JP3534891B2 - 光アイソレータの製造方法 - Google Patents
光アイソレータの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に利用される
光アイソレータの製造方法に関するものである。
光アイソレータの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信システム等では、レーザ光源から
発振した伝送光が光通信路中の各種の光伝送部品の入射
面等で反射し、その反射光がレーザ光源まで達すること
がある。反射光は光源の発光作用を乱し、しばしばノイ
ズを生じさせる。光アイソレータは光源と光伝送部品と
の間に設けられ、伝送部品の方に進む光だけを透過さ
せ、光源方向に向かう反射光を選択的に遮断するもので
ある。
発振した伝送光が光通信路中の各種の光伝送部品の入射
面等で反射し、その反射光がレーザ光源まで達すること
がある。反射光は光源の発光作用を乱し、しばしばノイ
ズを生じさせる。光アイソレータは光源と光伝送部品と
の間に設けられ、伝送部品の方に進む光だけを透過さ
せ、光源方向に向かう反射光を選択的に遮断するもので
ある。
【０００３】光アイソレータ内の中央部には円筒磁石が
配置されている。磁石の円筒内にはファラデー回転子が
納められ、ファラデー回転子を中心にして光の入射側に
は偏光子が設けられ、出射側には検光子が設けられてい
る。ファラデー回転子は入射した光を４５度回転させる
ものであり、偏光子と検光子とは互いの偏光方向が４５
度異なっている。
配置されている。磁石の円筒内にはファラデー回転子が
納められ、ファラデー回転子を中心にして光の入射側に
は偏光子が設けられ、出射側には検光子が設けられてい
る。ファラデー回転子は入射した光を４５度回転させる
ものであり、偏光子と検光子とは互いの偏光方向が４５
度異なっている。
【０００４】光アイソレータに入射した光は偏光子を通
過し、ファラデー回転子によって偏光面が４５度回転す
る。回転により光の偏光面が検光子の偏光面と一致する
ので、光は検光子を通過できる。反射光は逆方向から検
光子に入射した後、ファラデー回転子に入射する。反射
光はファラデー回転子により偏光面が４５度回転して、
偏光子の偏光面と直交するので、偏光子を通過すること
ができなくなる。
過し、ファラデー回転子によって偏光面が４５度回転す
る。回転により光の偏光面が検光子の偏光面と一致する
ので、光は検光子を通過できる。反射光は逆方向から検
光子に入射した後、ファラデー回転子に入射する。反射
光はファラデー回転子により偏光面が４５度回転して、
偏光子の偏光面と直交するので、偏光子を通過すること
ができなくなる。
【０００５】光アイソレータの性能を向上させるには、
内部に組み込まれている偏光子、ファラデー回転子等の
部品を強く接合し、かつファラデー回転子の回転角度を
４５度に保って、光の伝送路を常に一定にする必要があ
る。
内部に組み込まれている偏光子、ファラデー回転子等の
部品を強く接合し、かつファラデー回転子の回転角度を
４５度に保って、光の伝送路を常に一定にする必要があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ファラデー回転子は、
光アイソレータ内で磁石と接合している。ファラデー回
転子と磁石とを樹脂系接着剤で接合した場合、外部の温
度変化による樹脂系接着剤の膨張によって接合部がずれ
ることがある。このためファラデー回転子と磁石との接
合は、半田や低融点ガラスで行われている。
光アイソレータ内で磁石と接合している。ファラデー回
転子と磁石とを樹脂系接着剤で接合した場合、外部の温
度変化による樹脂系接着剤の膨張によって接合部がずれ
ることがある。このためファラデー回転子と磁石との接
合は、半田や低融点ガラスで行われている。
【０００７】２３．０℃、１３１０ｎｍという条件下
で、ファラデー回転子の回転角度は、図３に示されるよ
うに、磁場強度に依存し、磁場強度が700Ｏｅを超える
と４５度で一定となる。ファラデー回転子の回転角度を
４５度に保つために、磁石の磁場強度は700Ｏｅ以上と
