JPWO2014157054A1 - スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014157054A1 JPWO2014157054A1 JP2015508465A JP2015508465A JPWO2014157054A1 JP WO2014157054 A1 JPWO2014157054 A1 JP WO2014157054A1 JP 2015508465 A JP2015508465 A JP 2015508465A JP 2015508465 A JP2015508465 A JP 2015508465A JP WO2014157054 A1 JPWO2014157054 A1 JP WO2014157054A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- silicide
- powder
- sputtering
- mixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 103
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 22
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 32
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 13
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0682—Silicides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
ターゲット内に５０μｍ２以上の大きさをもつポアが存在しないことを特徴とするスパッタリング用シリサイドターゲット。スパッタリングの際に発生するパーティクル量を大幅に低減させたスパッタリング用シリサイドターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図１
Description
本発明は、スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法に関し、特に、半導体デバイスにおけるシリサイド膜の形成に用いられる高密度スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
半導体デバイスの電極又は配線としてポリシリコンが従来用いられてきたが、半導体デバイスの微細化、高集積化に伴い、抵抗による信号伝播遅延が問題化している。一方セルフアライン法による配線等の形成を容易にするための電極として融点の高い材料の使用が求められている。
このようなことから、ポリシリコンより抵抗率が低く、ゲートプロセスとの互換性を有する金属シリサイド配線及び電極が使用されている。金属シリサイドの例としては、タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｘ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉｘ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉｘ）、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉｘ）、クロムシリサイド（ＣｒＳｉｘ）、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉｘ）、などが挙げられる。
通常、このような金属シリサイドの薄膜は、スパッタリング用シリサイドターゲットをスパッタすることにより形成される、スパッタリング用シリサイドターゲットとしては、モル比ｘを２以下とすると成膜する際に膜応力が高く、剥離し易いという理由からシリコン／金属のモル比が２を超えるスパッタリング用シリサイドターゲットが使用されることが多い。
ところで、シリサイドターゲットを用いてスパッタリングする場合、ターゲットからパーティクルが発生することがある。これらは基板上の膜に直接付着したり、或いは、チャンバー内の壁等に付着し、堆積後に剥離して膜に再付着したりして、配線の短絡、断線等の問題を引き起こす。電子デバイスの回路の高集積化、微細化が進むにつれて、パーティクルの発生は、極めて重大な問題であった。
従来から、このような金属シリサイドターゲットから発生するパーティクル量を低減する試みがなされている。例えば、特許文献１は、粒状のＭＳｉ２相とマトリックス相としてのＳｉ相との混合組織を有し、ＭＳｉ２相とＳｉ相との境界に所定の厚さの界面層を形成した金属シリサイドからなるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を開示している。
また、特許文献２は、金属珪化物が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が前記金属珪化物の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、アルミニウム含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットを開示し、そして、高密度かつ高強度であるために、スパッタリング時におけるパーティクルの発生量が少ないことを開示している。
さらに、本件出願人に係る特許文献３は、スパッタ面に現れるシリコン相の面積比率が２３％以下であり、密度が９９％以上であり、そして表面の加工変質層が一部除去され、かつ表面粗さが０．０５μｍを超え且つ１μｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用ターゲットを開示し、これにより、初期パーティクルの発生量を従来よりも大幅に減少できることを開示している。
しかしながら、その後実施を重ねるうちに、金属シリサイドターゲットのスパッタ面に現れる粗大シリコン相の存在量を低減したり、表面の加工変質層を除去したり、するだけでは、パーティクル発生を抑制することは不十分であることが、新たに認識されるようになった。
本発明の課題は、上記問題を鑑みて、スパッタリングの際に発生するパーティクルの発生量が少ない、高密度のスパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法を提供することである。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、シリコンの融点に近い温度領域で焼結して、溶融シリコンと固相シリサイドとを反応することにより、ターゲット内のポア（空孔）を著しく低減した、高密度のスパッタリング用シリサイドターゲットを作製することが可能となり、これを用いてスパッタリングした場合には、パーティクルの量を著しく低減できることを見出した。
