JPH11177276A

JPH11177276A - 電磁波遮蔽透明体

Info

Publication number: JPH11177276A
Application number: JP33620697A
Authority: JP
Inventors: Hideki Goto; 英樹後藤; Junji Tanaka; 順二田中
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1997-12-08
Filing date: 1997-12-08
Publication date: 1999-07-02

Abstract

(57)【要約】【課題】透明性を有し、電磁波遮蔽効果が高い、電磁
波遮蔽体を安価に提供すること。【解決手段】Ｔｇ８０℃以上の透明高分子フィルムの
少なくとも片面に形成した透明導電層を薄膜平面コイ
ル、薄膜抵抗、薄膜コンデンサーのいずれか或いは全て
の素子を列ピッチ，行ピッチがそれぞれ等間隔である様
に配置し電気的に接続しパターン化したフィルム及び透
明導電層付きのフィルムとを接着層を介し積層した複数
のフィルムを、厚み１ｍｍ以上の透明高分子補強体に接
着層を介し積層した事を特徴とする電磁波遮蔽透明体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ装置
の表示面、特に電磁波漏洩防止を必要とするプラズマデ
ィスプレイ（以下ＰＤＰと略す）や内部を透視する必要
がある医療用機器が設置されている窓等の表面カバー材
料に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年エレクトロニクスの急激な発展によ
りコンピューター等の発展に伴い電子機器の誤動作を発
生する電磁波障害が大きな問題と成ってきている。この
電磁波障害を未然に防止する手段としては電式機器のハ
ウジングを導電化する事により、発生源で不要電波を封
じ込める能動的遮蔽がある。具体的な電磁波漏洩防止材
料としては金属箔、金属箔をパンチング、金属メッシ
ュ、金属繊維、有機・無機繊維にメッキ処理したものが
用いられているがＰＤＰに代表される表示体や窓等では
透明性が絶対的な必要条件であり、いずれも光の透過性
の観点からは使用に適さない物であった。

【０００３】更に、金属表面は時間の経過と共に酸化が
進行するために上記の中では透明性がある程度期待出来
る金属メッシュでも格子点で高周波接触が絶たれやす
く、長時間に渡り安定な電磁遮蔽効果を示しにくい欠点
があった。これに対し液晶用電極として広く用いられ
ている酸化劣化もない酸化インジウムと酸化錫の複合酸
化物（以下ＩＴＯと略す）を用いられる事が考えられて
いるが電磁波漏洩防止機能は少ない事が指摘されており
静電防止機能用途に限られていたのが実状であった。
可能性として金属並の導電性例えば１Ω／□以下まで導
電性を上げる試みがなされていたが、現状、ガラス基板
に加熱しながら成膜しても４Ω／□レベルでありプラス
チックフィルム上に形成することは技術的に不可能であ
った。

【０００４】更に、重量の問題がある。特に今後注目さ
れているつまりＰＤＰの目指す対角４０〜５０インチ以
上の様な大型サイズで重量が重いガラス基板を用いたの
ではＰＤＰ実装時には取り付け性からも問題であった。
一方軽量化の為に基板としてプラスチック基板を用いる
と透明性、導電性を上げる為の最も重要な基板加熱とい
う手段が耐熱性の点から用いることが出来ず低抵抗を得
るのは不可能であった。更に膜厚を上げて抵抗を下げよ
うとするとＩＴＯ膜とプラスチック基板との線膨張率の
差から成膜後内部応力から剥離したり、クラックが発生
し金属並の低抵抗のＩＴＯを形成する事は２０〜４０Ω
が限界であり、目的を達成する事は不可能であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、透明性を有
し、電磁波遮蔽効果が高い、表示体用特にはプラズマデ
ィスプレー用や医療用機器室の窓用として最適な電磁波
遮蔽透明フィルムを安価に提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的には、透明な
高分子フィルムの少なくても片面に形成した透明導電膜
を用い平面コイル、抵抗、コンデンサーの各素子を列ピ
ッチ、行ピッチが等間隔に成るように配し、それらを電
気的に接続したカットフィルターをパタンニーング法で
形成し各機器から放射される電磁波を吸収する。更に効
果を高める為、複数枚積層させ厚み方向でも電気的なカ
ットフィルタを作成する物である。又、各素子の大きさ
は２ｍｍ角以内にし透明性を維持し視覚的に違和感が生
じない視認性を有する物である。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明に最も重要なパターンニン
グ法で形成する各電気素子の基材となる透明導電性フィ
ルムに於ける高分子フィルムは、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリカーボ
ネート、ポリアクリロニトリル、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアリレ
ート、ノルボルネンに代表される熱可塑性樹脂、紫外線
硬化型樹脂、エポキシ樹脂に代表される熱硬化型樹脂等
からなり、５５０ｎｍでの光線透過率が８０％（以下で
は全て５５０ｎｍでの値を示す）以上の透明性を有した
フィルムか或いはこれら高分子の共重合体が使用出来き
適宜選択される。