なっているが、半田付けまたは低融点ガラス接合の際の
加熱により700Ｏｅ以下に低下することがある。このた
め回転角度が４５度に保たれず、光の伝送路が不安定と
なり光アイソレータの性能が低下してしまう。
で、ファラデー回転子の回転角度は、図３に示されるよ
うに、磁場強度に依存し、磁場強度が700Ｏｅを超える
と４５度で一定となる。ファラデー回転子の回転角度を
４５度に保つために、磁石の磁場強度は700Ｏｅ以上と
なっているが、半田付けまたは低融点ガラス接合の際の
加熱により700Ｏｅ以下に低下することがある。このた
め回転角度が４５度に保たれず、光の伝送路が不安定と
なり光アイソレータの性能が低下してしまう。
【０００８】回転角度が４５度に保たれている場合で
も、外部から磁性金属材料等が近づくと磁場が漏れてし
まい、回転角度がずれて光アイソレータの性能が低下す
ることがある。
も、外部から磁性金属材料等が近づくと磁場が漏れてし
まい、回転角度がずれて光アイソレータの性能が低下す
ることがある。
【０００９】本発明は前記の課題を解決するためなされ
たもので、消光性能を低下させずに光アイソレータを製
造する方法を提供することを目的とする。
たもので、消光性能を低下させずに光アイソレータを製
造する方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めになされた本発明の光アイソレータの製造方法は、半
田または低融点ガラスによって円筒内に未着磁磁性体を
組み込み、着磁によって未着磁磁性体に磁場を与えて磁
石にした後、光アイソレータの構成部品を組み立てる方
法である。
めになされた本発明の光アイソレータの製造方法は、半
田または低融点ガラスによって円筒内に未着磁磁性体を
組み込み、着磁によって未着磁磁性体に磁場を与えて磁
石にした後、光アイソレータの構成部品を組み立てる方
法である。
【００１１】本発明の別の態様である光アイソレータの
製造方法は、半田または低融点ガラスによって接合した
ファラデー回転子と磁石との接合体を円筒内に組み込
み、磁場をかけて磁石の磁場強度を増加させた後、円筒
の両端開口部に偏光板を固定する方法である。
製造方法は、半田または低融点ガラスによって接合した
ファラデー回転子と磁石との接合体を円筒内に組み込
み、磁場をかけて磁石の磁場強度を増加させた後、円筒
の両端開口部に偏光板を固定する方法である。
【００１２】さらに本発明の光アイソレータの別の態様
として、半田または低融点ガラスによって接合したファ
ラデー回転子と磁石との接合体を円筒内に組み込み、円
筒の両端開口部に偏光板を固定した後、磁場をかけて磁
石の磁場強度を増加させる方法がある。
として、半田または低融点ガラスによって接合したファ
ラデー回転子と磁石との接合体を円筒内に組み込み、円
筒の両端開口部に偏光板を固定した後、磁場をかけて磁
石の磁場強度を増加させる方法がある。
【００１３】
【作用】ファラデー回転子３の回転角度は磁石２から与
えられた磁場強度に依存し、磁場強度がある値を超える
と４５度に保たれる（このときの磁場強度を飽和磁場強
度という）。半田付けの際の加熱によって、磁石２の磁
場強度が飽和磁場強度より低くなると、回転角度がず
れ、アイソレータ内での光の伝送路が定まらない。
えられた磁場強度に依存し、磁場強度がある値を超える
と４５度に保たれる（このときの磁場強度を飽和磁場強
度という）。半田付けの際の加熱によって、磁石２の磁
場強度が飽和磁場強度より低くなると、回転角度がず
れ、アイソレータ内での光の伝送路が定まらない。
【００１４】光アイソレータを組み立てる際、偏光板の
固定前あるいは固定後に、磁場をかけることによって磁
石２の磁場強度が飽和磁場強度以上になり、ファラデー
回転子３の回転角度が４５度に保たれる。回転角度が一
定になるので光の伝送路が定まり、光アイソレータの消
光性能が向上する。
固定前あるいは固定後に、磁場をかけることによって磁
石２の磁場強度が飽和磁場強度以上になり、ファラデー
回転子３の回転角度が４５度に保たれる。回転角度が一
定になるので光の伝送路が定まり、光アイソレータの消