このような知見に基づき、本発明は、
１）ターゲット内に５０μｍ２以上の大きさをもつポアが０．２５ｍｍ２当たり１０個以下であることを特徴とするスパッタリング用シリサイドターゲット、
２）ターゲット内に１μｍ２以上の大きさをもつポアが０．０１ｍｍ２当たり２０個以下であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリグ用シリサイドターゲット、
３）球形のシリサイド相が０．０１ｍｍ２当たり９０％以上占有することを特徴とする上記１）又は２）記載のシリサイドターゲット、
４）ターゲットの相対密度が９８％以上であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載のシリサイドターゲット、
５）ターゲット材がＴａＳｉｘ（ｘ＞２．０）からなることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一に記載のスパッタリグ用シリサイドターゲット、
６）金属粉末とシリコン粉末を混合し、これを加熱合成して金属シリサイド粉末とした後、該金属シリサイド粉末を機械的に微粉砕し、次にこの微細金属シリサイド粉末と微細シリコン粉末とを所定のモル比となるように均一混合し、この混合粉末をシリコンが溶融する温度でホットプレスして焼結することを特徴とするスパッタリグ用シリサイドターゲットの製造方法、を提供する。
１）ターゲット内に５０μｍ２以上の大きさをもつポアが０．２５ｍｍ２当たり１０個以下であることを特徴とするスパッタリング用シリサイドターゲット、
２）ターゲット内に１μｍ２以上の大きさをもつポアが０．０１ｍｍ２当たり２０個以下であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリグ用シリサイドターゲット、
３）球形のシリサイド相が０．０１ｍｍ２当たり９０％以上占有することを特徴とする上記１）又は２）記載のシリサイドターゲット、
４）ターゲットの相対密度が９８％以上であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載のシリサイドターゲット、
５）ターゲット材がＴａＳｉｘ（ｘ＞２．０）からなることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一に記載のスパッタリグ用シリサイドターゲット、
６）金属粉末とシリコン粉末を混合し、これを加熱合成して金属シリサイド粉末とした後、該金属シリサイド粉末を機械的に微粉砕し、次にこの微細金属シリサイド粉末と微細シリコン粉末とを所定のモル比となるように均一混合し、この混合粉末をシリコンが溶融する温度でホットプレスして焼結することを特徴とするスパッタリグ用シリサイドターゲットの製造方法、を提供する。
本発明のスパッタリング用シリサイドターゲットは、ターゲット内に存在するポアを著しく低減することにより、スパッタリングの際、パーティクルの発生を非常に少なくすることできるという優れた効果を有する。すなわち、成膜時の歩留まりを向上することが可能となる。
従来、スパッタリング用シリサイドターゲットにおいては、金属粉末とシリコン粉末とを所定のモル比となるように配合、混合し、この混合粉末を加熱してシリサイド合成を行った後、金属シリサイド粉末を共晶温度ＴＳの直下の温度で焼結して、ターゲットを作製することが行われていた。しかし、このような原料粉末が溶融しない温度領域で焼結を行う方法では、粉末（固体）同士が結合（ネッキング）するが、結合しきれない部分が存在し、これがポア（空孔）としてターゲット中に多く残存していた。そして、このようなポアはスパッタリングの際、異常放電（アーキング）の発生の原因となり、パーティクルを増加させる問題となっていた。なお、金属シリサイドの共晶温度Ｔｓは組成によって異なるが、約９５０℃〜１４００℃である。
このようなことから、金属粉末とシリコン粉末を混合し、これを加熱合成して金属シリサイド粉末とした後、該金属シリサイド粉末を機械的に微粉砕し、この微細金属シリサイド粉末と微細シリコン粉末とを所定のモル比となるように均一混合し、この混合粉末をシリコンの融点直下の温度領域でホットプレスして焼結する、すなわち、シリコンが溶融する温度で焼結することで、固相間に生じた隙間を溶融シリコンが埋めることができ、ポア（空孔）が著しく低減したスパッタリングターゲットを得ることができる。さらに、固相と液相との反応は、固相と固相との反応よりも、反応性が優れていることからより均一な組織を得ることができる。
本発明のスパッタリング用シリサイドターゲットは、次のようにして、製造することができる。まず、金属粉末とシリコン粉末とを用意する。金属粉末としては、半導体装置用シリサイドとして、公知の材料を用いることができ、例えば、タンタル、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケルが挙げられる。
次に、金属粉末とシリコン粉末とをボールミル等を用いて混合し、これを熱処理炉等の加熱装置を用いて、加熱合成して金属シリサイド合金とする。シリサイドの合成条件は、組成によっても若干異なるが、雰囲気：真空、温度：８００〜１３５０℃、とすることが好ましい。
次に、金属粉末とシリコン粉末とをボールミル等を用いて混合し、これを熱処理炉等の加熱装置を用いて、加熱合成して金属シリサイド合金とする。シリサイドの合成条件は、組成によっても若干異なるが、雰囲気：真空、温度：８００〜１３５０℃、とすることが好ましい。
得られた金属シリサイド塊をジェットミル等の機械粉砕を用いて、最大粒径が１００μｍとなるように微粉砕する。このシリサイド微粉末にジェットミル粉砕した最大粒径が１００μｍのシリコン微粉末を、最終的なターゲットが次のようなモル比となるように混合して、混合粉末を得る。
Ｔａ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．０）、Ｍｏ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．１５）、Ｗ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．２５）、Ｃｏ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．２）、Ｎｉ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．２）
