JPH11168091A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11168091A JPH11168091A JP33399197A JP33399197A JPH11168091A JP H11168091 A JPH11168091 A JP H11168091A JP 33399197 A JP33399197 A JP 33399197A JP 33399197 A JP33399197 A JP 33399197A JP H11168091 A JPH11168091 A JP H11168091A
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- Japan
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Alx Ga1-x As膜上に積層されたAlx Ga1-x As
膜とは異なるIII-Ｖ族化合物半導体材料を選択的にエッ
チングする半導体装置の製造方法に関し、Alx Ga 1-x As
膜上にGaAs膜、又はInGaAs膜が積層されてなる２層の積
層膜のうち、GaAs膜、又はInGaAs膜を、再現性良く、ま
た良好な均一性をもって選択的にエッチングすることが
できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 Alx Ga1-x As膜９上にGaAs膜１０が積層
されてなる２層の積層膜のうちGaAs膜１０をエチレンジ
アミン四酢酸を含む水溶液により選択的にエッチングす
る。
膜とは異なるIII-Ｖ族化合物半導体材料を選択的にエッ
チングする半導体装置の製造方法に関し、Alx Ga 1-x As
膜上にGaAs膜、又はInGaAs膜が積層されてなる２層の積
層膜のうち、GaAs膜、又はInGaAs膜を、再現性良く、ま
た良好な均一性をもって選択的にエッチングすることが
できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 Alx Ga1-x As膜９上にGaAs膜１０が積層
されてなる２層の積層膜のうちGaAs膜１０をエチレンジ
アミン四酢酸を含む水溶液により選択的にエッチングす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、より詳しくは、Alx Ga1-x As膜上に積層さ
れたAlx Ga1-x As膜とは異なるIII-Ｖ族化合物半導体材
料を選択的にエッチングする半導体装置の製造方法に関
する。
方法に関し、より詳しくは、Alx Ga1-x As膜上に積層さ
れたAlx Ga1-x As膜とは異なるIII-Ｖ族化合物半導体材
料を選択的にエッチングする半導体装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、III-Ｖ族化合物半導体材料はＳｉ
にはない優れた特徴があるために、ＧａＡｓ−ＦＥＴや
ＨＥＭＴ、レーザダイオード、或いは禁制帯の広さを利
用して高温で動作可能な赤外線センサなどにも応用され
ている。図３（ｃ）は、ＨＥＭＴの断面図であり、半絶
縁性のＧａＡｓ基板１上にバッファ層及びチャネル層と
なるｉ−ＧａＡｓ膜２と、電子供給層となるｎ−AlX Ga
1-x As膜３と、オーミック電極接続用のｎ−ＧａＡｓ膜
４とが順に積層されている。
にはない優れた特徴があるために、ＧａＡｓ−ＦＥＴや
ＨＥＭＴ、レーザダイオード、或いは禁制帯の広さを利
用して高温で動作可能な赤外線センサなどにも応用され
ている。図３（ｃ）は、ＨＥＭＴの断面図であり、半絶
縁性のＧａＡｓ基板１上にバッファ層及びチャネル層と
なるｉ−ＧａＡｓ膜２と、電子供給層となるｎ−AlX Ga
1-x As膜３と、オーミック電極接続用のｎ−ＧａＡｓ膜
４とが順に積層されている。
【０００３】また、ｎ−ＧａＡｓ膜４は部分的にエッチ
ングされており、そのエッチング跡の電子供給層となる
ｎ−AlX Ga1-x As膜３の表面にはゲート電極６が形成さ
れている。ここで、従来例に係るｎ−ＧａＡｓ膜４を部
分的にエッチングする方法について説明する。
ングされており、そのエッチング跡の電子供給層となる
ｎ−AlX Ga1-x As膜３の表面にはゲート電極６が形成さ
れている。ここで、従来例に係るｎ−ＧａＡｓ膜４を部
分的にエッチングする方法について説明する。
【０００４】まず、図３（ａ）に示すように、最上層で
あるｎ−ＧａＡｓ膜４上にレジスト膜５を形成したの
ち、レジスト膜５をパターニングし、開口部を形成す
る。次いで、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜５の
開口部を通してｎ−ＧａＡｓ膜４をウエットエッチング
することにより、ｎ−AlX Ga1-x As膜３の面を表出させ
る。
あるｎ−ＧａＡｓ膜４上にレジスト膜５を形成したの
ち、レジスト膜５をパターニングし、開口部を形成す
る。次いで、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜５の
開口部を通してｎ−ＧａＡｓ膜４をウエットエッチング
することにより、ｎ−AlX Ga1-x As膜３の面を表出させ
る。
【０００５】このとき、エッチング液としてアンモニア
と過酸化水素の混合液、又はこれらの混合液にクエン酸
を加えたエッチング液が用いられる。次に、図３（ｃ）
に示すように、金属膜を蒸着等により被着した後、パタ
ーニングし、ｎ−AlX Ga1-x As膜３の表面にゲート電極
６を形成する。
と過酸化水素の混合液、又はこれらの混合液にクエン酸
を加えたエッチング液が用いられる。次に、図３（ｃ）
に示すように、金属膜を蒸着等により被着した後、パタ
ーニングし、ｎ−AlX Ga1-x As膜３の表面にゲート電極
６を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ｎ−Ｇ
ａＡｓ膜４のエッチングに用いたエッチング液は、以下
のような欠点を持ち合わせている。即ち、 エッチング対象であるＧａＡｓ膜やInGaAs膜と、非エ
ッチング対象であるAl x Ga1-x As膜とのエッチング速度
比を５０以上とするには、Alx Ga1-x As膜のAlの混晶比
率ｘを０．２以上にする必要があり、実用上問題があ
る。
ａＡｓ膜４のエッチングに用いたエッチング液は、以下
のような欠点を持ち合わせている。即ち、 エッチング対象であるＧａＡｓ膜やInGaAs膜と、非エ
ッチング対象であるAl x Ga1-x As膜とのエッチング速度
比を５０以上とするには、Alx Ga1-x As膜のAlの混晶比
率ｘを０．２以上にする必要があり、実用上問題があ
る。
【０００７】エッチングは、エッチング混合液の水素
イオン濃度（ＰＨ）に敏感であり、例えばＰＨを６．５
±０．０５位に厳格に調整することが要求されている。
なお、従来の手法が不十分ながらも選択エッチングでき
る理由は、非エッチング対象であるAlx Ga1-x As膜の表
面に酸化物（Al2O3 ・H2O ）が生成してエッチングの進
行を妨げるためと解釈されている。
イオン濃度（ＰＨ）に敏感であり、例えばＰＨを６．５
±０．０５位に厳格に調整することが要求されている。
なお、従来の手法が不十分ながらも選択エッチングでき
る理由は、非エッチング対象であるAlx Ga1-x As膜の表
面に酸化物（Al2O3 ・H2O ）が生成してエッチングの進
行を妨げるためと解釈されている。
【０００８】しかし、この酸化物は同時に生成するＧａ
Ａｓの酸化物（Ga2O3, As2O3）の中に取り込まれるた
め、Alx Ga1-x As膜の表面はエッチング液中のアンモニ
アの攻撃を受けて溶解し易くなり、これによりウエハ内
でのエッチング深さの均一性を確保できず、またエッチ
ングの再現性に乏しいという問題がある。本発明は、上
記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、Al
x Ga1-xAs膜上にGaAs膜、又はInGaAs膜が積層されてな
る２層の積層膜のうち、GaAs膜、又はInGaAs膜を、再現
性良く、また良好な均一性をもって選択的にエッチング
することができる半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
Ａｓの酸化物（Ga2O3, As2O3）の中に取り込まれるた
め、Alx Ga1-x As膜の表面はエッチング液中のアンモニ
アの攻撃を受けて溶解し易くなり、これによりウエハ内
でのエッチング深さの均一性を確保できず、またエッチ
ングの再現性に乏しいという問題がある。本発明は、上
記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、Al
x Ga1-xAs膜上にGaAs膜、又はInGaAs膜が積層されてな
る２層の積層膜のうち、GaAs膜、又はInGaAs膜を、再現
性良く、また良好な均一性をもって選択的にエッチング
することができる半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の発明
である、Alx Ga1-x As膜上にGaAs膜が積層されてなる２
層の積層膜のうちGaAs膜をエチレンジアミン四酢酸を含
む水溶液により選択的にエッチングすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法によって解決され、第２の発明
である、Alx Ga1-x As膜の上にInGaAs膜が積層された２
層の積層膜のうちInGaAs膜をエチレンジアミン四酢酸を
含む水溶液により選択的にエッチングすることを特徴と
する半導体装置の製造方法によって解決される。
である、Alx Ga1-x As膜上にGaAs膜が積層されてなる２
層の積層膜のうちGaAs膜をエチレンジアミン四酢酸を含
む水溶液により選択的にエッチングすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法によって解決され、第２の発明
である、Alx Ga1-x As膜の上にInGaAs膜が積層された２
層の積層膜のうちInGaAs膜をエチレンジアミン四酢酸を
含む水溶液により選択的にエッチングすることを特徴と
する半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１０】本発明によれば、エッチング液としてエチ
レンジアミン四酢酸を含む水溶液を用いたので、GaAs
膜、又はInGaAs膜とAlx Ga1-x As膜とのエッチング選択
比が従来例に比較して２倍以上となり、またAlx Ga1-x
As膜の混晶比率が０．１５付近になっても、エッチング
の良好な均一性と、良好な再現性を図ることが可能とな
る。
レンジアミン四酢酸を含む水溶液を用いたので、GaAs
膜、又はInGaAs膜とAlx Ga1-x As膜とのエッチング選択
比が従来例に比較して２倍以上となり、またAlx Ga1-x
As膜の混晶比率が０．１５付近になっても、エッチング
の良好な均一性と、良好な再現性を図ることが可能とな
る。
【００１１】これは、エッチング中に、非エッチング対
象であるAlx Ga1-x As膜の表面が、水酸化〔Al(OH)3 の
編み目分子で覆われてエッチングの速度を更に遅くする
ためであると考えられる。
象であるAlx Ga1-x As膜の表面が、水酸化〔Al(OH)3 の
編み目分子で覆われてエッチングの速度を更に遅くする
ためであると考えられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 （１）実施の形態 まず、本願発明に用いるエッチング液を次の手順に従っ
てつくる。 （ａ）水にクエン酸〔C3H4(OH)(COOH)3 〕水和物を溶解
して１Ｗｔ％の水溶液をつくる。 （ｂ）エチレンジアミン四酢酸〔C2H4N2(CH2COOH)4〕が
１〜２００ｐｐｍ溶解している２５Ｗｔ％のアンモニア
水を、上記の溶液に適宜加えてＰＨが６〜８．５となる
ように調整した。 （ｃ）さらに過酸化水素水を加えて、ＧａＡｓのエッチ
ング速度が４００Å／分前後となるように準備した。
いて図面を参照しながら説明する。 （１）実施の形態 まず、本願発明に用いるエッチング液を次の手順に従っ
てつくる。 （ａ）水にクエン酸〔C3H4(OH)(COOH)3 〕水和物を溶解
して１Ｗｔ％の水溶液をつくる。 （ｂ）エチレンジアミン四酢酸〔C2H4N2(CH2COOH)4〕が
１〜２００ｐｐｍ溶解している２５Ｗｔ％のアンモニア
水を、上記の溶液に適宜加えてＰＨが６〜８．５となる
ように調整した。 （ｃ）さらに過酸化水素水を加えて、ＧａＡｓのエッチ
ング速度が４００Å／分前後となるように準備した。
【００１３】なお、過酸化水素素水を任意に加えること
により、ＧａＡｓのエッチング速度を適宜調節すること
ができる。例えば、３００〜８００Å／分にすることも
できる。次に、このエッチング液を用いて選択的エッチ
ングを行う本願発明のエッチング方法について、第１図
を参照しながら説明する。
により、ＧａＡｓのエッチング速度を適宜調節すること
ができる。例えば、３００〜８００Å／分にすることも
できる。次に、このエッチング液を用いて選択的エッチ
ングを行う本願発明のエッチング方法について、第１図
を参照しながら説明する。
【００１４】第１図（ａ）はＡｌＧａＡｓ系ＨＥＭＴ
（High Eletron Mobility Transistor) のリセス形成す
る前の断面図であり、半絶縁性のＧａＡｓ基板７上にバ
ッファ層及びチャネル層となるｉ−ＧａＡｓ膜８と、電
子供給層となるAlx Ga1-x As膜９と、オーミック電極接
続用のｎ−ＧａＡｓ膜１０とが順に積層されている。こ
こで、ｎ−ＧａＡｓ膜１０の膜厚は１０００Åであり、
Alx Ga1-x As膜９の混晶比率Ｘは０．１５である。
（High Eletron Mobility Transistor) のリセス形成す
る前の断面図であり、半絶縁性のＧａＡｓ基板７上にバ
ッファ層及びチャネル層となるｉ−ＧａＡｓ膜８と、電
子供給層となるAlx Ga1-x As膜９と、オーミック電極接
続用のｎ−ＧａＡｓ膜１０とが順に積層されている。こ
こで、ｎ−ＧａＡｓ膜１０の膜厚は１０００Åであり、
Alx Ga1-x As膜９の混晶比率Ｘは０．１５である。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、最上層で
あるｎ−ＧａＡｓ膜１０上にレジスト膜１１を形成した
のち、レジスト膜１１をパターニングして開口部を形成
し、その後、レジスト膜１１の開口部を通してｎ−Ｇａ
Ａｓ膜１０をエッチングする。次いで、図１（ｃ）に示
すように、金属膜を蒸着等により被着した後、パターニ
ングし、ｎ−AlX Ga1-x As膜９の表面にゲート電極１１
を形成すると、本願発明のＨＥＭＴが完成する。
あるｎ−ＧａＡｓ膜１０上にレジスト膜１１を形成した
のち、レジスト膜１１をパターニングして開口部を形成
し、その後、レジスト膜１１の開口部を通してｎ−Ｇａ
Ａｓ膜１０をエッチングする。次いで、図１（ｃ）に示
すように、金属膜を蒸着等により被着した後、パターニ
ングし、ｎ−AlX Ga1-x As膜９の表面にゲート電極１１
を形成すると、本願発明のＨＥＭＴが完成する。
【００１６】ところで、図１（ｂ）に示すｎ−ＧａＡｓ
膜１０のエッチングには、上述したエチレンジアミン四
酢酸を添加した本願発明のエッチング液を用いる。エッ
チングの状態を観察するために、ソース・ドレイン間の
ドレイン電流量の変化をみる。すなわち、ｎ−ＧａＡｓ
膜１０のエッチングが進行するにつれてｎ−ＧａＡｓ膜
１０の膜厚が減少してソース・ドレイン間の電流通路の
抵抗が増加するので、ドレイン電流を観察することによ
り、エッチングの進行を見ることができる。
膜１０のエッチングには、上述したエチレンジアミン四
酢酸を添加した本願発明のエッチング液を用いる。エッ
チングの状態を観察するために、ソース・ドレイン間の
ドレイン電流量の変化をみる。すなわち、ｎ−ＧａＡｓ
膜１０のエッチングが進行するにつれてｎ−ＧａＡｓ膜
１０の膜厚が減少してソース・ドレイン間の電流通路の
抵抗が増加するので、ドレイン電流を観察することによ
り、エッチングの進行を見ることができる。
【００１７】第２図は、本願発明のエッチング液を用い
てｎ−ＧａＡｓ膜１０をエッチングした結果を示す図で
あり、横軸はエッチング時間（秒）、縦軸はドレイン電
流量である。なお、ＨＥＭＴは、設計値がゲート幅２０
０μｍ、ゲート長０．４５μｍのものを用いたが、第２
図で示すドレイン電流はゲート長を１００μｍに換算し
た値を示している。
てｎ−ＧａＡｓ膜１０をエッチングした結果を示す図で
あり、横軸はエッチング時間（秒）、縦軸はドレイン電
流量である。なお、ＨＥＭＴは、設計値がゲート幅２０
０μｍ、ゲート長０．４５μｍのものを用いたが、第２
図で示すドレイン電流はゲート長を１００μｍに換算し
た値を示している。
【００１８】第２図からわかるように、ｎ−ＧａＡｓ膜
１０のエッチングが終了したと見られるエッチング時間
１５０秒付近から、さらにエッチング時間を３００秒ま
で延ばしが、ドレイン電流はほとんど変化せず安定して
いる。なお、エッチング時間１５０秒から３００秒まで
の間に変化するドレイン電流を観察したところ、電流減
少率は−３％程度であった。この−３％値の中には、ｎ
−ＧａＡｓ膜１０の横方向（チャネル長方向）へのエッ
チング拡がりに起因する直流抵抗の増大分も反映されて
いると考えられるので、ｎ−AlX Ga1-x As膜９は実質的
にエッチングされていないと思われる。
１０のエッチングが終了したと見られるエッチング時間
１５０秒付近から、さらにエッチング時間を３００秒ま
で延ばしが、ドレイン電流はほとんど変化せず安定して
いる。なお、エッチング時間１５０秒から３００秒まで
の間に変化するドレイン電流を観察したところ、電流減
少率は−３％程度であった。この−３％値の中には、ｎ
−ＧａＡｓ膜１０の横方向（チャネル長方向）へのエッ
チング拡がりに起因する直流抵抗の増大分も反映されて
いると考えられるので、ｎ−AlX Ga1-x As膜９は実質的
にエッチングされていないと思われる。
【００１９】このように、AlX Ga1-x Asの混晶比率Ｘが
０．１５程度の小さい場合であっても、ＧａＡｓとの大
きな選択比が得られるので、軽薄短小かつ高性能の特性
が要求されるＨＥＭＴ等の化合物半導体装置の製造方法
に寄与する効果は大である。例えば、ＨＥＭＴで使用さ
れる電子供給層(Al X Ga1-x As膜) の表面濃度は一般に
１×１０18Atoms ／cm3 前後であるが、この濃度におけ
る閾値(Vth) の変化はエッチングの深さ１Å当たり８mV
の変化量にあたるから、エッチング選択比は極めて重要
であり、本願発明によれば精度の良いエッチング制御が
可能となる。
０．１５程度の小さい場合であっても、ＧａＡｓとの大
きな選択比が得られるので、軽薄短小かつ高性能の特性
が要求されるＨＥＭＴ等の化合物半導体装置の製造方法
に寄与する効果は大である。例えば、ＨＥＭＴで使用さ
れる電子供給層(Al X Ga1-x As膜) の表面濃度は一般に
１×１０18Atoms ／cm3 前後であるが、この濃度におけ
る閾値(Vth) の変化はエッチングの深さ１Å当たり８mV
の変化量にあたるから、エッチング選択比は極めて重要
であり、本願発明によれば精度の良いエッチング制御が
可能となる。
【００２０】また、エッチング液を生成するとき、アン
モニア水へのエチレンジアミン四酢酸を添加する効果は
１０ｐｐｍ前後から現れ、５０ｐｐｍ前後でほぼ飽和す
る傾向となって、選択比１４０〜１６０を確保すること
ができる。この現象から判断すると、エチレンジアミン
四酢酸とAl X Ga1-x As 膜中のAlとの反応は反応律速型
であり、溶解を抑制する水酸化アルミ錯塩 Al(OH)3 の
生成が瞬時であるものと推測される。
モニア水へのエチレンジアミン四酢酸を添加する効果は
１０ｐｐｍ前後から現れ、５０ｐｐｍ前後でほぼ飽和す
る傾向となって、選択比１４０〜１６０を確保すること
ができる。この現象から判断すると、エチレンジアミン
四酢酸とAl X Ga1-x As 膜中のAlとの反応は反応律速型
であり、溶解を抑制する水酸化アルミ錯塩 Al(OH)3 の
生成が瞬時であるものと推測される。
【００２１】なお、実施の形態では、ＧａＡｓ膜をエッ
チングするときの、Al X Ga1-x As膜に対する選択性に
ついて説明したが、本願発明のエッチング液は、In Ga
As膜をエッチングする場合についても適用可能である。
チングするときの、Al X Ga1-x As膜に対する選択性に
ついて説明したが、本願発明のエッチング液は、In Ga
As膜をエッチングする場合についても適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、エッチング液としてエ
チレンジアミン四酢酸を含む水溶液を用いたので、Ｇａ
Ａｓ膜、又はIn Ga As膜とAlx Ga1-x As膜とのエッチン
グ選択比が従来例に比較して２倍以上となり、ウエハ内
でのエッチングの深さの均一性が確保でき、再現性の良
好なエッチングが可能となる。
チレンジアミン四酢酸を含む水溶液を用いたので、Ｇａ
Ａｓ膜、又はIn Ga As膜とAlx Ga1-x As膜とのエッチン
グ選択比が従来例に比較して２倍以上となり、ウエハ内
でのエッチングの深さの均一性が確保でき、再現性の良
好なエッチングが可能となる。
【００２３】これにより、ＨＥＭＴ等の高性能で微細形
状の化合物半導体装置の製造が可能となる。
状の化合物半導体装置の製造が可能となる。
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係るエッチング
による結果を示す図である。
による結果を示す図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、従来例に係る半導体装
置の製造方法を説明する図である。
置の製造方法を説明する図である。
１，７ 半絶縁性のＧａＡｓ基板 ２，８ ｉ−ＧａＡｓ膜 ３，９ ｎ−Alx Ga1-x As膜 ４，１０ ｎ−ＧａＡｓ膜 ５，１１ レジスト膜 ６，１２ ゲート電極
Claims (3)
- 【請求項１】 Alx Ga1-x As膜上にGaAs膜が積層されて
なる２層の積層膜のうちGaAs膜をエチレンジアミン四酢
酸を含む水溶液により選択的にエッチングすることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 Alx Ga1-x As膜の上にInGaAs膜が積層さ
れた２層の積層膜のうちInGaAs膜をエチレンジアミン四
酢酸を含む水溶液により選択的にエッチングすることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記Alx Ga1-x As膜の組成比Ｘは、０．
１５〜０．５であることを特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33399197A JPH11168091A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33399197A JPH11168091A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168091A true JPH11168091A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18272282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33399197A Pending JPH11168091A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11168091A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104178172A (zh) * | 2014-08-19 | 2014-12-03 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的腐蚀液及其制备方法 |
| CN109545681A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-29 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法 |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP33399197A patent/JPH11168091A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104178172A (zh) * | 2014-08-19 | 2014-12-03 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的腐蚀液及其制备方法 |
| CN109545681A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-29 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030506 |