光性能が向上する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明を適用する製造方法で得られた光アイソレータの一
実施例の断面図である。同図に示されるように、円筒１
内に偏光子５、ファラデー回転子３、検光子６が光の入
射側から順に配置されている。これらの光アイソレータ
部品は接合剤７で固定されている。偏光子５、検光子６
は金属ホルダー４で保持されており、ファラデー回転子
３は磁石２の円筒内に保持されている。
発明を適用する製造方法で得られた光アイソレータの一
実施例の断面図である。同図に示されるように、円筒１
内に偏光子５、ファラデー回転子３、検光子６が光の入
射側から順に配置されている。これらの光アイソレータ
部品は接合剤７で固定されている。偏光子５、検光子６
は金属ホルダー４で保持されており、ファラデー回転子
３は磁石２の円筒内に保持されている。
【００１６】図２は本発明を適用する製造方法で得られ
た他の光アイソレータの実施例の断面図である。同図に
示されるように、ファラデー回転子３が金属筐体１１で
保持されていることを除いて、図１に示された光アイソ
レータと同様である。
た他の光アイソレータの実施例の断面図である。同図に
示されるように、ファラデー回転子３が金属筐体１１で
保持されていることを除いて、図１に示された光アイソ
レータと同様である。
【００１７】光アイソレータに入射した光は偏光子５を
通過し、ファラデー回転子３によって偏光面が４５度回
転する。回転により光の偏光面が検光子６の偏光面と一
致するので、光は検光子６を通過できる。反射光は逆方
向から検光子６に入射した後、ファラデー回転子３に入
射し偏光面が４５度回転する。反射光の偏光面が偏光子
５の偏光面と直交するので、反射光は偏光子５で遮断さ
れる。
通過し、ファラデー回転子３によって偏光面が４５度回
転する。回転により光の偏光面が検光子６の偏光面と一
致するので、光は検光子６を通過できる。反射光は逆方
向から検光子６に入射した後、ファラデー回転子３に入
射し偏光面が４５度回転する。反射光の偏光面が偏光子
５の偏光面と直交するので、反射光は偏光子５で遮断さ
れる。
【００１８】実施例１
前記光アイソレータを以下に示す条件で製造し、磁場強
度、消光性能を測定した。接合剤７は低融点ガラス、磁
石２は中心磁場1300Ｏｅのサマリウム−コバルト（Ｓｍ
−Ｃｏ）磁石、ファラデー回転子３は回転角度４４．８
度、飽和磁場強度700Ｏｅのビスマス（Ｂｉ）置換希土
類ガーネット、円筒１の材質はステンレス、偏光子５お
よび検光子６は表面に銀が分散されている偏光ガラス、
金属ホルダー４の材質はコバールである。
度、消光性能を測定した。接合剤７は低融点ガラス、磁
石２は中心磁場1300Ｏｅのサマリウム−コバルト（Ｓｍ
−Ｃｏ）磁石、ファラデー回転子３は回転角度４４．８
度、飽和磁場強度700Ｏｅのビスマス（Ｂｉ）置換希土
類ガーネット、円筒１の材質はステンレス、偏光子５お
よび検光子６は表面に銀が分散されている偏光ガラス、
金属ホルダー４の材質はコバールである。
【００１９】具体的な工程は以下の通りである。サマリ
ウム−コバルト磁石とビスマス置換希土類ガーネットと
の間に低融点ガラス（融点４２０℃）を挿入し、電気炉
により４５０℃で１時間加熱し、両部品を接合した。自
然方冷後、磁場強度は初期値の５０％まで低下してい
た。得られた接合体をステンレス製の円筒中に組み込
み、固定した。
ウム−コバルト磁石とビスマス置換希土類ガーネットと
の間に低融点ガラス（融点４２０℃）を挿入し、電気炉
により４５０℃で１時間加熱し、両部品を接合した。自
然方冷後、磁場強度は初期値の５０％まで低下してい
た。得られた接合体をステンレス製の円筒中に組み込
み、固定した。
【００２０】低融点ガラス（融点３６３℃）により偏光
ガラスとコバール製ホルダーとを接合し、偏光子５が接
合されているコバール製ホルダーをステンレス製円筒の
片端に組み込んだ。接合時の加熱温度は４００℃であ
り、接合後の磁場強度は初期値の３０％であった。着磁
装置による２００００ガウスの磁場中にステンレス製円
筒をさらし、ステンレス製円筒内の磁石の中心磁場強度
を加熱前とほぼ同等の1290Ｏｅにした。検光子６が接合