Ｔａ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．０）、Ｍｏ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．１５）、Ｗ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．２５）、Ｃｏ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．２）、Ｎｉ／Ｓｉｘ（ｘ＞２．２）
この混合粉末を、シリコンが溶融する温度領域でホットプレスして、焼結体を作製する。これが本発明において重要な点の一つである。この温度領域は、組成にもよるが、例えば、ＴａＳｉｘ（ｘ＞２．０）の場合、１３８５〜１４００℃の範囲とすることが好ましい。焼結温度が１３８５℃未満であると、シリコンの溶融が充分に起こらず、一方、焼結温度が１４００℃超であると、過焼結が発生し、ポアが増大してしまうため、好ましくない。なお、シリコンの融点は約１４１４℃であるが、化合物となるときその融点は降下することから、上記温度範囲において、シリコンは溶融する。また、焼結圧力は２５０〜３５０ｋｇ／ｃｍ２とすることができる。そして、このようにして作製した焼結体を、所望の形状へ機械加工することで、本発明のスパッタリング用シリサイドターゲットを作製できる。
上記の製造工程によってスパッタリング用シリサイドターゲットを製造することができるが、この製造工程は一例を示すものであって、本発明は、この製造工程を発明とするものではないので、他の工程によって製造することは当然可能であり、本発明は、それらを全て包含するものである。
たとえば、上記では、シリサイド粉末とシリコン粉末の混合粉末を焼結して、ターゲットを作製する例を示したが、所定の組成となるように調整した、シリサイド粉末と金属粉末の混合粉末を焼結して、ターゲットを作製することもできる。
たとえば、上記では、シリサイド粉末とシリコン粉末の混合粉末を焼結して、ターゲットを作製する例を示したが、所定の組成となるように調整した、シリサイド粉末と金属粉末の混合粉末を焼結して、ターゲットを作製することもできる。
本発明のスパッタリング用シリサイドターゲットは、ターゲット内に５０μｍ２以上の大きさをもつポアが０．２５ｍｍ２当たり１０個以下であり、好ましくは、ターゲット内に１μｍ２以上の大きさをもつポアが０．０１ｍｍ２当たり２０個以下である。これにより、粗大なポアを起点とした異常放電を抑制することができ、スパッタリング時のプラズマを安定化することが可能となる。
なお、ポアの大きさは、切り出したターゲット断面を観察し、ポアの断面積を測定、算出して求めることができる。もっとも、ポアは体積を有しているため、観察したポアが、最大の断面積になるとは限らないが、ポアのいずれの断面積においても上記の数値範囲含まれるものであれば、本発明に包含されることは当然理解されるべきである。
なお、ポアの大きさは、切り出したターゲット断面を観察し、ポアの断面積を測定、算出して求めることができる。もっとも、ポアは体積を有しているため、観察したポアが、最大の断面積になるとは限らないが、ポアのいずれの断面積においても上記の数値範囲含まれるものであれば、本発明に包含されることは当然理解されるべきである。
また、本発明のスパッタリング用シリサイドターゲットは、ターゲット内に球形のシリサイド相が０．０１ｍｍ２当たり９０％以上占有することが好ましい。ここで、球形とは、真球、擬似真球、扁球、擬似扁球を含む立体形状を表し、その中心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であるものを意味する。
この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、同様の特性を得るものである。また、組成によっては、シリサイド相同士が結合し、単独の相として確認することが難しい場合もある。そのような場合は接合部分を延長し、仮想的な形状にて測定するものとすることができる。
この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、同様の特性を得るものである。また、組成によっては、シリサイド相同士が結合し、単独の相として確認することが難しい場合もある。そのような場合は接合部分を延長し、仮想的な形状にて測定するものとすることができる。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２７．９６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３８５℃、プレス荷重３００ｋｇ／ｃｍ２、保持時間２時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２７．９６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３８５℃、プレス荷重３００ｋｇ／ｃｍ２、保持時間２時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
このようにして作製したスパッタリングターゲットの断面を研磨して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてターゲットの任意の５箇所で観察した（図１、２）。その結果、０．２５ｍｍ２の視野における５０μｍ２以上のポアは存在しなかった。０．０１μｍ２の視野内における１μｍ２以上のポアは平均で１個であった。また、０．０１ｍｍ２の視野内における球形のシリサイド相が９９％以上占有していた。また、アルキメデス法で求めたターゲットの相対密度は９９．９％であった。
次に、このターゲットをスパッタ装置に取り付け、以下の条件でマグネトロンスパッタリングを行い、Ｓｉ基板表面のタンタルシリサイド薄膜に付着した直径：０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数を測定した。その結果７０個であった。
（スパッタ条件）
雰囲気ガス：Ａｒガス
雰囲気圧力：１ｐａ
スパッタ出力：１ＫＷ
ターゲットとＳｉ基板の距離：５ｃｍ
スパッタ時間：３０秒
次に、このターゲットをスパッタ装置に取り付け、以下の条件でマグネトロンスパッタリングを行い、Ｓｉ基板表面のタンタルシリサイド薄膜に付着した直径：０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数を測定した。その結果７０個であった。
（スパッタ条件）
雰囲気ガス：Ａｒガス
雰囲気圧力：１ｐａ
スパッタ出力：１ＫＷ
ターゲットとＳｉ基板の距離：５ｃｍ
スパッタ時間：３０秒
（実施例２）
