JPH11183845A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
- Publication number
- JPH11183845A JPH11183845A JP36583897A JP36583897A JPH11183845A JP H11183845 A JPH11183845 A JP H11183845A JP 36583897 A JP36583897 A JP 36583897A JP 36583897 A JP36583897 A JP 36583897A JP H11183845 A JPH11183845 A JP H11183845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- optical isolator
- cylindrical magnet
- circumferential part
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ファラデー回転素子に磁界を印加するための
円筒磁石の小型化による内部磁場の減少を防止すること
で、アイソレーション特性の劣化のない小型の光アイソ
レータを提供する。 【解決手段】 ファラデー回転素子３、偏光子６、及び
検光子７を外周部の厚みｔoutと内周部の厚みｔinとの
関係をｔout＞ｔinとした金属製ホルダー９及び１０で
固定した光アイソレータ。
円筒磁石の小型化による内部磁場の減少を防止すること
で、アイソレーション特性の劣化のない小型の光アイソ
レータを提供する。 【解決手段】 ファラデー回転素子３、偏光子６、及び
検光子７を外周部の厚みｔoutと内周部の厚みｔinとの
関係をｔout＞ｔinとした金属製ホルダー９及び１０で
固定した光アイソレータ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムや
光計測器に用いられる光学部品であり、光源から出射し
た光が、光学系の中の光学素子の端面で反射し、光源に
戻るのを防ぐための光アイソレータに関する。
光計測器に用いられる光学部品であり、光源から出射し
た光が、光学系の中の光学素子の端面で反射し、光源に
戻るのを防ぐための光アイソレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】光源からの出射光を、光学系を用いて伝
達しようとするとき、光学系中の光学素子の端面で反射
した光は、光源に戻ってくる。
達しようとするとき、光学系中の光学素子の端面で反射
した光は、光源に戻ってくる。
【０００３】例えば、光通信において、光源のレーザー
から出射した光は、結合レンズによって収束され、光フ
ァイバの端面に集められる。大部分の光は、光ファイバ
中に入り、その中を伝搬するが、一部の光は、ファイバ
の端面で反射されて、光源のレーザーに戻る。
から出射した光は、結合レンズによって収束され、光フ
ァイバの端面に集められる。大部分の光は、光ファイバ
中に入り、その中を伝搬するが、一部の光は、ファイバ
の端面で反射されて、光源のレーザーに戻る。
【０００４】レーザーに戻った光は、一般に、位相も偏
光方向もレーザー中の光とは異なるため、レーザー光の
ノイズとなり、レーザーの発振が乱れる。
光方向もレーザー中の光とは異なるため、レーザー光の
ノイズとなり、レーザーの発振が乱れる。
【０００５】このようなノイズを防ぐため、戻り光を遮
断する光アイソレータが用いられる。また、光アイソレ
ータには、戻り光の遮断特性（アイソレーション）が高
いこと、入射された光の透過損失（挿入損失）が少ない
ことが要求される。
断する光アイソレータが用いられる。また、光アイソレ
ータには、戻り光の遮断特性（アイソレーション）が高
いこと、入射された光の透過損失（挿入損失）が少ない
ことが要求される。
【０００６】従来の光アイソレータの典型的な構造を図
６に示す。図６において、光学素子として板状のファラ
デー回転素子３の両側に偏光子６と検光子７を配置し、
ファラデー回転素子３の周囲には、ファラデー回転素子
３を一方向に磁化させるための円筒型永久磁石４（以
下、円筒磁石と記す）を配設している。
６に示す。図６において、光学素子として板状のファラ
デー回転素子３の両側に偏光子６と検光子７を配置し、
ファラデー回転素子３の周囲には、ファラデー回転素子
３を一方向に磁化させるための円筒型永久磁石４（以
下、円筒磁石と記す）を配設している。
【０００７】また、これらの光学素子及び円筒磁石４
は、それぞれリング状で、外径Ａ1＝φ４.０、内径Ｂ＝
φ１.２の金属製ホルダー１，２に半田付け等によって
固定し、金属製ホルダー１，２相互は、外周ホルダー５
