JPH11200026A - スパッタリング用チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法Info
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- JPH11200026A JPH11200026A JP10002483A JP248398A JPH11200026A JP H11200026 A JPH11200026 A JP H11200026A JP 10002483 A JP10002483 A JP 10002483A JP 248398 A JP248398 A JP 248398A JP H11200026 A JPH11200026 A JP H11200026A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子のバリヤ膜として使用するチタン
シリサイド薄膜を形成にするためのスパッタリングター
ゲットをを提供する。 【解決手段】 モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の
範囲の組成および９５〜１００％の密度比を有するチタ
ンシリサイドターゲットであって、このチタンシリサイ
ドターゲットはＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相と
Ｓｉ相の混合組織で構成されている。
シリサイド薄膜を形成にするためのスパッタリングター
ゲットをを提供する。 【解決手段】 モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の
範囲の組成および９５〜１００％の密度比を有するチタ
ンシリサイドターゲットであって、このチタンシリサイ
ドターゲットはＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相と
Ｓｉ相の混合組織で構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高集積度の半導
体製造において使用されるバリヤ用チタンシリサイド薄
膜を形成にするためのスパッタリングターゲットおよび
その製造方法に関するものである。
体製造において使用されるバリヤ用チタンシリサイド薄
膜を形成にするためのスパッタリングターゲットおよび
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子の電極や配線を形成
するために低抵抗のチタンシリサイド薄膜が使用される
ことは知られている。この半導体素子の電極や配線のた
めのチタンシリサイド薄膜はＴｉＳｉｘ（ｘ：２〜２．
５）（Ｓｉ／Ｔｉ＝２〜２．５）の組成を有し、このチ
タンシリサイド薄膜を形成するためのスパッタリング用
ターゲットもチタンシリサイド薄膜と同じ組成のチタン
シリサイドで構成されている。
するために低抵抗のチタンシリサイド薄膜が使用される
ことは知られている。この半導体素子の電極や配線のた
めのチタンシリサイド薄膜はＴｉＳｉｘ（ｘ：２〜２．
５）（Ｓｉ／Ｔｉ＝２〜２．５）の組成を有し、このチ
タンシリサイド薄膜を形成するためのスパッタリング用
ターゲットもチタンシリサイド薄膜と同じ組成のチタン
シリサイドで構成されている。
【０００３】このチタンシリサイドターゲットを製造す
るには、まず原料粉末のＴｉＳｉ2粉末とＳｉ粉末を混
合して混合粉末を作製し、この混合粉末を１×１０-4〜
１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、圧力：２００ｋｇ
／ｃｍ2 、温度：１３００℃、１時間保持の条件でホッ
トプレスし、得られたホットプレス体を熱処理したのち
所定のターゲット形状に加工し仕上げる。
るには、まず原料粉末のＴｉＳｉ2粉末とＳｉ粉末を混
合して混合粉末を作製し、この混合粉末を１×１０-4〜
１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中、圧力：２００ｋｇ
／ｃｍ2 、温度：１３００℃、１時間保持の条件でホッ
トプレスし、得られたホットプレス体を熱処理したのち
所定のターゲット形状に加工し仕上げる。
【０００４】この様にして得られたチタンシリサイドか
らなるターゲットは、裏面に銅メッキを施したのち純銅
製冷却板の上にろう付けされ、スパッタリング装置内部
にセットしてスパッタリングし、チタンシリサイド薄膜
を形成する。
らなるターゲットは、裏面に銅メッキを施したのち純銅
製冷却板の上にろう付けされ、スパッタリング装置内部
にセットしてスパッタリングし、チタンシリサイド薄膜
を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、このチタンシリ
サイド薄膜をバリヤ膜として使用しようとする試みが成
されている。しかし、従来のＴｉＳｉｎ（ｎ：２〜２．
５）（Ｓｉ／Ｔｉ＝２〜２．５）の組成を有するチタン
シリサイド薄膜をバリヤ膜として使用しても十分なバリ
ヤ効果は得られず、バリヤ効果を有する新しい組成のチ
タンシリサイド薄膜が求められていた。
サイド薄膜をバリヤ膜として使用しようとする試みが成
されている。しかし、従来のＴｉＳｉｎ（ｎ：２〜２．
５）（Ｓｉ／Ｔｉ＝２〜２．５）の組成を有するチタン
