JPH11176023A

JPH11176023A - 光デイスクならびに光デイスク装置

Info

Publication number: JPH11176023A
Application number: JP9346069A
Authority: JP
Inventors: Osamu Ishizaki; 修石崎; Tatsuo Araki; 立夫荒木; Takeshi Ma; 毅磨; Hideo Daimon; 英夫大門
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1997-12-16
Filing date: 1997-12-16
Publication date: 1999-07-02
Anticipated expiration: 2017-12-16
Also published as: JP3971832B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光ヘツドの浮上変動を抑制し、傷が付いたり
するのを防止できる光デイスクを提供する。【解決手段】円板状の基板１の光ヘツド対向側面に形
成されたトラツク位置決め用グル―ブ２と、このグル―
ブ２の形状が保たれるように上記基板１の光ヘツド対向
側面に順次形成された少なくとも反射層３または反射層
３と記録層５を備えた光デイスクにおいて、上記グル―
ブ２を蛇行して形成するとともに、このグル―ブ２にア
ドレス情報を埋め込んで、光デイスクＭを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばコンピユ
―タにおけるデ―タなどの記録再生用の媒体として使用
される光デイスクならびに光デイスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、マルチメデイア化に対応して大量
のデ―タを、高密度で記録し、迅速に再生できる光デイ
スク装置が注目されている。この光デイスク装置には、
コンパクトデイスク（ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ）やレ―ザ―
デイスク（ＬＤ）のように、光デイスク作製時に情報を
円板状の基板における光ヘツド対向側面にスタンピング
し、その情報の再生だけが可能な再生専用形光デイスク
を用いたもの、追記形コンパクトデイスク（ＣＤ−Ｒ）
のように、一度だけ記録が可能な光デイスクを使用した
もの、光磁気記録方式や相変化記録方式を用いて何度で
も書き換え消去可能な書き換え形光デイスクを使用した
ものがある。

【０００３】一般に、この種の光デイスクでは、図１０
に示すように、円板状の基板１０１の光ヘツド対向側面
に、円周方向に沿つたトラツク位置決め用グル―ブ１０
２が形成されているとともに、このグル―ブの形状が保
たれる状態で、少なくとも反射層または反射層と記録層
が形成されており、また、上記グル―ブ１０２間のラン
ド部１１０にアドレス情報などのピツト１０３が形成さ
れている。光デイスク装置では、レ―ザ―光をヘツドの
レンズで回折限界まで絞り込んで光デイスクに照射する
ことにより、デ―タなどの記録再生を行つている。

【０００４】このような光デイスク装置において、レ―
ザ―光のスポツト径は、レ―ザ―光の波長をλ、レンズ
の開口数をＮＡとすると、λ／ＮＡとなる。デ―タなど
の高密度の記録再生には、レ―ザ―光のスポツト径を小
さくする必要がある。レ―ザ―光のスポツト径を小さく
するには、レ―ザ―光の波長λを小さくするか、あるい
は上記レンズの開口数ＮＡを大きくするかである。

【０００５】現在用いられている光デイスク用の半導体
レ―ザ―光の波長λは、主に７８０〜６８０ｎｍで、こ
れより短波長の６５０ｎｍの橙色レ―ザ―光を出射でき
る半導体レ―ザは、やつと試作され始めた段階である。
橙色レ―ザ―光よりもさらに短波長の緑色や青色のレ―
ザ―光を出射できる半導体レ―ザは、いまだ開発途上で
ある。よつて、レ―ザ―光の波長λを小さくすることに
より、レ―ザ―光のスポツト径を小さくするのは、現状
では難しい。

【０００６】また、図１１に示すように、光デイスクＭ
にレ―ザ―光Ｌを絞り込むレンズ２０１の開口数ＮＡ
は、このレンズ２０１の絞り半角をθとすると、ＮＡ＝
Ｓｉｎθで表され、１より小さい値となる。現在使用さ
れるレンズ開口数ＮＡは０．５程度であるが、理論上
０．９程度までにすることができる。しかし、開口数Ｎ
Ａを大きくしすぎると、レンズ系の焦点深度が浅くな
り、記録面上で焦点を維持するための制御系が複雑にな
る。このため、通常の光デイスク装置では、開口数ＮＡ
が最大０．６程度のレンズ２０１を用いるのが限界とな
る。