されているコバール製ホルダーを、円筒の反対側の片端
に組み込み、偏光子５と検光子６との相対角度を４４．
８度にしてから、両端のコバール製ホルダーを固定し、
光アイソレータの製造を完了した。光アイソレータは、
逆方向挿入損失が４３．５ｄＢと優れた消光性能を示し
た。
ガラスとコバール製ホルダーとを接合し、偏光子５が接
合されているコバール製ホルダーをステンレス製円筒の
片端に組み込んだ。接合時の加熱温度は４００℃であ
り、接合後の磁場強度は初期値の３０％であった。着磁
装置による２００００ガウスの磁場中にステンレス製円
筒をさらし、ステンレス製円筒内の磁石の中心磁場強度
を加熱前とほぼ同等の1290Ｏｅにした。検光子６が接合
されているコバール製ホルダーを、円筒の反対側の片端
に組み込み、偏光子５と検光子６との相対角度を４４．
８度にしてから、両端のコバール製ホルダーを固定し、
光アイソレータの製造を完了した。光アイソレータは、
逆方向挿入損失が４３．５ｄＢと優れた消光性能を示し
た。
【００２１】実施例２
接合剤７をＡｕ−Ｓｎ２０半田（融点２８０℃）、ファ
ラデー回転子３であるビスマス置換希土類ガーネットの
回転角度を４４．６度に替え、実施例１と同様の工程で
光アイソレータを作製した。
ラデー回転子３であるビスマス置換希土類ガーネットの
回転角度を４４．６度に替え、実施例１と同様の工程で
光アイソレータを作製した。
【００２２】工程の概要は以下の通りである。３００℃
で１０秒間の加熱処理により、サマリウム−コバルト磁
石とビスマス置換希土類ガーネットとを接合した。自然
方冷後、磁場強度は初期値の８５％まで低下していた。
得られた接合体をステンレス製の円筒中に組み込み、固
定した。
で１０秒間の加熱処理により、サマリウム−コバルト磁
石とビスマス置換希土類ガーネットとを接合した。自然
方冷後、磁場強度は初期値の８５％まで低下していた。
得られた接合体をステンレス製の円筒中に組み込み、固
定した。
【００２３】偏光ガラスとコバール製ホルダーとを接合
し、偏光子５が接合されているコバール製ホルダーをス
テンレス製円筒の片端に組み込んだ。着磁装置による２
００００ガウスの磁場中にステンレス製円筒をさらし、
円筒内の磁石の中心磁場強度を加熱前とほぼ同等の1290
Ｏｅにした。検光子６が接合されているコバール製ホル
ダーを、円筒の反対側の片端に組み込み、偏光子５と検
光子６との相対角度を４４．６度にしてから、コバール
製ホルダーを固定して光アイソレータの製造を完了し
た。光アイソレータは、逆方向挿入損失が４２．５ｄＢ
と優れた消光性能を示した。
し、偏光子５が接合されているコバール製ホルダーをス
テンレス製円筒の片端に組み込んだ。着磁装置による２
００００ガウスの磁場中にステンレス製円筒をさらし、
円筒内の磁石の中心磁場強度を加熱前とほぼ同等の1290
Ｏｅにした。検光子６が接合されているコバール製ホル
ダーを、円筒の反対側の片端に組み込み、偏光子５と検
光子６との相対角度を４４．６度にしてから、コバール
製ホルダーを固定して光アイソレータの製造を完了し
た。光アイソレータは、逆方向挿入損失が４２．５ｄＢ
と優れた消光性能を示した。
【００２４】実施例３
接合剤７をＡｕ−Ｇｅ１２半田（融点３５３℃）に替
え、実施例１と同様の工程で光アイソレータを作製し
た。
え、実施例１と同様の工程で光アイソレータを作製し
た。
【００２５】工程の概要は以下の通りである。４００℃
で１０秒間の加熱処理により、サマリウム−コバルト磁
石とビスマス置換希土類ガーネットとを接合した。自然
方冷後、磁場強度は初期値の７５％まで低下していた。
得られた接合体をステンレス製の円筒中に組み込み、固
定した。
で１０秒間の加熱処理により、サマリウム−コバルト磁
石とビスマス置換希土類ガーネットとを接合した。自然
方冷後、磁場強度は初期値の７５％まで低下していた。
得られた接合体をステンレス製の円筒中に組み込み、固
定した。
【００２６】偏光ガラスとコバール製ホルダーとを接合
し、偏光子５が接合されているコバール製ホルダーをス
テンレス製円筒の片端に組み込んだ。着磁装置による２
００００ガウスの磁場中にステンレス製円筒をさらし、