【０００８】高分子フィルムは、加工性の点より極力耐
熱性があることが望ましい。これは透明導電体を形成す
る一般的な方法として真空中でのスパッタリング法によ
る成膜が最も透明性が良好であるからであり、成膜中に
受けるターゲット、プラズマからの熱により変形が生じ
ない耐熱性が必要であるからである。この温度が約８０
℃でありこれ以上の耐熱性が工業的に製造する上では必
要となるため、Ｔｇは８０℃以上が必要である。更に複
数枚を積層する際も接着剤の選定の自由度、積層方法の
自由度から耐熱性が有効であるのはいうまでもない。
又、全光線透過率は同様に出来る限り高い事が望ましい
が、最終製品としては５０％以上が必要な事から最低２
枚を積層する場合でも基板としては８０％を有すれば目
的に適うからであり、透過率が高ければ高いほど複数枚
を積層出来る為、好ましくは８５％以上が、最も好まし
くは９０％以上でありこのため厚みを薄化するのも有効
な手段である。

【０００９】更に屋内用途であっても寿命の点からは紫
外線・近赤外線吸収剤を高分子フィルム材料に添加して
も良い。ここで透明導電膜を積層する際、密着力向上を
目的として公知のプライマー処理、アンダーコートを設
ける事は有効である。具体的には融点５０℃以上のエポ
キシアクリレートプレポリマー或いは融点５０℃以上の
ウレタンアクリレートプレポリマーの紫外線硬化膜であ
り、且つ厚みは０．３〜５．０μｍである。ここで重要
なのは、各特性堅持の為には、コート層の厚みを制限す
る事が重要である。通常のコート樹脂は２〜３０μｍ程
度の厚みを塗布しているが、５μｍを越える厚みになる
と可撓性が無くなる。従って、表示体用途として実用上
充分安定した領域で使用するためには、５μｍ以下の範
囲が好ましく、更に好ましくは０．５〜３μｍの範囲で
ある。

【００１０】次に高分子フィルムの厚みとしては、透明
性さえ満足すれば特に制限されるものでは無いが加工性
上からは２５〜３００μｍが好ましい。厚さ２５μｍ未
満の場合はフィルムが柔軟過ぎ、透明導電層である酸化
物の成膜や加工する際の張力により伸張やシワが発生し
易くその為透明導電層の亀裂や剥離が生じやすく適さな
い。又、３００μｍを超えるとフィルムの可撓性が減少
し、各工程中での連続巻き取りが困難で適さない。特に
複数枚を積層する際は加工性が大幅に劣るため作業性、
並びに全体の厚さを考慮すれば２５〜１００μｍが特に
好ましい。