【０００７】そこで、レ―ザ―光Ｌのスポツト径を小さ
くするため、図１２や図１３に示すイマ―ジヨンレンズ
２０２（２０２Ａ，２０２Ｂ）に用い、開口数ＮＡを上
げる方法が提案されている（「日経エレクトロニクス」
第６９１号）。図１２に示す半球状のイマ―ジヨンレン
ズ２０２Ａでは、レ―ザ―光Ｌを上記レンズ２０２Ａの
表面に対し、垂直に入射させた場合、等価なレンズ開口
数ＮＡは、上記レンズ２０２Ａの屈折率をｎとすると、
ｎ×ＮＡとなる。また、図１３に示す超半球状のイマ―
ジヨンレンズ２０２Ｂでは、レ―ザ―光Ｌを上記レンズ
２０２Ｂの底面で焦点を結ぶようにすると、等価なレン
ズ開口数ＮＡは、ｎ²×ＮＡとなる。ガラス製のレンズ
では、屈折率が１．８程度のため、レ―ザ―光Ｌのスポ
ツト径は、半球状のイマ―ジヨンレンズ２０２Ａで１／
１．８にまで、超半球状のイマ―ジヨンレンズ２０２Ｂ
で１／３．２にまで、小さくできる。

【０００８】このようなイマ―ジヨンレンズを使用する
方法においては、記録再生は、イマ―ジヨンレンズから
しみ出る近接場（ｎｅａｒｆｉｅｌｄ）光を用いるた
め、上記レンズと記録層との間隔は、レ―ザ―光Ｌの波
長λの１／８±１／１６程度に小さくする必要がある。
この値は、波長λが６８０ｎｍの赤色レ―ザ―光を用い
た場合で、１７０ｎｍ程度で、一般の光デイスク装置の
光ヘツドと光デイスクとの間隔が数mmであるのに比べ
て、著しく小さい。

【０００９】このため、イマ―ジヨンレンズと近接場光
を利用する場合、空力学的に保持される浮上形のスライ
ダに対物レンズに対向してイマ―ジヨンレンズを搭載さ
せ、光磁気記録再生方式では、記録のための磁界発生用
コイルを組み込んだ光ヘツドを用いることが案出されて
いる。この場合、通常の光デイスク装置のように透明媒
体を通して記録再生を行うことができない関係上、光デ
イスク、たとえば光磁気デイスクでは、円板状の基板の
光ヘツド対向側面に、反射層、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層および保護層を順次積層した構造となる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように、イマ―ジ
ヨンレンズと近接場光を用いる方式では、回折限界まで
絞り込んだレ―ザ―光のしみ出しを利用するため、光ヘ
ツドのスライダと光デイスクとの間隔を１００ｎｍ程度
にまで小さくし、かつ光ヘツドを安定的に浮上させる必
要がある。しかし、従来の光デイスクでは、図１０に示
すとおり、基板１０１における光ヘツド対向側面にトラ
ツク位置決め用グル―ブ１０２に沿つて、多数のピツト
１０３を形成してアドレス情報を読み出せるようにして
いるため、上記ピツト１０３による空気圧の変化で光ヘ
ツドの浮上が不安定になり、著しい場合、光ヘツドのス
ライダが光デイスクに衝突し、光デイスクがクラツシユ
したり、微小な傷が付いたりするといつた問題が起きて
いる。

【００１１】本発明は、このような事情に照らし、光ヘ
ツドの浮上変動を抑制し、傷が付いたりするのを防止で
きる光デイスクを提供することを目的としている。ま
た、本発明は、上記光デイスクを備えて、大量のデ―タ
の高密度記録などが適正に行える光デイスク装置を提供
することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、鋭意検討した結果、円板状の基板
に形成されるピツトにより、光ヘツドの浮上が乱されて
浮上位置が下がつてしまうことから、アドレス情報のピ
ツトに代わつて、トラツク位置決め用グル―ブをアドレ
ス情報に合わせて蛇行させるようにすると、光ヘツドの
浮上を安定化させうることを知り、本発明を完成するに
至つた。

