JPH1117408A - 表面実装型アイソレータ - Google Patents
表面実装型アイソレータInfo
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- JPH1117408A JPH1117408A JP9170332A JP17033297A JPH1117408A JP H1117408 A JPH1117408 A JP H1117408A JP 9170332 A JP9170332 A JP 9170332A JP 17033297 A JP17033297 A JP 17033297A JP H1117408 A JPH1117408 A JP H1117408A
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- JP
- Japan
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- isolator
- ferrite
- magnetic field
- surface mount
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のＭＩＣ型アイソレータを気密構造のパッ
ケージ内に組み込む場合、マグネットの大きさやマグネ
ットを固定するための接着剤が問題となるために、半導
体と同一のパッケージ内に実装することが困難であっ
た。 【解決手段】マグネットを必要としない六方晶型フェラ
イト１を円柱状に焼成し、セラミック基板５に埋め込
む。セラミック基板５の一方の面に全面接地導体層７
を、もう一方の面は、アイソレータの分岐線路２，３、
接合面４および５０Ω終端抵抗６をパターンで形成す
る。
ケージ内に組み込む場合、マグネットの大きさやマグネ
ットを固定するための接着剤が問題となるために、半導
体と同一のパッケージ内に実装することが困難であっ
た。 【解決手段】マグネットを必要としない六方晶型フェラ
イト１を円柱状に焼成し、セラミック基板５に埋め込
む。セラミック基板５の一方の面に全面接地導体層７
を、もう一方の面は、アイソレータの分岐線路２，３、
接合面４および５０Ω終端抵抗６をパターンで形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波・ミリ
波帯で使用されるアイソレータに関し、特に、表面実装
型アイソレータに関する。
波帯で使用されるアイソレータに関し、特に、表面実装
型アイソレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりマイクロ波帯のアイソレータと
しては、ＭＩＣ（マイクロ波集積回路）技術を用いたＭ
ＩＣアイソレータが広く知られている。
しては、ＭＩＣ（マイクロ波集積回路）技術を用いたＭ
ＩＣアイソレータが広く知られている。
【０００３】例えば、実開昭６０−２５２０７号公報に
は、ＭＩＣアイソレータの構造を示す図が示されてい
る。
は、ＭＩＣアイソレータの構造を示す図が示されてい
る。
【０００４】すなわち、図５は、上記公報に示されたＭ
ＩＣアイソレータを表わした図である。図５の（ａ），
（ｂ），（ｃ）は、それぞれＭＩＣアイソレータの正面
図、側面図、裏面図である。
ＩＣアイソレータを表わした図である。図５の（ａ），
（ｂ），（ｃ）は、それぞれＭＩＣアイソレータの正面
図、側面図、裏面図である。
【０００５】本図において、５１は永久磁石（マグネッ
ト）、５２は導体パターンを片面に有するフェリ磁性体
基板、５３はフェリ磁性体基板５２の他面に装着されて
この基板を支持固定しかつ接地導体となる非磁性接地導
体板、５４は５０Ωチップ抵抗、５５は分岐線路５６を
接続する接合面部である。
ト）、５２は導体パターンを片面に有するフェリ磁性体
基板、５３はフェリ磁性体基板５２の他面に装着されて
この基板を支持固定しかつ接地導体となる非磁性接地導
体板、５４は５０Ωチップ抵抗、５５は分岐線路５６を
接続する接合面部である。
【０００６】また、他の従来技術として、図５に示し
た、フェリ磁性体基板を用いずにアルミナセラミック基
板を用いてフェライト円板をアルミナセラミック基板に
埋込む実装方法も知られている。この実装方法は、例え
ば、特開昭６１−２８８４８６号公報に詳細が記載され
ている。
た、フェリ磁性体基板を用いずにアルミナセラミック基
板を用いてフェライト円板をアルミナセラミック基板に
埋込む実装方法も知られている。この実装方法は、例え