シリサイド薄膜をバリヤ膜として使用しても十分なバリ
ヤ効果は得られず、バリヤ効果を有する新しい組成のチ
タンシリサイド薄膜が求められていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
バリヤ膜として有効なチタンシリサイド薄膜を得るべく
研究を行なった結果、（ａ）モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．
５〜０．７の組成を有するチタンシリサイド薄膜は、半
導体素子のバリヤ膜として有効であり、このモル比でＳ
ｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成を有するチタンシリサ
イド薄膜は、同じモル比の組成を有するターゲットをス
パッタリングすることにより得られる、（ｂ）モル比で
Ｓｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成を有するターゲット
をスパッタリングすると、一般にパーティクルの発生が
多く、このパーティクルの発生を押さえるにはターゲッ
ト材の密度比を向上させる必要があり、９５％以上（一
層好ましくは９８％以上）にする必要がある、（ｃ）こ
のモル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成および密
度比：９５％以上のチタンシリサイドターゲットは、Ｔ
ｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相とＳｉ相の混合組織
で構成されていることが好ましく、Ｔｉ3 Ｓｉ相とＳｉ
相の混合組織で構成されていることが最も好ましい、な
どの知見を得たのである。
バリヤ膜として有効なチタンシリサイド薄膜を得るべく
研究を行なった結果、（ａ）モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．
５〜０．７の組成を有するチタンシリサイド薄膜は、半
導体素子のバリヤ膜として有効であり、このモル比でＳ
ｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成を有するチタンシリサ
イド薄膜は、同じモル比の組成を有するターゲットをス
パッタリングすることにより得られる、（ｂ）モル比で
Ｓｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成を有するターゲット
をスパッタリングすると、一般にパーティクルの発生が
多く、このパーティクルの発生を押さえるにはターゲッ
ト材の密度比を向上させる必要があり、９５％以上（一
層好ましくは９８％以上）にする必要がある、（ｃ）こ
のモル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成および密
度比：９５％以上のチタンシリサイドターゲットは、Ｔ
ｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相とＳｉ相の混合組織
で構成されていることが好ましく、Ｔｉ3 Ｓｉ相とＳｉ
相の混合組織で構成されていることが最も好ましい、な
どの知見を得たのである。
【０００７】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成および密度比：９５〜１００％を有し、Ｔ
ｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相とＳｉ相の混合組織
で構成されているスパッタリング用チタンシリサイドタ
ーゲット、（２）モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７
の組成および密度比：９５〜１００％を有し、Ｔｉ3 Ｓ
ｉ相とＳｉ相の混合組織で構成されているスパッタリン
グ用チタンシリサイドターゲット、（３）密度比は９８
〜１００％を有する前記（１）または（２）記載のスパ
ッタリング用チタンシリサイドターゲット、に特徴を有
するものである。
たものであって、（１）モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成および密度比：９５〜１００％を有し、Ｔ
ｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相とＳｉ相の混合組織
で構成されているスパッタリング用チタンシリサイドタ
ーゲット、（２）モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７
の組成および密度比：９５〜１００％を有し、Ｔｉ3 Ｓ
ｉ相とＳｉ相の混合組織で構成されているスパッタリン
グ用チタンシリサイドターゲット、（３）密度比は９８
〜１００％を有する前記（１）または（２）記載のスパ
ッタリング用チタンシリサイドターゲット、に特徴を有
するものである。
【０００８】この発明のスパッタリング用チタンシリサ
イドターゲットにおいて、組成をモル比でＳｉ／Ｔｉ＝
０．５〜０．７に限定しかつ密度比を９５％以上にした
のは、Ｓｉ／Ｔｉがモル比で０．５〜０．７の範囲を外
れると、半導体素子のバリヤ膜として十分に機能しない
からであり、そのターゲットの密度比が９５％未満であ