【００１３】すなわち、本発明は、円板状の基板におけ
る光ヘツド対向側面にトラツク位置決め用グル―ブが形
成されているとともに、このグル―ブの形状が保たれる
状態で少なくとも反射層または反射層と記録層が形成さ
れてなる光デイスクにおいて、上記のグル―ブが蛇行し
て形成されているとともに、このグル―ブにアドレス情
報が埋め込まれていることを特徴とする光デイスク（請
求項１）と、上記円板状の基板におけるトラツク位置決
め用グル―ブ間のランド部がピツトの存在しない記録再
生用のスペ―スとして構成されている上記光デイスク
（請求項２）と、さらに、ヘツド浮上機能を有するスラ
イダにレ―ザ―光透過部形成体を設けてなる光ヘツドを
備え、この光ヘツドを介して記録または再生動作を行わ
せる光デイスクとして、上記構成の光デイスクが装備さ
れていることを特徴とする光デイスク装置（請求項３）
とに係るものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面にしたがつて説明する。図１は本発明の光デイスクの
一例を示す断面図であり、図２は同光デイスクの表示構
造を示す斜視図である。この例では、光デイスクＭとし
て、磁性層からなる記録層を有する光磁気デイスクを示
している。

【００１５】図１および図２において、１は円板状の基
板であり、たとえばポリカ―ボネ―ト樹脂などの合成樹
脂で成形されている。この基板１における光ヘツド対向
側面（一方の面）には、後述する光ヘツドの相対運動を
案内するトラツク位置決め用グル―ブ２が、たとえば渦
巻状に形成されている。上記基板１の一方の面には、上
記グル―ブ２の形状を保つ状態で、アルミニウム・チタ
ン合金などからなる反射層３、窒化シリコンなどからな
る第１の誘電体層４、テルビニウム・鉄・コバルト合金
などからなる記録層５、窒化シリコンなどからなる第２
の誘電体層６およびカ―ボンなどからなる保護層７が順
次、積層状に形成されている。

【００１６】トラツク位置決め用グル―ブ２は、図２に
示すように、蛇行するように形成されており、この蛇行
によつてアドレス情報が埋め込まれている。つまり、上
記グル―ブ２は、アドレス情報に対応して変調されるよ
うに蛇行している。上記基板１における上記グル―ブ２
間のランド部１０は、プリピツトの全く存在しない記録
または再生用のスペ―スとして構成されている。

【００１７】このように、上記グル―ブ２を蛇行させて
アドレス情報を埋め込ませたから、グル―ブ２間のラン
ド部１０に、アドレス情報用のピツトが不要となり、こ
のランド部１０が凹凸のない平坦状となる。このため、
後述する光ヘツドを光デイスクＭに対して微小間隔で相
対運動させる際に、両者間に空力学的な乱れは生じな
い。したがつて、光ヘツドの浮上状態が安定し、光デイ
スクを傷付けたり、エラ―レ―トが増大するおそれが解
消される。

【００１８】また、ランド部１０にアドレス情報以外の
ために、わずかなピツトが存在しても、従来に比べて光
ヘツドの浮上状態を安定的にさせることが可能である。
しかも、上記グル―ブ２内でデ―タなどの記録再生を行
うものでは、光ヘツドとの間隔が大きくなつてレ―ザ―
光の利用効率が低下するが、この例のようにランド部１
０で記録再生を行う構成では、光の利用効率が高められ
る。

【００１９】図４は、上記の光デイスクＭを装備させて
なる本発明の光デイスク装置の一例を示したものであ
る。この光デイスク装置Ｎは、ベ―ス１１とこのベ―ス
１１に嵌着されるカバ―（図示せず）とからなるケ―ス
１２内に、スピンドルモ―タ１３が配置されており、こ
のモ―タ１３の回転中心に対しほぼ同軸となるように、
１枚ないし複数枚の光デイスクＭが装着できるようにな
つている。

【００２０】１４は上記ケ―ス１２内に配置された光ヘ
ツド変位用のロ―タリ―アクチユエ―タであり、たとえ
ばボイスコイルモ―タからなる。このアクチユエ―タ１
４は、支持ばね１５を介して光ヘツドＨを光デイスクＭ
に対して半径方向に位置決めするようになつている。上
記スピンドルモ―タ１３およびロ―タリ―アクチユエ―
タ１４の各動作ならびに光ヘツドＨの記録・再生動作
は、上記ケ―ス１２内に設けられたコントロ―ラ（図示
せず）によつて制御される。上記光ヘツドＨは、上記支
持ばね１５の先端側に取り付けられている。

【００２１】図５は上記光ヘツドＨの具体的構成を示し
ている。図５において、２１はスライダであり、酸化ア
ルミニウム・炭化チタン複合セラミツクウエハにより、
図６のように成形されており、このスライダ２１の底面
には、図７に示すように、摺動面パタ―ン２２が機械加
工やエツチング加工で形成されている。パタ―ン２２の
形成後、スライダ２１の余分な部分が切断される一方、
上記摺動面パタ―ン２２の凸状摺動面２２ａはダイヤモ
ンドライクカ―ボンなどからなる保護膜を１０ｎｍ程度
に成膜してある。