円筒内の磁石の中心磁場強度を加熱前とほぼ同等の1300
Ｏｅにした。検光子６が接合されているコバール製ホル
ダーを、円筒の反対側の片端に組み込み、偏光子５と検
光子６との相対角度を４４．８度にしてから、コバール
製ホルダーを固定して光アイソレータの製造を完了し
た。光アイソレータは、逆方向挿入損失が４３．５ｄＢ
と優れた消光性能を示した。
し、偏光子５が接合されているコバール製ホルダーをス
テンレス製円筒の片端に組み込んだ。着磁装置による２
００００ガウスの磁場中にステンレス製円筒をさらし、
円筒内の磁石の中心磁場強度を加熱前とほぼ同等の1300
Ｏｅにした。検光子６が接合されているコバール製ホル
ダーを、円筒の反対側の片端に組み込み、偏光子５と検
光子６との相対角度を４４．８度にしてから、コバール
製ホルダーを固定して光アイソレータの製造を完了し
た。光アイソレータは、逆方向挿入損失が４３．５ｄＢ
と優れた消光性能を示した。
【００２７】実施例４
接合剤７をＡｕ−Ｇｅ１２半田（融点３５３℃）にした
ことを除いて、実施例１と同様の部品で光アイソレータ
を作製した。
ことを除いて、実施例１と同様の部品で光アイソレータ
を作製した。
【００２８】工程の概要は以下の通りである。サマリウ
ム−コバルト磁石とビスマス置換希土類ガーネットとを
Ａｕ−Ｇｅ１２で接合し、この接合体をステンレス製の
円筒中に組み込み、固定した。
ム−コバルト磁石とビスマス置換希土類ガーネットとを
Ａｕ−Ｇｅ１２で接合し、この接合体をステンレス製の
円筒中に組み込み、固定した。
【００２９】偏光ガラスとコバール製ホルダーとを接合
し、偏光子５が接合されているコバール製ホルダーおよ
び検光子６が接合されているコバール製ホルダーを、そ
れぞれステンレス製円筒の末端に組み込んだ。偏光子５
と検光子６との相対角度を４５度にしてからコバール製
ホルダーを末端に固定した。着磁装置による２００００
ガウスの磁場中にステンレス製円筒をさらし、円筒内の
磁石の中心磁場強度をを増加させ、光アイソレータの製
造を完了した。光アイソレータは、逆方向挿入損失が４
５．５ｄＢと優れた消光性能を示した。
し、偏光子５が接合されているコバール製ホルダーおよ
び検光子６が接合されているコバール製ホルダーを、そ
れぞれステンレス製円筒の末端に組み込んだ。偏光子５
と検光子６との相対角度を４５度にしてからコバール製
ホルダーを末端に固定した。着磁装置による２００００
ガウスの磁場中にステンレス製円筒をさらし、円筒内の
磁石の中心磁場強度をを増加させ、光アイソレータの製
造を完了した。光アイソレータは、逆方向挿入損失が４
５．５ｄＢと優れた消光性能を示した。
【００３０】実施例５
接合剤７をＡｕ−Ｓｎ２０半田にしたことを除いて、実
施例４と同様の工程で光アイソレータを作製した。得ら
れた光アイソレータは、逆方向挿入損失が４４．０ｄＢ
と優れた消光性能を示した。
施例４と同様の工程で光アイソレータを作製した。得ら
れた光アイソレータは、逆方向挿入損失が４４．０ｄＢ
と優れた消光性能を示した。
【００３１】実施例６
接合剤７をＡｕ−Ｇｅ１２半田とし、偏光子ガラスとコ
バール製ホルダーとを接合し、ファラデー回転子３と金
属筐体１１とを接合した。この後、円筒内に磁石と偏光
ガラスとを固定したホルダーを接合した後、着磁装置に
よって円筒内の磁石の磁場強度を1300Ｏｅにした。ここ
に偏光ガラスを固定したホルダーと、ファラデー回転子
３を固定した部品とを挿入し、偏光ガラスの相対角度が
４５度となるように接合固定した。得られた光アイソレ
ータは逆方向損失が４４．０ｄｂと優れた値を示した。
バール製ホルダーとを接合し、ファラデー回転子３と金
属筐体１１とを接合した。この後、円筒内に磁石と偏光
ガラスとを固定したホルダーを接合した後、着磁装置に
よって円筒内の磁石の磁場強度を1300Ｏｅにした。ここ
に偏光ガラスを固定したホルダーと、ファラデー回転子
３を固定した部品とを挿入し、偏光ガラスの相対角度が
４５度となるように接合固定した。得られた光アイソレ
ータは逆方向損失が４４．０ｄｂと優れた値を示した。
【００３２】比較例１
ファラデー回転子３であるビスマス置換希土類ガーネッ
