JP2007042779A - T字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板であるGaN系半導体基板1上に、ナイトライド系半導体層であるAlGaN層2が形成され、AlGaN層2上に表面保護膜であるアニール保護膜4が形成され、アニール保護膜4の一部にAlGaN層2に達する開口部が形成され、該開口部を通してAlGaN層2に接するT字型ゲート電極であるゲート電極6が自己整合的に形成されていることを特徴とするT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタを構成する。
【選択図】 図1
Description
基板上に、ナイトライド系半導体層が形成され、該ナイトライド系半導体層上に表面保護膜が形成され、該表面保護膜の一部に該ナイトライド系半導体層に達する開口部が形成され、該開口部を通して該ナイトライド系半導体層に接するT字型ゲート電極が自己整合的に形成されていることを特徴とするT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタを構成する。
基板上に、ナイトライド系半導体層を形成する工程と、該ナイトライド系半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、該表面保護膜の一部に該ナイトライド系半導体層に達する開口部を形成する工程と、該開口部を通して該ナイトライド系半導体層に接するT字型ゲートゲート電極を自己整合的に形成する工程とを有することを特徴とするT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタの製造方法を構成する。
サファイア(0001)基板上に、有機金属化合物気相成長法(MOCVD)で、アンドープGaN層(厚さ2μm、GaN系半導体基板1に該当)、Al0.25Ga0.75Nバリア層(厚さ20nm、AlGaN層2に該当)から成るエピタキシャル構造を成長した。アンドープGaN層とAl0.25Ga0.75Nバリア層との界面にはチャネル層が形成されている。
Claims (2)
- 基板上に、ナイトライド系半導体層が形成され、該ナイトライド系半導体層上に表面保護膜が形成され、該表面保護膜の一部に該ナイトライド系半導体層に達する開口部が形成され、該開口部を通して該ナイトライド系半導体層に接するT字型ゲート電極が自己整合的に形成されていることを特徴とするT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタ。
- 基板上に、ナイトライド系半導体層を形成する工程と、該ナイトライド系半導体層上に表面保護膜を形成する工程と、該表面保護膜の一部に該ナイトライド系半導体層に達する開口部を形成する工程と、該開口部を通して該ナイトライド系半導体層に接するT字型ゲートゲート電極を自己整合的に形成する工程とを有することを特徴とするT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタの製造方法。
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