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２８．７３ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３８５℃、プレス荷重２９０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間３時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２８．７３ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３８５℃、プレス荷重２９０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間３時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
このようにして作製したスパッタリングターゲットの断面を研磨して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてターゲットの任意の５箇所で観察した（図３、４）。その結果、０．２５ｍｍ２の視野における５０μｍ２以上のポアは存在しなかった。０．０１μｍ２の視野内における１μｍ２以上のポアは平均で０個であった。また、０．０１ｍｍ２の視野内における球形のシリサイド相が９９％以上占有していた。また、アルキメデス法で求めたターゲットの相対密度は９９．８％であった。次に、このターゲットをスパッタ装置に取り付け、実施例１と同様な条件でマグネトロンスパッタリングを行い、Ｓｉ基板表面のタンタルシリサイド薄膜に付着した直径：０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数を測定した。その結果５８個であった。
（実施例３）
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２７．５１ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３９０℃、プレス荷重３１０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間２時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２７．５１ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３９０℃、プレス荷重３１０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間２時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
このようにして作製したスパッタリングターゲットの断面を研磨して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてターゲットの任意の５箇所で観察した（図５、６）。その結果、０．２５ｍｍ２の視野における５０μｍ２以上のポアは存在しなかった。０．０１μｍ２の視野内における１μｍ２以上のポアは平均で３個であった。また、０．０１ｍｍ２の視野内における球形のシリサイド相が９９％以上占有していた。また、アルキメデス法で求めたターゲットの相対密度は９８．９％であった。次に、このターゲットをスパッタ装置に取り付け、実施例１と同様な条件でマグネトロンスパッタリングを行い、Ｓｉ基板表面のタンタルシリサイド薄膜に付着した直径：０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数を測定した。その結果６２個であった。
（比較例１）
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２８．７６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３７０℃、プレス荷重２８０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間２時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２８．７６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３７０℃、プレス荷重２８０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間２時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
このようにして作製したスパッタリングターゲットの断面を研磨して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてターゲットの任意の５箇所で観察した（図７、８）。その結果、０．２５ｍｍ２の視野における５０μｍ２以上のポアは１５個であった。０．０１μｍ２の視野内における１μｍ２以上のポアは平均で２５個であった。また、０．０１ｍｍ２の視野内における球形のシリサイド相が４３％占有していた。また、アルキメデス法で求めたターゲットの相対密度は９７．２％であった。次に、このターゲットをスパッタ装置に取り付け、実施例１と同様な条件でマグネトロンスパッタリングを行い、Ｓｉ基板表面のタンタルシリサイド薄膜に付着した直径：０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数を測定した。その結果２０３個であった。
（比較例２）
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２７.９６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３６５℃、プレス荷重２９０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間３時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２７.９６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１３６５℃、プレス荷重２９０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間３時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