【００２２】スライダ２１の所定箇所に機械加工やエツ
チング加工で形成された取付用凹所２３には、半球状の
イマ―ジヨンレンズまたはこの例のように超半球状のイ
マ―ジヨンレンズ２４と、記録磁界発生用のコイル２５
などが設置されており、レ―ザ―光透過部形成体２６を
構成している。なお、この例では、スライダ２１の長さ
Ｔは２．８mm、幅ＷＨは２mm程度である。上記摺動面パ
タ―ン２２は、光ヘツドＨの浮上特性が安定するように
空気流を制御するために設けられ、光ヘツドＨの大きさ
や浮上量に合わせてパタ―ン２２が選択設定される。

【００２３】図５において、２７はイマ―ジヨンレンズ
２４の上方に配設された対物レンズであり、ロ―タリ―
アクチユエ―タ１４に組み込まれ、かつ支持ばね１５の
基端側に一体化されたア―ム１６側に取り付けられてい
る。対物レンズ２７には、イマ―ジヨンレンズ２４上に
焦点を結ぶように、上記レンズ２４との間隔を一定に保
たせる電磁石機構（図示せず）が設けられている。２８
は、対物レンズ２７の上方に配設されて、可動光学系の
一部を構成する第１のミラ―である。

【００２４】レ―ザ―光をイマ―ジヨンレンズ２４上で
焦点を結ばせるためのフオ―カシングサ―ボは、通常の
光デイスク装置においてレ―ザ―光を光デイスク上に焦
点を合わせ続けるために用いるフオ―カシングサ―ボと
同じ方法を用いて、イマ―ジヨンレンズ２４からの戻り
光に対して、非点収差法、ナイフエツジ法などでフオ―
カスエラ―信号を作り出し、この信号を元にフオ―カシ
ングサ―ボをかけるようにすればよい。トラツクサ―ボ
についても、通常の光デイスクと同様にプツシユプル法
や３スポツト法を使用することができる。

【００２５】図８は上記光デイスク装置Ｎの光学系の構
成を示している。この光学系は、固定光学系Ｐ１と可動
光学系Ｐ２とからなつている。

【００２６】固定光学系Ｐ１には、光源としての半導体
レ―ザ３１、第１および第２の光磁気信号検出器３２，
３３、トラツキング信号検出器３４、フオ―カス信号検
出器３５などを備えている。半導体レ―ザ３１から可動
光学系Ｐ２側に向かう光路上には、コリメ―タ―レンズ
３６、一対のプリズム３７，３８、回折格子３９、スリ
ツト４０、第１のビ―ムスプリツタ４１などが配設され
ている。

【００２７】また、上記第１のビ―ムスプリツタ４１と
トラツキング信号検出器３４との間には、第２および第
３のビ―ムスプリツタ４２，４３が配設され、第３のビ
―ムスプリツタ４３とフオ―カス信号検出器３５との間
にコリメ―タ―レンズ４４が配設されている。上記第２
のビ―ムスプリツタ４２と光磁気信号検出器３２，３３
との間には、波長板４５，コリメ―タ―レンズ４６およ
び第４のビ―ムスプリツタ４７が配設されている。

【００２８】可動光学系Ｐ２は、イマ―ジヨンレンズ２
４、対物レンズ２７、第１のミラ―２８および第２のミ
ラ―４８などからなり、第２のミラ―４８は、上記第１
のビ―ムスプリツタ４１と第１のミラ―２８との間に位
置して、ロ―タリ―アクチユエ―タ１４の回転中心上に
配設されている。

【００２９】このような構成において、第１のコリメ―
タ―レンズ３６を経てビ―ム成形されたレ―ザ―光Ｌ
は、回折格子３９およびスリツト４０を通して、メイン
のレ―ザ―光と、サブのレ―ザ―光とに分けられる。メ
インのレ―ザ―光は、光デイスクＭの基板１におけるラ
ンド部１０に照射されて記録に使用されたり、あるいは
その戻り光は、再生、フオ―カシングおよびトラツキン
グに使用される。サブのレ―ザ―光は、光デイスクＭの
グル―ブ２に照射され、グル―ブ２の蛇行状態を検出し
た戻り光は、アドレス情報の読み出しに使用される。

【００３０】なお、上記の光学系は、光磁気記録方式の
場合の適用例であるが、相変化方式や追記方式を用いる
場合は、光磁気信号検出器３２，３３も１個で対応で
き、また光路前方のビ―ムスプリツタ４７も不要とな
る。

