JP2006237534A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置例えばHEMTにおけるしきい値電圧Vthの安定化等の半導体装置における特性の安定化を図る事ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基体1上の、素子構成層3と、この素子構成層3によって構成する半導体素子または/および回路素子の不純物導入ないしは電極の形成層上に、この形成層に比してエッチング性の高いエッチング選択性を呈するエッチング犠牲層20を形成する工程と、このエッチング犠牲層20上に絶縁層12を形成する工程と、絶縁層12を貫通し、エッチング犠牲層20を貫通することがない深さの第1の開口部31をエッチングによって形成する第1のエッチング工程と、この第1の開口部31を通じて、エッチング犠牲層20を貫通する第2の開口部32を形成して第1および第2の開口部31および32が貫通して形成された貫通開口33を形成する第2のエッチング工程とを有する。
【選択図】 図2
【解決手段】 半導体基体1上の、素子構成層3と、この素子構成層3によって構成する半導体素子または/および回路素子の不純物導入ないしは電極の形成層上に、この形成層に比してエッチング性の高いエッチング選択性を呈するエッチング犠牲層20を形成する工程と、このエッチング犠牲層20上に絶縁層12を形成する工程と、絶縁層12を貫通し、エッチング犠牲層20を貫通することがない深さの第1の開口部31をエッチングによって形成する第1のエッチング工程と、この第1の開口部31を通じて、エッチング犠牲層20を貫通する第2の開口部32を形成して第1および第2の開口部31および32が貫通して形成された貫通開口33を形成する第2のエッチング工程とを有する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法、例えば単体半導体装置、あるいは半導体素子、抵抗素子等の回路素子が搭載形成される半導体集積回路等の半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
各種半導体装置の製造において、半導体層上に形成した絶縁層に対してパターンエッチングによって所要の開口を形成し、この開口を通じて、不純物ドーピング、電極コンタクト等を行う工程を伴う。
この場合、素子構成の例えば化合物半導体層と、この上に形成される一般的な絶縁層とのエッチング選択性が小さいことから、絶縁層に対してのパターンエッチングを行うとき、絶縁層の下の半導体層表面が幾分侵食されるなど、エッチング面における面内均一性に劣り、このエッチング面を通じて不純物導入を行うとか電極形成を行う場合、素子の特性に影響を生じる。
この場合、素子構成の例えば化合物半導体層と、この上に形成される一般的な絶縁層とのエッチング選択性が小さいことから、絶縁層に対してのパターンエッチングを行うとき、絶縁層の下の半導体層表面が幾分侵食されるなど、エッチング面における面内均一性に劣り、このエッチング面を通じて不純物導入を行うとか電極形成を行う場合、素子の特性に影響を生じる。
この現象を、例えば接合ゲート型高電子移動度トランジスタ(HEMT)の例について図7〜図9に工程図を参照して説明する。
この例は、チャネル層を挟んでその上下に電子供給層としてのドーピング層が配置されたダブルドープ型のPHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)構成による場合である。
この場合、図7Aに示すように、半絶縁性(SI)の、GaAsによる半導体基体101上にバッファ層102を介して素子構成層103、この例では、HEMTの構成層をエピタキシャル成長する。
この構成層103は、バッファ層102側から順次、電子供給層としての高不純物濃度のn型のAlGaAsによる下層ドーピング層104、ノンドープのAlGaAsによる下層スペーサ層105、ノンドープのInGaAsによるチャネル層106、ノンドープのAlGaAsによる上層スペーサ層107、電子供給層としての高不純物濃度のn型のAlGaAsによる上層ドーピング層108、n型もしくはノンドープのAlGaAsによるバリア層109と、高不純物濃度のn型のキャップ層110が積層されて成る。
この例は、チャネル層を挟んでその上下に電子供給層としてのドーピング層が配置されたダブルドープ型のPHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)構成による場合である。
この場合、図7Aに示すように、半絶縁性(SI)の、GaAsによる半導体基体101上にバッファ層102を介して素子構成層103、この例では、HEMTの構成層をエピタキシャル成長する。