に位置決め後、レーザー溶接されている。
は、それぞれリング状で、外径Ａ1＝φ４.０、内径Ｂ＝
φ１.２の金属製ホルダー１，２に半田付け等によって
固定し、金属製ホルダー１，２相互は、外周ホルダー５
に位置決め後、レーザー溶接されている。
【０００８】なお、円筒磁石４から発生する磁場は、図
７に示すような磁束分布（磁場分布）を有し、ファラデ
ー回転素子に印加する磁場は、円筒磁石４から円筒の内
部に環流した磁場を用いている。この磁場は、円筒磁石
４の寸法に依存しており、円筒磁石４の断面積に、ほぼ
比例している。
７に示すような磁束分布（磁場分布）を有し、ファラデ
ー回転素子に印加する磁場は、円筒磁石４から円筒の内
部に環流した磁場を用いている。この磁場は、円筒磁石
４の寸法に依存しており、円筒磁石４の断面積に、ほぼ
比例している。
【０００９】また、円筒磁石４の内径は、上記光アイソ
レータを通るレーザーの径（アパーチャ径）により決ま
るため、磁場は、円筒磁石４の外径で、ほぼ決まる。従
って、光アイソレータの寸法は、円筒磁石４の外径寸法
によって、ほぼ決まってしまう。
レータを通るレーザーの径（アパーチャ径）により決ま
るため、磁場は、円筒磁石４の外径で、ほぼ決まる。従
って、光アイソレータの寸法は、円筒磁石４の外径寸法
によって、ほぼ決まってしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
部品の小型化が顕著であり、光アイソレータも、その例
外ではなく、このため、円筒磁石に高いエネルギー積を
有する希土類系磁石（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石やＳｍ−Ｃ
ｏ磁石）を用いることにより、小型化を行ってきたが、
更なる小型化の要求が求められている。
部品の小型化が顕著であり、光アイソレータも、その例
外ではなく、このため、円筒磁石に高いエネルギー積を
有する希土類系磁石（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石やＳｍ−Ｃ
ｏ磁石）を用いることにより、小型化を行ってきたが、
更なる小型化の要求が求められている。
【００１１】このため、希土類磁石製円筒磁石を更に縮
小する必要があるが、内径がレーザー光のアパーチャ径
により小さくできないため、外径を縮小させなければな
らない。
小する必要があるが、内径がレーザー光のアパーチャ径
により小さくできないため、外径を縮小させなければな
らない。
【００１２】しかしながら、円筒磁石の外径を縮小する
ことは、円筒磁石内部の磁場も弱めてしまうという問題
がある。
ことは、円筒磁石内部の磁場も弱めてしまうという問題
がある。
【００１３】また、現在、ファラデー回転素子に用いら
れている数１００μｍの厚さの鉄系ガーネット酸化物単
結晶（以下、ＴｂＢｉＩＧと記す）は、ある所定の磁場
（飽和磁場）以上でファラデー回転角が一定となる。
れている数１００μｍの厚さの鉄系ガーネット酸化物単
結晶（以下、ＴｂＢｉＩＧと記す）は、ある所定の磁場
（飽和磁場）以上でファラデー回転角が一定となる。
【００１４】従って、光アイソレータを設計する際は、
ある所定の飽和磁場、あるいは、それ以上の磁場をＴｂ
ＢｉＩＧにかける必要がある。なお、通常、飽和磁場以
上におけるファラデー回転角は、４５ｄｅｇと設定され
る。
ある所定の飽和磁場、あるいは、それ以上の磁場をＴｂ
ＢｉＩＧにかける必要がある。なお、通常、飽和磁場以
上におけるファラデー回転角は、４５ｄｅｇと設定され
る。
【００１５】もし、ファラデー回転子への印加磁場が、
飽和磁場未満の場合は、ファラデー回転角が設定値を下
回り、アイソレーションが劣化してしまい、レーザーの
発振を乱してしまうという問題がある。
飽和磁場未満の場合は、ファラデー回転角が設定値を下
回り、アイソレーションが劣化してしまい、レーザーの
発振を乱してしまうという問題がある。
【００１６】従って、本発明は、ファラデー回転素子に
磁界を印加するための円筒磁石の小型化による内部磁場
の減少を防止することで、アイソレーション特性の劣化
のない、小型の光アイソレータを提供することにある。
磁界を印加するための円筒磁石の小型化による内部磁場
の減少を防止することで、アイソレーション特性の劣化
のない、小型の光アイソレータを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、永久磁石によ
り発生する磁界を印加したファラデー回転子及び該ファ
ラデー回転子の前後に配置される偏光子及び検光子の端
部を金属製ホルダーで固定してなる光アイソレータにお
いて、前記金属製ホルダーの外周部の厚みｔoutと内周
部の厚みｔinとの関係がｔout＞ｔinである光アイソレ
ータである。