【００１１】上記のフィルム上に設ける透明導電層の組
成は、Ｉｎ₂Ｏ₃或いはＺｎＯを主成分とする酸化物或い
は複合酸化物が好ましい。代表的にはＩｎ₂Ｏ₃とＳｎＯ
₂の複合酸化物（以下、ＩＴＯと略す）を形成する。Ｉ
ＴＯとしては極力非晶質が望ましい。カットフィルタ回
路を構成するコイル、抵抗、コンデンサー素子を細線で
パタンニングするにはエッチング特性は非常に重要であ
り通常ガラス基板上で得られる結晶質の膜質ではプラス
チック基板上に於いて密着力不足から剥離クラックが発
生して使用できない。又、複数枚を積層する際には熱、
圧力の外力がかかる為、可撓性が重要になる。この両特
性を得るためには、結晶性から非晶質に膜質を代える事
が重要である事を見出したものである。

【００１２】一般的には酸化物の形成法はスパッタリン
グ法で成膜しており、例えば透明導電電極用として代表
的に用いられるＩＴＯでは、キャリアガスにアルゴン、
比抵抗を最小にする為に酸素を導入し最適化する。しか
しながら、導電性を狙った条件は非常に結晶化し易く例
え基板加熱をしなくても成膜中のプラズマからの熱の影
響でＸ線回折装置による解析可能な膜厚条件になるとほ
ぼ確実に結晶化する。従ってあくまで非晶質を重視した
成膜条件で行う事が重要である。

【００１３】一方、条件を限定しながら成膜し、非晶質
膜を得る事は技術的には可能ではあるが、組成、条件変
動の点からは安定性、再現性に問題が無いわけではな
い。この為、素材であるターゲット材が非晶質である事
が製造上からはより有利である。ここで透明性、比抵
抗、広く用いられ安価であるＩｎ₂Ｏ₃或いは、ＺｎＯを
主成分とする透明酸化物で有れば制限は無い。又、具体
的な非晶質の定義としては１０ｗｔ％の塩酸溶液に於い
て４０秒以内でエッチング可能な膜をいう。この定義に
従えば十分な可撓性が得られ２０万倍の電子顕微鏡によ
っても砂状構造であり、いわゆるグレインの成長は押さ
えられている。又、可撓性についても加工上の変形、５
ｍｍＲの曲げに対しても抵抗変化がない事が達成され
る。

【００１４】透明導電体としての抵抗としては、規制の
対象となる電磁波の周波数は１０ＫＨｚ〜１０００ＭＨ
ｚの範囲が一般的であるので透明導電性の導電性は１０
³Ω・ｃｍ以下の固有抵抗が必要である。一般に電磁
波シールド効果は以下の式で表わされる。Ｓ（ｄＢ）=１０ｌｏｇ（１／ρｆ）＋１．７ｔ√ｆ/ρ Ｓ（ｄＢ）：電磁波遮蔽効果 ρ（Ω・ｃｍ）：導電膜の体積固有抵抗ｆ（ＭＨｚ）：電磁波周波数当然，遮蔽効果Ｓを大きくするには、固有抵抗ρを限り
なく低くする必要があり低い程、より広範囲の周波数の
電磁波を有効に遮蔽する事が可能になるからである。

【００１５】しかしながら、導電性を上げる方向は、経
済的にも、技術的にも困難さが増す。まず技術的には最
も良好な透明導電体であるＩＴＯでも金属並の１Ωを得
るためには４μｍの厚さに成膜しなければならず透明
性、内部応力によるクラック等の問題から物理的に不可
能である。実質的にはガラス上で４Ωレベルであり、高
分子フィルム上で２０〜４０Ωが技術的な限界である。
ここで高分子上にＩＴＯを成膜した製品としてはＥＬ用
電極材料、タッチパネル用電極、フィルム液晶用電極が
ほとんどであり、それぞれ抵抗としては３００Ω、５０
０Ω、１００〜３００Ωが使用されている。この為、高
分子上の限界である２０〜４０Ωを得ようとすると、汎
用品の約１０倍の厚みを付ける必要があり価格的に最も
寄与率が高い真空装置による成膜時間に直接影響し、必
然的に価格は１０倍近くなり低価格の点からは大きく不
利に成る。この為、経済性、透明性、内部応力の低減の
中では１００〜５００Ωで有ることが最も好ましい。