ば、特開昭６１−２８８４８６号公報に詳細が記載され
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般にＭＩＣでは、使
用する半導体チップの特性を保持するために、外気を遮
断した気密構造のパッケージ内に半導体チップを実装し
て、高周波回路の集積化をはかっている。しかし、ＭＩ
Ｃアイソレータは前述したようにマグネットを必要とす
るため、ＭＩＣアイソレータを気密構造のパッケージ内
に組み込む場合、マグネットの大きさやマグネットを固
定するための接着剤から発生するガスが問題となり、半
導体チップ用ＭＩＣと同一のパッケージ内に実装するこ
とが困難であった。
用する半導体チップの特性を保持するために、外気を遮
断した気密構造のパッケージ内に半導体チップを実装し
て、高周波回路の集積化をはかっている。しかし、ＭＩ
Ｃアイソレータは前述したようにマグネットを必要とす
るため、ＭＩＣアイソレータを気密構造のパッケージ内
に組み込む場合、マグネットの大きさやマグネットを固
定するための接着剤から発生するガスが問題となり、半
導体チップ用ＭＩＣと同一のパッケージ内に実装するこ
とが困難であった。
【０００８】このため、高周波回路を構成するためには
ＭＩＣアイソレータのパッケージと一般のＭＩＣパッケ
ージとを別個に用いる必要があった。従って、装置の小
型、軽量化の点で問題となっていた。
ＭＩＣアイソレータのパッケージと一般のＭＩＣパッケ
ージとを別個に用いる必要があった。従って、装置の小
型、軽量化の点で問題となっていた。
【０００９】また、図６はＭＩＣアイソレータを用いた
周波数変換器の等価回路を示した図である。本図におい
て、ＲＦ入力信号６０は、ＭＩＣアイソレータ５０に入
力した後、ＭＩＣ半導体を用いたＭＩＣ増幅器６４に入
力し、増幅される。ＭＩＣ増幅器６４の出力は、局発信
号６１を入力したＭＩＣミキサ６６によって周波数変換
されたＩＦ信号６２として出力される。
周波数変換器の等価回路を示した図である。本図におい
て、ＲＦ入力信号６０は、ＭＩＣアイソレータ５０に入
力した後、ＭＩＣ半導体を用いたＭＩＣ増幅器６４に入
力し、増幅される。ＭＩＣ増幅器６４の出力は、局発信
号６１を入力したＭＩＣミキサ６６によって周波数変換
されたＩＦ信号６２として出力される。
【００１０】ここで、ＭＩＣアイソレータ５０は、ＭＩ
Ｃアイソレータ用のパッケージに実装される。一方、Ｍ
ＩＣ増幅器６４とＭＩＣミキサ６６とは、ＭＩＣパッケ
ージ６５に実装される。
Ｃアイソレータ用のパッケージに実装される。一方、Ｍ
ＩＣ増幅器６４とＭＩＣミキサ６６とは、ＭＩＣパッケ
ージ６５に実装される。
【００１１】このため、上述したように実装面積の増大
を生ずるという問題のみならず、両パッケージ間の信号
接続が必要なため、高周波インピーダンス特性の劣化を
生ずるという問題も有していた。
を生ずるという問題のみならず、両パッケージ間の信号
接続が必要なため、高周波インピーダンス特性の劣化を
生ずるという問題も有していた。
【００１２】以上述べたように本発明の目的は、気密パ
ッケージ内で他の半導体チップと同じ実装形態を採るこ
とができ、マグネットを必要としない表面実装型アイソ
レータを提供することにある。
ッケージ内で他の半導体チップと同じ実装形態を採るこ
とができ、マグネットを必要としない表面実装型アイソ
レータを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装型アイ
ソレータは、外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を有
するフェライトを用いてアイソレータを形成し、前記ア
イソレータを半導体チップと共にＭＩＣ（マイクロ波集
積回路）又はＭＣＭ（マイクロ波回路モジュール）内に
表面実装形式で実装することを特徴とする。
ソレータは、外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を有
するフェライトを用いてアイソレータを形成し、前記ア
イソレータを半導体チップと共にＭＩＣ（マイクロ波集
積回路）又はＭＣＭ（マイクロ波回路モジュール）内に
表面実装形式で実装することを特徴とする。
【００１４】また、本発明の表面実装型アイソレータ
は、外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を有するフェ
ライトと、前記フェライトを円形状に成形して埋め込ま
れたセラミック基板と、前記セラミック基板の一の基板