り発生する磁界を印加したファラデー回転子及び該ファ
ラデー回転子の前後に配置される偏光子及び検光子の端
部を金属製ホルダーで固定してなる光アイソレータにお
いて、前記金属製ホルダーの外周部の厚みｔoutと内周
部の厚みｔinとの関係がｔout＞ｔinである光アイソレ
ータである。
【００１８】又、本発明は、前記ｔinとｔoutの関係が
ｔin／ｔout＝０.３〜０.７である光アイソレータであ
る。
ｔin／ｔout＝０.３〜０.７である光アイソレータであ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。
する。
【００２０】まず、光アイソレータでは、円筒磁石の内
部に環流する磁場を使用するため、この磁場を強くする
方法を検討した。一般に、磁場中に磁性体を置くと、磁
場分布が変化することは、よく知られているが、この変
化は、磁性体の形状によって決まる。つまり、円筒磁石
に磁性体を付けることにより、円筒磁石周囲の磁場分布
を変化させ、かつ、円筒磁石内部に環流する磁場を強め
る磁性体の形状を検討した。その結果を図５に示す。
部に環流する磁場を使用するため、この磁場を強くする
方法を検討した。一般に、磁場中に磁性体を置くと、磁
場分布が変化することは、よく知られているが、この変
化は、磁性体の形状によって決まる。つまり、円筒磁石
に磁性体を付けることにより、円筒磁石周囲の磁場分布
を変化させ、かつ、円筒磁石内部に環流する磁場を強め
る磁性体の形状を検討した。その結果を図５に示す。
【００２１】図５に示すように、内部の厚みを外周部よ
り薄くした磁性材料からなるリング状の磁性体１３を円
筒磁石４に付けることにより、円筒磁石４の内部の磁場
を強めることができた。光アイソレータでは、リング状
の磁性体１３の位置に端部を固定するリング状の金属製
ホルダーが用いられるが、このリング状の金属製ホルダ
ーの内部（レーザー光が通る部分）に傾斜１４を設ける
ことにより、光アイソレータにおいても、同様の効果を
得ることができた。
り薄くした磁性材料からなるリング状の磁性体１３を円
筒磁石４に付けることにより、円筒磁石４の内部の磁場
を強めることができた。光アイソレータでは、リング状
の磁性体１３の位置に端部を固定するリング状の金属製
ホルダーが用いられるが、このリング状の金属製ホルダ
ーの内部（レーザー光が通る部分）に傾斜１４を設ける
ことにより、光アイソレータにおいても、同様の効果を
得ることができた。
【００２２】この結果、円筒磁石の寸法（外径）の縮小
が可能となり、光アイソレータのー小型化が可能となっ
た。
が可能となり、光アイソレータのー小型化が可能となっ
た。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２４】（実施例１）図１に、第１の実施例の光ア
イソレータの構成を示す断面図を示す。図１において、
リング状で、外径Ａ1＝φ４.０、内径Ｂ＝φ１.２の金
属製ホルダー９，１０の内部に傾斜１４を設けた以外
は、図６に示す従来の光アイソレータと同様の構成であ
り、レーザー光を通す端部のリング状の金属製ホルダー
９，１０は、ＳＵＳ４３０で作製し、レーザー光入射側
と出射側の形状は、同一のものを用いた。また、円筒磁
石４には、Ｓｍ−Ｃｏ磁石（商品名：ＬＭ−２４Ｈ、外
径φ３.６ｍｍ、内径φ２.４ｍｍ、高さ１.２ｍｍ）を
使用した。
イソレータの構成を示す断面図を示す。図１において、
リング状で、外径Ａ1＝φ４.０、内径Ｂ＝φ１.２の金
属製ホルダー９，１０の内部に傾斜１４を設けた以外
は、図６に示す従来の光アイソレータと同様の構成であ
り、レーザー光を通す端部のリング状の金属製ホルダー
９，１０は、ＳＵＳ４３０で作製し、レーザー光入射側
と出射側の形状は、同一のものを用いた。また、円筒磁
石４には、Ｓｍ−Ｃｏ磁石（商品名：ＬＭ−２４Ｈ、外
径φ３.６ｍｍ、内径φ２.４ｍｍ、高さ１.２ｍｍ）を
使用した。
【００２５】ファラデー回転素子３は、Ｂｉ置換型（Ｔ
ｂ，Ｈｏ）Ｆｅ系ガーネット単結晶厚膜（以下、ガーネ
ット厚膜と記す）である。このガーネット厚膜は、約１
２００（Ｏｅ）で磁化が飽和する磁気特性を有する。な
お、ガーネット厚膜内を磁束が通過する際に、レーザー
光が回転する角度（ファラデー回転角）は、磁場の強さ
に比例し、図２に示すように、磁化と同様、約１２００
Ｏｅで飽和する。
ｂ，Ｈｏ）Ｆｅ系ガーネット単結晶厚膜（以下、ガーネ
ット厚膜と記す）である。このガーネット厚膜は、約１
２００（Ｏｅ）で磁化が飽和する磁気特性を有する。な
お、ガーネット厚膜内を磁束が通過する際に、レーザー
光が回転する角度（ファラデー回転角）は、磁場の強さ
に比例し、図２に示すように、磁化と同様、約１２００
Ｏｅで飽和する。
【００２６】本実施例１において、リング状の金属製ホ