るとスパッタリングに際してパーティクルの発生が異常
に多くなって好ましくないことによるものである。この
発明のスパッタリング用チタンシリサイドターゲットの
密度比は高いほどが好ましく９８％以上にすることが一
層好ましい。従って、この発明のチタンシリサイドター
ゲットは高密度である程好ましく、この発明のチタンシ
リサイドターゲットは、モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成および密度比：９８％以上の高密度を有
し、Ｔｉ3 Ｓｉ相とＳｉ相の混合組織で構成されている
チタンシリサイドターゲットが最も好ましい。
イドターゲットにおいて、組成をモル比でＳｉ／Ｔｉ＝
０．５〜０．７に限定しかつ密度比を９５％以上にした
のは、Ｓｉ／Ｔｉがモル比で０．５〜０．７の範囲を外
れると、半導体素子のバリヤ膜として十分に機能しない
からであり、そのターゲットの密度比が９５％未満であ
るとスパッタリングに際してパーティクルの発生が異常
に多くなって好ましくないことによるものである。この
発明のスパッタリング用チタンシリサイドターゲットの
密度比は高いほどが好ましく９８％以上にすることが一
層好ましい。従って、この発明のチタンシリサイドター
ゲットは高密度である程好ましく、この発明のチタンシ
リサイドターゲットは、モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成および密度比：９８％以上の高密度を有
し、Ｔｉ3 Ｓｉ相とＳｉ相の混合組織で構成されている
チタンシリサイドターゲットが最も好ましい。
【０００９】モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組
成を有するチタンシリサイドターゲットを製造するに
は、（イ）ＴｉＳｉ2 粉末とＴｉ粉末、またはＴｉＳｉ
粉末とＴｉ粉末をＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７となるよ
うに配合し混合しホットプレスする方法、（ロ）Ｓｉ粉
末とＴｉ粉末をＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７となるよう
に配合し混合し焼結してＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の
組成を有するチタンシリサイド焼結体を作製し、このチ
タンシリサイド焼結体を粉砕して得られたチタンシリサ
イド粉末をホットプレスする方法、（ハ）Ｔｉ5 Ｓｉ3
粉末をホットプレスする方法、などが考えられる。
成を有するチタンシリサイドターゲットを製造するに
は、（イ）ＴｉＳｉ2 粉末とＴｉ粉末、またはＴｉＳｉ
粉末とＴｉ粉末をＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７となるよ
うに配合し混合しホットプレスする方法、（ロ）Ｓｉ粉
末とＴｉ粉末をＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７となるよう
に配合し混合し焼結してＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の
組成を有するチタンシリサイド焼結体を作製し、このチ
タンシリサイド焼結体を粉砕して得られたチタンシリサ
イド粉末をホットプレスする方法、（ハ）Ｔｉ5 Ｓｉ3
粉末をホットプレスする方法、などが考えられる。
【００１０】しかし、前記（イ）の方法でＳｉ／Ｔｉ＝
０．５〜０．７の組成を有するチタンシリサイドターゲ
ットを製造を製造しようとすると、十分な密度比が得ら
れず、また前記（ロ）の方法でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成を有する密度比：９５％以上の高密度チタ
ンシリサイドターゲットを製造を製造しようとすると、
１４００℃以上の高温でかつ圧力：２００ｋｇ／ｃｍ2
を越える高圧でホットプレスする必要がある。かかる高
温でかつ高圧のホットプレスを行うには大型の装置を必
要とし、また量産にはコストがかかりすぎる。さらにＴ
ｉ5 Ｓｉ3 粉末をホットプレスすることにより得られた
チタンシリサイドターゲットはある程度高密度かするも
のの、スパッタリングに際してパーティクルの発生が多
くなるので好ましくない。
０．５〜０．７の組成を有するチタンシリサイドターゲ
ットを製造を製造しようとすると、十分な密度比が得ら
れず、また前記（ロ）の方法でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成を有する密度比：９５％以上の高密度チタ
ンシリサイドターゲットを製造を製造しようとすると、
１４００℃以上の高温でかつ圧力：２００ｋｇ／ｃｍ2
を越える高圧でホットプレスする必要がある。かかる高
温でかつ高圧のホットプレスを行うには大型の装置を必
要とし、また量産にはコストがかかりすぎる。さらにＴ
ｉ5 Ｓｉ3 粉末をホットプレスすることにより得られた
チタンシリサイドターゲットはある程度高密度かするも
のの、スパッタリングに際してパーティクルの発生が多
くなるので好ましくない。
【００１１】そこで、本発明者らは、低温および低圧で
ホットプレスを行っても高密度のチタンシリサイドター