【００１６】又、他の例として透明導電膜は光線透過率
６０％の透明性を維持出来る範囲のＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、
Ｐｔ、Ｃｕの金属、或いはこれらを主成分とする合金で
もかまわない。更に上記以外の酸化物、窒化物やＩＴＯ
と組み合わせた積層複合膜でも差し支えない。例えば、
電磁波入射側から見て高分子フィルム／金属・合金／Ｉ
ＴＯ、高分子フィルム／ＩＴＯ／金属・合金、さらに
は、高分子フィルム／ＩＴＯ／金属・合金／ＩＴＯ等の
構成でも有効である。但し、これらの構成では導電性が
大半を金属による場合はＩＴＯである必要は無く他の透
明酸化物等の様な物質で屈折率、パタン化可能なエッチ
ング性により選択する事が可能となる。ここで、金属の
場合、膜厚は５０〜３００Åが好ましい。５０Å未満で
は遮蔽効果が著しく悪く３００Åを超えると透過率が著
しく低下するからである。又、金属層の上下をＩＴＯ等
で保護した場合、酸化劣化が大幅に改善出来るメリット
が上げられる。又、ＩＴＯの成膜方法はスパッタリング
法が一般的であるが、透明酸化物では更にゾル・ゲル法
も可能となる。更に金属等では蒸着法以外に電気メッキ
でも可能となり経済性、特性から選択される。

【００１７】ここで、非晶質なＩＴＯに代表される透明
導電膜をフォトリソ法を用いて図１の様に平面コイル、
抵抗、コンデンサー等を形成する。入射波長並びに高調
波に対応したカットフィルタを作製する事により入射電
磁波エネルギーは電気回路内で吸収され抵抗による熱エ
ネルギー、誘電ロスにより吸収される。この為、電気回
路作製は非常に重要である。ここで回路幅は５０μｍ以
上、好ましくは１００〜５００μｍの範囲がエッチング
の歩留まりからは好ましい。電気的には平面コイルのイ
ンダクタンスとしては巻き数が大きければ多いほど電気
回路作製上自由度が増大して好ましいが、細線の場合で
はインピーダンスが大きくなり逆に電流が流れにくい欠
点が有りエネルギーの吸収効果が下がる。

【００１８】この為、各素子の内、特にコイルは部分メ
ッキ等によって抵抗を下げる事は有効な手段である。メ
ッキ材としては導電性からは銅、銀、金等が有効である
が透明性が最も必要なため、まず極薄化膜が必要であ
る。この際、酸化、硫化等による変色から透明性を維持
出来る金が最も好ましい。銀を使用する際はパラジウ
ム、白金を添加すると酸化による変色劣化は大幅に低減
出来有効な手段である。更に銀、銅は透磁率と導伝率の
積が大きい為、シールド効果が高く電磁界の反射損失が
大きい特徴が有る。

【００１９】次にコイル形状は一つの系内で正反対の巻
き方向を持つ図２、図３に示す個片タイプ素子や図４に
示す連続タイプが適用出来る。特に直列連続タイプの場
合、個片タイプの接続数により、リアクタンスを変化す
る事が可能に成るため、カットフィルタにより吸収する
電磁波の波長の範囲を制御出来る大きな手段である。例
えば４０インチサイズのＰＤＰに関すれば長片８００ｍ
ｍ、短片６００ｍｍとすると１コイルの２ｍｍ角間隔も
同様２ｍｍとすれば４ｍｍピッチとなりコイル数は長片
２００素子、短片１２５素子の形成が可能になる。更に
図５に示す様に直列接続部分に一部並列接続部分を形成
する事により、リアクタンスをより細分化出来、吸収電
磁波の波長が拡大出来る。又、図５に示すように、複数
の直列連続接続タイプを任意の位置で接続しておくと、
パタン化の際のエッチング不良で断線する事が防げる現
実的な長所の他、リアクタンスの細分化は格段に増加す
る事が出来る。