ルダー９，１０の内部の傾斜１４の厚みｔin及びｔout
の関係を、ｔin／ｔout＝０.１〜１.０とし、図２のフ
ァラデー回転角と磁場の関係を利用して、円筒磁石内部
の磁場を測定し、従来の光アイソレータと比較した。な
お、従来の光アイソレータは、ｔin／ｔout＝１.０のも
のである。
ルダー９，１０の内部の傾斜１４の厚みｔin及びｔout
の関係を、ｔin／ｔout＝０.１〜１.０とし、図２のフ
ァラデー回転角と磁場の関係を利用して、円筒磁石内部
の磁場を測定し、従来の光アイソレータと比較した。な
お、従来の光アイソレータは、ｔin／ｔout＝１.０のも
のである。
【００２７】又、本実施例１では、ファラデー回転素子
によるレーザー光の回転角度の測定から円筒磁石内部の
磁場を求めるため、検光子を固定した端部金属製ホルダ
ーを回転できるよう外周ホルダーに固定せず用いた。測
定条件は、１.５５μｍのレーザー光を光アイソレータ
に通し、ファラデー回転角から円筒磁石内部の磁場を求
めた。その結果を図３に示す。
によるレーザー光の回転角度の測定から円筒磁石内部の
磁場を求めるため、検光子を固定した端部金属製ホルダ
ーを回転できるよう外周ホルダーに固定せず用いた。測
定条件は、１.５５μｍのレーザー光を光アイソレータ
に通し、ファラデー回転角から円筒磁石内部の磁場を求
めた。その結果を図３に示す。
【００２８】図３に、ｔin／ｔoutと円筒磁石内部の磁
場の関係を示した。ｔin／ｔout＝０.３〜０.７におい
て、円筒磁石内部の磁場が向上し、ｔin／ｔout＝０.５
付近において、最大約２０％向上した。
場の関係を示した。ｔin／ｔout＝０.３〜０.７におい
て、円筒磁石内部の磁場が向上し、ｔin／ｔout＝０.５
付近において、最大約２０％向上した。
【００２９】（実施例２）図４に、第２の実施例の光ア
イソレータの構成を示す断面図を示す。本第２の実施例
は、実施例１において、円筒磁石内部の磁場が約２０％
向上したｔin／ｔout＝０.５について、実施例１より断
面積を約２０％減少させたＳｍ−Ｃｏ磁石（商品名：Ｌ
Ｍ−２４Ｈ、外径φ３.４ｍｍ、内径φ２.４ｍｍ、高さ
１.２ｍｍ）を用いて、光アイソレータを作製したもの
である。また、ガーネット厚膜３は、約８００Ｏｅで磁
化が飽和する磁気特性を有するものを使用した。なお、
本実施例２と実施例１の相違点は、リング状の金属製ホ
ルダー１１，１２の外径Ａ2が、実施例１より小さくな
っていることである。
イソレータの構成を示す断面図を示す。本第２の実施例
は、実施例１において、円筒磁石内部の磁場が約２０％
向上したｔin／ｔout＝０.５について、実施例１より断
面積を約２０％減少させたＳｍ−Ｃｏ磁石（商品名：Ｌ
Ｍ−２４Ｈ、外径φ３.４ｍｍ、内径φ２.４ｍｍ、高さ
１.２ｍｍ）を用いて、光アイソレータを作製したもの
である。また、ガーネット厚膜３は、約８００Ｏｅで磁
化が飽和する磁気特性を有するものを使用した。なお、
本実施例２と実施例１の相違点は、リング状の金属製ホ
ルダー１１，１２の外径Ａ2が、実施例１より小さくな
っていることである。
【００３０】本実施例２の比較例として、図６に示す従
来の光アイソレータに、実施例２と同様の約８００Ｏｅ
のガーネット厚膜を取り付けたものを用いた。
来の光アイソレータに、実施例２と同様の約８００Ｏｅ
のガーネット厚膜を取り付けたものを用いた。
【００３１】表１に、実施例２及びその比較例の光アイ
ソレータを、１.５５μｍのレーザー光で光アイソレー
タの諸特性（ファラデー回転角、アイソレーション）を
測定した結果を示す。
ソレータを、１.５５μｍのレーザー光で光アイソレー
タの諸特性（ファラデー回転角、アイソレーション）を
測定した結果を示す。
【００３２】
【００３３】表１より、本実施例２のファラデー回転角
及びアイソレーション特性は、その比較例と比較して、
同等であることがわかる。従って、本実施例２より、光
アイソレータの小型化ができた。
及びアイソレーション特性は、その比較例と比較して、
同等であることがわかる。従って、本実施例２より、光
アイソレータの小型化ができた。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明にて述べたように、本発明に
よれば、レーザー光を通す光アイソレータのリング状の
金属製ホルダーに傾斜を付けた磁性材料を用いた、リン
グ状の金属製ホルダーの内部の厚さを外周部の厚さより
小さくすることにより、円筒型永久磁石内部の磁場を高
めることができ、このことにより、円筒型永久磁石の小
型化が可能となり、小型の光アイソレータが得られる。
よれば、レーザー光を通す光アイソレータのリング状の
金属製ホルダーに傾斜を付けた磁性材料を用いた、リン
グ状の金属製ホルダーの内部の厚さを外周部の厚さより