面に設けられた全面接地導体と、前記セラミック基板の
他の基板面に２個の入出力端から延長された分岐線路
と、前記分岐線路を接続する接合部と、前記接合部に接
続する終端抵抗とを有することを特徴とする。
は、外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を有するフェ
ライトと、前記フェライトを円形状に成形して埋め込ま
れたセラミック基板と、前記セラミック基板の一の基板
面に設けられた全面接地導体と、前記セラミック基板の
他の基板面に２個の入出力端から延長された分岐線路
と、前記分岐線路を接続する接合部と、前記接合部に接
続する終端抵抗とを有することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の表面実装型
アイソレータの基本構造を図１を用いて説明する。
アイソレータの基本構造を図１を用いて説明する。
【００１６】図１（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の
表面実装型アイソレータ１０の正面図、断面図を示した
図である。
表面実装型アイソレータ１０の正面図、断面図を示した
図である。
【００１７】本図において、１はフェライト自体が内部
磁界を有し、六方晶型結晶構造のフェライト、２，３は
アイソレータの分岐線路、４は接合面、５はセラミック
基板、６は５０Ω終端抵抗、７は全面接地導体層を表わ
している。
磁界を有し、六方晶型結晶構造のフェライト、２，３は
アイソレータの分岐線路、４は接合面、５はセラミック
基板、６は５０Ω終端抵抗、７は全面接地導体層を表わ
している。
【００１８】ここで、上記六方晶型結晶構造のフェライ
ト１は、フェライト自体が内部磁界を有する特性がある
ため、従来必要であった外部磁界すなわち、外付けマグ
ネットが不要とすることができる。
ト１は、フェライト自体が内部磁界を有する特性がある
ため、従来必要であった外部磁界すなわち、外付けマグ
ネットが不要とすることができる。
【００１９】上記特性を有するフェライトの材料として
は、種々の材料が知られているが、その中でもマグネト
プランバイト型フェライトが一般に使用されている。
は、種々の材料が知られているが、その中でもマグネト
プランバイト型フェライトが一般に使用されている。
【００２０】上記マグネトプランバイト型フェライトと
は、異方性磁界の大きいマグネトプランバイトを材料と
するフェライトである。
は、異方性磁界の大きいマグネトプランバイトを材料と
するフェライトである。
【００２１】マグネトプランバイトとは、六方晶型のや
や複雑な結晶構造を持つ天然鉱石をいう。そして、ＭＦ
ｅ12Ｏ19の化学式で表される化合物は、上記結晶構造が
同じであることからマグネトプランバイト型フェライト
と呼ばれている。ＭがＢａまたはＳｒのフェライトは異
方性磁界が大きく、永久磁石材料として広く知られてい
る。
や複雑な結晶構造を持つ天然鉱石をいう。そして、ＭＦ
ｅ12Ｏ19の化学式で表される化合物は、上記結晶構造が
同じであることからマグネトプランバイト型フェライト
と呼ばれている。ＭがＢａまたはＳｒのフェライトは異
方性磁界が大きく、永久磁石材料として広く知られてい
る。
【００２２】このようなマグネトプランバイト型フェラ
イトにおいて、Ｓｒフェライトを用いることにより外部
磁石を使用せずただ磁化するのみで、１００ＧＨｚ帯の
共鳴形アイソレータが得られることが知られている。
イトにおいて、Ｓｒフェライトを用いることにより外部
磁石を使用せずただ磁化するのみで、１００ＧＨｚ帯の
共鳴形アイソレータが得られることが知られている。
【００２３】このマグネトプランバイト型フェライトに
関しては、「マイクロ波フェライトその応用技術」ｐ３
６，３７，橋本忠士著，総合電子出版社，１９９７．
５．１０出版に記載されている。
関しては、「マイクロ波フェライトその応用技術」ｐ３
６，３７，橋本忠士著，総合電子出版社，１９９７．
５．１０出版に記載されている。
【００２４】本発明は、以上説明した六方晶型結晶構造
のフェライトの内部磁界を有する特性を利用し、外部磁
界として必要としていた外付けマグネットを不要とする
ことができる。このため、アイソレータは、一般の表面
実装部品と同様に取り扱うことができるため、ＭＩＣだ
けでなくＭＣＭ（マイクロ波回路モジュール）内にチッ
プ搭載することができる。
のフェライトの内部磁界を有する特性を利用し、外部磁
界として必要としていた外付けマグネットを不要とする
ことができる。このため、アイソレータは、一般の表面