【００３１】図９はアドレス信号生成系のブロツク図を
示している。アドレス信号の生成は、グル―ブ２に対し
てサブのレ―ザ―光が照射された際の戻り光をトラツキ
ング信号検出器３４で検出して電気信号に変換したのち
に、増幅し、グル―ブ２の蛇行状態に対応する信号のみ
をバンドパスフイルタ５１を介して取り出し、エンコ―
ド部５２で２値化する。この２値化信号を基準のクロツ
ク信号と位相比較器５３で比較し、アドレス信号を得る
ようになつている。上記基準のクロツク信号は、位相比
較した電圧をロ―パスフイルタ５４を介して電圧制御形
発振器５５に入力することにより、作成される。

【００３２】

【実施例】以下に、本発明の実施例を記載して、さらに
具体的に説明する。

【００３３】実施例１ポリカ―ボネ―ト樹脂を射出圧縮成形機により成形し、
直径９５mm、内径２５mm、厚さ１．２mmの円板状の基板
１を作製したのち、この基板１の一方の面に、トラツク
位置決め用グル―ブ２を、アドレス情報が変調されるよ
うに、蛇行状に形成した。この形成は、通常の光デイス
クと同様の方法を採用した。すなわち、まず、ガラス基
板上にレジストを塗布し、短波長レ―ザ―光を用いてカ
ツテイングし、現像後、ニツケルを蒸着、めつきしたの
ち、ニツケルのみを剥離して、スタンパを作製した。つ
ぎに、このスタンパを基板成形用金型内に装着し、この
金型内で基板１を成形すると同時にスタンパのカツテイ
ングパタ―ンを基板１の一方の面に転写して、図２に示
すグル―ブ２を形成した。

【００３４】このように作製した円板状の基板１におい
て、上記グル―ブ２の設定間隔（トラツクピツチ）Ｐは
０．５μｍ、グル―ブ２の深さＤは約０．１μｍ、幅ｗ
は約０．２μｍであつた。また、グル―ブ２は渦巻き状
とし、図３に示すように、蛇行の幅ＷＡは約０．１μ
ｍ、１周で約５０００個の波（うねり）が入るように設
定した（波の間隔Ｑは約０．４ｍｍ）。アドレスの２値
化信号により、波長を長くしたり、短くすることによ
り、ＦＭ変調した。

【００３５】つぎに、この円板状の基板１の一方の面
に、インライン式ＤＣマグネトロンパツタ装置を用い
て、反射層３として、アルミニウム・チタン合金層を５
０ｎｍ、第１の誘電体層４として、窒化シリコン層を３
０ｎｍ、記録層５として、テルビニウム・鉄・コバルト
合金層を２５ｎｍ、第２の誘電体層６として、窒化シリ
コン層を８０ｎｍの各膜厚で順次、成膜した。また、同
マグネトロンスパツタ装置により、自己潤滑性を有する
保護層７として、ダイヤモンドライクカ―ボン層を２０
ｎｍの膜厚で成膜して、光デイスクＭを作製した。ここ
で、上記の各層３〜７は、前記グル―ブ２の形状が保た
れるように成膜した。

【００３６】なお、上記スパツタリングにおいて、反射
層３は、チタン含有量が２原子％のアルミニウム・チタ
ン合金タ―ゲツトを用い、スパツタガスとして、Ａｒガ
スを流量８０ｓｃｃｍ（真空度１．２Ｐａ）で流し、投
入パワ―２Ｋｗで成膜した。第１および第２の誘電体層
４，６は、シリコンタ―ゲツトを用い、Ａｒ−Ｎ₂混合
ガス（混合比１：１）を８０ｓｃｃｍ（真空度１．２Ｐ
ａ）で流し、投入パワ―２Ｋｗで成膜した。記録層５
は、Ｔｂ₂₃Ｆｅ₆₇Ｃｏ₁₀（原子％）合金タ―ゲツトを用
い、Ａｒガスを流量１００ｓｃｃｍ（真空度１．５Ｐ
ａ）で流し、投入パワ―５００ｗで成膜した。保護層７
は、アモルフアスカ―ボンタ―ゲツトを用い、Ａｒ−メ
タン混合ガス（混合比１：１）をガス流量３００ｓｃｃ
ｍ（真空度５Ｐａ）で流し、投入パワ―２Ｋｗで成膜し
た。このとき、基板１側に２００ｗのＲＦ電力を供給し
て、この基板１側にも負のバイアス電圧が印加されるよ
うにし、バイアススパツタとなるように設定した。