【００２０】抵抗についてはコイルそのものを用いても
問題無い。特に酸化物による透明導電膜は金属薄膜に比
較すれば比抵抗は１００倍程高い為、配線抵抗は大きく
成っているからである。

【００２１】コンデンサーについては図６に示す様にパ
ターンニングにより電極を形成すれば形成出来るが通常
の高分子フィルムを誘電体としたコンデンサーでは十分
な容量はとれない。従って積層構造にし厚み方向でコン
デンサーを形成する事が最も有効である。但し、厚み方
向での厚さ制限が有る場合は通常の高分子フィルム上に
高誘電体層をコーティングする事は容量を増加させる上
で有効である。例えば有機物質で有ればポリフッ化ビニ
リデン、ポリフッ化ビニリデン−トリフルオロエチレ
ン、シアノエチルセルロース、シアン化ビニリデンが特
に有効で有るが、更にはポリチオールと芳香族ポリイソ
シアネート、ビニルナフタレン、ビニルフェニルサルフ
ァイド、ベンゼンジチオールとキシリレンジイソシアナ
ート、トリメルカプトベンゼンとトリチオイソシアナー
ト誘導体、硫化ナトリウムとジクロロベンゼン、ジクロ
ロクォーターフェニルやポリフェニレンスルフィド共重
合体の樹脂からなるもの等がある。無機物質ではチタン
酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、ニ
オブ酸鉛、ニオブ酸ストロンチウムバリウム、ジルコン
酸チタン酸鉛、酒石酸ナトリウム、タンタル酸リチウ
ム、酸化チタン、酸化鉛、リン酸二水素化カリウム、ト
リグリシン硫酸塩、塩化鉛、臭素化鉛等の誘電体が効果
的である。

【００２２】ここでコーティング方法に特に制限を加え
る物ではない。無機層に於いてもゾル・ゲル法、ポリシ
ラザン等の低温反応形成可能な珪素ポリマーを使用する
化合物物質に添加する方法、スパッタリング法、反応性
イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等があるが、低温で
反応形成可能なゾル・ゲル法、スパッタリング法が好ま
しい。

【００２３】一方、厚み方向で積層可能な場合は図７に
示す様に上記物質を形成した高分子フィルムの両面に電
極材料の金属系膜や透明導電膜を成膜する。透明性維持
の為、金属系では厚みを５０〜３００Åの範囲にする必
要がある。又、透明導電材料としては、さらには酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛を主成分とする複合酸化物が好まし
く、最も好ましくは酸化インジウム、酸化錫の複合酸化
物が挙げられる。

【００２４】更に、コンデンサーを形成する誘電体とし
ての高分子フィルムに凹凸を付けより反射効率を高める
方法も有効である。凹凸の形成方法は機械的な成形によ
る凹凸の形成やフィルム内に透明なガラス粒子に代表さ
れる無機材料からなるフィラーや屈折率が異なる有機の
粒子を含有する事でも目的を達成出来る。更に、入射電
磁波の波長に合わせ誘電体の厚みを決定する事は多重反
射の効率からは有効である。しかしながら波長λに対し
て１／４λの厚みにする事が最も有効であるが通常は製
品の厚み制限がある為、目的に合わせて決定すれば良
い。

【００２５】又、表裏電極の材質を変えても差し支えな
い。特に電磁波遮蔽体として吸収効率の為には電磁波が
入射する面を形成する電極は裏面に比べ屈折率を低くし
た方が良く、反射しても良い場合には逆に高くする事で
入射電磁波の反射・透過効率を制御出来る。但し、理想
的には電波吸収体は到来方向、偏波面に関わりなく、希
望吸収周波数範囲で入射電波をほとんど吸収し、反射を
生じさせない事が望ましくこの意味からは前者を選択す
べきである。更に、電極以外だけでなく誘電体自体を変
えたフィルムを２枚以上で積層させる事も入射電磁波の
界面屈折率差による多重反射効果が発現できる。又、積
層する際の接着剤についても同様であり屈折率の異なる
材料を層毎で変える事は効果の増進が図られる。この
為、多数枚数に成る際はフィルムの厚みを薄化し全体厚
みを制御すれば良い。このように、プリズムシートのよ
うなフィルムの凹凸、接着剤屈折率、フィルム屈折率、
厚み、誘電損失、電極屈折率を利用し、更に積層数を増
しより多重反射による内部損失を最大限に成るように設
計する事が出来る。

【００２６】又、各素子の電極保護の為にラミネート前
に保護層を設けても何ら差し支えない。特に、高屈折率
の透明導電膜の上に低屈折率の透明保護膜を形成した２
層膜によって高屈折率膜と低屈折率膜の屈折率差によっ
て上層の低屈折率膜表面から反射光が下層の高屈折率と
の界面からの反射光の干渉によって、打ち消しあい結果
としてより電磁波の透過防止効果が増大する。

【００２７】次に、重要な事は一つの面状に形成された
コイル、コンデンサー、抵抗等の１素子のサイズは２ｍ
ｍ角以内にする事である。これは本発明の目的の１つで
あるＰＤＰのような大画面の表示体では認識性の点から
約３ｍの距離を離して鑑賞する事が推奨され、事実近す
ぎると目の疲労から問題となる。従って３ｍからの距離
での黒点の識別可能限界に近く、更に実際に違和感なく
認められるサイズ、配置を検討した処、２ｍｍ角以内の
点であり、且つ列ピッチ、行ピッチがそれぞれが等間隔
に整然と配置されていると何ら違和感無く鑑賞出来る事
を見出したものである。無論、積層構造の際のコンデン
サー電極の様に全面に形成されたものでは、単に透明性
が良好で有れば良い。

【００２８】これらコイル、コンデンサーを図２、３の
様なフィルタによるカットフィルターを形成する。更に
は周波数全般に効果がある図８の抵抗減衰形の回路を形
成しても良い。又、これら回路を組み合わせても良い。

【００２９】等価回路的に満足すればコイル、コンデン
サーの配置に制約はないが、図９の様にコンデンサーを
電磁波入射側に配置する事が有効である。これはコンデ
ンサーの電極としての透明性がある金属薄膜や透明導電
酸化物内で入射した電磁波は渦電流を発生させエネルギ
ーを損失、消費させる効果があるからである。又、コン
デンサーとしての誘電体内で誘電損失によるエネルギー
損失、更にはコンデンサー表裏の電極表面での多重反射
により上記のエネルギー損失が繰り返し行われ一層の効
果が発現するからである。このようにコンデンサー層を
透過する事により減衰した電磁波を目的のフィルタを用
いて最終的にカットする事が出来非常に効率が高くなる
からである。電波吸収体とはいかに損失の大きい材料得
るかに関わっているが、基本的に電波吸収材料が有効に
機能するには電磁エネルギーが損失材料に入射する際材
料内部に進入し易く、かつ進入した電磁エネルギーは材
料内部で急激に減衰される構造、機構が重要で有り、本
発明は複数の損失技術を最も効率的に適応を図ったもの
である。

【００３０】次に、表示体であるスクリーン面には埃り
が付着し易い欠点がある為、帯電防止効果の高いコンデ
ンサーの電極の様に全面が導電性のある物質で覆われて
いるものが隣接する事が最も望ましいからで帯電防止の
意味からも有効である。

【００３１】更には、コンデンサーとなるフィルムとコ
イル、コンデンサー、抵抗等が一面上に形成されたフィ
ルムでの電気的接合にはポリエステルやポリイミド等の
高分子フィルム上に銅箔等が積層されたフラットケーブ
ル等を用いて導電ペースト、異方導電フィルムにより接
合すれば良い。更に、高分子フィルム上のコンデンサ
ー、コイルの構造体自体のラミネートについては、用途
に合わせた耐熱性、耐湿性を有する接着剤を用いる事で
作製出来る。

【００３２】このように安価な透明導電フィルムを使用
してカットフィルタを形成し、更にコンデンサーが有す
る誘電体を電磁波の減衰材料として利用する事により次
式で表わされる遮蔽効果をＳ（ｄＢ）＝２０Ｘｌｏｇ10（Ｅ0／Ｅ1）Ｅ0は入射電磁波Ｅ1は通過した電磁波大幅に向上させる事が出来た。従来の電波吸収体である
許容反射減衰量は電力吸収率９９％以上に相当する２０
ｄＢ以上が一つの目安とされているが本発明により３０
〜５０ｄＢが可能に成った。

【００３３】以上の様にコンデンサーフィルムとカット
フィルター付きフィルムを積層した後、近赤外線吸収特
性を有する厚さ１ｍｍ以上で、且つ鉛筆硬度が３Ｈ以上
のハードコート層が設けられている透明高分子補強板に
接着剤により圧着する。これはＰＤＰがキセノンガス放
電を利用して発光させている為、この際生じる近赤外線
が外部に漏洩し広く利用されているセンサーの誤動作に
結びつく為である。又、透明高分子補強板は外圧に耐え
るものであり傷等による損傷ひいては透明性の低下を及
ぼすものでハードコートは不可欠である。ハードコート
層はエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート等の
樹脂以外に、無機材具体的には酸化珪素、アルミナ、酸
化チタン、酸化ジルコニュウム等の透明酸化物等が好ま
しい。更に、本来の補強板としては軽量化の為、高分子
を使用する関係上１ｍｍ以上の強度が必要になる。厚み
は増せば増すほど強度は得られるが、重量、透明性の点
からは不利になる為、人為的な外圧、指圧に耐え得る強
度とすれば１ｍｍ以上で目的を達成出来き実用上は５ｍ
ｍまでである。

【００３４】更に、ハードコート層の反対側の面には反
射防止機能を有する事が望ましい。これはＰＤＰからの
表示部での乱反射を防止しコントラストを高める為に設
置される。無論ハードコート層に機能を付与出来れば形
成面に、制限は無い。

【００３５】近赤外線吸収剤としては、パラジウム、ニ
ッケル、白金、モリブデン、タングステン等の金属錯
体、有機塩、ナフトロシアニン、フタロシアニン系、ア
ントラキノン系色素が上げられる。通常は高分子フィ
ルムや基板に添加し効果を発現させるがゾル・ゲル法や
ポリシラザンに添加させハードコート層の両機能を付与
させる事が最も効果的である。

【００３６】

【実施例】《実施例１》フィルム１として厚み７５μｍ
のポリエチエンテレフタレートフィルム（以下ＰＥＴと
略す）に、アンダーコートとして分子量１５４０、融点
７０℃のエポキシアクリレートプレポリマー（昭和高分
子製、ＶＲ−６０）１００重量部、酢酸ブチル４００重
量部、セロソルブアセテート１００重量部、ベンゾイン
エチルエーテル２重量部を用い、１μｍの厚みにコート
した。更にＩＴＯ（１０ｗｔ％ＳｎＯ₂）をスパッタリ
ング法で透過率８０％、シート抵抗１５０Ωの非晶質の
膜に成るように成膜した。この透明導電層をフォトリソ
法にて図２のコイル、コンデンサを１素子当たり、外径
２ｍｍで形成した。全面を示したものが図４で有る。次
にフィルム２として同じアンダーコート付きＰＥＴに同
様条件で透過率８２％、シート抵抗２００ΩのＩＴＯを
形成した。このフィルム２を２枚を含め図１０の構成で
配置し、脂肪族ポリエステルウレタン（東洋モートン製
ＡＤ−Ｎ４０１）接着剤で積層した。尚、外縁部に於い
て各透明導電膜とフラットケーブルを銀ペースト（住友
ベークライト製ＣＲＭ−１０８５）で接着し電気的に接
地した。遮蔽効果を確認した処、１０ＭＨｚ、１ＧＨｚ
に於いて各４２ｄＢ、３８ｄＢと高域でも良好な値を得
た。更にハードコート、近赤外線カット機能を得るため
ポリシラザン（東燃製Ｌ１１）にナフトロキノンを添加
してコートした２ｍｍのポリカーボネート基板に同一の
接着剤でハードコート層が最外層になる様に積層した。
鉛筆硬度は３Ｈであり擦傷性に優れたものでＰＤＰ用電
磁波遮蔽透明板として遮蔽性だけではなく耐久性にも優
れた特性を得られた。

【００３７】《実施例２》フィルム１の導電膜を銅で形
成した以外は実施例１と同様に電磁波遮蔽透明体を作製
した。銅の厚みは２５０Åに設定した。遮蔽効果を確認
した処、１０ＭＨｚ、１ＧＨｚに於いて各４８ｄＢ、４
３ｄＢと高域でも良好な値を得た。

【００３８】《比較例１》実施例１に於いてフィルム２
のみで電磁波遮蔽透明板を作製した。遮蔽効果を確認し
た処、１０ＭＨｚ、１ＧＨｚに於いて各３６ｄＢ、３２
ｄＢと電磁波遮蔽効果は低い値を示した。

【００３９】

【発明の効果】本発明により、透明性に優れた、電磁波
遮蔽板透明体を提供することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】素子回路の一実施例の平面図

【図２】個片タイプ素子回路の一実施例の平面図

【図３】個片タイプ素子回路の他の実施例の平面図

【図４】連続タイプ素子回路の一実施例の平面図

【図５】連続タイプ素子回路の他の実施例の平面図

【図６】コンデンサー回路の一実施例の平面図

【図７】パターン化した透明導電層付きフィルムの一
実施例の断面図

【図８】抵抗減衰形回路の一実施例の平面図

【図９】積層フィルムの一実施例の断面図

【図１０】実施例１の積層フィルムの断面図

【符号の説明】

１：平面コイル２：コンデンサー３：抵抗４：電極５：透明導電膜６：無機層７：高分子フィルム８：カットフィルター９：ＩＴＯ１０：フィルム１１１：フィルム２１２：接着剤

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｔｇ８０℃以上の透明高分子フィルムの
少なくとも片面に形成した透明導電層を薄膜平面コイ
ル、薄膜抵抗、薄膜コンデンサーのいずれか或いは全て
の素子を列ピッチ，行ピッチがそれぞれ等間隔である様
に配置し電気的に接続しパターン化したフィルム、及び
透明導電層付きのフィルムとを接着層を介し積層した複
数のフィルムを、厚み１ｍｍ以上の透明高分子補強体に
接着層を介し積層した事を特徴とする電磁波遮蔽透明
体。
【請求項２】各素子が２ｍｍ角の中に収まるサイズ以
下で形成されている請求項１記載の電磁波遮蔽透明体。
【請求項３】各フィルムが波長５５０ｎｍでの光線透
過率は６０％以上である請求項１、２記載の電磁波遮蔽
透明体。
【請求項４】波長５５０ｎｍでの光線透過率が５０％
以上である請求項１〜３記載の電磁波遮蔽透明体。
【請求項５】透明導電層がＩｎ₂Ｏ₃或いはＺｎＯを主
成分とする酸化物である請求項１〜４記載の電磁波遮蔽
透明体。
【請求項６】透明導電層が波長５５０ｎｍでの光線透
過率が６０％以上の金属、合金又は透明酸化物である請
求項１〜５記載の電磁波遮蔽透明体。
【請求項７】近赤外線吸収特性を有する請求項１〜６
記載の電磁波遮蔽透明体。
【請求項８】透明高分子補強体の少なくても一方に鉛
筆硬度３Ｈ以上の硬度を有しているハードコート層が設
けられている請求項１〜７記載の電磁波遮蔽透明体。
【請求項９】透明高分子補強体の少なくても一方に反
射防止層が設けられている請求項１〜７記載の電磁波遮
蔽透明体。
【請求項１０】最外層に帯電防止層を有する構成であ
る請求項１〜９記載の電磁波遮蔽透明体。