実装部品と同様に取り扱うことができるため、ＭＩＣだ
けでなくＭＣＭ（マイクロ波回路モジュール）内にチッ
プ搭載することができる。
【００２５】図１を用いて、表面実装型アイソレータ１
０を具体的に説明する。
０を具体的に説明する。
【００２６】図１において、六方晶型結晶構造のフェラ
イト１を円柱状に焼成し、セラミック基板５に埋め込
む。セラミック基板１の一方の面に全面接地導体層７を
形成し、他方の面には表面実装型アイソレータ１０の入
出力端から延長された分岐線路２，３、分岐線路２，３
を接続する接合面４及び接合面４に接続して終端する５
０Ω終端抵抗６をパターンで形成している。
イト１を円柱状に焼成し、セラミック基板５に埋め込
む。セラミック基板１の一方の面に全面接地導体層７を
形成し、他方の面には表面実装型アイソレータ１０の入
出力端から延長された分岐線路２，３、分岐線路２，３
を接続する接合面４及び接合面４に接続して終端する５
０Ω終端抵抗６をパターンで形成している。
【００２７】図２は図１で説明した表面実装型アイソレ
ータ１０を半導体チップと共に気密構造のＭＩＣ２０の
内部に実装したＭＩＣパッケージの断面図を示した図で
ある。
ータ１０を半導体チップと共に気密構造のＭＩＣ２０の
内部に実装したＭＩＣパッケージの断面図を示した図で
ある。
【００２８】本図において、表面実装型アイソレータ１
０は、図１で示したと同様にマグネットを不要とする六
方晶型結晶構造のフェライトをセラミック基板に埋め込
まれた構造をしている。
０は、図１で示したと同様にマグネットを不要とする六
方晶型結晶構造のフェライトをセラミック基板に埋め込
まれた構造をしている。
【００２９】金属製のＭＩＣヘッダー２２上には、表面
実装型アイソレータ１０と共に、半導体チップ２１、接
続基板２４が取り付けられている。このＭＩＣヘッダー
と表面実装型アイソレータ１０、半導体チップ２１、接
続基板２１との接続は、ロー付け若しくはバンプ接続な
どの手法が用いることができる。
実装型アイソレータ１０と共に、半導体チップ２１、接
続基板２４が取り付けられている。このＭＩＣヘッダー
と表面実装型アイソレータ１０、半導体チップ２１、接
続基板２１との接続は、ロー付け若しくはバンプ接続な
どの手法が用いることができる。
【００３０】また、表面実装型アイソレータ１０の入出
力パターンと半導体チップ２１との信号接続は、ボンデ
ィングワイヤ２５を用いて接続される。なお、ボンディ
ングワイヤを金リボン等を用いることもできる。
力パターンと半導体チップ２１との信号接続は、ボンデ
ィングワイヤ２５を用いて接続される。なお、ボンディ
ングワイヤを金リボン等を用いることもできる。
【００３１】さらに、ＭＩＣ２０の入出力信号はガラス
端子２３で外部とインターフェースされる。このガラス
端子２３は、ＭＩＣ内部の接続基板２４とボンディング
ワイヤ２５にて接続される。
端子２３で外部とインターフェースされる。このガラス
端子２３は、ＭＩＣ内部の接続基板２４とボンディング
ワイヤ２５にて接続される。
【００３２】このＭＩＣ２０全体は、半導体チップ２１
の外気による表面劣化防止のために、金属キャップ２１
により気密性が維持されている。
の外気による表面劣化防止のために、金属キャップ２１
により気密性が維持されている。
【００３３】図３は図２に示したＭＩＣ２０の等価回路
を示した図である。本図は、前述した図６のＭＩＣアイ
ソレータを用いた周波数変換器についての等価回路であ
り、表面実装型アイソレータとＭＩＣアイソレータとの
相違点を示している。すなわち、表面実装型アイソレー
タ１０は、他の半導体チップで構成されるミキサ６６、
増幅器６４と共に同一のＭＩＣ２０のパッケージ内に実
装される。
を示した図である。本図は、前述した図６のＭＩＣアイ
ソレータを用いた周波数変換器についての等価回路であ
り、表面実装型アイソレータとＭＩＣアイソレータとの
相違点を示している。すなわち、表面実装型アイソレー
タ１０は、他の半導体チップで構成されるミキサ６６、
増幅器６４と共に同一のＭＩＣ２０のパッケージ内に実
装される。
【００３４】このため、表面実装型アイソレータ１０と
増幅器６４との信号接続は、直接短いボンディングワイ
ヤで接続されることができるため、高周波特性を劣化す
ることがない効果を有している。
増幅器６４との信号接続は、直接短いボンディングワイ
ヤで接続されることができるため、高周波特性を劣化す
ることがない効果を有している。
【００３５】なお、表面実装型アイソレータ１０に用い
られる六方晶型結晶構造のフェライトは、ミリ波等の超