ゲットを得るべく研究を行なった結果、（ａ）Ｔｉ3 Ｓ
ｉ粉末とＳｉ粉末をＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７となる
ように配合し混合し、得られた混合粉末をホットプレス
すると、１１００〜１３００℃未満の低温でかつ圧力：
１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2 未満の低圧でホットプレス
しても密度比：９５％以上の高密度チタンシリサイドタ
ーゲットが得られ、この高密度チタンシリサイドターゲ
ットはスパッタリングに際してパーティクルの発生が極
めて少ない、（ｂ）Ｓｉ粉末と混合し得るチタンシリサ
イド粉末はＴｉ3 Ｓｉ粉末が最も好ましいが、ＴｉｎＳ
ｉ（ｎ：２．８〜３．２）粉末を使用することができ
る、という知見を得たのである。
ホットプレスを行っても高密度のチタンシリサイドター
ゲットを得るべく研究を行なった結果、（ａ）Ｔｉ3 Ｓ
ｉ粉末とＳｉ粉末をＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７となる
ように配合し混合し、得られた混合粉末をホットプレス
すると、１１００〜１３００℃未満の低温でかつ圧力：
１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2 未満の低圧でホットプレス
しても密度比：９５％以上の高密度チタンシリサイドタ
ーゲットが得られ、この高密度チタンシリサイドターゲ
ットはスパッタリングに際してパーティクルの発生が極
めて少ない、（ｂ）Ｓｉ粉末と混合し得るチタンシリサ
イド粉末はＴｉ3 Ｓｉ粉末が最も好ましいが、ＴｉｎＳ
ｉ（ｎ：２．８〜３．２）粉末を使用することができ
る、という知見を得たのである。
【００１２】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（４）ＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．
２）粉末にＳｉ粉末をモル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成となるように混合し、得られた混合粉末を
ホットプレスすることを特徴とするモル比でＳｉ／Ｔｉ
＝０．５〜０．７の組成および密度比：９５〜１００％
を有し、ＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相とＳｉ相
の混合組織で構成されているチタンシリサイドターゲッ
トの製造方法 （５）Ｔｉ3 Ｓｉ粉末にＳｉ粉末をモル比でＳｉ／Ｔｉ
＝０．５〜０．７の組成となるように混合し、得られた
混合粉末をホットプレスすることを特徴とするモル比で
Ｓｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成および密度比：９５
〜１００％を有し、Ｔｉ3 Ｓｉ相とＳｉ相の混合組織で
構成されているチタンシリサイドターゲットの製造方法
に特徴を有するものである。
たものであって、（４）ＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．
２）粉末にＳｉ粉末をモル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜
０．７の組成となるように混合し、得られた混合粉末を
ホットプレスすることを特徴とするモル比でＳｉ／Ｔｉ
＝０．５〜０．７の組成および密度比：９５〜１００％
を有し、ＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相とＳｉ相
の混合組織で構成されているチタンシリサイドターゲッ
トの製造方法 （５）Ｔｉ3 Ｓｉ粉末にＳｉ粉末をモル比でＳｉ／Ｔｉ
＝０．５〜０．７の組成となるように混合し、得られた
混合粉末をホットプレスすることを特徴とするモル比で
Ｓｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成および密度比：９５
〜１００％を有し、Ｔｉ3 Ｓｉ相とＳｉ相の混合組織で
構成されているチタンシリサイドターゲットの製造方法
に特徴を有するものである。
【００１３】
【発明の実施の態様】実施例 原料粉末として、最大粒径：１００μｍの純度：９９．
９９％の高純度Ｔｉ粉末を用意した。さらに純度：９
９．９９９９９％の高純度Ｓｉ塊をボールミルで粉砕
後、空気分級器で最大粒径：２００μｍに振るい分け
し、高純度Ｓｉ粉末を作製した。この高純度Ｔｉ粉末と
高純度Ｓｉ粉末を配合してＶ型混合器に入れ、混合した
のち、水素とＡｒの混合気流中（１気圧）で１２００
℃、１時間保持の条件で加熱することによりＴｉ3 Ｓｉ
粉末を作製した。このＴｉ3 Ｓｉ粉末にＳｉ粉末を表１
に示される組成となるように配合し、ボ−ルミルで平均
粒径：１０μｍ以下となるように粉砕し、原料混合粉末
を作製した。
９９％の高純度Ｔｉ粉末を用意した。さらに純度：９
９．９９９９９％の高純度Ｓｉ塊をボールミルで粉砕
後、空気分級器で最大粒径：２００μｍに振るい分け
し、高純度Ｓｉ粉末を作製した。この高純度Ｔｉ粉末と
高純度Ｓｉ粉末を配合してＶ型混合器に入れ、混合した
のち、水素とＡｒの混合気流中（１気圧）で１２００
℃、１時間保持の条件で加熱することによりＴｉ3 Ｓｉ
