層が線膨張
係数7×10−5/℃〜30×10−5/℃、引張弾性
率30〜300kgf/mm2のものであることを特徴
とするものである。
おいて、特定の接着剤層を用いることにより、特に反り
が極めて少ない上、高周波でデータを高速、大量に、し
かも高密度伝送が可能であり、誘電損失が極めて少ない
低誘電率フレキシブル配線基板を提供することを目的と
するものである。 【構成】 本発明は、絶縁フィルムと金属箔とを接着剤
層で接着した低誘電率フレキシブル配線基板において、
前記絶縁フィルムが周波数1MHzで誘電率3以下、誘
電正接0.002以下で、しかも前記接着剤層が線膨張
係数7×10−5/℃〜30×10−5/℃、引張弾性
率30〜300kgf/mm2のものであることを特徴
とするものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、低誘電率フレキシ
ブル配線基板に関し、特に反りが極めて少ない上、高周
波でデータを高速、大量に、しかも高密度伝送が可能で
あり、誘電損失が極めて少ない低誘電率フレキシブル配
線基板に関するものである。
ブル配線基板に関し、特に反りが極めて少ない上、高周
波でデータを高速、大量に、しかも高密度伝送が可能で
あり、誘電損失が極めて少ない低誘電率フレキシブル配
線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、一般に、フレキシブル配線基板は
厚みが25、50、75、又は125μmの絶縁フィル
ム(ベースフィルムともいう。)の片面に接着剤で厚み
18、35、又は70μmの金属箔からなる導体を接着
し、パターン形成した後、ベースフィルムと同様の材料
からなるカバーレイ又はカバーコートを接着剤で接着す
るという手順で作られている。
厚みが25、50、75、又は125μmの絶縁フィル
ム(ベースフィルムともいう。)の片面に接着剤で厚み
18、35、又は70μmの金属箔からなる導体を接着
し、パターン形成した後、ベースフィルムと同様の材料
からなるカバーレイ又はカバーコートを接着剤で接着す
るという手順で作られている。
【0003】又、必要に応じて紙フェノール基材、ガラ
スエポキシ基材、コンポジット基材などが補強基材とし
て貼り合わせられることもある。
スエポキシ基材、コンポジット基材などが補強基材とし
て貼り合わせられることもある。
【0004】絶縁フィルムの材料としては、ポリイミド
が多用され、この他にポリエステル、ふっ化エチレン−
プロピレン共重合体(PFEP)、ポリ4ふっ化エチレ
ン(PTFE)、ポリクロロトリフルオロエチレン(P
CTFE)、ポリふっ化ビニル、ポリアミド、ポリエチ
レンなどが用いられる。
が多用され、この他にポリエステル、ふっ化エチレン−
プロピレン共重合体(PFEP)、ポリ4ふっ化エチレ
ン(PTFE)、ポリクロロトリフルオロエチレン(P
CTFE)、ポリふっ化ビニル、ポリアミド、ポリエチ
レンなどが用いられる。
【0005】導体としては、一般に、電解銅箔又は圧延
銅箔が用いられる。
銅箔が用いられる。
【0006】前記接着剤は、フローソルダ、リフローソ
ルダなどのはんだ実装に耐える程度の耐熱性を有するこ
と、硬化後も要求される可撓性を有すること、規定のピ
ーリング強度を有すること、耐酸、耐アルカリ、耐溶剤
性などの耐薬品性を有すること、ドリル穴あけ、型抜き
などによる機械加工性が良いこと、規定の電気的特性を
有すること、金、はんだ、ニッケル、銅などのめっき液
に侵され難いこと(耐めっき性を有すること)、難燃性
を有することなどの特性が要求される。
ルダなどのはんだ実装に耐える程度の耐熱性を有するこ
と、硬化後も要求される可撓性を有すること、規定のピ
ーリング強度を有すること、耐酸、耐アルカリ、耐溶剤
性などの耐薬品性を有すること、ドリル穴あけ、型抜き
などによる機械加工性が良いこと、規定の電気的特性を
有すること、金、はんだ、ニッケル、銅などのめっき液
に侵され難いこと(耐めっき性を有すること)、難燃性
を有することなどの特性が要求される。
【0007】これらの要求を満たす接着剤として、エポ
キシ系、ポリエステル系、フェノール合成ゴム系、アク
リル系、ふっ素系、シリコン系接着剤が選ばれるが、前
記の要求される特性を完全に満足する接着剤を得ること
は通常難しいとされている上、接着剤の特性が最終製品
であるフレキシブル配線基板の特性を決定する要因とな
っている場合が多い。
キシ系、ポリエステル系、フェノール合成ゴム系、アク
リル系、ふっ素系、シリコン系接着剤が選ばれるが、前
記の要求される特性を完全に満足する接着剤を得ること
は通常難しいとされている上、接着剤の特性が最終製品
であるフレキシブル配線基板の特性を決定する要因とな
っている場合が多い。
【0008】この接着剤として最も多用されているのは
ポリアミドとエポキシ樹脂の混合系接着剤などの熱硬化
性接着剤である。なお、通常、熱硬化型接着剤は一般物
性が優れるのに反比例して可撓性が失われるため、これ
を変性して用いることが多い。
ポリアミドとエポキシ樹脂の混合系接着剤などの熱硬化
性接着剤である。なお、通常、熱硬化型接着剤は一般物
性が優れるのに反比例して可撓性が失われるため、これ
を変性して用いることが多い。
【0009】又、硬化収縮率が4.0%以下で硬化物の
線膨張係数が3.0×10−5/℃以下、引張弾性率が
500kgf/mm2以下となるポリアミック酸を金属
箔に直接塗布し、加熱して硬化させる事が提案されてい
る(特開昭62−236732号公報)。
線膨張係数が3.0×10−5/℃以下、引張弾性率が
500kgf/mm2以下となるポリアミック酸を金属
箔に直接塗布し、加熱して硬化させる事が提案されてい
る(特開昭62−236732号公報)。
【0010】更に、シート状基材に熱硬化性樹脂を含浸
乾燥して得たプリプレグの層の表面に金属箔を載置して
加熱加圧成形する積層板の製造において、成形に先立ち
金属箔の接着面に(a)アクリロニトリルブタジエンゴ
ム、(b)ポリビニルブチラール、(c)フェノール樹
脂、(d)エポキシ樹脂からなる樹脂組成物の層を形成
しておき、加熱加圧成形した積層板の金属箔の下に厚さ
20μm以上で弾性率10kgf/mm2以下の低弾性
樹脂層を設けることが提案されている(特開平7−11
2506号公報)。
乾燥して得たプリプレグの層の表面に金属箔を載置して
加熱加圧成形する積層板の製造において、成形に先立ち
金属箔の接着面に(a)アクリロニトリルブタジエンゴ
ム、(b)ポリビニルブチラール、(c)フェノール樹
脂、(d)エポキシ樹脂からなる樹脂組成物の層を形成
しておき、加熱加圧成形した積層板の金属箔の下に厚さ