高周波帯にて内部磁界特性を有する。そのため、ＲＦ入
力信号６０の周波数は前記フェライトが内部磁界特性を
有する周波数よりも高いことが必要である。
られる六方晶型結晶構造のフェライトは、ミリ波等の超
高周波帯にて内部磁界特性を有する。そのため、ＲＦ入
力信号６０の周波数は前記フェライトが内部磁界特性を
有する周波数よりも高いことが必要である。
【００３６】次に、本発明の他の実施の形態を以下に示
す。
す。
【００３７】図４は本発明の表面実装型アイソレータを
ＭＣＭ（マイクロ波回路モジュール）に適用した場合の
外観図を示した図である。
ＭＣＭ（マイクロ波回路モジュール）に適用した場合の
外観図を示した図である。
【００３８】ここでＭＣＭ４０は、多層誘電体基板のＭ
ＣＭ基板４１の上層面の一部を切削し、その内部に表面
実装型アイソレータ１０と共に、半導体チップ２１を実
装している。表面実装型アイソレータ１０と半導体チッ
プ２１間の接続は、リボン４３を用いて接続される。
ＣＭ基板４１の上層面の一部を切削し、その内部に表面
実装型アイソレータ１０と共に、半導体チップ２１を実
装している。表面実装型アイソレータ１０と半導体チッ
プ２１間の接続は、リボン４３を用いて接続される。
【００３９】そして、上記表面実装型アイソレータ１０
を実装する切削部４４全体の気密性を維持するため切削
部４４の上部にはＭＣＭキャップ４２を取り付けられ
る。
を実装する切削部４４全体の気密性を維持するため切削
部４４の上部にはＭＣＭキャップ４２を取り付けられ
る。
【００４０】また、本発明の実施の形態では高周波回路
用アイソレータについて説明したが、高周波回路用サー
キュレータについても同様に適用できるのは勿論のこと
である。
用アイソレータについて説明したが、高周波回路用サー
キュレータについても同様に適用できるのは勿論のこと
である。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面実装
型アイソレータは、マグネットが不要なため、半導体チ
ップ等と全く同様の表面実装手段が採用できるため、高
集積化、小型化が可能となる。
型アイソレータは、マグネットが不要なため、半導体チ
ップ等と全く同様の表面実装手段が採用できるため、高
集積化、小型化が可能となる。
【００４２】また、ＭＩＣやＭＣＭにおいて半導体チッ
プと一体化できるため、高周波インピーダンスマッチン
グが容易に行えると共に、高周波特性の改善を図ること
ができる効果も有している。
プと一体化できるため、高周波インピーダンスマッチン
グが容易に行えると共に、高周波特性の改善を図ること
ができる効果も有している。
【図１】（ａ）本発明のチップ型アイソレータ１０の正
面図である。 （ｂ）本発明のチップ型アイソレータ１０の断面図であ
る。
面図である。 （ｂ）本発明のチップ型アイソレータ１０の断面図であ
る。
【図２】図１のチップ型アイソレータ１０を用いたＭＩ
Ｃの断面図である。
Ｃの断面図である。
【図３】図１のチップ型アイソレータ１０を用いた周波
数変換器の等価回路である。
数変換器の等価回路である。
【図４】本発明のＭＣＭ４０の斜視図である。
【図５】（ａ）従来のＭＩＣアイソレータ５０の正面図
である。 （ｂ）従来のＭＩＣアイソレータ５０の断面図である。 （ｃ）従来のＭＩＣアイソレータ５０の裏面図である。
である。 （ｂ）従来のＭＩＣアイソレータ５０の断面図である。 （ｃ）従来のＭＩＣアイソレータ５０の裏面図である。
【図６】従来のＭＩＣアイソレータ５０を用いた周波数
変換器の等価回路である。
変換器の等価回路である。
１ 六方晶型結晶構造のハードフェライト ２，３ 入出力分岐線路 ４ 分岐線路接合面 ５ セラミック基板 ６ 薄膜終端抵抗 ７ 接地導体層 １０ 表面実装型アイソレータ
Claims (8)
- 【請求項１】 外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を
有するフェライトを用いてアイソレータを形成し、前記
アイソレータを半導体チップと共にＭＩＣ（マイクロ波
集積回路）又はＭＣＭ（マイクロ波回路モジュール）内
に表面実装形式で実装することを特徴とする表面実装型
アイソレータ。 - 【請求項２】 外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を
有するフェライトと、前記フェライトを円形状に成形し
て埋め込まれたセラミック基板と、前記セラミック基板
の一の基板面に設けられた全面接地導体と、前記セラミ