【００３７】比較例１図１０に示すように、アドレス情報を基板１０１の一方
の面におけるピツト１０３で構成し、基板１０１の一方
の面に、実施例１と同様に反射層、第１の誘電体層、記
録層、第２の誘電体層および保護層を設けた光デイスク
Ｍを作製した。同図において、基板１におけるグル―ブ
１０２は、グル―ブ間の設定間隔が０．５μｍ、グル―
ブ１０２の深さＤが約０．１μｍ、幅ｗが約０．２μｍ
とした。また、ピツト１０３の深さｄは約０．１μｍと
した。

【００３８】上記の実施例１および比較例１の光デイス
クＭを用いて、図４に示す光デイスク装置Ｎを組み立て
た。この装置Ｎを用いて、図５〜７に示すような光ヘツ
ドＨを浮上させ、一つのトラツクに停止させて、連続的
に記録再生を行い、その耐久性を調べた。結果は、実施
例１では光ヘツドＨが１００万回摺動した状態でも、光
デイスクＭに傷が付いたり、エラ―レ―トの変化はなか
つた。これに対して、比較例１では光ヘツドＨが２万回
摺動しただけで光デイスクに傷が発生し、エラ―レ―ト
も劣化した。また、実施例１では初期状態から一周の間
で再生出力の変動が５％程度にすぎなかつた。これに対
して、比較例１では上記再生出力の変動が２０％にもな
ることがあつた。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、本発明は、円板状の基板
の光ヘツド対向側面におけるトラツク位置決め用グル―
ブを蛇行させてアドレス情報を埋め込んだことにより、
空力学的に保持されながら浮上する光ヘツドの浮上状態
の安定化を図れ、光デイスクに傷が付いたりする問題を
解消でき、耐久性にすぐれる光デイスクを提供できる。
また、ヘツド浮上機能を有するスライダにレ―ザ―光透
過部成体を設けてなる光ヘツドを備えた光デイスク装置
に上記構成の光デイスクを装備させることにより、上記
光ヘツドの浮上量の変動が少なく、大量のデ―タなどの
高密度の記録などに適正に対応可能な光デイスク装置を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光デイスクの一例を示す断面図であ
る。

【図２】同光デイスクの表面構造を示す斜視図である。

【図３】トラツク位置決め用グル―ブの一部を拡大して
示す平面図である。

【図４】同光デイスクを装備させた光デイスク装置を示
す断面図である。

【図５】同光デイスク装置に搭載される光ヘツドを示す
断面図である。

【図６】同光ヘツドにおけるスライダを示す側面図であ
る。

【図７】同スライダを示す底面図である。

【図８】光デイスク装置における光学系を示す構成図で
ある。

【図９】アドレス信号生成系のブロツク図である。

【図１０】従来の光デイスクの表面構造を示す斜視図で
ある。

【図１１】従来の光デイスク装置に使用されるレンズに
おけるレ―ザ―光のスポツト径の説明図である。

【図１２】半球状のイマ―ジヨンレンズを使用した場合
のレ―ザ―光のスポツト径の説明図である。

【図１３】超半球状のイマ―ジヨンレンズを使用した場
合のレ―ザ―光のスポツト径の説明図である。

【符合の説明】

１円板状の基板２トラツク位置決め用グル―ブ３反射層５記録層１０ランド部２１スライダ２６レ―ザ―光透過部形成体Ｍ光デイスクＨ光ヘツド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大門英夫大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マクセル株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円板状の基板における光ヘツド対向側面
にトラツク位置決め用グル―ブが形成されているととも
に、このグル―ブの形状が保たれる状態で少なくとも反
射層または反射層と記録層が形成されてなる光デイスク
において、上記のグル―ブが蛇行して形成されていると
ともに、このグル―ブにアドレス情報が埋め込まれてい
ることを特徴とする光デイスク。
【請求項２】円板状の基板におけるトラツク位置決め
用グル―ブ間のランド部がピツトの存在しない記録再生
用のスペ―スとして構成されている請求項１に記載の光
デイスク。
【請求項３】ヘツド浮上機能を有するスライダにレ―
ザ―光透過部形成体を設けてなる光ヘツドを備え、この
光ヘツドを介して記録または再生動作を行わせる光デイ
スクとして、請求項１または２に記載の光デイスクが装
備されていることを特徴とする光デイスク装置。