トの回転角度を４４．７度にし、着磁装置等で磁場を与
えないようにしたことを除いて、実施例１と同様の工程
で光アイソレータを作製した。
トの回転角度を４４．７度にし、着磁装置等で磁場を与
えないようにしたことを除いて、実施例１と同様の工程
で光アイソレータを作製した。
【００３３】工程の概要は以下の通りである。電気炉に
よって４５０℃で１時間にわたりサマリウム−コバルト
磁石とビスマス置換希土類ガーネットとを加熱し、低融
点ガラスによって両部品を接合した。自然方冷後、磁場
強度は初期値の５０％まで低下していた。ビスマス置換
希土類ガーネットの回転角度は４２．５度であった。
よって４５０℃で１時間にわたりサマリウム−コバルト
磁石とビスマス置換希土類ガーネットとを加熱し、低融
点ガラスによって両部品を接合した。自然方冷後、磁場
強度は初期値の５０％まで低下していた。ビスマス置換
希土類ガーネットの回転角度は４２．５度であった。
【００３４】偏光子５が接合されているコバール製ホル
ダーをステンレス製円筒の片端に組み込み、消光比を測
定した。消光比が２６ｄＢとなり、満足いく消光性能は
得られなかった。
ダーをステンレス製円筒の片端に組み込み、消光比を測
定した。消光比が２６ｄＢとなり、満足いく消光性能は
得られなかった。
【００３５】比較例２
着磁装置等で磁場を与えないようにしたことを除いて、
実施例３と同様の工程で光アイソレータを作製した。
実施例３と同様の工程で光アイソレータを作製した。
【００３６】工程の概要は以下の通りである。電気炉に
より４００℃で１０秒にわたってサマリウム−コバルト
磁石とビスマス置換希土類ガーネットとを加熱し、両部
品を接合した。自然方冷後、磁場強度は初期値の７５％
まで低下していた。得られた接合体をステンレス製の円
筒中に組み込み、固定した。
より４００℃で１０秒にわたってサマリウム−コバルト
磁石とビスマス置換希土類ガーネットとを加熱し、両部
品を接合した。自然方冷後、磁場強度は初期値の７５％
まで低下していた。得られた接合体をステンレス製の円
筒中に組み込み、固定した。
【００３７】Ａｕ−Ｇｅ１２で偏光ガラスとコバール製
ホルダーとを接合した後、偏光子５が接合されているコ
バール製ホルダーをステンレス製円筒の片端に組み込ん
だ。このときの中心磁場強度は初期値の５０％であっ
た。検光子６が接合されているコバール製ホルダーを、
円筒の反対側の片端に組み込み、偏光子５と検光子６と
の相対角度を調整しても、逆方向挿入損失は２８ｄＢが
最高であった。
ホルダーとを接合した後、偏光子５が接合されているコ
バール製ホルダーをステンレス製円筒の片端に組み込ん
だ。このときの中心磁場強度は初期値の５０％であっ
た。検光子６が接合されているコバール製ホルダーを、
円筒の反対側の片端に組み込み、偏光子５と検光子６と
の相対角度を調整しても、逆方向挿入損失は２８ｄＢが
最高であった。
【００３８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
光アイソレータの製造方法によると、組立の際、あるい
は組み立て終了後に、着磁によって未着磁磁性体を磁石
にするか、あるいは磁石の磁場強度を増加させているの
で、ファラデー回転子の回転角度が４５度に保たれる。
このため光アイソレータの消光性能が低下することがな
い。
光アイソレータの製造方法によると、組立の際、あるい
は組み立て終了後に、着磁によって未着磁磁性体を磁石
にするか、あるいは磁石の磁場強度を増加させているの
で、ファラデー回転子の回転角度が４５度に保たれる。
このため光アイソレータの消光性能が低下することがな
い。
【００３９】本発明は、レーザダイオード型アイソレー
タ、ファイバ型アイソレータ、光サーキュレータのいず
れを製造する場合にも適用できる。またファラデー回転
子が強磁性材料の場合だけでなく、常磁性材料の場合で
も同様の効果が期待できる。
タ、ファイバ型アイソレータ、光サーキュレータのいず
れを製造する場合にも適用できる。またファラデー回転
子が強磁性材料の場合だけでなく、常磁性材料の場合で
も同様の効果が期待できる。
【図１】本発明を適用する製造方法で得られた光アイソ