ック基板の他の基板面に２個の入出力端から延長された
分岐線路と、前記分岐線路を接続する接合部と、前記接
合部に接続する終端抵抗とを有することを特徴とする表
面実装型アイソレータ。 - 【請求項３】 前記表面実装型アイソレータは、半導体
チップと共にＭＩＣ（マイクロ波集積回路）又はＭＣＭ
（マイクロ波回路モジュール）内に表面実装形式で実装
されることを特徴とする請求項２記載の表面実装型アイ
ソレータ。 - 【請求項４】 外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を
有するフェライトを用いてサーキュレータを形成し、前
記サーキュレータを半導体チップと共にＭＩＣ（マイク
ロ波集積回路）又はＭＣＭ（マイクロ波回路モジュー
ル）内に表面実装形式で実装することを特徴とする表面
実装型サーキュレータ。 - 【請求項５】 外部磁界を必要とせず、自ら内部磁界を
有するフェライトと、前記フェライトを円形状に成形し
て埋め込まれたセラミック基板と、前記セラミック基板
の一の基板面に設けられた全面接地導体と、前記セラミ
ック基板の他の基板面に２個の入出力端から延長された
分岐線路と、前記分岐線路を接続する接合部とを有する
ことを特徴とする表面実装型サーキュレータ。 - 【請求項６】 前記フェライトは、六方晶型フェライト
であることを特徴とする請求項１，２，４，５記載の表
面実装型アイソレータ。 - 【請求項７】 前記フェライトは、六方晶型フェライト
でマグネトブランバイト型を用いることを特徴とする請
求項１，２，４，５記載の表面実装型アイソレータ。 - 【請求項８】 前記表面実装型アイソレータは、マイク
ロ波帯若しくはミリ波帯で用いられることを特徴とする
請求項１，２，４，５記載の表面実装型アイソレータ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9170332A JPH1117408A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 表面実装型アイソレータ |
| US09/104,353 US6025759A (en) | 1997-06-26 | 1998-06-25 | Microwave integrated circuit including surface mounting type isolator |
| CA002241498A CA2241498C (en) | 1997-06-26 | 1998-06-25 | Microwave integrated circuit including surface mounting type isolator |
| EP98305012A EP0887877A3 (en) | 1997-06-26 | 1998-06-25 | Surface mounting type isolator and surface mounting type circulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9170332A JPH1117408A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 表面実装型アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117408A true JPH1117408A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15902986
Family Applications (1)
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| JP9170332A Pending JPH1117408A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 表面実装型アイソレータ |
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- 1998-06-25 CA CA002241498A patent/CA2241498C/en not_active Expired - Fee Related
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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