小さくすることにより、円筒型永久磁石内部の磁場を高
めることができ、このことにより、円筒型永久磁石の小
型化が可能となり、小型の光アイソレータが得られる。
【図１】本発明の実施例１の光アイソレータの構成を示
す断面図。
す断面図。
【図２】本発明の実施例１に用いたガーネット厚膜のフ
ァラデー回転角と磁場の関係を示す図。
ァラデー回転角と磁場の関係を示す図。
【図３】本発明の実施例１に用いたリング状の金属製ホ
ルダーの外周の厚みｔoutと内部の厚みｔinの比（ｔin
／ｔout）と円筒磁石内部の磁場の関係を示す図。
ルダーの外周の厚みｔoutと内部の厚みｔinの比（ｔin
／ｔout）と円筒磁石内部の磁場の関係を示す図。
【図４】本発明の実施例２の光アイソレータの構成の断
面図。
面図。
【図５】円筒磁石に、内側に傾斜した磁性体を付けた場
合の磁場の分布の概念を示す図。
合の磁場の分布の概念を示す図。
【図６】従来の光アイソレータの構成を示す断面図。
【図７】従来の光アイソレータの円筒磁石が発生する磁
場の分布の概念を示す図。
場の分布の概念を示す図。
１，９，１１ （入射側のリング状の）金属製ホルダ
ー ２，１０，１２ （出射側のリング状の）金属製ホル
ダー ３ ファラデー回転素子（ガーネット厚膜） ４ 円筒型永久磁石（円筒磁石） ５ 外周ホルダー ６ 偏光子 ７ 検光子 ８ （ガーネット厚膜位置決め用）リング １３ （リング状の）磁性体 １４ （リング状の金属製ホルダーの内部の）傾斜 Ａ1，Ａ2 外径 Ｂ 内径
ー ２，１０，１２ （出射側のリング状の）金属製ホル
ダー ３ ファラデー回転素子（ガーネット厚膜） ４ 円筒型永久磁石（円筒磁石） ５ 外周ホルダー ６ 偏光子 ７ 検光子 ８ （ガーネット厚膜位置決め用）リング １３ （リング状の）磁性体 １４ （リング状の金属製ホルダーの内部の）傾斜 Ａ1，Ａ2 外径 Ｂ 内径
Claims (2)
- 【請求項１】 永久磁石により発生する磁界を印加した
ファラデー回転子及び該ファラデー回転子の前後に配置
される偏光子及び検光子の端部を金属製ホルダーで固定
してなる光アイソレータにおいて、前記金属製ホルダー
の外周部の厚みｔoutと内周部の厚みｔinとの関係がｔo
ut＞ｔinであることを特徴とする光アイソレータ。 - 【請求項２】 請求項１記載の光アイソレータにおい
て、前記ｔinとｔoutの関係がｔin／ｔout＝０.３〜０.
７であることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36583897A JPH11183845A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36583897A JPH11183845A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 光アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183845A true JPH11183845A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18485246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36583897A Withdrawn JPH11183845A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11183845A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2598623C1 (ru) * | 2015-06-29 | 2016-09-27 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Изолятор фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP36583897A patent/JPH11183845A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2598623C1 (ru) * | 2015-06-29 | 2016-09-27 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Изолятор фарадея с неоднородным магнитным полем для лазеров большой мощности |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050711 |