粉末を作製した。このＴｉ3 Ｓｉ粉末にＳｉ粉末を表１
に示される組成となるように配合し、ボ−ルミルで平均
粒径：１０μｍ以下となるように粉砕し、原料混合粉末
を作製した。
【００１４】一方、キャビティ内径が３５０ｍｍのグラ
ファイト製モールドを用意し、このグラファイト製モー
ルドに前記原料混合粉末を充填し、１×１０-4Ｔｏｒｒ
の真空雰囲気中、圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で表
１に示される温度および時間で保持のホットプレスを行
った。得られたホットプレス焼結体の組織を金属顕微鏡
で観察し、その結果を表１に示した。さらに得られたホ
ットプレス焼結体のＳｉ／Ｔｉの値および密度比を測定
してその値を表１に示したのち、さらにこのホットプレ
ス焼結体を機械加工することにより直径：３００ｍｍ、
厚さ：５ｍｍの本発明チタンシリサイドターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜７を作製した。
ファイト製モールドを用意し、このグラファイト製モー
ルドに前記原料混合粉末を充填し、１×１０-4Ｔｏｒｒ
の真空雰囲気中、圧力：１５０ｋｇ／ｃｍ2 の条件で表
１に示される温度および時間で保持のホットプレスを行
った。得られたホットプレス焼結体の組織を金属顕微鏡
で観察し、その結果を表１に示した。さらに得られたホ
ットプレス焼結体のＳｉ／Ｔｉの値および密度比を測定
してその値を表１に示したのち、さらにこのホットプレ
ス焼結体を機械加工することにより直径：３００ｍｍ、
厚さ：５ｍｍの本発明チタンシリサイドターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜７を作製した。
【００１５】次に、本発明ターゲット１〜７を厚さ：１
０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はんだを用
いてはんだ付けしたのち、通常の高周波マグネトロンス
パッタ装置に取り付け、下記の条件、 基板：Ｓｉウエハー（直径：２００ｍｍ）、 基板温度：２００℃、 基板とターゲットとの距離：５０ｍｍ、 スパッタガス：Ａｒ、 スパッタガス圧力：７．５Ｔｏｒｒの 投入電力：１．２ｋｗ、 成膜時間：２分、 にてスパッタすることにより前記基板である１００枚の
Ｓｉウエハ上にチタンシリサイド薄膜を形成し、市販の
パーティクルカウンターにてＳｉウエハ上に形成された
粒径：０．３μｍ以上のパーティクル数を数え、その平
均値を求め、その結果を表１に示した。
０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓｎ共晶はんだを用
いてはんだ付けしたのち、通常の高周波マグネトロンス
パッタ装置に取り付け、下記の条件、 基板：Ｓｉウエハー（直径：２００ｍｍ）、 基板温度：２００℃、 基板とターゲットとの距離：５０ｍｍ、 スパッタガス：Ａｒ、 スパッタガス圧力：７．５Ｔｏｒｒの 投入電力：１．２ｋｗ、 成膜時間：２分、 にてスパッタすることにより前記基板である１００枚の
Ｓｉウエハ上にチタンシリサイド薄膜を形成し、市販の
パーティクルカウンターにてＳｉウエハ上に形成された
粒径：０．３μｍ以上のパーティクル数を数え、その平
均値を求め、その結果を表１に示した。
【００１６】比較例 実施例で用意したＴｉ粉末およびＳｉ粉末を使用してＴ
ｉＳｉ2 粉末、ＴｉＳｉ粉末およびＴｉ5 Ｓｉ3 粉末を
作製し、これら粉末を表２に示される成分組成となるよ
うに配合し、ボ−ルミルで混合し、原料混合粉末を作製
した。この原料混合粉末を表２に示される温度および時
間で保持のホットプレスを行ったのち、得られたホット
プレス焼結体の組織を金属顕微鏡で観察し、その結果を
表２に示した。さらに得られたホットプレス焼結体のＳ
ｉ／Ｔｉの値および密度比を測定してその値を表２に示
したのち、このホットプレス焼結体を機械加工すること
により直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの比較チタンシ
リサイドターゲット（以下、比較ターゲットという）１
〜４を作製した。
ｉＳｉ2 粉末、ＴｉＳｉ粉末およびＴｉ5 Ｓｉ3 粉末を
作製し、これら粉末を表２に示される成分組成となるよ
うに配合し、ボ−ルミルで混合し、原料混合粉末を作製
した。この原料混合粉末を表２に示される温度および時
間で保持のホットプレスを行ったのち、得られたホット
プレス焼結体の組織を金属顕微鏡で観察し、その結果を
表２に示した。さらに得られたホットプレス焼結体のＳ
ｉ／Ｔｉの値および密度比を測定してその値を表２に示
したのち、このホットプレス焼結体を機械加工すること
により直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの比較チタンシ
リサイドターゲット（以下、比較ターゲットという）１
〜４を作製した。
【００１７】この比較ターゲット１〜４を実施例と同じ
条件でスパッタすることにより前記基板である１００枚
のＳｉウエハ上にチタンシリサイド薄膜を形成し、市販
のパーティクルカウンターにてＳｉウエハ上に形成され
た粒径：０．３μｍ以上のパーティクル数を数え、その
平均値を求め、その結果を表２に示した。