20μm以上で弾性率10kgf/mm2以下の低弾性
樹脂層を設けることが提案されている(特開平7−11
2506号公報)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フレキシブル配線基板は、いずれも、誘電損失が大き
く、特に、高周波用電子機器に使用できないという問題
がある。例えば簡易無線電話システム(PHS)などで
は、現在1.9GHz程度の高周波で信号処理を行って
いる。
フレキシブル配線基板は、いずれも、誘電損失が大き
く、特に、高周波用電子機器に使用できないという問題
がある。例えば簡易無線電話システム(PHS)などで
は、現在1.9GHz程度の高周波で信号処理を行って
いる。
【0012】しかしながら、伝送損失を小さくさせるに
は優れた誘電特性を具備する必要が有るが、従来のフレ
キシブル配線基板では到底処理できなくなるという問題
が生じる。
は優れた誘電特性を具備する必要が有るが、従来のフレ
キシブル配線基板では到底処理できなくなるという問題
が生じる。
【0013】本発明は、前記技術的課題に鑑み完成され
たものであって、この種、低誘電率フレキシブル配線基
板において、特定の絶縁フィルム或いは接着剤層を用い
ることにより、特に反りが極めて少ない上、高周波でデ
ータを高速、大量に、しかも高密度伝送が可能であり、
誘電損失が極めて少ない低誘電率フレキシブル配線基板
を提供することを目的とするものである。
たものであって、この種、低誘電率フレキシブル配線基
板において、特定の絶縁フィルム或いは接着剤層を用い
ることにより、特に反りが極めて少ない上、高周波でデ
ータを高速、大量に、しかも高密度伝送が可能であり、
誘電損失が極めて少ない低誘電率フレキシブル配線基板
を提供することを目的とするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁フィルム
と金属箔とを接着剤層で接着した低誘電率フレキシブル
配線基板において、前記目的を達成するために、前記絶
縁フィルムが周波数1MHzで誘電率3以下、誘電正接
0.002以下で、しかも前記接着剤層が線膨張係数7
×10−5/℃〜30×10−5/℃、引張弾性率30
〜300kgf/mm2のものであることを特徴とする
ものである。
と金属箔とを接着剤層で接着した低誘電率フレキシブル
配線基板において、前記目的を達成するために、前記絶
縁フィルムが周波数1MHzで誘電率3以下、誘電正接
0.002以下で、しかも前記接着剤層が線膨張係数7
×10−5/℃〜30×10−5/℃、引張弾性率30
〜300kgf/mm2のものであることを特徴とする
ものである。
【0015】
【発明の実施の態様】本発明を更に詳細にすれば以下の
通りである。本発明において使用される絶縁フィルムの
材料は、周波数1MHzで誘電率3以下、誘電正接0.
002以下の樹脂であれば特に限定されないが、具体的
には、例えばポリテトラフルオロエチレン(PTF
E)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTF
E)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキル
ビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FE
P)、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体(E
TFE)などのふっ素樹脂、超高分子量ポリプロピレン
樹脂、超高分子量ポリエチレン樹脂、ポリフェニレンオ
キサイド樹脂、メチルペンテル樹脂又はポリフェニレン
オキサイド樹脂(PPO)などが挙げられるが、これら
のうち、特にポリテトラフルオロエチレン(PTF
E)、超高分子量ポリプロピレン樹脂又は超高分子量ポ
リエチレン樹脂などを用いることが好ましい。
通りである。本発明において使用される絶縁フィルムの
材料は、周波数1MHzで誘電率3以下、誘電正接0.
002以下の樹脂であれば特に限定されないが、具体的
には、例えばポリテトラフルオロエチレン(PTF
E)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTF
E)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキル
ビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FE
P)、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体(E
TFE)などのふっ素樹脂、超高分子量ポリプロピレン
樹脂、超高分子量ポリエチレン樹脂、ポリフェニレンオ
キサイド樹脂、メチルペンテル樹脂又はポリフェニレン
オキサイド樹脂(PPO)などが挙げられるが、これら
のうち、特にポリテトラフルオロエチレン(PTF
E)、超高分子量ポリプロピレン樹脂又は超高分子量ポ
リエチレン樹脂などを用いることが好ましい。
【0016】又、この絶縁フィルムは接着剤層との接着
性を高めるために、例えばコロナ処理、プラズマ処理、
スパッタエッチング処理、金属ナトリウム処理などによ
って表面処理することが好ましい。
性を高めるために、例えばコロナ処理、プラズマ処理、
スパッタエッチング処理、金属ナトリウム処理などによ
って表面処理することが好ましい。
【0017】絶縁フィルムはその厚みが10〜500μ
m、好ましくは50〜300μmの範囲内で任意に設定
できるのであり、例えば従来のフレキシブル配線基板の
絶縁フィルムの規格である25、50、75、125μ
mにすることができる。
m、好ましくは50〜300μmの範囲内で任意に設定
できるのであり、例えば従来のフレキシブル配線基板の
絶縁フィルムの規格である25、50、75、125μ
mにすることができる。
【0018】絶縁フィルムの厚みが10μm未満と薄く
なると、要求される機械的強度を得ることが困難になる
恐れがあるので好ましくなく、一方、500μmを超え
ると、製品に要求される可撓性を確保できないので好ま
しくない。
なると、要求される機械的強度を得ることが困難になる
恐れがあるので好ましくなく、一方、500μmを超え
ると、製品に要求される可撓性を確保できないので好ま
しくない。
【0019】本発明で用いられる接着剤層を構成する接
着剤としては熱硬化性樹脂組成物であっても、熱可塑性
樹脂であっても、これらを併用するものであってもよ
い。
着剤としては熱硬化性樹脂組成物であっても、熱可塑性