このようにして作製したスパッタリングターゲットの断面を研磨して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてターゲットの任意の５箇所で観察した（図９、１０）。その結果、０．２５ｍｍ２の視野における５０μｍ２以上のポアは５個であった。０．０１μｍ２の視野内における１μｍ２以上のポアは平均で１８個であった。また、０．０１ｍｍ２の視野内における球形のシリサイド相が７３％占有していた。また、アルキメデス法で求めたターゲットの相対密度は９４．５％であった。次に、このターゲットをスパッタ装置に取り付け、実施例１と同様な条件でマグネトロンスパッタリングを行い、Ｓｉ基板表面のタンタルシリサイド薄膜に付着した直径：０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数を測定した。その結果１７４個であった。
（比較例３）
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２０．４６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１４０５℃、プレス荷重３１０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間１時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
高純度タンタル粉と高純度シリコン粉をボールミルで混合し、真空中で加熱することにより、ＴａＳｉｘ（ｘ＝２.０）の合金塊を得た。このシリサイド塊をジェットミル粉砕し、最大粒径１００μｍのシリサイド粉末を得た。このシリサイド粉末に、ジェットミル粉砕して最大粒径１００μｍとしたシリコン粉末を、ターゲットにおけるＳｉ含有量が２０．４６ｗｔ％となるように混合し、該混合粉末を、ホットプレス装置を用いて、加熱温度１４０５℃、プレス荷重３１０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間１時間で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を機械加工により、φ３００ｍｍ、６．３５ｍｍｔのスパッタリング用シリサイドターゲットを作製した。
このようにして作製したスパッタリングターゲットの断面を研磨して、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてターゲットの任意の５箇所で観察した（図１１、１２）。その結果、０．２５ｍｍ２の視野における５０μｍ２以上のポアは０個であった。０．０１μｍ２の視野内における１μｍ２以上のポアは平均で２３個であった。また、０．０１ｍｍ２の視野内における球形のシリサイド相が９９％以上占有していた。また、アルキメデス法で求めたターゲットの相対密度は９９．７％であった。次に、このターゲットをスパッタ装置に取り付け、実施例１と同様な条件でマグネトロンスパッタリングを行い、Ｓｉ基板表面のタンタルシリサイド薄膜に付着した直径：０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数を測定した。その結果１２５個であった。
本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタ時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。したがって、半導体デバイスの電極又は配線として用いられるシリサイド膜を形成するためのスパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (6)
- ターゲット内に５０μｍ２以上の大きさをもつポアが０．２５ｍｍ２当たり１０個以下であることを特徴とするスパッタリング用シリサイドターゲット。
- ターゲット内に１μｍ２以上の大きさをもつポアが０．０１ｍｍ２当たり２０個以下であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリグ用シリサイドターゲット。
- 球形のシリサイド相が０．０１ｍｍ２当たり９０％以上占有することを特徴とする請求項１又は２記載のシリサイドターゲット。
- ターゲットの相対密度が９８％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリサイドターゲット。
- ターゲット材がＴａＳｉｘ（ｘ＞２．０）からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリグ用シリサイドターゲット。
- 金属粉末とシリコン粉末を混合し、これを加熱合成して金属シリサイド粉末とした後、該金属シリサイド粉末を機械的に微粉砕し、次にこの微細金属シリサイド粉末と微細シリコン粉末とを所定のモル比となるように均一混合し、この混合粉末をシリコンが溶融する温度でホットプレスして焼結することを特徴とするスパッタリグ用シリサイドターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013064693 | 2013-03-26 | ||
| JP2013064693 | 2013-03-26 | ||
| PCT/JP2014/058018 WO2014157054A1 (ja) | 2013-03-26 | 2014-03-24 | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6005842B2 JP6005842B2 (ja) | 2016-10-12 |
| JPWO2014157054A1 true JPWO2014157054A1 (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=51624028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015508465A Active JP6005842B2 (ja) | 2013-03-26 | 2014-03-24 | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6005842B2 (ja) |
| WO (1) | WO2014157054A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6768575B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2020-10-14 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンシリサイドターゲット及びその製造方法 |
| JPWO2020090977A1 (ja) * | 2018-11-02 | 2021-09-30 | 株式会社東芝 | イットリウム製スパッタリングターゲットおよびそれを用いた成膜方法 |
| EP4129954A4 (en) * | 2020-03-26 | 2024-05-01 | Tosoh Corporation | CR-SI SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM |
| EP4190762A4 (en) * | 2020-07-31 | 2024-09-11 | Tosoh Corp | CR-SI-C BASED SINTERED BODY |
| CN112144024B (zh) * | 2020-09-14 | 2022-12-02 | 浙江最成半导体科技有限公司 | 一种铬硅化物靶材及其制备方法 |
| CN114535579B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-12-05 | 崇义章源钨业股份有限公司 | 一种高纯硅钨粉的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61141674A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | 東京タングステン株式会社 | タングステンシリサイド合金焼結体及びその製造方法 |
| JPS6221765A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-30 | 東京タングステン株式会社 | シリサイド合金焼結体の製造方法 |
| EP0374931B1 (en) * | 1988-12-21 | 1994-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and method of manufacturing the same |
| JP3625928B2 (ja) * | 1995-10-17 | 2005-03-02 | 東海カーボン株式会社 | Ｔａ／Ｓｉ系焼結合金の製造方法 |
-
2014
- 2014-03-24 WO PCT/JP2014/058018 patent/WO2014157054A1/ja active Application Filing
- 2014-03-24 JP JP2015508465A patent/JP6005842B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014157054A1 (ja) | 2014-10-02 |
| JP6005842B2 (ja) | 2016-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6005842B2 (ja) | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| JP6461543B2 (ja) | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 | |
| JPH06322529A (ja) | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| JP4777390B2 (ja) | ハフニウムシリサイドターゲットの製造方法 | |
| JP6254823B2 (ja) | ニッケルシリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP4432015B2 (ja) | 薄膜配線形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2011504547A (ja) | 耐熱金属をドープしたスパッタリングターゲット | |
| JP4415303B2 (ja) | 薄膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP6768575B2 (ja) | タングステンシリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| TWI572725B (zh) | ＭｏＴｉ靶材的製造方法 | |
| WO2024004554A1 (ja) | タングステンターゲットおよびその製造方法 | |
| JP5988140B2 (ja) | ＭｏＴｉターゲット材の製造方法およびＭｏＴｉターゲット材 | |
| JP5886473B2 (ja) | Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット | |
| WO2021241522A1 (ja) | 金属－Ｓｉ系粉末、その製造方法、並びに金属－Ｓｉ系焼結体、スパッタリングターゲット及び金属－Ｓｉ系薄膜の製造方法 | |
| JP4921653B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2896233B2 (ja) | 高融点金属シリサイドターゲット，その製造方法，高融点金属シリサイド薄膜および半導体装置 | |
| TW202136176A (zh) | Cr-Si系燒結體、濺鍍靶材及薄膜的製造方法 | |
| TWI615482B (zh) | 鉑合金靶 | |
| TWI821015B (zh) | 濺射靶及其製造方法 | |
| JP7178707B2 (ja) | ＭｇＯ－ＴｉＯ系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP7394249B1 (ja) | モリブデンターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2000064032A (ja) | チタンシリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH04160104A (ja) | タングステンターゲットの製造方法 | |
| JPH07258835A (ja) | Ｗ−Ｔｉ合金タ−ゲット及びその製造方法 | |
| JPH0360914B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160823 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160907 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6005842 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |