JPH1116857A - 成膜方法及び膜積層構造 - Google Patents
成膜方法及び膜積層構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地のシリコンの侵食及び吸い上げを抑制す
ることができる成膜方法を提供する。 【解決手段】 ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原料ガスと
してプラズマＣＶＤにより被処理体Ｗの表面上にＴｉ膜
９の成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにＮ
2 ガスを添加して前記被処理体のシリコン面上にはチタ
ンシリコンナイトライド膜６２を形成する。このよう
に、シリコン面上にチタンシリコンナイトライド膜を形
成することにより、下地のシリコンの侵食や吸い上げを
抑制する。
ることができる成膜方法を提供する。 【解決手段】 ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原料ガスと
してプラズマＣＶＤにより被処理体Ｗの表面上にＴｉ膜
９の成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにＮ
2 ガスを添加して前記被処理体のシリコン面上にはチタ
ンシリコンナイトライド膜６２を形成する。このよう
に、シリコン面上にチタンシリコンナイトライド膜を形
成することにより、下地のシリコンの侵食や吸い上げを
抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンタクト
メタル等を成膜する時の成膜方法及び膜積層構造に関す
る。
メタル等を成膜する時の成膜方法及び膜積層構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
には、半導体ウエハ等の基板に対して、成膜とパターン
エッチング等を繰り返し行なって、多数の所望の素子を
形成するようになっている。ところで、各素子間を接続
する配線、各素子に対する電気的コンタクトを図るコン
タクトメタル、或いは基板のＳｉと配線材料との相互拡
散を抑制する目的で用いられるバリヤメタルとしては、
電気抵抗が低いことは勿論のこと、耐腐食性に優れた材
料を用いなければならない。このような要請に対応でき
る材料として、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、
Ｍｏ（モリブデン）などの高融点金属材料が使用される
傾向にあり、中でも電気的及び耐腐食性などの特性等が
良好であることから、特に、Ｔｉ膜が多用される傾向に
ある。
には、半導体ウエハ等の基板に対して、成膜とパターン
エッチング等を繰り返し行なって、多数の所望の素子を
形成するようになっている。ところで、各素子間を接続
する配線、各素子に対する電気的コンタクトを図るコン
タクトメタル、或いは基板のＳｉと配線材料との相互拡
散を抑制する目的で用いられるバリヤメタルとしては、
電気抵抗が低いことは勿論のこと、耐腐食性に優れた材
料を用いなければならない。このような要請に対応でき
る材料として、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、
Ｍｏ（モリブデン）などの高融点金属材料が使用される
傾向にあり、中でも電気的及び耐腐食性などの特性等が
良好であることから、特に、Ｔｉ膜が多用される傾向に
ある。
【０００３】Ｔｉ膜は、一般的には、原料ガスとしてＴ
ｉＣｌ4 （四塩化チタン）ガスと水素ガスを用いてプラ
ズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）により成膜される。ここで、半導体ウエ
ハ表面の素子にコンタクトを図る時の従来の成膜方法に
ついて説明する。図１０は半導体ウエハ表面のトランジ
スタのソース或いはドレインへのコンタクト部分を示す
拡大断面図である。図中、Ｗは例えばシリコン基板より
なる半導体ウエハであり、このシリコン面の表面に部分
的に拡散層３が形成されており、トランジスタのドレイ
ンやソースなどが多数形成されている。図示例において
は、代表的に１つのみ記す。ウエハＷの表面には、例え
ばＳｉＯ2 よりなる層間絶縁膜５が形成されており、こ
の層間絶縁膜５の、上記拡散層３に対応する部分にコン
タクトホール７を形成し、このホール７を介して拡散層
３との電気的接続を図るようになっている。
ｉＣｌ4 （四塩化チタン）ガスと水素ガスを用いてプラ
ズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）により成膜される。ここで、半導体ウエ
ハ表面の素子にコンタクトを図る時の従来の成膜方法に
ついて説明する。図１０は半導体ウエハ表面のトランジ
スタのソース或いはドレインへのコンタクト部分を示す
拡大断面図である。図中、Ｗは例えばシリコン基板より
なる半導体ウエハであり、このシリコン面の表面に部分
的に拡散層３が形成されており、トランジスタのドレイ
ンやソースなどが多数形成されている。図示例において
は、代表的に１つのみ記す。ウエハＷの表面には、例え
ばＳｉＯ2 よりなる層間絶縁膜５が形成されており、こ
の層間絶縁膜５の、上記拡散層３に対応する部分にコン
タクトホール７を形成し、このホール７を介して拡散層
３との電気的接続を図るようになっている。
【０００４】具体的には、まず、このコンタクトホール
７内を含めてウエハ表面全面に、コンタクトメタルとし
て非常に薄いＴｉ（チタン）膜９を形成し、その上にバ
リヤメタルとして例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）
膜１１を成膜し、最終的にタングステンやアルミニウム
よりなる配線金属１３を成膜してコンタクトホール７内
を埋め込み、拡散層３との電気的接続を図るようになっ
ている。上記コンタクトメタルであるＴｉ膜９は、拡散
層３とのコンタクト抵抗を抑制することを目的としてお
り、また、バリヤメタルであるＴｉＮ膜１１は、基板側
Ｓｉ（シリコン）と配線金属との相互拡散を抑制するこ
とを目的としている。
７内を含めてウエハ表面全面に、コンタクトメタルとし
て非常に薄いＴｉ（チタン）膜９を形成し、その上にバ
リヤメタルとして例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）
膜１１を成膜し、最終的にタングステンやアルミニウム
よりなる配線金属１３を成膜してコンタクトホール７内
を埋め込み、拡散層３との電気的接続を図るようになっ
ている。上記コンタクトメタルであるＴｉ膜９は、拡散
層３とのコンタクト抵抗を抑制することを目的としてお
り、また、バリヤメタルであるＴｉＮ膜１１は、基板側
Ｓｉ（シリコン）と配線金属との相互拡散を抑制するこ
とを目的としている。
【０００５】上記Ｔｉ膜９を成膜する場合には、原料ガ
スとしてＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを供給し、また、プ
ラズマガスとしてＡｒガスを供給し、プラズマの存在下
でＴｉＣｌ4 ガスを還元させることによってＴｉ膜９を
形成するのが一般的である。
スとしてＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを供給し、また、プ
ラズマガスとしてＡｒガスを供給し、プラズマの存在下
でＴｉＣｌ4 ガスを還元させることによってＴｉ膜９を
形成するのが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
にＴｉ膜９を形成した場合、図１１に示すようにこのＴ
ｉ膜９が化学的に安定した層間絶縁膜５と接する部分で
は、何ら反応が生じないでＴｉの元素状態を維持してい
るが、このＴｉ膜９が拡散層３のシリコン原子と接する
ホール底部では、チタンとシリコンが直ちに反応してチ
タンシリサイド膜（ＴｉＳｉ2 ）１５が形成されてしま
う。このチタンシリサイド膜１５は、Ｔｉ膜９よりも膜
厚が２．５倍程度大きく、拡散層３の方向に膜厚が拡大
することになる。しかも、Ｔｉ膜９がある程度、拡散層
３側のシリコンを侵食してこれを吸い上げることは避け
られず、従って、このシリコンの吸い上げによりチタン
シリサイド膜１５が部分的に下方向に延びてスパイク状
に凹凸１７を形成していた。
にＴｉ膜９を形成した場合、図１１に示すようにこのＴ
ｉ膜９が化学的に安定した層間絶縁膜５と接する部分で
は、何ら反応が生じないでＴｉの元素状態を維持してい
るが、このＴｉ膜９が拡散層３のシリコン原子と接する
ホール底部では、チタンとシリコンが直ちに反応してチ
タンシリサイド膜（ＴｉＳｉ2 ）１５が形成されてしま
う。このチタンシリサイド膜１５は、Ｔｉ膜９よりも膜
厚が２．５倍程度大きく、拡散層３の方向に膜厚が拡大
することになる。しかも、Ｔｉ膜９がある程度、拡散層
３側のシリコンを侵食してこれを吸い上げることは避け
られず、従って、このシリコンの吸い上げによりチタン
シリサイド膜１５が部分的に下方向に延びてスパイク状
に凹凸１７を形成していた。
【０００７】そして、このスパイク状の凹凸１７が、拡
散層３を突き抜けて下方の基板側に達すると、両者が導
通してしまい、コンタクトリークを引き起こすという問
題があった。特に、高集積化及び高微細化が進んだ今日
においては、線幅や膜厚の縮小化がより求められてお
り、これに連れて拡散層３の厚みも小さくなされている
ことから、上記したコンタクトリークの発生頻度もより
高くなり、早期の解決が求められている。
散層３を突き抜けて下方の基板側に達すると、両者が導
通してしまい、コンタクトリークを引き起こすという問
題があった。特に、高集積化及び高微細化が進んだ今日
においては、線幅や膜厚の縮小化がより求められてお
り、これに連れて拡散層３の厚みも小さくなされている
ことから、上記したコンタクトリークの発生頻度もより
高くなり、早期の解決が求められている。
【０００８】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、下地のシリコンの侵食及び吸い上げを抑制す
ることができる成膜方法及び膜積層構造を提供すること
にある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、下地のシリコンの侵食及び吸い上げを抑制す
ることができる成膜方法及び膜積層構造を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題を解
決するために、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原料ガスと
してプラズマＣＶＤにより被処理体の表面上にＴｉ膜の
成膜を行なう成膜方法において、前記被処理体のシリコ
ン面の侵食を抑制するために前記原料ガスにＮ2 ガスを
添加して前記シリコン面上にはチタンシリコンナイトラ
イド膜を形成するようにしたものである。
決するために、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原料ガスと
してプラズマＣＶＤにより被処理体の表面上にＴｉ膜の
成膜を行なう成膜方法において、前記被処理体のシリコ
ン面の侵食を抑制するために前記原料ガスにＮ2 ガスを
添加して前記シリコン面上にはチタンシリコンナイトラ
イド膜を形成するようにしたものである。
【００１０】これにより、シリコン面と接する部分に堆
積するＴｉ膜は、窒素分子を取り込んで直ちに下地のシ
リコンと反応し、チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ
−Ｓｉ−Ｎ）を形成することになる。このチタンシリコ
ンナイトライド膜はシリコンに対する侵食作用及び吸い
上げ作用が、Ｔｉ程には大きくなく、従って、シリコン
面とこのチタンシリコンナイトライド膜の界面がスパイ
ク状に凹凸なることを阻止でき、コンタクトリークの発
生を抑制することが可能となる。この場合、ある程度の
非常に薄い膜厚のチタンシリコンナイトライド膜を形成
したならば、Ｎ2 ガスの供給を停止し、通常のＴｉ膜の
成膜を行なうようにしてもよい。ここで、チタンシリコ
ンナイトライド膜と接する部分には、Ｔｉ膜が下地側の
シリコンと直ちに反応してチタンシリサイド膜が成膜さ
れることになる。
積するＴｉ膜は、窒素分子を取り込んで直ちに下地のシ
リコンと反応し、チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ
−Ｓｉ−Ｎ）を形成することになる。このチタンシリコ
ンナイトライド膜はシリコンに対する侵食作用及び吸い
上げ作用が、Ｔｉ程には大きくなく、従って、シリコン
面とこのチタンシリコンナイトライド膜の界面がスパイ
ク状に凹凸なることを阻止でき、コンタクトリークの発
生を抑制することが可能となる。この場合、ある程度の
非常に薄い膜厚のチタンシリコンナイトライド膜を形成
したならば、Ｎ2 ガスの供給を停止し、通常のＴｉ膜の
成膜を行なうようにしてもよい。ここで、チタンシリコ
ンナイトライド膜と接する部分には、Ｔｉ膜が下地側の
シリコンと直ちに反応してチタンシリサイド膜が成膜さ
れることになる。
【００１１】この場合、Ｎ2 ガスの添加量は、成膜のコ
ンタクト抵抗が所定の値よりも大きくならないような値
とし、過度に供給しないようにする。このような膜は、
例えば半導体素子のコンタクトメタルとして用いられ、
上記したチタンシリコンナイトライド膜上やチタンシリ
サイド膜上に例えばバリヤメタルのＴｉＮ膜を形成し、
更に、配線金属の成膜によりコンタクトホールの穴埋め
等が行なわれることになる。
ンタクト抵抗が所定の値よりも大きくならないような値
とし、過度に供給しないようにする。このような膜は、
例えば半導体素子のコンタクトメタルとして用いられ、
上記したチタンシリコンナイトライド膜上やチタンシリ
サイド膜上に例えばバリヤメタルのＴｉＮ膜を形成し、
更に、配線金属の成膜によりコンタクトホールの穴埋め
等が行なわれることになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜方法及
び膜積層構造の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。図１は本発明方法を実施するプラズマ成膜装置を示
す構成図である。本実施例では、プラズマ成膜装置によ
り金属膜としてＴｉ（チタン）膜を形成する場合を例に
とって説明する。図示するように、このプラズマ成膜装
置２は、例えばステンレススチール等により円筒体状に
成形された処理容器４を有しており、この処理容器４は
接地されている。
び膜積層構造の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。図１は本発明方法を実施するプラズマ成膜装置を示
す構成図である。本実施例では、プラズマ成膜装置によ
り金属膜としてＴｉ（チタン）膜を形成する場合を例に
とって説明する。図示するように、このプラズマ成膜装
置２は、例えばステンレススチール等により円筒体状に
成形された処理容器４を有しており、この処理容器４は
接地されている。
【００１３】この処理容器４の底部６には、容器内の雰
囲気を排出するための排気口８が設けられており、この
排気口８には真空引きポンプ１０を介設した排気系１２
が接続されて、処理容器４内を底部周辺部から均一に真
空引きできるようになっている。この処理容器４内に
は、導電性材料よりなる支柱１４を介して円板状の載置
台１６が設けられており、この上に被処理体として例え
ば半導体ウエハＷを載置し得るようになっている。具体
的には、この載置台１６は、下部電極を兼用するもので
あり、支柱１４に直接支持される下台１６Ａと、この上
面に接合される上台１６Ｂとよりなり、これらの接合面
に抵抗加熱ヒータ１８が挟み込まれている。この下台１
６Ａと上台１６Ｂは、その接合面にて例えば溶着により
接合される。
囲気を排出するための排気口８が設けられており、この
排気口８には真空引きポンプ１０を介設した排気系１２
が接続されて、処理容器４内を底部周辺部から均一に真
空引きできるようになっている。この処理容器４内に
は、導電性材料よりなる支柱１４を介して円板状の載置
台１６が設けられており、この上に被処理体として例え
ば半導体ウエハＷを載置し得るようになっている。具体
的には、この載置台１６は、下部電極を兼用するもので
あり、支柱１４に直接支持される下台１６Ａと、この上
面に接合される上台１６Ｂとよりなり、これらの接合面
に抵抗加熱ヒータ１８が挟み込まれている。この下台１
６Ａと上台１６Ｂは、その接合面にて例えば溶着により
接合される。
【００１４】処理容器４の天井部には、上部電極と兼用
されるシャワーヘッド２０が一体的に設けられた天井板
２２が容器側壁に対して絶縁材２４を介して気密に取り
付けられている。このシャワーヘッド２０は、上記載置
台１６の上面の略全面を覆うように対向させて設けられ
ており、載置台１６との間に処理空間Ｓを形成してい
る。このシャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに各種のガ
スをシャワー状に導入するものであり、シャワーヘッド
２０の下面の噴射面２６にはガスを噴射するための多数
の噴射孔２８が形成される。また、このシャワーヘッド
２０の内部には、多数の拡散孔３０を有する拡散板３２
が設けられてガスを拡散できるようになっている。
されるシャワーヘッド２０が一体的に設けられた天井板
２２が容器側壁に対して絶縁材２４を介して気密に取り
付けられている。このシャワーヘッド２０は、上記載置
台１６の上面の略全面を覆うように対向させて設けられ
ており、載置台１６との間に処理空間Ｓを形成してい
る。このシャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに各種のガ
スをシャワー状に導入するものであり、シャワーヘッド
２０の下面の噴射面２６にはガスを噴射するための多数
の噴射孔２８が形成される。また、このシャワーヘッド
２０の内部には、多数の拡散孔３０を有する拡散板３２
が設けられてガスを拡散できるようになっている。
【００１５】そして、このシャワーヘッド２０の上部に
は、ヘッド内にガスを導入するガス導入ポート３４が設
けられており、このガス導入ポート３４にはガスを流す
供給通路３６が接続されている。この供給通路３６に
は、複数の分岐管３８が接続され、各分岐管３８には、
成膜用のガスとして、例えばＴｉＣｌ4 ガスを貯留する
ＴｉＣｌ4 ガス源４０、Ｈ2 ガスを貯留するＨ2 ガス源
４２、プラズマガスとして例えばＡｒガスを貯留するＡ
ｒガス源４４、シリコン侵食を抑制する添加ガスとして
Ｎ2 ガスを貯留するＮ2 ガス源４６がそれぞれ接続され
ている。そして、各ガスの流量は、それぞれの分岐管に
介設した流量制御器、例えばマスフローコントローラ４
８により制御される。尚、ここでは、成膜時の各ガスを
１つの供給通路３６内を混合状態で供給する場合を示し
ているが、これに限定されず、一部のガス或いは全ての
ガスを個別に異なる通路内に供給し、シャワーヘッド２
０内、或いは処理空間Ｓにて混合させる、いわゆるポス
トミックスのガス搬送形態を用いるようにしてもよい。
は、ヘッド内にガスを導入するガス導入ポート３４が設
けられており、このガス導入ポート３４にはガスを流す
供給通路３６が接続されている。この供給通路３６に
は、複数の分岐管３８が接続され、各分岐管３８には、
成膜用のガスとして、例えばＴｉＣｌ4 ガスを貯留する
ＴｉＣｌ4 ガス源４０、Ｈ2 ガスを貯留するＨ2 ガス源
４２、プラズマガスとして例えばＡｒガスを貯留するＡ
ｒガス源４４、シリコン侵食を抑制する添加ガスとして
Ｎ2 ガスを貯留するＮ2 ガス源４６がそれぞれ接続され
ている。そして、各ガスの流量は、それぞれの分岐管に
介設した流量制御器、例えばマスフローコントローラ４
８により制御される。尚、ここでは、成膜時の各ガスを
１つの供給通路３６内を混合状態で供給する場合を示し
ているが、これに限定されず、一部のガス或いは全ての
ガスを個別に異なる通路内に供給し、シャワーヘッド２
０内、或いは処理空間Ｓにて混合させる、いわゆるポス
トミックスのガス搬送形態を用いるようにしてもよい。
【００１６】また、天井板２２には、Ｔｉ成膜時のプラ
ズマを形成するために、リード線５０を介してマッチン
グ回路５２及び例えば１３．５６ＭＨｚのプラズマ用の
高周波電源５４が接続されている。また、処理容器４の
側壁には、この壁面の温度調節を行なうために、必要に
応じて例えば冷却された、或いは加熱された熱媒体を選
択的に流すための容器用温調ジャケット５５が設けら
れ、このジャケット５５は第１温調器５６に接続され
る。この容器側壁には、ウエハの搬入・搬出時に気密に
開閉可能になされたゲートバルブ５８が設けられる。
ズマを形成するために、リード線５０を介してマッチン
グ回路５２及び例えば１３．５６ＭＨｚのプラズマ用の
高周波電源５４が接続されている。また、処理容器４の
側壁には、この壁面の温度調節を行なうために、必要に
応じて例えば冷却された、或いは加熱された熱媒体を選
択的に流すための容器用温調ジャケット５５が設けら
れ、このジャケット５５は第１温調器５６に接続され
る。この容器側壁には、ウエハの搬入・搬出時に気密に
開閉可能になされたゲートバルブ５８が設けられる。
【００１７】更に、上記シャワーヘッド２０にも、この
表面の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷
却された、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すため
のヘッド用温調ジャケット６０が設けられる。また、図
示されていないが、ウエハ搬入・搬出時にこれを持ち上
げたり、持ち下げたりするウエハリフタピンが載置台に
設けられるのは勿論である。
表面の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷
却された、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すため
のヘッド用温調ジャケット６０が設けられる。また、図
示されていないが、ウエハ搬入・搬出時にこれを持ち上
げたり、持ち下げたりするウエハリフタピンが載置台に
設けられるのは勿論である。
【００１８】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる本発明の成膜方法及び膜積層構造について
図２乃至図３も参照して説明する。図２は本発明方法の
第１実施例の工程図を示し、図３は図２（Ｃ）中のＡ部
の拡大図である。処理容器４内へ、開放されたゲートバ
ルブ５８を介して半導体ウエハＷを導入し、これを載置
台１６上に載置して処理容器４内を密閉する。この半導
体ウエハＷの表面には、例えば前工程において、ウエハ
上のトランジスタとのコンタクトをとるためのコンタク
トホール等がすでに形成されている。処理容器４内を密
閉したならば、成膜用ガスとしてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ
2 ガスを、プラズマ用ガスとしてＡｒガスを、更に、シ
リコンの侵食を抑制するためにＮ2 ガスを、それぞれシ
ャワーヘッド２０から所定の流量で処理容器４内に導入
し、且つ真空引きポンプ１０により処理容器４内を真空
引きし、所定の圧力に維持する。
て行なわれる本発明の成膜方法及び膜積層構造について
図２乃至図３も参照して説明する。図２は本発明方法の
第１実施例の工程図を示し、図３は図２（Ｃ）中のＡ部
の拡大図である。処理容器４内へ、開放されたゲートバ
ルブ５８を介して半導体ウエハＷを導入し、これを載置
台１６上に載置して処理容器４内を密閉する。この半導
体ウエハＷの表面には、例えば前工程において、ウエハ
上のトランジスタとのコンタクトをとるためのコンタク
トホール等がすでに形成されている。処理容器４内を密
閉したならば、成膜用ガスとしてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ
2 ガスを、プラズマ用ガスとしてＡｒガスを、更に、シ
リコンの侵食を抑制するためにＮ2 ガスを、それぞれシ
ャワーヘッド２０から所定の流量で処理容器４内に導入
し、且つ真空引きポンプ１０により処理容器４内を真空
引きし、所定の圧力に維持する。
【００１９】これと同時に、高周波電源５４より、１
３．５６ＭＨｚの高周波を上部電極であるシャワーヘッ
ド２０に印加して、シャワーヘッド２０と下部電極とし
ての載置台１６との間に高周波電界を加える。これによ
り、Ａｒガスがプラズマ化されて、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ
2 ガスとの還元反応を推進し、ウエハ表面にＴｉ膜が成
膜されることになる。ウエハＷの温度は、載置台１６に
埋め込んだ抵抗加熱ヒータ１８により所定の温度により
加熱維持される。
３．５６ＭＨｚの高周波を上部電極であるシャワーヘッ
ド２０に印加して、シャワーヘッド２０と下部電極とし
ての載置台１６との間に高周波電界を加える。これによ
り、Ａｒガスがプラズマ化されて、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ
2 ガスとの還元反応を推進し、ウエハ表面にＴｉ膜が成
膜されることになる。ウエハＷの温度は、載置台１６に
埋め込んだ抵抗加熱ヒータ１８により所定の温度により
加熱維持される。
【００２０】また、プラズマより加熱される傾向にある
処理容器４の側壁及びシャワーヘッド２０は、それぞれ
に設けた容器用温調ジャケット５６及びヘッド用温調ジ
ャケット６０にそれぞれ冷媒を流し、これを所定の温度
まで冷却する。この時のプロセス条件は、ウエハ温度
（載置台温度）が、例えば６００℃程度、プロセス圧力
は１Ｔｏｒｒ程度、高周波電力が５００Ｗ程度である。
また、ＴｉＣｌ4 ガスは１０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスは１０
００ｓｃｃｍ、Ａｒガスは１０００ｓｃｃｍ、Ｎ2 ガス
は５０ｓｃｃｍ程度である。また、成膜時間は、３０秒
程度である。図２（Ａ）は成膜前の半導体ウエハＷの表
面の１つのコンタクトホール７を示す拡大図であり、こ
のホール７は、ＳｉＯ2 の層間絶縁膜５に開口されてお
り、その底部には、拡散層３のシリコン面が露出してい
る。
処理容器４の側壁及びシャワーヘッド２０は、それぞれ
に設けた容器用温調ジャケット５６及びヘッド用温調ジ
ャケット６０にそれぞれ冷媒を流し、これを所定の温度
まで冷却する。この時のプロセス条件は、ウエハ温度
（載置台温度）が、例えば６００℃程度、プロセス圧力
は１Ｔｏｒｒ程度、高周波電力が５００Ｗ程度である。
また、ＴｉＣｌ4 ガスは１０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスは１０
００ｓｃｃｍ、Ａｒガスは１０００ｓｃｃｍ、Ｎ2 ガス
は５０ｓｃｃｍ程度である。また、成膜時間は、３０秒
程度である。図２（Ａ）は成膜前の半導体ウエハＷの表
面の１つのコンタクトホール７を示す拡大図であり、こ
のホール７は、ＳｉＯ2 の層間絶縁膜５に開口されてお
り、その底部には、拡散層３のシリコン面が露出してい
る。
【００２１】さて、このようなウエハ表面に、成膜が施
されると、当初は図２（Ｂ）に示すように、ウエハＷの
上面は勿論のこと、コンタクトホール７の側壁、及び底
部にもＴｉ膜９が形成されるが、拡散層３のシリコン面
と接するコンタクトホール７の底部に堆積したＴｉ膜
は、成膜と同時に下地のシリコンとガス中の窒素とを取
り込んで直ちに反応し、図２（Ｃ）に示すようにチタン
シリコンナイトライド（Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ）層６２を形成
する。
されると、当初は図２（Ｂ）に示すように、ウエハＷの
上面は勿論のこと、コンタクトホール７の側壁、及び底
部にもＴｉ膜９が形成されるが、拡散層３のシリコン面
と接するコンタクトホール７の底部に堆積したＴｉ膜
は、成膜と同時に下地のシリコンとガス中の窒素とを取
り込んで直ちに反応し、図２（Ｃ）に示すようにチタン
シリコンナイトライド（Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ）層６２を形成
する。
【００２２】そして、このコンタクトホール７内に、更
に従来構造と同様に図２（Ｄ）に示すように、バリヤメ
タルのＴｉＮ膜１１や配線金属１３により埋め込んで行
き、埋め込みを完成することになる。ここで、上記した
チタンシリコンナイトライド膜６２は、下地のシリコン
に対する侵食作用は先に説明したチタンシリサイド（Ｔ
ｉＳｉ2 ）よりも小さく、従って、シリコンに対する吸
い上げ作用を抑制することができる。このため、図１１
において説明したようなスパイク状の凹凸１７が発生す
ることも抑制することができるので、コンタクトリーク
の発生も阻止することが可能となる。
に従来構造と同様に図２（Ｄ）に示すように、バリヤメ
タルのＴｉＮ膜１１や配線金属１３により埋め込んで行
き、埋め込みを完成することになる。ここで、上記した
チタンシリコンナイトライド膜６２は、下地のシリコン
に対する侵食作用は先に説明したチタンシリサイド（Ｔ
ｉＳｉ2 ）よりも小さく、従って、シリコンに対する吸
い上げ作用を抑制することができる。このため、図１１
において説明したようなスパイク状の凹凸１７が発生す
ることも抑制することができるので、コンタクトリーク
の発生も阻止することが可能となる。
【００２３】この場合、コンタクトメタルとなるチタン
シリコンナイトライド膜６２の厚みＬ１はかなり薄く、
例えば通常行われるスパッタリングでも１００〜２００
Å程度である。また、ここではコンタクトメタル全体に
コンタクト抵抗を低下させる原因となる窒素原子を含有
させるようにしたので、この含有量、すなわちＮ2 ガス
供給量を前述のようにかなり低く設定しており、この時
のチタンシリコンナイトライド膜６２のコンタクト抵抗
が所定の値、例えば１００オーム以下となるように設定
している。上記した第１実施例においては、コンタクト
メタルを全てチタンシリコンナイトライドで形成して単
層構造としたが、これに限定されず、以下の第２実施例
に示すようにチタンシリコンナイトライド膜とチタンシ
リサイド膜の２層構造としてもよい。
シリコンナイトライド膜６２の厚みＬ１はかなり薄く、
例えば通常行われるスパッタリングでも１００〜２００
Å程度である。また、ここではコンタクトメタル全体に
コンタクト抵抗を低下させる原因となる窒素原子を含有
させるようにしたので、この含有量、すなわちＮ2 ガス
供給量を前述のようにかなり低く設定しており、この時
のチタンシリコンナイトライド膜６２のコンタクト抵抗
が所定の値、例えば１００オーム以下となるように設定
している。上記した第１実施例においては、コンタクト
メタルを全てチタンシリコンナイトライドで形成して単
層構造としたが、これに限定されず、以下の第２実施例
に示すようにチタンシリコンナイトライド膜とチタンシ
リサイド膜の２層構造としてもよい。
【００２４】図４は本発明方法の第２実施例を示す工程
図、図５は図４（Ｃ）中のＢ部を示す拡大図である。ま
ず、図４（Ａ）に示すように、第１実施例の場合と同様
に成膜用ガスとしてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ2 ガスを、プ
ラズマ用ガスとしてＡｒガスを、更にシリコンの侵食を
抑制するためのＮ2 ガスを、それぞれシャワーヘッド２
０から所定の流量で供給し、第１実施例の場合と同じ条
件でＴｉ膜９の成膜を行なう。ただし、この場合、第１
実施例と異なる点は、Ｎ2 ガスの供給量を多くし、且つ
プロセス時間を短くする。例えば、第１実施例ではＮ2
ガスを５０ｓｃｃｍの流量で供給して３０秒間の成膜プ
ロセスを行なったが、この第２実施例ではＮ2 ガスを２
００ｓｃｃｍの流量で供給して６秒間の成膜プロセスを
行なう。この時の高周波電力は５００Ｗ程度である。
図、図５は図４（Ｃ）中のＢ部を示す拡大図である。ま
ず、図４（Ａ）に示すように、第１実施例の場合と同様
に成膜用ガスとしてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ2 ガスを、プ
ラズマ用ガスとしてＡｒガスを、更にシリコンの侵食を
抑制するためのＮ2 ガスを、それぞれシャワーヘッド２
０から所定の流量で供給し、第１実施例の場合と同じ条
件でＴｉ膜９の成膜を行なう。ただし、この場合、第１
実施例と異なる点は、Ｎ2 ガスの供給量を多くし、且つ
プロセス時間を短くする。例えば、第１実施例ではＮ2
ガスを５０ｓｃｃｍの流量で供給して３０秒間の成膜プ
ロセスを行なったが、この第２実施例ではＮ2 ガスを２
００ｓｃｃｍの流量で供給して６秒間の成膜プロセスを
行なう。この時の高周波電力は５００Ｗ程度である。
【００２５】このように、Ｔｉ膜９の成膜を行なうと、
図４（Ｂ）に示すように拡散層３のシリコン面が露出し
ているコンタクトホール７の底部に堆積したＴｉ膜は、
前述した第１実施例の場合と同様に直ちにシリコンや窒
素と反応して厚みの大きくなったチタンシリコンナイト
ライド膜６４が形成されることになる。この場合、Ｎ2
ガス量の供給を多くした分、チタンシリコンナイトライ
ド膜６４に含まれる窒素原子の量が多くなってコンタク
ト抵抗を上昇させるので、上述のように成膜時間を短く
してその成膜量を抑える。
図４（Ｂ）に示すように拡散層３のシリコン面が露出し
ているコンタクトホール７の底部に堆積したＴｉ膜は、
前述した第１実施例の場合と同様に直ちにシリコンや窒
素と反応して厚みの大きくなったチタンシリコンナイト
ライド膜６４が形成されることになる。この場合、Ｎ2
ガス量の供給を多くした分、チタンシリコンナイトライ
ド膜６４に含まれる窒素原子の量が多くなってコンタク
ト抵抗を上昇させるので、上述のように成膜時間を短く
してその成膜量を抑える。
【００２６】このようにしてＮ2 ガスの添加を伴なった
６秒間の成膜を行なったならば、Ｎ2 ガスの供給を停止
してこのガスの供給量を直ちにゼロにすると共に他のＴ
ｉＣｌ4 ガス、Ａｒガス、Ｈ2 ガスの各供給量を変化さ
せることなく同じに維持したまま、Ｔｉ膜の成膜操作を
継続し、更に２０秒間程度の成膜処理を行なう。この場
合、高周波電力のみ２００Ｗ程度まで低下させる。これ
により、図４（Ｃ）に示すように先のＴｉ膜９上に更に
同じＴｉ膜６６が積層されるが、コンタクトホール７の
底部のチタンシリコンナイトライド膜６４に堆積したＴ
ｉ膜は、下地のシリコンと直ちに反応してチタンシリサ
イド（ＴｉＳｉ2 ）膜１５を形成することになる。この
場合、チタンシリコンナイトライド膜６４と上層のチタ
ンシリサイド膜１５の厚みの総和Ｌ２は、８０Å程度で
あり、非常に薄くなされている。
６秒間の成膜を行なったならば、Ｎ2 ガスの供給を停止
してこのガスの供給量を直ちにゼロにすると共に他のＴ
ｉＣｌ4 ガス、Ａｒガス、Ｈ2 ガスの各供給量を変化さ
せることなく同じに維持したまま、Ｔｉ膜の成膜操作を
継続し、更に２０秒間程度の成膜処理を行なう。この場
合、高周波電力のみ２００Ｗ程度まで低下させる。これ
により、図４（Ｃ）に示すように先のＴｉ膜９上に更に
同じＴｉ膜６６が積層されるが、コンタクトホール７の
底部のチタンシリコンナイトライド膜６４に堆積したＴ
ｉ膜は、下地のシリコンと直ちに反応してチタンシリサ
イド（ＴｉＳｉ2 ）膜１５を形成することになる。この
場合、チタンシリコンナイトライド膜６４と上層のチタ
ンシリサイド膜１５の厚みの総和Ｌ２は、８０Å程度で
あり、非常に薄くなされている。
【００２７】以降は、図４（Ｄ）に示すようにバリヤメ
タルのＴｉＮ膜１１及び配線金属１３を順次成膜してホ
ールの埋め込みを行なう点は、第１実施例と同じであ
る。この場合にも、上述のようにシリコン面と直接接触
する部分には、チタンシリコンナイトライド膜６４を形
成するようにしたので、この膜によりシリコンの侵食が
抑制されて吸い上げ効果が弱まり、この界面に発生する
凹凸が抑制されることになる。従って、第１実施例の場
合と同様にコンタクトリークの発生を抑制することがで
きる。
タルのＴｉＮ膜１１及び配線金属１３を順次成膜してホ
ールの埋め込みを行なう点は、第１実施例と同じであ
る。この場合にも、上述のようにシリコン面と直接接触
する部分には、チタンシリコンナイトライド膜６４を形
成するようにしたので、この膜によりシリコンの侵食が
抑制されて吸い上げ効果が弱まり、この界面に発生する
凹凸が抑制されることになる。従って、第１実施例の場
合と同様にコンタクトリークの発生を抑制することがで
きる。
【００２８】図６は上記第２実施例における半導体ウエ
ハのコンタクトホールの底部の成膜の断面方向における
元素の含有率を示すグラフである。グラフ中、横軸にお
いて右側に行くに従って、ウエハの深さ方向に進むこと
になる。グラフから明らかなように右側の領域はＳｉ非
常に多い拡散層３の領域となっており、その左側の領域
はＴｉとＳｉとＮが適度に存在してチタンシリコンナイ
トライド膜６４となっており、更に、その左側の領域は
ＴｉとＳｉとが多く存在してチタンシリサイド膜１５と
なっていることが判明する。
ハのコンタクトホールの底部の成膜の断面方向における
元素の含有率を示すグラフである。グラフ中、横軸にお
いて右側に行くに従って、ウエハの深さ方向に進むこと
になる。グラフから明らかなように右側の領域はＳｉ非
常に多い拡散層３の領域となっており、その左側の領域
はＴｉとＳｉとＮが適度に存在してチタンシリコンナイ
トライド膜６４となっており、更に、その左側の領域は
ＴｉとＳｉとが多く存在してチタンシリサイド膜１５と
なっていることが判明する。
【００２９】図７乃至図９は、本発明方法と従来方法の
成膜における界面の状態を示す拡大写真である。図７は
従来方法による成膜の界面の状態を示す拡大写真、図８
は本発明方法による第１実施例の成膜の界面の状態を示
す拡大写真、図９は本発明方法による第２実施例の成膜
の界面の状態を示す拡大位写真である。尚、各写真は、
チタン膜或いはチタンシリコンナイトライド膜を成膜し
た後に、この成膜をフッ酸で除去して、下地との界面、
すなわち拡散層のシリコン面をＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）により撮影したものを示す。また、各写真の横に、
主な成膜条件を並記してある。
成膜における界面の状態を示す拡大写真である。図７は
従来方法による成膜の界面の状態を示す拡大写真、図８
は本発明方法による第１実施例の成膜の界面の状態を示
す拡大写真、図９は本発明方法による第２実施例の成膜
の界面の状態を示す拡大位写真である。尚、各写真は、
チタン膜或いはチタンシリコンナイトライド膜を成膜し
た後に、この成膜をフッ酸で除去して、下地との界面、
すなわち拡散層のシリコン面をＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）により撮影したものを示す。また、各写真の横に、
主な成膜条件を並記してある。
【００３０】図７に示すように、従来方法で成膜した場
合には、シリコン表面に口径の大きな、しかも深い凹部
が形成されているのに対し、図８及び図９に示す本発明
方法による成膜の場合には、口径が非常に小さく、しか
も浅い凹部となっており、シリコンの吸い上げ作用が大
幅に抑制されていることが判明する。特に、図９に示す
第２実施例の場合には、凹部の口径が非常に小さくなっ
て更に、浅くなっており、特に良好な状態であることが
判明する。尚、上記実施例におけるガス流量等のプロセ
ス条件は、単に一例を示したに過ぎず、上述したものに
限定されない。また、ここでは被処理体として半導体ウ
エハを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定
されず、本発明方法をガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適
用できるのは勿論である。
合には、シリコン表面に口径の大きな、しかも深い凹部
が形成されているのに対し、図８及び図９に示す本発明
方法による成膜の場合には、口径が非常に小さく、しか
も浅い凹部となっており、シリコンの吸い上げ作用が大
幅に抑制されていることが判明する。特に、図９に示す
第２実施例の場合には、凹部の口径が非常に小さくなっ
て更に、浅くなっており、特に良好な状態であることが
判明する。尚、上記実施例におけるガス流量等のプロセ
ス条件は、単に一例を示したに過ぎず、上述したものに
限定されない。また、ここでは被処理体として半導体ウ
エハを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定
されず、本発明方法をガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適
用できるのは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜方法
及び膜積層構造によれば、次のように優れた作用効果を
発揮することができる。ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原
料ガスとして被処理体の表面上にＴｉ膜を成膜するに際
して、原料ガスにＮ2 ガスを添加してシリコン面上にチ
タンシリコンナイトライド膜を形成するようにしたの
で、下地のシリコンの侵食と吸い上げを抑制することが
できる。従って、例えばコンタクトホールのコンタクト
メタルの成膜に際して、トランジスタのソースやドレイ
ンの拡散層を突き抜けるようなシリコンの吸い上げを阻
止することができ、このためコンタクトリークの発生を
大幅に抑制することができる。特に、コンタクトメタル
をチタンシリコンナイトライド膜とチタンシリサイド膜
の２層構造とすることにより、上記したシリコンの侵食
や吸い上げを一層抑制することができる。
及び膜積層構造によれば、次のように優れた作用効果を
発揮することができる。ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原
料ガスとして被処理体の表面上にＴｉ膜を成膜するに際
して、原料ガスにＮ2 ガスを添加してシリコン面上にチ
タンシリコンナイトライド膜を形成するようにしたの
で、下地のシリコンの侵食と吸い上げを抑制することが
できる。従って、例えばコンタクトホールのコンタクト
メタルの成膜に際して、トランジスタのソースやドレイ
ンの拡散層を突き抜けるようなシリコンの吸い上げを阻
止することができ、このためコンタクトリークの発生を
大幅に抑制することができる。特に、コンタクトメタル
をチタンシリコンナイトライド膜とチタンシリサイド膜
の２層構造とすることにより、上記したシリコンの侵食
や吸い上げを一層抑制することができる。
【図１】本発明方法を実施するプラズマ成膜装置を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明方法の第１実施例の工程図を示す図であ
る。
る。
【図３】図２（Ｃ）中のＡ部の拡大図である。
【図４】本発明方法の第２実施例を示す工程図である。
【図５】図４（Ｃ）中のＢ部を示す拡大図である。
【図６】第２実施例における半導体ウエハのコンタクト
ホールの底部の成膜の断面方向における元素の含有率を
示すグラフである。
ホールの底部の成膜の断面方向における元素の含有率を
示すグラフである。
【図７】従来方法による成膜の界面の状態を示す拡大写
真である。
真である。
【図８】本発明方法による第１実施例の成膜の界面の状
態を示す拡大写真である。
態を示す拡大写真である。
【図９】本発明方法による第２実施例の成膜の界面の状
態を示す拡大位写真である。
態を示す拡大位写真である。
【図１０】従来の成膜方法を説明するための図である。
【図１１】従来の成膜方法による欠点を説明するための
図である。
図である。
３ 拡散層 ５ 層間絶縁膜 ７ コンタクトホール ９ チタン膜（コンタクトメタル） １１ チタンナイトライド膜（バリヤメタル） １３ 配線金属 １４ チタンシリサイド膜 ６２ チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ−Ｓｉ−
Ｎ） ６４ チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ−Ｓｉ−
Ｎ） ６６ チタン膜 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Ｎ） ６４ チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ−Ｓｉ−
Ｎ） ６６ チタン膜 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (7)
- 【請求項１】 ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原料ガスと
してプラズマＣＶＤにより被処理体の表面上にＴｉ膜の
成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにＮ2 ガ
スを添加して前記被処理体のシリコン面上にはチタンシ
リコンナイトライド膜を形成するようにしたことを特徴
とする成膜方法。 - 【請求項２】 前記チタンシリコンナイトライド膜を形
成した後に、Ｎ2 ガスの添加を停止して前記チタンシリ
コンナイトライド膜上にはチタンシリサイド膜の成膜を
行なうようにしたことを特徴とする請求項１記載の成膜
方法。 - 【請求項３】 前記成膜は、前記被処理体に形成された
半導体素子のコンタクトメタルの成膜であることを特徴
とする請求項１または２記載の成膜方法。 - 【請求項４】 前記Ｎ2 ガスの添加量は、前記成膜のコ
ンタクト抵抗が所定の値よりも大きくならないような値
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記
載の成膜方法。 - 【請求項５】 被処理体のシリコン面上に、このシリコ
ン面の侵食を抑制するためのチタンシリコンナイトライ
ド膜を形成したことを特徴とする膜積層構造。 - 【請求項６】 前記チタンシリコンナイトライド膜上に
チタンシリサイド膜を形成したことを特徴とする請求項
５記載の膜積層構造。 - 【請求項７】 前記膜は、前記被処理体に形成された半
導体素子のコンタクトメタルであることを特徴とする請
求項５または６記載の膜積層構造。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP18438197A JP3635875B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 成膜方法及び膜積層構造 |
| US09/098,731 US6069093A (en) | 1997-06-25 | 1998-06-18 | Process of forming metal films and multi layer structure |
| TW087110083A TW377469B (en) | 1997-06-25 | 1998-06-23 | Process of forming metal films and multi-layer structure |
| KR10-1998-0023861A KR100400125B1 (ko) | 1997-06-25 | 1998-06-24 | 성막방법및다층구조체 |
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|---|---|---|---|
| JP18438197A JP3635875B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 成膜方法及び膜積層構造 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116857A true JPH1116857A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3635875B2 JP3635875B2 (ja) | 2005-04-06 |
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ID=16152204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18438197A Expired - Fee Related JP3635875B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 成膜方法及び膜積層構造 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100574483B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｃｖｄ방법에 의한 타이타늄실리나이트라이드막 제조방법 |
| CN111235546A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d存储器件的制造方法及粘附膜的化学气相沉积方法 |
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| DE50112534D1 (de) * | 2001-01-04 | 2007-07-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur kontaktierung eines dotiergebiets eines halbleiterbauelements |
| JP2003045960A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6576543B2 (en) * | 2001-08-20 | 2003-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for selectively depositing diffusion barriers |
| CN107557751A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种薄膜沉积方法 |
| CN110729166A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-24 | 长江存储科技有限责任公司 | 存储器的制作设备及制作方法 |
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| JPH02162722A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JP3422055B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2003-06-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置の電極配線 |
| KR0162673B1 (ko) * | 1994-01-11 | 1998-12-01 | 문정환 | 반도체 도전층 및 반도체소자의 제조방법 |
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-
1997
- 1997-06-25 JP JP18438197A patent/JP3635875B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-18 US US09/098,731 patent/US6069093A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-23 TW TW087110083A patent/TW377469B/zh active
- 1998-06-24 KR KR10-1998-0023861A patent/KR100400125B1/ko not_active IP Right Cessation
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| CN111235546B (zh) * | 2020-01-16 | 2022-05-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 3d存储器件的制造方法及粘附膜的化学气相沉积方法 |
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