樹脂であっても、これらを併用するものであってもよ
い。
【0020】本発明で用いられる接着剤層は、金属箔と
絶縁フィルムとの線膨張係数の差を接着剤層が吸収し、
接着機能を発揮するには、接着剤層は、その線膨張係数
が7×10−5℃〜30×10−5/℃、また引張弾性
率30〜300kgf/mm2のものが好ましい。
絶縁フィルムとの線膨張係数の差を接着剤層が吸収し、
接着機能を発揮するには、接着剤層は、その線膨張係数
が7×10−5℃〜30×10−5/℃、また引張弾性
率30〜300kgf/mm2のものが好ましい。
【0021】接着剤層において、線膨張係数が7×10
−5/℃未満の場合、また、引張弾性率が300kgf
/mm2を超える場合には、大きな反りが発生したり、
接着力が弱いから好ましくない。
−5/℃未満の場合、また、引張弾性率が300kgf
/mm2を超える場合には、大きな反りが発生したり、
接着力が弱いから好ましくない。
【0022】一方、線膨張係数が30×10−5/℃未
満の場合、また引張弾性率が30kgf/mm2未満の
場合には、誘電特性が悪く、架橋密度が小さいので耐熱
性が低いから好ましくない。
満の場合、また引張弾性率が30kgf/mm2未満の
場合には、誘電特性が悪く、架橋密度が小さいので耐熱
性が低いから好ましくない。
【0023】更に、本発明において、接着剤層の厚みは
5〜20μmの範囲にするのが好ましく、この厚みが、
5μm未満の場合には、接着剤を均一に塗着させたり、
均一な厚さのフィルムを得ることが困難になる上、必要
な接着強度が得られなくなる恐れがあるので好ましくな
く、一方、20μmを超える場合には、使用中に次第に
可撓性が失われるおそれが生じるだけでなく、誘電特性
が悪化する上、経済的にも不利であるので好ましくな
い。
5〜20μmの範囲にするのが好ましく、この厚みが、
5μm未満の場合には、接着剤を均一に塗着させたり、
均一な厚さのフィルムを得ることが困難になる上、必要
な接着強度が得られなくなる恐れがあるので好ましくな
く、一方、20μmを超える場合には、使用中に次第に
可撓性が失われるおそれが生じるだけでなく、誘電特性
が悪化する上、経済的にも不利であるので好ましくな
い。
【0024】前記接着剤層の誘電率及び誘電正接は、熱
硬化性樹脂組成物硬化体の場合には周波数1MHzで誘
電率4以下、誘電正接0.05以下であることが好まし
い。
硬化性樹脂組成物硬化体の場合には周波数1MHzで誘
電率4以下、誘電正接0.05以下であることが好まし
い。
【0025】このような電気特性を有する熱硬化性樹脂
組成物からなる接着剤としては、具体的には、例えばエ
ポキシ樹脂組成物(三井石油化学工業社製、R2611
M75)、ビスマレイミド・トリアジン樹脂(三菱ガス
化学社製、BTレジン)などをその例として挙げること
ができるのであり、もちろん、これらの中の2種以上を
混用してもよく、又、硬化剤、エラストマー成分等を配
合してもよいのである。
組成物からなる接着剤としては、具体的には、例えばエ
ポキシ樹脂組成物(三井石油化学工業社製、R2611
M75)、ビスマレイミド・トリアジン樹脂(三菱ガス
化学社製、BTレジン)などをその例として挙げること
ができるのであり、もちろん、これらの中の2種以上を
混用してもよく、又、硬化剤、エラストマー成分等を配
合してもよいのである。
【0026】前記のような電気的特性を実現するには、
誘電特性の優れたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物
に弾性率を低下させるエラストマー成分を含有させて、
熱硬化性樹脂組成物硬化体の物性を改善するのが好まし
く、この場合、エラストマー成分としては、エラストマ
ー成分による電気特性の低下を防止するため、ポリエス
テル樹脂、NBR、SBR等の誘電正接が小さい熱可塑
性樹脂のうちの少なくとも1種を用いることが好まし
い。
誘電特性の優れたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物
に弾性率を低下させるエラストマー成分を含有させて、
熱硬化性樹脂組成物硬化体の物性を改善するのが好まし
く、この場合、エラストマー成分としては、エラストマ
ー成分による電気特性の低下を防止するため、ポリエス
テル樹脂、NBR、SBR等の誘電正接が小さい熱可塑
性樹脂のうちの少なくとも1種を用いることが好まし
い。
【0027】又、前記接着剤層が熱可塑性樹脂で形成さ
れている場合には、この接着剤層、つまり熱可塑性樹脂
が、周波数1MHzで誘電率3以下、誘電正接0.00
2以下であることが好ましい。
れている場合には、この接着剤層、つまり熱可塑性樹脂
が、周波数1MHzで誘電率3以下、誘電正接0.00
2以下であることが好ましい。
【0028】このような特性を有する熱可塑性樹脂から
なる接着剤としては、具体的には、例えばポリスチレン
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリフ
ェニレンオキサイド樹脂、メチルペンテン樹脂の他、ポ
リスルホン樹脂などをその例として挙げることができ
る。
なる接着剤としては、具体的には、例えばポリスチレン
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリフ
ェニレンオキサイド樹脂、メチルペンテン樹脂の他、ポ
リスルホン樹脂などをその例として挙げることができ
る。
【0029】そして、前記接着剤層としては、熱硬化性
樹脂組成物と熱可塑性樹脂とを併用したものでも良い。
樹脂組成物と熱可塑性樹脂とを併用したものでも良い。
【0030】具体的には、例えば、接着剤層が、 熱
可塑性多孔質樹脂製フィルムに、熱硬化性樹脂組成物を
含浸し、硬化させてなる、周波数1MHzで誘電率3.
5以下、誘電正接0.005以下のもの、 接着剤層
が、周波数1MHzで、誘電率3以下、誘電正接0.0
02以下の熱可塑性多孔質樹脂製フィルムに、熱硬化性
樹脂組成物を含浸し、硬化させてなる、周波数1MHz
で、誘電率3.5以下、誘電正接0.005以下のも
の、 接着剤層が、熱可塑性多孔質樹脂製フィルム
に、熱可塑性樹脂を含浸してなる、周波数1MHzで誘
電率3.5以下、誘電正接0.005以下のもの、
接着剤層が、周波数1MHzで、誘電率3以下、誘電正
接0.002以下の熱可塑性多孔質樹脂製フィルムに、
熱可塑性樹脂を含浸してなる周波数1MHzで、誘電率
3.5以下、誘電正接0.005以下のもの、等が挙げ
られる。
可塑性多孔質樹脂製フィルムに、熱硬化性樹脂組成物を
含浸し、硬化させてなる、周波数1MHzで誘電率3.
5以下、誘電正接0.005以下のもの、 接着剤層
が、周波数1MHzで、誘電率3以下、誘電正接0.0
02以下の熱可塑性多孔質樹脂製フィルムに、熱硬化性
樹脂組成物を含浸し、硬化させてなる、周波数1MHz
で、誘電率3.5以下、誘電正接0.005以下のも
の、 接着剤層が、熱可塑性多孔質樹脂製フィルム
に、熱可塑性樹脂を含浸してなる、周波数1MHzで誘
電率3.5以下、誘電正接0.005以下のもの、
接着剤層が、周波数1MHzで、誘電率3以下、誘電正
接0.002以下の熱可塑性多孔質樹脂製フィルムに、
熱可塑性樹脂を含浸してなる周波数1MHzで、誘電率
3.5以下、誘電正接0.005以下のもの、等が挙げ
られる。
【0031】本発明の金属箔は金属を箔状に形成したも
のであれば特に限定されないが、この金属としては特に
限定されるものではないが、この金属の具体例として
は、銅、アルミニウム、ニッケル、或いはこれら金属箔
の片面又は両面に銀メッキを施したもの又は金等が挙げ
られるが、これらのうち、電気特性、生産・加工性、経
済性等の理由から、電解銅箔又は圧延銅箔が最も望まし
い。また、この金属箔の厚さとしては、10〜100μ
mのものが望ましい。
のであれば特に限定されないが、この金属としては特に
限定されるものではないが、この金属の具体例として
は、銅、アルミニウム、ニッケル、或いはこれら金属箔
の片面又は両面に銀メッキを施したもの又は金等が挙げ
られるが、これらのうち、電気特性、生産・加工性、経
済性等の理由から、電解銅箔又は圧延銅箔が最も望まし
い。また、この金属箔の厚さとしては、10〜100μ
mのものが望ましい。
【0032】本発明の他の低誘電率フレキシブル配線基
板においては、前記目的を達成するために、加熱下で接
着機能を有し、しかも周波数1MHzで誘電率3以下、
誘電正接0.002以下の熱可塑性樹脂で形成された絶
縁フィルム、或いは接着剤層と、金属箔とからなる二層
構造であることを特徴とするものである。この絶縁フィ
ルム、或いは接着剤層としては前述のものが挙げられ
る。
板においては、前記目的を達成するために、加熱下で接
着機能を有し、しかも周波数1MHzで誘電率3以下、
誘電正接0.002以下の熱可塑性樹脂で形成された絶
縁フィルム、或いは接着剤層と、金属箔とからなる二層
構造であることを特徴とするものである。この絶縁フィ
ルム、或いは接着剤層としては前述のものが挙げられ
る。
【0033】本発明の更に他の低誘電率フレキシブル配
線基板においては、前記目的を達成するために、加温下
で接着機能を有する熱可塑性樹脂を多孔質体に担持させ
てなる、周波数1MHzで誘電率3.5以下、誘電正接
0.005以下の絶縁フィルム、或いは接着剤層と、金
属箔とからなる二層構造であることを特徴とするもので
ある。
線基板においては、前記目的を達成するために、加温下
で接着機能を有する熱可塑性樹脂を多孔質体に担持させ
てなる、周波数1MHzで誘電率3.5以下、誘電正接
0.005以下の絶縁フィルム、或いは接着剤層と、金
属箔とからなる二層構造であることを特徴とするもので
ある。
【0034】前記多孔質体としては、具体的には、例え
ば有機材料或いは無機材料で形成された厚さ10〜30
0μmの不織布、織布又は多孔質フィルム等が挙げられ
る。また、必要に応じて、該多孔質体の表面及びその内
部を、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、スパッタエ
ッチング処理などの表面処理をして用いることができ
る。
ば有機材料或いは無機材料で形成された厚さ10〜30
0μmの不織布、織布又は多孔質フィルム等が挙げられ
る。また、必要に応じて、該多孔質体の表面及びその内
部を、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、スパッタエ
ッチング処理などの表面処理をして用いることができ
る。
【0035】この場合、多孔質体としては、周波数1M
Hzで誘電率3以下、誘電正接0.002以下の熱可塑
性樹脂で形成されたものが好ましい。具体的には、例え
ばポリテトラフルオロエチレン、超高分子量ポリエチレ
ン等で形成されたものが挙げられる。
Hzで誘電率3以下、誘電正接0.002以下の熱可塑
性樹脂で形成されたものが好ましい。具体的には、例え
ばポリテトラフルオロエチレン、超高分子量ポリエチレ
ン等で形成されたものが挙げられる。
【0036】前記多孔質体に、接着機能を有する特定の
熱可塑性樹脂を担持させる方法としては、その熱可塑性
樹脂の接着力を利用して多孔質体に熱可塑性樹脂を接着
する方法、多孔質体に熱可塑性樹脂を溶解した溶液を含
浸させる方法等が挙げられる
熱可塑性樹脂を担持させる方法としては、その熱可塑性
樹脂の接着力を利用して多孔質体に熱可塑性樹脂を接着
する方法、多孔質体に熱可塑性樹脂を溶解した溶液を含
浸させる方法等が挙げられる
【0037】本発明で用いられる接着機能を有する絶縁
フィルムや接着剤層はその線膨張係数や引張弾性率、更
に誘電特性が上述のものが用いられる。
フィルムや接着剤層はその線膨張係数や引張弾性率、更
に誘電特性が上述のものが用いられる。
【0038】本発明においては、例えば加温下で接着機
能を有する周波数1MHzで誘電率4以下、誘電正接
0.05以下の熱可塑性樹脂を多孔質体に担持させた絶
縁フィルム、或いは接着剤層が挙げられる。
能を有する周波数1MHzで誘電率4以下、誘電正接
0.05以下の熱可塑性樹脂を多孔質体に担持させた絶
縁フィルム、或いは接着剤層が挙げられる。
【0039】本発明で用いられる多孔質体、接着剤層及
び金属箔等としては前述のものが挙げられる。
び金属箔等としては前述のものが挙げられる。
【0040】本発明の更に他の低誘電率フレキシブル配
線基板においては、前記目的を達成するために、加熱下
で接着機能を有する熱硬化性樹脂組成物を多孔質体に担
持させ、これを硬化させてなる、周波数1MHzで誘電
率3.5以下、誘電正接0.005以下の絶縁フィル
ム、或いは接着剤層と、金属箔とからなる二層構造であ
ることを特徴とするものである。
線基板においては、前記目的を達成するために、加熱下
で接着機能を有する熱硬化性樹脂組成物を多孔質体に担
持させ、これを硬化させてなる、周波数1MHzで誘電
率3.5以下、誘電正接0.005以下の絶縁フィル
ム、或いは接着剤層と、金属箔とからなる二層構造であ
ることを特徴とするものである。
【0041】本発明においては、例えば加熱下で接着機
能を有する周波数1MHzで誘電率4以下、誘電正接
0.05以下の熱硬化性樹脂組成物を多孔質体に担持さ
せ、これを硬化させてなる絶縁フィルム、或いは接着剤
層が挙げられる。
能を有する周波数1MHzで誘電率4以下、誘電正接
0.05以下の熱硬化性樹脂組成物を多孔質体に担持さ
せ、これを硬化させてなる絶縁フィルム、或いは接着剤
層が挙げられる。
【0042】本発明で用いられる熱硬化性樹脂組成物、
多孔質体、接着剤層及び金属箔等としては前述のものが
挙げられる。
多孔質体、接着剤層及び金属箔等としては前述のものが
挙げられる。
【0043】
【実施例】本発明の具体的な実施例を説明すれば、以下
の通りであるが、本発明は以下に記載された実施例に限
定さるものではない。
の通りであるが、本発明は以下に記載された実施例に限
定さるものではない。
【0044】本発明の低誘電率フレキシブル配線基板の
構造例 図1は本発明の一実施例に係る低誘電率フレキシブル配
線基板であり、この低誘電率フレキシブル配線基板は絶
縁フィルム1の片面に接着剤層2を介在させて金属箔3
を積層し、接着させて形成されている。
構造例 図1は本発明の一実施例に係る低誘電率フレキシブル配
線基板であり、この低誘電率フレキシブル配線基板は絶
縁フィルム1の片面に接着剤層2を介在させて金属箔3
を積層し、接着させて形成されている。
【0045】又、図2は本発明の他の実施例に係る低誘
電率フレキシブル配線基板であり、この低誘電率フレキ
シブル配線基板は絶縁フィルム1の両面に各々接着剤層
2を介在させ、この各接着剤層2上に金属箔3を積層
し、接着させて形成されている。
電率フレキシブル配線基板であり、この低誘電率フレキ
シブル配線基板は絶縁フィルム1の両面に各々接着剤層
2を介在させ、この各接着剤層2上に金属箔3を積層
し、接着させて形成されている。
【0046】更に、図3は本発明の更に他の実施例に係
る低誘電率フレキシブル配線基板であり、この低誘電率
フレキシブル配線基板は以下に述べるように形成されて
いる。
る低誘電率フレキシブル配線基板であり、この低誘電率
フレキシブル配線基板は以下に述べるように形成されて
いる。
【0047】即ち、まず絶縁フィルム1の両面に各々接
着剤層2を介在させ、この各接着剤層2上に金属箔を積
層し、接着する。
着剤層2を介在させ、この各接着剤層2上に金属箔を積
層し、接着する。
【0048】次に、この両面金属箔張り基板の両面に各
々フォトレジスト膜を印刷、形成した後、各金属箔をエ
ッチングして回路30を形成する(以下、これを両面回
路形成基板という。)。
々フォトレジスト膜を印刷、形成した後、各金属箔をエ
ッチングして回路30を形成する(以下、これを両面回
路形成基板という。)。
【0049】一方、絶縁フィルム1の片面に接着剤層2
を介在させて金属箔3を積層し、接着させて片面金属箔
張り基板を得る。
を介在させて金属箔3を積層し、接着させて片面金属箔
張り基板を得る。
【0050】更に、前記両面回路形成基板の両面に各々
前記片面金属箔張り基板を接着剤層20を介在させて積
層し、接着するにあたり、各片面金属箔張り基板の絶縁
フィルム1側が接着されるように積層してなる。
前記片面金属箔張り基板を接着剤層20を介在させて積
層し、接着するにあたり、各片面金属箔張り基板の絶縁
フィルム1側が接着されるように積層してなる。
【0051】本発明の低誘電率フレキシブル配線基板の
実施例 (実施例1)低誘電率エポキシ樹脂(三井石油化学社
製、R2611M75)65.5重量部、硬化剤(三井
石油化学社製、Q2611M70)34.5重量部、N
BR(日本合成ゴム社製、PNR−IH)40重量部を
メチルエチルケトンで溶解、混合した溶液を、表面金属
ナトリウム処理した膜厚200μmのポリテトラフルオ
ロエチレンフィルムからなる絶縁フィルム(誘電率2.
1、誘電正接0.00015)の両面に塗布し、120
℃で3分間乾燥して、各膜厚が10μmの接着剤層(誘
電率3.6、誘電正接0.022)を形成した。
実施例 (実施例1)低誘電率エポキシ樹脂(三井石油化学社
製、R2611M75)65.5重量部、硬化剤(三井
石油化学社製、Q2611M70)34.5重量部、N
BR(日本合成ゴム社製、PNR−IH)40重量部を
メチルエチルケトンで溶解、混合した溶液を、表面金属
ナトリウム処理した膜厚200μmのポリテトラフルオ
ロエチレンフィルムからなる絶縁フィルム(誘電率2.
1、誘電正接0.00015)の両面に塗布し、120
℃で3分間乾燥して、各膜厚が10μmの接着剤層(誘
電率3.6、誘電正接0.022)を形成した。
【0052】次に、膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)を
前記各接着剤層に重ね合わせ、温度180℃、圧力10
kg/cm2の条件下で90分間加熱圧着させることに
より、両面銅張低誘電率フレキシブル配線基板を得た。
前記各接着剤層に重ね合わせ、温度180℃、圧力10
kg/cm2の条件下で90分間加熱圧着させることに
より、両面銅張低誘電率フレキシブル配線基板を得た。
【0053】更に、この両面銅張低誘電率フレキシブル
配線基板の片面にフォトレジスト膜を印刷、形成した
後、銅箔をエッチングして回路を形成し、本発明の低誘
電率フレキシブル配線基板を得た。この配線基板の反り
量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に示す。
配線基板の片面にフォトレジスト膜を印刷、形成した
後、銅箔をエッチングして回路を形成し、本発明の低誘
電率フレキシブル配線基板を得た。この配線基板の反り
量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に示す。
【0054】(実施例2)ビスマレイド・トリアジン樹
脂(三菱瓦斯化学社製、BT2170)100重量部、
飽和共重合ポリエステル樹脂(ユニチカ社製、エリテー
ルUE−3500)50重量部をメチルエチルケトンで
溶解、混合した溶液を、表面スパッタエッチング処理し
た膜厚200μmのテトラフルオロエチレン−ヘキサフ
ルオロプロピレン共重合体フィルムからなる絶縁フィル
ム(誘電率2.1、誘電正接0.00030)の片面に
塗布し、120℃で3分乾燥して、膜厚10μmの接着
剤層(誘電率3.1、誘電正接0.018)を形成し
た。
脂(三菱瓦斯化学社製、BT2170)100重量部、
飽和共重合ポリエステル樹脂(ユニチカ社製、エリテー
ルUE−3500)50重量部をメチルエチルケトンで
溶解、混合した溶液を、表面スパッタエッチング処理し
た膜厚200μmのテトラフルオロエチレン−ヘキサフ
ルオロプロピレン共重合体フィルムからなる絶縁フィル
ム(誘電率2.1、誘電正接0.00030)の片面に
塗布し、120℃で3分乾燥して、膜厚10μmの接着
剤層(誘電率3.1、誘電正接0.018)を形成し
た。
【0055】次に、膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)を
前記接着剤層に重ね合わせ、前記実施例1と同様に、温
度180℃、圧力10kg/cm2の条件下で90分間
加熱圧着させることにより、本発明の低誘電率フレキシ
ブル配線基板を得た。この配線基板の反り量、誘電率及
び誘電正接等の特性を表1に示す。
前記接着剤層に重ね合わせ、前記実施例1と同様に、温
度180℃、圧力10kg/cm2の条件下で90分間
加熱圧着させることにより、本発明の低誘電率フレキシ
ブル配線基板を得た。この配線基板の反り量、誘電率及
び誘電正接等の特性を表1に示す。
【0056】(実施例3)実施例1の接着剤溶液を、膜
厚50μmの多孔質超高分子量ポリエチレンフィルム
(気孔率30%)に、固形分で15g/m2含浸して接
着剤層(誘電率3.4、誘電正接0.020)を作成し
た。
厚50μmの多孔質超高分子量ポリエチレンフィルム
(気孔率30%)に、固形分で15g/m2含浸して接
着剤層(誘電率3.4、誘電正接0.020)を作成し
た。
【0057】次に、この接着剤層を、表面スパッタエッ
チング処理した膜厚250μmのテトラフルオロエチレ
ン−エチレン共重合体フィルムからなる絶縁フィルム
(誘電率2.1、誘電正接0.00050)と膜厚18
μmの銅箔(圧延銅箔)との間に介在させ、実施例1と
同様に、温度180℃、圧力10kg/cm2の条件下
で90分間加熱圧着させることにより、本発明の低誘電
率フレキシブル配線基板を得た。この配線基板の反り
量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に示す。
チング処理した膜厚250μmのテトラフルオロエチレ
ン−エチレン共重合体フィルムからなる絶縁フィルム
(誘電率2.1、誘電正接0.00050)と膜厚18
μmの銅箔(圧延銅箔)との間に介在させ、実施例1と
同様に、温度180℃、圧力10kg/cm2の条件下
で90分間加熱圧着させることにより、本発明の低誘電
率フレキシブル配線基板を得た。この配線基板の反り
量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に示す。
【0058】(実施例4)膜厚100μmで、且つ接着
機能を有する超高分子量ポリエチレンフィルム(誘電率
2.4、誘電正接0.00017)を、表面金属ナトリ
ウム処理した膜厚200μmのポリテトラフルオロエチ
レンフィルムからなる絶縁フィルム(誘電率2.1、誘
電正接0.00015)と膜厚18μmの銅箔(圧延銅
箔)との間に介在させ、温度180℃、圧力20kg/
cm2の条件下で30分間加熱圧着させることにより、
本発明の低誘電率フレキシブル配線基板を得た。この配
線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に
示す。
機能を有する超高分子量ポリエチレンフィルム(誘電率
2.4、誘電正接0.00017)を、表面金属ナトリ
ウム処理した膜厚200μmのポリテトラフルオロエチ
レンフィルムからなる絶縁フィルム(誘電率2.1、誘
電正接0.00015)と膜厚18μmの銅箔(圧延銅
箔)との間に介在させ、温度180℃、圧力20kg/
cm2の条件下で30分間加熱圧着させることにより、
本発明の低誘電率フレキシブル配線基板を得た。この配
線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に
示す。
【0059】(実施例5)膜厚250μmで、且つ接着
機能を有するポリプロピレンフィルム(誘電率2.3、
誘電正接0.00055)を、表面スパッタエッチング
処理した膜厚150μmのポリテトラフルオロエチレン
フィルムからなる絶縁フィルム(誘電率2.1、誘電正
接0.00015)と膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)
との間に介在させ、実施例4と同様に、温度180℃、
圧力20kg/cm2の条件下で30分間加熱圧着させ
ることにより、本発明の低誘電率フレキシブル配線基板
を得た。この配線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等
の特性を表1に示す。
機能を有するポリプロピレンフィルム(誘電率2.3、
誘電正接0.00055)を、表面スパッタエッチング
処理した膜厚150μmのポリテトラフルオロエチレン
フィルムからなる絶縁フィルム(誘電率2.1、誘電正
接0.00015)と膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)
との間に介在させ、実施例4と同様に、温度180℃、
圧力20kg/cm2の条件下で30分間加熱圧着させ
ることにより、本発明の低誘電率フレキシブル配線基板
を得た。この配線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等
の特性を表1に示す。
【0060】(実施例6)膜厚220μmで、且つ接着
機能を有する超高分子量ポリプロピレンフィルム(表面
コロナ処理済み、誘電率2.3、誘電正接0.0005
5)と膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)とを重ね合わ
せ、実施例4と同様に、温度180℃、圧力20kg/
cm2の条件下で30分間加熱圧着させることにより、
本発明の低誘電率フレキシブル配線基板を得た。この配
線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に
示す。
機能を有する超高分子量ポリプロピレンフィルム(表面
コロナ処理済み、誘電率2.3、誘電正接0.0005
5)と膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)とを重ね合わ
せ、実施例4と同様に、温度180℃、圧力20kg/
cm2の条件下で30分間加熱圧着させることにより、
本発明の低誘電率フレキシブル配線基板を得た。この配
線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に
示す。
【0061】(比較例1)低誘電率エポキシ樹脂(三井
石油化学社製、R2611M75)65.5重量部と硬
化剤(三井石油化学社製、R2611M75)34.5
重量部とをメチルエチルケトンで混合溶解した溶液を、
表面金属ナトリウム処理した膜厚250μmのポリテト
ラフルオロエチレンフィルムからなる絶縁フィルム(誘
電率2.1、誘電正接0.00015)の両面に塗布
し、120℃で3分間乾燥して、膜厚10μmの接着剤
層(誘電率3.3、誘電正接0.0085)を形成し
た。
石油化学社製、R2611M75)65.5重量部と硬
化剤(三井石油化学社製、R2611M75)34.5
重量部とをメチルエチルケトンで混合溶解した溶液を、
表面金属ナトリウム処理した膜厚250μmのポリテト
ラフルオロエチレンフィルムからなる絶縁フィルム(誘
電率2.1、誘電正接0.00015)の両面に塗布
し、120℃で3分間乾燥して、膜厚10μmの接着剤
層(誘電率3.3、誘電正接0.0085)を形成し
た。
【0062】次に、膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)を
前記接着剤層に重ね合わせ、温度180℃、圧力20k
g/cm2の条件下で90分間加熱圧着させることによ
り、両面銅張低誘電率フレキシブル配線基板を得た。
前記接着剤層に重ね合わせ、温度180℃、圧力20k
g/cm2の条件下で90分間加熱圧着させることによ
り、両面銅張低誘電率フレキシブル配線基板を得た。
【0063】更に、この両面銅張低誘電率フレキシブル
配線基板の片面にフォトレジスト膜を印刷、形成した
後、銅箔をエッチングして回路を形成し、低誘電率フレ
キシブル配線基板を得た。この低誘電率フレキシブル配
線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に
示す。
配線基板の片面にフォトレジスト膜を印刷、形成した
後、銅箔をエッチングして回路を形成し、低誘電率フレ
キシブル配線基板を得た。この低誘電率フレキシブル配
線基板の反り量、誘電率及び誘電正接等の特性を表1に
示す。
【0064】(比較例2)ビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェルエポキシ社製、エピコート#828と
エピコート#1001の混合物、エポキシ当量320)
100重量部、硬化剤としてイミダゾール系硬化剤(四
国化成工業社製、1M2EZ)4重量部、NBR(日本
合成ゴム社製、PNR−IH)40重量部をメチルエチ
ルケトンで溶解、混合した溶液を、表面スパッタエッチ
ング処理した膜厚200μmのテトラフルオロエチレン
−ヘキサフルオロプロピレン共重合体フィルムからなる
絶縁フィルム(誘電率2.1、誘電正接0.0003
0)の両面に塗布し、120℃で3分乾燥して、膜厚1
0μmの接着剤層(誘電率3.8、誘電正接0.017
0)を形成した。
樹脂(油化シェルエポキシ社製、エピコート#828と
エピコート#1001の混合物、エポキシ当量320)
100重量部、硬化剤としてイミダゾール系硬化剤(四
国化成工業社製、1M2EZ)4重量部、NBR(日本
合成ゴム社製、PNR−IH)40重量部をメチルエチ
ルケトンで溶解、混合した溶液を、表面スパッタエッチ
ング処理した膜厚200μmのテトラフルオロエチレン
−ヘキサフルオロプロピレン共重合体フィルムからなる
絶縁フィルム(誘電率2.1、誘電正接0.0003
0)の両面に塗布し、120℃で3分乾燥して、膜厚1
0μmの接着剤層(誘電率3.8、誘電正接0.017
0)を形成した。
【0065】次に、膜厚18μmの銅箔(圧延銅箔)を
前記各接着剤層に重ね合わせ、温度180℃、圧力10
kg/cm2の条件下で90分間加熱圧着させることに
より、両面銅張低誘電率フレキシブル配線基板を得た。
前記各接着剤層に重ね合わせ、温度180℃、圧力10
kg/cm2の条件下で90分間加熱圧着させることに
より、両面銅張低誘電率フレキシブル配線基板を得た。
【0066】更に、この両面銅張低誘電率フレキシブル
配線基板の片面にフォトレジスト膜を印刷、形成した
後、銅箔をエッチングして回路を形成し、低誘電率フレ
キシブル配線基板を得た。この配線基板の反り量、誘電
率及び誘電正接等の特性を表1に示す。
配線基板の片面にフォトレジスト膜を印刷、形成した
後、銅箔をエッチングして回路を形成し、低誘電率フレ
キシブル配線基板を得た。この配線基板の反り量、誘電
率及び誘電正接等の特性を表1に示す。
【0067】(特性試験)表1に示す各特性試験はJI
S C 6481に準じて行った。但し、反り量の測定
は縦100mm、横100mmの基板を切り取り、回路
形成銅箔面を上側にして、所定の時間静置して測定し
た。その結果を表1に示す。尚、表1において、線膨張
係数及び引張弾性率は接着剤層のみの試験結果である。
S C 6481に準じて行った。但し、反り量の測定
は縦100mm、横100mmの基板を切り取り、回路
形成銅箔面を上側にして、所定の時間静置して測定し
た。その結果を表1に示す。尚、表1において、線膨張
係数及び引張弾性率は接着剤層のみの試験結果である。
【0068】
【表1】
【0069】
【表2】
【0070】表1及び表2において、注)*1〜11は
以下のとおりである。 注)*1 ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エピコー
ト#828+#1001(エポキシ当量320)、油化
シェルエポキシ社製 *2 イミダゾール系硬化剤、1M2EZ、四国化成工
業社製 *3 ビスマレイミド.トリアジン、BT2170、三
菱瓦斯化学社製 *4 カルボキシル変性NBR、PNR−1H、日本合
成ゴム社製 *5 飽和共重合ポリエステル樹脂、エリテールUE−
3500、ユニチカ社製 *6 超高分子量ポリエチレン *7 多孔質超高分子量ポリエチレン、気孔率30% *8 超高分子量ポリプロピレン *9 ポリテトラフルオロエチレン *10 テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレン共重合体 *11 テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体
以下のとおりである。 注)*1 ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エピコー
ト#828+#1001(エポキシ当量320)、油化
シェルエポキシ社製 *2 イミダゾール系硬化剤、1M2EZ、四国化成工
業社製 *3 ビスマレイミド.トリアジン、BT2170、三
菱瓦斯化学社製 *4 カルボキシル変性NBR、PNR−1H、日本合
成ゴム社製 *5 飽和共重合ポリエステル樹脂、エリテールUE−
3500、ユニチカ社製 *6 超高分子量ポリエチレン *7 多孔質超高分子量ポリエチレン、気孔率30% *8 超高分子量ポリプロピレン *9 ポリテトラフルオロエチレン *10 テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレン共重合体 *11 テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体
【0071】表1において、実施例1〜6と比較例1を
対比すると、反り量が、実施例1〜6のものは、比較例
1の1/3〜1/2であり、又、接着力は、実施例1の
ものが比較例1のものに比較して14倍以上あることが
認められる。
対比すると、反り量が、実施例1〜6のものは、比較例
1の1/3〜1/2であり、又、接着力は、実施例1の
ものが比較例1のものに比較して14倍以上あることが
認められる。
【0072】表1において、実施例1〜6と比較例2を
対比すると、比較例2のものは、誘電率及び誘電正接が
高いから、誘電損失が極めて高く、高周波でデータを高
速、大量に、しかも高密度で伝送できないことが認めら
れる。
対比すると、比較例2のものは、誘電率及び誘電正接が
高いから、誘電損失が極めて高く、高周波でデータを高
速、大量に、しかも高密度で伝送できないことが認めら
れる。
【0073】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の低誘電
率フレキシブル配線基板は、絶縁フィルムと金属箔とを
接着剤層で接着してなり、しかもこの接着剤層が線膨張
係数7×10−5/℃〜30×10−5/℃、引張弾性
率30〜300kgf/mm2のものであるから、反り
量が至極小さく、実用性が著しく高いのである。
率フレキシブル配線基板は、絶縁フィルムと金属箔とを
接着剤層で接着してなり、しかもこの接着剤層が線膨張
係数7×10−5/℃〜30×10−5/℃、引張弾性
率30〜300kgf/mm2のものであるから、反り
量が至極小さく、実用性が著しく高いのである。
【0074】又、本発明の低誘電率フレキシブル配線基
板においては、前記構成を有し、高周波でデータを高
速、大量に、しかも高密度伝送が可能であり、誘電損失
が極めて少ない結果、高周波電子機器に好適に適用でき
る効果を奏するのである。
板においては、前記構成を有し、高周波でデータを高
速、大量に、しかも高密度伝送が可能であり、誘電損失
が極めて少ない結果、高周波電子機器に好適に適用でき
る効果を奏するのである。
【0075】更に、本発明の低誘電率フレキシブル配線
基板においては、反り量が至極少なく、金属箔上にレジ
スト膜を印刷、形成した後、金属箔をエッチングするこ
とによって、極めて正確なパターンを形成できる結果、
実用性が著しく高いのである。
基板においては、反り量が至極少なく、金属箔上にレジ
スト膜を印刷、形成した後、金属箔をエッチングするこ
とによって、極めて正確なパターンを形成できる結果、
実用性が著しく高いのである。
【図1】図1は本発明の一実施例に係る低誘電率フレキ
シブル配線基板である。
シブル配線基板である。
【図2】図2は本発明の他の実施例に係る低誘電率フレ
キシブル配線基板である。
キシブル配線基板である。
【図3】図3は本発明の更に他の実施例に係る低誘電率
フレキシブル配線基板である。
フレキシブル配線基板である。
1 絶縁フィルム 2 接着剤層 3 金属箔 20 接着剤層 30 回路
Claims (13)
- 【請求項1】 絶縁フィルムと金属箔とを接着剤層で接
着した低誘電率フレキシブル配線基板において、前記絶
縁フィルムが周波数1MHzで誘電率3以下、誘電正接
0.002以下で、しかも前記接着剤層が線膨張係数7
×10−5/℃〜30×10−5/℃、引張弾性率30
〜300kgf/mm2のものであることを特徴とする
低誘電率フレキシブル配線基板。 - 【請求項2】 接着剤層が、周波数1MHzで誘電率4
以下、誘電正接0.05以下の熱硬化性樹脂組成物硬化
体で形成されている請求項1に記載の低誘電率フレキシ
ブル配線基板。 - 【請求項3】 接着剤層が、周波数1MHzで誘電率3
以下、誘電正接0.002以下の熱可塑性樹脂で形成さ
れている請求項1に記載の低誘電率フレキシブル配線基
板。 - 【請求項4】 接着剤層が、熱可塑性多孔質樹脂製フィ
ルムに、熱硬化性樹脂組成物を含浸し、硬化させてな
る、周波数1MHzで誘電率3.5以下、誘電正接0.
005以下のものである請求項1又は2に記載の低誘電
率フレキシブル配線基板。 - 【請求項5】 接着剤層が、周波数1MHzで、誘電率
3以下、誘電正接0.002以下の熱可塑性多孔質樹脂
製フィルムに、熱硬化性樹脂組成物を含浸し、硬化させ
てなる、周波数1MHzで、誘電率3.5以下、誘電正
接0.005以下のものである請求項1又は2に記載の
低誘電率フレキシブル配線基板。 - 【請求項6】 接着剤層が、熱可塑性多孔質樹脂製フィ
ルムに、熱可塑性樹脂を含浸してなる、周波数1MHz
で誘電率3.5以下、誘電正接0.005以下のもので
ある、請求項1又は3に記載の低誘電率フレキシブル配
線基板。 - 【請求項7】 接着剤層が、周波数1MHzで、誘電率
3以下、誘電正接0.002以下の熱可塑性多孔質樹脂
製フィルムに、熱可塑性樹脂を含浸してなる周波数1M
Hzで、誘電率3.5以下、誘電正接0.005以下の
ものである請求項1又は3に記載の低誘電率フレキシブ
ル配線基板。 - 【請求項8】 加温下で接着機能を有し、しかも周波数
1MHzで誘電率3以下、誘電正接0.002以下の熱
可塑性樹脂で形成された絶縁フィルム、或いは接着剤層
と、金属箔とからなる二層構造であることを特徴とする
低誘電率フレキシブル配線基板。 - 【請求項9】 加温下で接着機能を有する熱可塑性樹脂
を多孔質体に担持させてなる、周波数1MHzで誘電率
3.5以下、誘電正接0.005以下の絶縁フィルム、
或いは接着剤層と、金属箔とからなる二層構造であるこ
とを特徴とする低誘電率フレキシブル配線基板。 - 【請求項10】 加温下で接着機能を有する周波数1M
Hzで誘電率4以下、誘電正接0.05以下の熱可塑性
樹脂を多孔質体に担持させてなる絶縁フィルム、或いは
接着剤層である請求項9に記載の低誘電率フレキシブル
配線基板。 - 【請求項11】 加熱下で接着機能を有する熱硬化性樹
脂組成物を多孔質体に担持させ、これを硬化させてな
る、周波数1MHzで誘電率3.5以下、誘電正接0.
005以下の絶縁フィルム、或いは接着剤層と、金属箔
とからなる二層構造であることを特徴とする低誘電率フ
レキシブル配線基板。 - 【請求項12】 加熱下で接着機能を有する周波数1M
Hzで誘電率4以下、誘電正接0.05以下の熱硬化性
樹脂組成物を多孔質体に担持させ、これを硬化させてな
る絶縁フィルム、或いは接着剤層である請求項11に記
載の低誘電率フレキシブル配線基板。 - 【請求項13】 絶縁フィルムがポリテトラフルオロエ
チレン、超高分子量ポリエチレン又は超高分子量ポリプ
ロピレンである請求項1ないし7のいずれか1項に記載
の低誘電率フレキシブル配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22447095A JPH0946012A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 低誘電率フレキシブル配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22447095A JPH0946012A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 低誘電率フレキシブル配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0946012A true JPH0946012A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16814306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22447095A Pending JPH0946012A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 低誘電率フレキシブル配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0946012A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6849934B2 (en) | 2002-04-03 | 2005-02-01 | Japan Gore-Tex, Inc. | Dielectric film for printed wiring board, multilayer printed board, and semiconductor device |
JP2005243830A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Kyocera Chemical Corp | プリント配線板 |
JP2008118690A (ja) * | 2007-12-10 | 2008-05-22 | Osaka Sealing Printing Co Ltd | アンテナパターンおよび電磁シールドパターンのシート状基材への形成方法と、アンテナおよび電磁シールド材 |
US7485912B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Flexible metal-oxide-metal capacitor design |
JP2010177472A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Sumitomo Electric Printed Circuit Inc | シールド型フレキシブルプリント配線板、その製造方法、および電子機器 |
CN105517320A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-20 | 北大方正集团有限公司 | 一种高频板及其加工方法 |
CN108307579A (zh) * | 2017-01-11 | 2018-07-20 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | 具有复合式叠构的低介电损耗frcc基板及其制备方法 |
WO2022045190A1 (ja) * | 2020-08-26 | 2022-03-03 | Ntn株式会社 | 絶縁転がり軸受 |
JP2023002495A (ja) * | 2021-06-22 | 2023-01-10 | ダイキン・フルオロケミカルズ・(チャイナ)・カンパニー・リミテッド | 誘電体材料、及びこれを備えた可撓性銅張積層板 |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP22447095A patent/JPH0946012A/ja active Pending
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