条件でスパッタすることにより前記基板である１００枚
のＳｉウエハ上にチタンシリサイド薄膜を形成し、市販
のパーティクルカウンターにてＳｉウエハ上に形成され
た粒径：０．３μｍ以上のパーティクル数を数え、その
平均値を求め、その結果を表２に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】表１，表２に示される結果から、半導体
素子のバリヤ膜として有効なチタンシリサイド薄膜を形
成するためのＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７および密度
比：９５％以上を有する本発明ターゲット１〜７は、ス
パッタリングに際してパーティクル発生が少ないが、密
度比：９５％未満の比較ターゲット１〜４はパーティク
ル発生が極めて多く、またホットプレス温度を１３５０
℃以上に高くしても相対密度が上がらないことが分か
る。
素子のバリヤ膜として有効なチタンシリサイド薄膜を形
成するためのＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７および密度
比：９５％以上を有する本発明ターゲット１〜７は、ス
パッタリングに際してパーティクル発生が少ないが、密
度比：９５％未満の比較ターゲット１〜４はパーティク
ル発生が極めて多く、またホットプレス温度を１３５０
℃以上に高くしても相対密度が上がらないことが分か
る。
【００２１】上述のように、この発明は、半導体素子の
バリヤ膜として有効なチタンシリサイド薄膜を形成する
ための優れたスパッタリング用ターゲットを提供するこ
とができ、半導体産業の発展に大いに貢献し得るもので
ある。
バリヤ膜として有効なチタンシリサイド薄膜を形成する
ための優れたスパッタリング用ターゲットを提供するこ
とができ、半導体産業の発展に大いに貢献し得るもので
ある。
Claims (5)
- 【請求項１】 モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の
範囲の組成および９５〜１００％の密度比を有するチタ
ンシリサイドターゲットであって、このチタンシリサイ
ドターゲットはＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）相と
Ｓｉ相の混合組織で構成されていることを特徴とするス
パッタリング用チタンシリサイドターゲット。 - 【請求項２】 ＴｉｎＳｉ（ｎ：２．８〜３．２）粉末
にＳｉ粉末をモル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組
成となるように混合し、得られた混合粉末をホットプレ
スすることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング
用チタンシリサイドターゲットの製造方法。 - 【請求項３】 モル比でＳｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の
範囲の組成および９５〜１００％の密度比を有するチタ
ンシリサイドターゲットであって、このチタンシリサイ
ドターゲットはＴｉ3 Ｓｉ相とＳｉ相の混合組織で構成
されていることを特徴とするスパッタリング用チタンシ
リサイドターゲット。 - 【請求項４】 Ｔｉ3 Ｓｉ粉末にＳｉ粉末をモル比でＳ
ｉ／Ｔｉ＝０．５〜０．７の組成となるように混合し、
得られた混合粉末をホットプレスすることを特徴とする
請求項３記載のスパッタリング用チタンシリサイドター
ゲットの製造方法。 - 【請求項５】 前記密度比は９８〜１００％を有するこ
とを特徴とする請求項１または３記載のスパッタリング
用チタンシリサイドターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10002483A JPH11200026A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | スパッタリング用チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10002483A JPH11200026A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | スパッタリング用チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11200026A true JPH11200026A (ja) | 1999-07-27 |
Family
ID=11530607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10002483A Withdrawn JPH11200026A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | スパッタリング用チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11200026A (ja) |
-
1998
- 1998-01-08 JP JP10002483A patent/JPH11200026A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |