JP6861907B1 - 周波数選択表面及び電波吸収体 - Google Patents

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Abstract

FSS単位素子(21)は、素子中央部から外側に向けて延びる複数の導体(31〜34)と、素子中央部において複数の導体(31〜34)と接続し、当該複数の導体(31〜34)の数よりも少ない数で配置される回路素子(41)とを備える。

Description

本開示は、周波数選択表面及び電波吸収体に関する。
周波数選択表面(Frequency Selective Surface;以下、「FSS」と称す)は、特定周波数帯の電磁波を選択的に吸収するものである。FSSは、例えば、通信情報の漏洩対策又はシステム間の電磁干渉対策等に利用されている。
FSSは、1つ又は複数のFSS単位素子を有している。FSS単位素子は、1つ又は複数の導体を有している。FSSに電磁波が入射すると、導体には、電流が誘起される。
FSS単位素子においては、電磁波の吸収量を増加させるために、回路素子が導体に組み込まれる場合がある。このような、回路素子が組み込まれたFSS単位素子は、例えば、特許文献1に開示されている。この特許文献1には、回路素子の一例として、抵抗体が開示されている。
特開2009−38785号公報
特許文献1に開示されたFSS単位素子は、導体ごとに抵抗体を有している。このため、特許文献1に開示されたFSS単位素子においては、抵抗体が、導体の数の分だけ必要となる。
本開示は、上記のような課題を解決するためになされたもので、回路素子を、導体の数よりも少ない数で配置することができる周波数選択表面を提供することを目的とする。
本開示に係る周波数選択表面は、素子中央部から外側に向けて互いに直交する2つの方向に同じ長さで延びる複数の導体と、素子中央部において複数の導体と接続し、当該複数の導体の数よりも少ない数で配置される回路素子とを有する周波数選択表面単位素子を、周期配列させた周波数選択表面であって、複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第1配列と、第1配列における周波数選択表面単位素子を反転させた複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第2配列と、第1配列における周波数選択表面単位素子を回転させた複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第3配列と、第2配列における周波数選択表面単位素子を回転させた複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第4配列とを備えるものである。
本開示によれば、回路素子を、導体の数よりも少ない数で配置することができる。
実施の形態1に係るFSS単位素子を備えた電波吸収体の構成を示す正面図である。 実施の形態1に係るFSS単位素子を備えたFSSの構成を示す正面図である。 実施の形態1に係るFSS単位素子の構成を示す正面図である。 実施の形態2に係るFSS単位素子の構成を示す正面図である。 実施の形態2に係るFSS単位素子の他の構成を示す正面図である。 実施の形態3に係るFSS単位素子の構成を示す正面図である。 実施の形態3に係るFSS単位素子の他の構成を示す正面図である。 実施の形態3に係るFSS単位素子の他の構成を示す正面図である。 実施の形態4に係るFSSの構成を示す正面図である。 実施の形態4に係るFSSの他の構成を示す正面図である。 実施の形態5に係るFSSの構成を示す正面図である。 図12Aは実施の形態5に係るFSS単位素子の構成を示す正面図である。図12Bは実施の形態5に係る電波吸収体の構成を示す正面図である。 図13Aは従来のFSS単位素子の構成を示す正面図である。図13Bは従来の電波吸収体の構成を示す正面図である。 周波数と正規化反射量との関係を示した図である。
以下、本開示をより詳細に説明するために、本開示を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態1.
実施の形態1に係るFSS単位素子21について、図1から図3を用いて説明する。図1は、実施の形態1に係るFSS単位素子21を備えた電波吸収体10の構成を示す正面図である。図2は、実施の形態1に係るFSS単位素子21を備えたFSSの構成を示す正面図である。図3は、実施の形態1に係るFSS単位素子21の構成を示す正面図である。
図1に示すように、電波吸収体10は、所謂、電磁波バンドフィルタであって、特定周波数帯の電磁波を選択的に吸収するものである。この電波吸収体10は、基板11及び導体板12を備えている。基板11は、例えば、誘電体基板である。この基板11の前面は、FSSを構成している。導体板12は、基板11の背面側に設けられている。
図2に示すように、FSSは、複数のFSS単位素子21を備えている。これらのFSS単位素子21は、FSSにおいて、2次元的に周期配列されている。
図3に示すように、FSS単位素子21は、例えば、複数の導体31〜34、及び、1つの回路素子41を有している。即ち、FSS単位素子21は、4つの導体31〜34を有しているため、4極型のFSS単位素子である。
導体31〜34は、入射した電磁波の電界100によって電流が誘起される導体である。この導体31〜34は、直線状に形成されており、FSS単位素子21の中央部から外側に向けて延びている。導体31〜34の一端は、FSS単位素子21の中央部に配置されており、導体31〜34の他端は、FSS単位素子21の中央部よりも外側に配置されている。
回路素子41は、FSS単位素子21の中央部に配置されており、導体31〜34の各一端と接続している。導体31〜34の各一端は、回路素子41の4つの側面にそれぞれ接続されている。即ち、回路素子41の数は、導体31〜34の数よりも少ない。このとき、導体31〜34の一端同士は、接続されていても、接続されていなくても、どちらでも良い。
なお、図3においては、電界100を示す矢印は、当該電界100の偏波方向を表している。
回路素子41は、導体31〜34から流れ込んだ電流に応答する。この回路素子41は、例えば、チップ部品等の回路部品又は導体パターンによって、抵抗、又は、周波数特性を有する電気回路等、電気回路的に特定の働きをするものである。
そして、電波吸収体10に電磁波が入射した場合、導体31〜34のうち、その電界100の偏波方向と最も平行に近い導体に、電流が誘起される。この電流が導体31〜34から回路素子41に流れ込むと、当該回路素子41は、以下に説明する、その種類に応じた応答をする。
回路素子41に抵抗素子を適用した場合、回路素子41を流れる電流には、当該回路素子に31によって、損失が生じる。このため、入射した電磁波のエネルギは、吸収される。
従って、FSS単位素子21は、入射する電磁波に対する吸収特性を、1つの抵抗素子のみを使用して得ることができるため、導体ごとに抵抗素子を有する従来の単位素子構造と比べて、単位素子当たりの抵抗素子の数を削減することができる。なお、抵抗素子は、例えば、抵抗器又は抵抗膜である。
回路素子41にキャパシタ素子を適用した場合、回路素子41を流れる電流には、当該回路素子41によって、回路的にキャパシタンスの効果が生じる。このため、FSS単位素子21の等価的なキャパシタンス値が、増加されることにより、FSS単位素子21の周波数特性は、低周波側に移行する。即ち、FSSは、FSS単位素子21の寸法を保ったまま、その動作周波数を低周波化することができるため、当該FSS単位素子21を小型化することができる。
従って、FSSは、入射する電磁波に対する周波数特性の調整、及び、FSS単位素子21の小型化を、1つのキャパシタ素子のみを使用して行うことができるため、導体ごとにキャパシタ素子を有する従来の単位素子構造と比べて、単位素子当たりのキャパシタ素子の数を削減することができる。なお、キャパシタ素子は、コンデンサ、又は、導体31〜34の一端間に形成される隙間によるキャパシタンス回路である。
回路素子41にインダクタ素子を適用した場合、回路素子41を流れる電流には、当該回路素子41によって、回路的にインダクタンスの効果が生じる。このため、FSS単位素子21の等価的なインダクタンス値が、増加されることにより、FSS単位素子21の周波数特性は、低周波側に移行する。即ち、FSSは、FSS単位素子21の寸法を保ったまま、その動作周波数を低周波化することができるため、当該FSS単位素子21を小型化することができる。
従って、FSSは、入射する電磁波に対する周波数特性の調整、及び、FSS単位素子21の小型化を、1つのインダクタ素子のみを使用して行うことができるため、導体ごとにインダクタ素子を有する従来の単位素子構造と比べて、単位素子当たりのインダクタ素子の数を削減することができる。なお、インダクタ素子は、例えば、インダクタ、又は、導体の蛇行等によるインダクタンス回路である。
回路素子41に能動素子を適用した場合、回路素子41に流れる電流に対する導通状態が、例えば、外部バイアス回路によって変更可能となる。このため、FSSは、FSS単位素子21の特性を電気的に変更可能となる。
従って、FSSは、入射する電磁波に対する動的制御機能を、1つの能動素子のみを使用して得ることができるので、導体ごとに能動素子を有する従来の単位素子構造と比べて、単位素子当たりの能動素子の数を削減することができる。なお、能動素子は、例えば、ダイオード等である。
ここで、回路素子41に、抵抗素子、キャパシタ素子、及び、インダクタ素子等の受動素子を適用した場合、その受動素子の素子値は、導体ごとに受動素子を有する従来の単位素子構造における当該受動素子を2つ直列に接続した値と、おおよそ、等しい値となる。
以上、実施の形態1に係るFSS単位素子21は、素子中央部から外側に向けて延びる複数の導体31〜34と、素子中央部において複数の導体31〜34と接続し、当該複数の導体31〜34の数よりも少ない数で配置される回路素子41とを備える。このため、FSS単位素子21は、回路素子41を、導体31〜34の数よりも少ない数で配置することができる。
FSS単位素子21は、回路素子41の数を1つとすることにより、製造コストを削減することができる。
実施の形態2.
実施の形態2に係るFSS単位素子23について、図4及び図5を用いて説明する。図4は、実施の形態2に係るFSS単位素子23の構成を示す正面図である。図5は、実施の形態2に係るFSS単位素子23の他の構成を示す正面図である。
図4に示すように、FSS単位素子23は、例えば、複数の導体31〜34、及び、回路素子51を有している。回路素子51は、回路素子41と同様に、抵抗素子、キャパシタ素子、インダクタ素子、及び、能動素子のうちのいずれか1つが適用されるものである。
FSS単位素子23では、導体31〜34は、導体31,32の組と、導体33,34の組とに分けられている。導体31,32は、一端同士を互いに接続した接続部を回路素子51に接続している。導体33,34は、一端同士を互いに接続した接続部を回路素子51に接続している。
回路素子51は、2つの端子を有している。このうち、回路素子51の一方の端子は、導体31,32の接続部と接続している。また、回路素子51の他方の端子は、導体33,34の接続部と接続している。
上述したように、FSS単位素子23においては、2組それぞれの接続部が、回路素子51に接続することにより、導体31,32の組と、導体33,34の組とが、回路素子51を 中心として、点対称に配置されている。
また、図5に示したFSS単位素子23では、導体31〜34は、導体31,32の組と、導体33,34の組とに分けられるものの、各組は、互いの一端同士が接続する上記接続部を有するのではなく、互いに交差する交差部を有している。
具体的には、導体31の一端は、導体32における一端及び他端以外の途中部分に接続している。このとき、導体32の一端は、回路素子51における一方の端子と接続している。また、導体33の一端は、導体34における一端及び他端以外の途中部分に接続している。このとき、導体34の一端は、回路素子51における他方の端子と接続している。
上述したように、他のFSS単位素子23においては、各組の一端が、回路素子51に接続されることにより、導体31,32の組と、導体33,34の組とが、回路素子51を中心として、点対称に配置されている。
以上、実施の形態2に係るFSS単位素子23は、一端同士が互いに接続された接続部を有する導体31,32及び導体33,34から成る組を設け、各組の接続部を、回路素子51に接続する。また、実施の形態2に係るFSS単位素子23は、互いに交差した導体31,32及び導体33,34から成る組を設け、各組の導体32,34の一端を、回路素子51に接続する。このため、FSS単位素子23は、回路素子51における導体31〜34との接続位置を少なくすることができる。
実施の形態3.
実施の形態3に係るFSS単位素子24について、図6から図8を用いて説明する。図6は、実施の形態3に係るFSS単位素子24の構成を示す正面図である。図7は、実施の形態3に係るFSS単位素子24の他の構成を示す正面図である。図8は、実施の形態3に係るFSS単位素子24の他の構成を示す正面図である。
実施の形態3に係るFSS単位素子24は、実施の形態2に係るFSS単位素子23に対して、回路素子52を加えた構成となっている。この回路素子52は、回路素子41,51と同様に、抵抗素子、キャパシタ素子、インダクタ素子、及び、能動素子のうちのいずれか1つが適用されるものである。また、回路素子52は、2つの端子を有している。
例えば、図6に示したFSS単位素子24は、図4に示したFSS単位素子23に対して、回路素子52を加えた構成となっている。回路素子51,52は、導体31,32の組と、導体33,34の組との間で、直列に接続されている。
回路素子51の一方の端子は、導体31,32の接続部と接続し、回路素子51の他方の端子は、回路素子52の一方の端子と接続している。また、回路素子52の他方の端子は、導体33,34の接続部と接続している。このため、図6に示したFSS単位素子24においては、導体31,32の組と、導体33,34の組とが、回路素子51,52を中心として、点対称に配置されている。
なお、図6示したFSS単位素子24においては、回路素子51,52が、導体31,32の接続部と導体33,34の接続部との間で、並列に接続されても良い。
図7に示したFSS単位素子24は、図5に示したFSS単位素子23に対して、回路素子52を加えた構成となっている。回路素子51,52は、導体31,32の組と、導体33,34の組との間で、直列に接続されている。
回路素子51の一方の端子は、導体32の一端と接続し、回路素子51の他方の端子は、回路素子52の一方の端子と接続している。また、回路素子52の他方の端子は、導体34の一端と接続している。このため、図6に示したFSS単位素子24においては、導体31,32の組と、導体33,34の組とが、回路素子51,52を中心として、点対称に配置されている。
図8に示したFSS単位素子24は、図5に示したFSS単位素子23に対して、回路素子52を加えた構成となっている。回路素子51,52は、導体31,32の組と、導体33,34の組との間で、並列に接続されている。
回路素子51の一方の端子、及び、回路素子52の一方の端子は、導体32の一端と接続している。また、回路素子51の他方の端子、及び、回路素子52の他方の端子は、導体34の一端と接続している。このため、図8に示したFSS単位素子24においては、導体31,32の組と、導体33,34の組とが、回路素子51,52を中心として、点対称に配置されている。
以上、実施の形態3に係るFSS単位素子24は、一端同士が互いに接続された接続部を有する導体31,32及び導体33,34から成る組を設け、各組の接続部を、回路素子51,52に接続する。また、実施の形態3に係るFSS単位素子24は、互いに交差した導体31,32及び導体33,34から成る組を設け、各組の導体32,34の一端を、回路素子51,52に接続する。このため、FSS単位素子23は、回路素子51,52を、複数の導体31〜34の数よりも少ない数で配置することができる。
実施の形態4.
実施の形態4に係るFSSについて、図9及び図10を用いて説明する。図9は、実施の形態4に係るFSSの構成を示す正面図である。図10は、実施の形態4に係るFSSの他の構成を示す正面図である。
ここで、上述した実施の形態2,3に係るFSS単位素子23,24を周期配列したFSSにおいては、当該FSS単位素子23,24の向きが同じ構成となっている。このような構成を採用した場合、FSSにおいては、偏波が入射する際に、この偏波の入射方向と略直交する方向に交差偏波が発生し、この交差偏波が反射及び透過することが問題となっている。
そこで、実施の形態4に係るFSSは、上記問題を解決することを目的として、FSS単位素子23,24の向きを部分的に変えた構成を採用し、交差偏波の発生を抑えるものである。なお、実施の形態4に係るFSSにおいては、実施の形態2,3に係るFSS単位素子23,24のうち、図5に示したFSS単位素子23を適用した場合について説明する。
図9に示したFSSは、FSS単位素子23を周期配列した配列61,62を備えている。配列61におけるFSS単位素子23の向きと、配列62におけるFSS単位素子23の向きとは、互いに異なった向きとなっている。
例えば、配列61は、図5に示した複数のFSS単位素子23を周期配列させたものである。配列62は、配列61の各FSS単位素子23を、FSSの上下方向中心線を中心として、180度反転させたものを、周期配列させたものである。なお、配列62は、配列61の各FSS単位素子23を、FSSの左右方向中心線を中心として、180度反転させたものを、周期配列させたものであっても良い。配列61は、第1配列を構成し、配列62は、第2配列を構成するものである。
従って、電波吸収体10のFSSに電磁波が入射すると、配列61の各FSS単位素子23上、及び、配列62の各FSS単位素子23上において、電流が流れる。これに伴って、交差偏波が反射及び透過して、反射波及び透過波が発生する。
このとき、反射波及び透過波の電界は、主偏波成分と交差偏波成分との2つの直交成分に分解することができる。主偏波成分は、電界の向きが、偏波の入射方向と同じ方向の成分であり、交差偏波成分は、電界の向きが、偏波の入射方向と直交する方向の成分である。
上述したように、配列61におけるFSS単位素子23の向きと、配列62におけるFSS単位素子23の向きとは、反転されている。このため、配列61において発生する反射波及び透過波の主偏波成分と、配列62において発生する反射波及び透過波の主偏波成分とは、同じ位相で、且つ、同じ振幅となっている。また、配列61において発生する反射波及び透過波の交差偏波成分と、配列62において発生する反射波及び透過波の交差偏波成分とは、逆位相で、且つ、同じ振幅となっている。
この結果、各交差偏波成分は、遠方において打ち消し合い、当該交差偏波成分は、「0」となる。即ち、交差偏波の発生は抑制される。
なお、配列61と配列62とは、互いのFSS単位素子23の向きが、左右方向中心線を中心として、反転した構成でも良い。また、配列61,62は、矩形をなしているが、半円形でも良い。更に、配列61が円形をなし、配列62がその円形をなす配列61の外周に同心円状に位置する環状をなして良い。
その他の例として、図10に示したFSSにおいては、配列61,62がそれぞれ複数設けられている。図10の例では、上述したような、反転関係にある配列61,62が、2組ある場合を示している。図10の例においては、配列61,62が、2組設けられているが、3組以上でも構わない。
以上、実施の形態4に係るFSSは、複数のFSS単位素子23を周期配列した配列61と、配列61におけるFSS単位素子23の向きと異なる向きで複数のFSS単位素子23を周期配列した配列62とを備える。このため、FSSは、交差偏波の発生を抑制することができる。
実施の形態5.
実施の形態5について、図11から図14を用いて説明する。図11は、実施の形態5に係るFSSの構成を示す正面図である。
実施の形態5に係るFSSは、入射する偏波に依存することなく、実施の形態4に係るFSSによって得られた交差偏波の抑制と同等の効果を、得るものである。
図11に示したFSSは、FSS単位素子23の向きがそれぞれ同一となる配列61〜64を備えている。配列61〜64は、配置したFSS単位素子23の向きが、互いに異なっている。
例えば、配列61は、図5に示した複数のFSS単位素子23を周期配列させたものである。配列62は、配列61の各FSS単位素子23を左回り又は右回りに90度回転させたものを周期配列させたものである。配列63は、配列61の各FSS単位素子23を、FSSの上下方向中心線を中心として、180度反転させたものを、周期配列させたものである。配列64は、配列63の各FSS単位素子23を左回り又は右回りに90度反転させたものを周期配列させたものである。配列61は、第1配列を構成し、配列62〜63は、第2配列を構成するものである。
従って、FSSは、FSS単位素子23の配列方向が互いに異なる配列61〜64を備えることにより、偏波の入射方向がどのような方向であっても、交差偏波の発生を抑制することができ、且つ、反射特性又は透過特性を偏波の入射方向に依存しない特性とすることができる。
次に、実施の形態5に係るFSSを備える電波吸収体10と、従来のFSSを備える電波吸収体90とについて、図12から図14を用いて説明する。
図12Aは、実施の形態5に係るFSS単位素子23の構成を示す正面図である。図12Bは、実施の形態5に係る電波吸収体10の構成を示す正面図である。図13Aは、従来のFSS単位素子91の構成を示す正面図である。図13Bは、従来の電波吸収体90の構成を示す正面図である。
図12Aに示したFSS単位素子23は、図4に示したFSS単位素子23の構成と同等の構成を有している。即ち、このFSS単位素子23は、導体31,32の組と、導体33,34の組とが、1つの回路素子51を中心として、点対称に配置されている。その回路素子51は、抵抗素子が適用されている。
図12Bに示すように、FSSを形成する配列61〜64は、複数のFSS単位素子23を周期配列するものである。その周期配列については、図11に示したものと同じであるため、その説明は省略する。また、図12Bに示した電波吸収体10は、上記FSSが前面に形成される基板11と、この基板11の前面の反対側に配置される導体板12とを備えている。
図12A及び図12Bの例では、FSS単位素子23は、FSSにおいて、一辺が15mmの正方形内に配置されている。この正方形は、1セルを形成する。導体31〜34の幅は、0.5mmである。回路素子51の長さは、0.28mmである。回路素子51の素子値は、320Ωである。導体31,32の組と導体33,34の組との間における回路素子51を含んだ長さ、即ち、導体31,33の他端間の長さ、及び、導体32,34の他端間の長さは、12mmである。なお、導体31〜34の各他端には、当該導体31〜34の長さ方向と直交する導体片がそれぞれ形成されており、この導体片の長さは、4mmである。
電波吸収体10のFSSは、一辺が300mmの正方形である。即ち、このFSSは、20セルによって構成されている。基板11の厚さは、1.6mmである。基板11の比誘電率は、4.4である。導体板12は、基板11の背面から6mmを隔てて配置されている。また、電波吸収体10の上下方向は、x軸方向となっており、下方に向かう方向がプラス方向である。電波吸収体10の左右方向は、y軸方向となっており、右側に向かう方向がプラス方向である。電波吸収体10の前後方向は、z軸方向となっており、前方に向かう方向がプラス方向である。
図13Aに示した従来のFSS単位素子91においては、導体31〜34の一端同士が直接的に接続している。抵抗素子となる4つの回路素子51は、導体31〜34の途中部分、言い換えれば、導体31〜34の一端及び他端以外の部分にそれぞれ設けられている。図13Bに示した従来の電波吸収体90においては、複数のFSS単位素子91がFSSに周期配列されている。即ち、従来のFFSは、配列61〜64を備えていない。
なお、図13A及び図13Bの例における各箇所の寸法及び座標系等については、図12A及び図12Bの例における各箇所の寸法及び座標系等と同じであるため、説明を省略する。但し、従来のFSS単位素子91に適用された回路素子51の素子値は、100Ωである。
図14は、周波数(GHz)と正規化反射量(dB)との関係を示した図である。具体的には、図14は、実施の形態5に係る電波吸収体10及び従来の電波吸収体90に対して、x軸方向偏波が+z軸方向から入射した場合における、+z軸方向での正規化反射量を示した図である。但し、正規化反射量は、FSSの面積と同面積の導体板12による反射波の主偏波成分、即ち、反射波のx軸方向偏波成分の反射電力を基準とした場合における、電波吸収体10,90による反射波の主偏波成分、即ち、反射波のx軸方向偏波成分、及び、反射波の交差偏波成分、即ち、反射波のy軸方向偏波成分の反射電力で定義する。なお、図14に示した4種類の線種は、従来の電波吸収体90による反射波のx軸方向偏波成分及び反射波のy軸方向偏波成分、及び、実施の形態5に係る電波吸収体10による反射波のx軸方向偏波成分及び反射波のy軸方向偏波成分を示している。
図14に示すように、実施の形態5に係る電波吸収体10は、従来の電波吸収体90よりも、回路素子51の数を4分の1に削減しながらも、当該従来の電波吸収体90によって得られる反射波のX軸方向偏波成分の電波吸収性能(約10dB)と同等のものを得ている。また、実施の形態5に係る電波吸収体10においては、反射波のy軸方向偏波成分の値が反射波のx軸方向偏波成分の値よりも非常に小さい値であることから、当該電波吸収体10が反射波のy軸方向偏波成分の低減に有効であることが確認できる。また、電波吸収体10は、導体31,32の組と、導体33,34の組とが、回路素子51を中心として、左回り又は右回りに90度回転しても、それらの形状が同一となる、点対称な構成であるため、入射する偏波に対する依存性がないことも明らかである。
以上、実施の形態5に係るFSSは、複数のFSS単位素子23を周期配列した配列61と、配列61におけるFSS単位素子23の向きと異なる向きで複数のFSS単位素子23を周期配列した配列62〜64とを備える。このため、FSSは、交差偏波の発生を抑制することができる。
また、実施の形態5に係る電波吸収体10は、実施の形態4,5に係るFSSと、FSSが形成される基板11と、基板11におけるFSSが形成された面の反対側に配置される導体板12とを備える。このため、電波吸収体10は、交差偏波の発生を抑制することができる。
なお、本開示は、その開示の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは、各実施の形態における任意の構成要素の変形、もしくは、各実施の形態における任意の構成要素の省略が可能である。
本開示に係る周波数選択表面は、素子中央部において、複数の導体の数よりも少ない数で配置される回路素子を備えることにより、回路素子を、導体の数よりも少ない数で配置することができるので、周波数選択表面等に用いるのに適している。
10,90 電波吸収体、11 基板、12 導体板、21,23,24,91 FSS単位素子、31〜34 導体、41,51,52 回路素子、61〜64 配列、100 電界。

Claims (9)

  1. 素子中央部から外側に向けて互いに直交する2つの方向に同じ長さで延びる複数の導体と、前記素子中央部において前記複数の導体と接続し、当該複数の導体の数よりも少ない数で配置される回路素子とを有する周波数選択表面単位素子を、周期配列させた周波数選択表面であって、
    複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第1配列と、
    前記第1配列における周波数選択表面単位素子を反転させた複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第2配列と、
    前記第1配列における周波数選択表面単位素子を回転させた複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第3配列と、
    前記第2配列における周波数選択表面単位素子を回転させた複数の周波数選択表面単位素子を周期配列させた第4配列とを備える
    ことを特徴とする周波数選択表面
  2. 一端同士が互いに接続された接続部を有する複数の導体から成る組を、複数設け、
    各組の接続部を、前記回路素子に接続する
    ことを特徴とする請求項1記載の周波数選択表面
  3. 互いに交差した複数の導体から成る組を、複数設け、
    各組における複数の導体のうちのいずれか1つの導体の一端を、前記回路素子に接続する
    ことを特徴とする請求項1記載の周波数選択表面
  4. 前記回路素子は、抵抗素子である
    ことを特徴とする請求項1記載の周波数選択表面
  5. 前記回路素子は、キャパシタ素子である
    ことを特徴とする請求項1記載の周波数選択表面
  6. 前記回路素子は、インダクタ素子である
    ことを特徴とする請求項1記載の周波数選択表面
  7. 前記回路素子は、能動素子である
    ことを特徴とする請求項1記載の周波数選択表面
  8. 前記回路素子は、受動素子である
    ことを特徴とする請求項1記載の周波数選択表面
  9. 請求項1から請求項8のうちのいずれか1項記載の周波数選択表面と、
    前記周波数選択表面が形成される基板と、
    前記基板における前記周波数選択表面が形成された面の反対側に配置される導体板とを備える
    ことを特徴とする電波吸収体。
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