レータの一実施例の断面図である。
レータの一実施例の断面図である。
【図２】本発明を適用する製造方法で得られた光アイソ
レータの別の実施例の断面図である。
レータの別の実施例の断面図である。
【図３】ファラデー回転子の回転角度と磁場強度との依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
１は円筒、２は磁石、３はファラデー回転子、４は金属
ホルダー、５は偏光子、６は検光子、７は接合剤、１１
は金属筐体である。
ホルダー、５は偏光子、６は検光子、７は接合剤、１１
は金属筐体である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−43315（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−177316（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−212924（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−261616（ＪＰ，Ａ)
実開 平５−45630（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 27/28
Claims (3)
- 【請求項１】 半田または低融点ガラスによって円筒内
に未着磁磁性体を組み込み、着磁によって該未着磁磁性
体に磁場を与えて磁石にした後、光アイソレータの構成
部品を組み立てることを特徴とする光アイソレータの製
造方法。 - 【請求項２】 半田または低融点ガラスによって接合し
たファラデー回転子と磁石との接合体を円筒内に組み込
み、磁場をかけて該磁石の磁場強度を増加させた後、該
円筒の両端開口部に偏光板を固定することを特徴とする
光アイソレータの製造方法。 - 【請求項３】 半田または低融点ガラスによって接合し
たファラデー回転子と磁石との接合体を円筒内に組み込
み、該円筒の両端開口部に偏光板を固定した後、磁場を
かけて該磁石の磁場強度を増加させることを特徴とする
光アイソレータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753295A JP3534891B2 (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 光アイソレータの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753295A JP3534891B2 (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 光アイソレータの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304736A JPH08304736A (ja) | 1996-11-22 |
| JP3534891B2 true JP3534891B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=14461583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10753295A Expired - Fee Related JP3534891B2 (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 光アイソレータの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534891B2 (ja) |
-
1995
- 1995-05-01 JP JP10753295A patent/JP3534891B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08304736A (ja) | 1996-11-22 |
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