この構成層103は、バッファ層102側から順次、電子供給層としての高不純物濃度のn型のAlGaAsによる下層ドーピング層104、ノンドープのAlGaAsによる下層スペーサ層105、ノンドープのInGaAsによるチャネル層106、ノンドープのAlGaAsによる上層スペーサ層107、電子供給層としての高不純物濃度のn型のAlGaAsによる上層ドーピング層108、n型もしくはノンドープのAlGaAsによるバリア層109と、高不純物濃度のn型のキャップ層110が積層されて成る。
この素子構成層108に対してゲート部の形成と、ソースおよびドレインの電極取り出し部を形成する。
まず、図7Bに示すように、ゲート形成部のキャップ層110に、開口110Wを形成する。この開口110Wの形成は、フォトリソグラフィによって開口112Wが形成されたフォトレジストによるマスク層112を形成し、その開口112Wを通じてキャップ層110をエッチングすることによって形成することができる。
まず、図7Bに示すように、ゲート形成部のキャップ層110に、開口110Wを形成する。この開口110Wの形成は、フォトリソグラフィによって開口112Wが形成されたフォトレジストによるマスク層112を形成し、その開口112Wを通じてキャップ層110をエッチングすることによって形成することができる。
図7Cに示すように、マスク層111を除去し、キャップ層110上と、その開口110Wを通じて露呈されたバリア層109上に、全面的に、例えばSiNによる絶縁層112を形成する。
図8Aに示すように、キャップ層の開口110W内の絶縁層112に、接合ゲート領域を形成する不純物導入の開口112Wを形成する。
この開口112Wの形成は、開口112の形成部上にフォトリソグラフィによって開口113Wが形成されたマスク層113をフォトリソグラフィによって形成する。この開口113Wを通じてドライエッチング例えばRIE(Reactive Ion Etching)によって絶縁層112に開口112Wを形成する。
そして、図8Bに示すように、開口112Wを通じてバリア層109に、p型不純物のZnを拡散して、接合ゲート領域114を形成する。
その後、図8Cに示すように、開口112Wを通じて、接合ゲート領域114にオーミックコンタクトするゲート電極層115Lを一旦全面的に形成する。
図8Aに示すように、キャップ層の開口110W内の絶縁層112に、接合ゲート領域を形成する不純物導入の開口112Wを形成する。
この開口112Wの形成は、開口112の形成部上にフォトリソグラフィによって開口113Wが形成されたマスク層113をフォトリソグラフィによって形成する。この開口113Wを通じてドライエッチング例えばRIE(Reactive Ion Etching)によって絶縁層112に開口112Wを形成する。
そして、図8Bに示すように、開口112Wを通じてバリア層109に、p型不純物のZnを拡散して、接合ゲート領域114を形成する。
その後、図8Cに示すように、開口112Wを通じて、接合ゲート領域114にオーミックコンタクトするゲート電極層115Lを一旦全面的に形成する。
図9Aに示すように、図8Cにおけるゲート電極層115Lの最終的にゲート電極を形成する部分上に、フォトリソグラフィによってフォトレジストによるマスク層116を形成し、これをマスクとしてゲート電極層115Lを選択的にイオンミリングし、接合ゲート領域114にオーミックコンタクトされたゲート電極115を形成する。
その後、マスク層116を除去し、ゲート電極115と他の後述する電極等との電気的絶縁を高めるために、絶縁層112上に、再び、同様の例えばSiNによる絶縁層112をデポジットする。
次に、図9Bに示すように、フォトリソグラフィによって、ソースおよびドレインの各電極形成部上にそれぞれに開口117WSおよび117WDを有するマスク層117を形成し、これら開口117WSおよび117WDを通じて、ソースおよびドレイン各電極形成開口112WSおよび112WDを形成する。
次に、図9Bに示すように、フォトリソグラフィによって、ソースおよびドレインの各電極形成部上にそれぞれに開口117WSおよび117WDを有するマスク層117を形成し、これら開口117WSおよび117WDを通じて、ソースおよびドレイン各電極形成開口112WSおよび112WDを形成する。
そして、マスク層117上からソースおよびドレイン電極を構成するAuGe/Ni/Auの金属層を順次蒸着した電極金属層を形成、マスク層117を除去することによって、開口112WSおよび112WDを通じてキャップ層110上に被着された部分の金属層のみを残して他部の金属層をリフトオフする。その後、熱処理を行うことによって所要の深さにアロイを行って、図9Cに示すように、ソース電極118Sおよびドレイン電極118Dが形成された目的とするHEMTが形成される。
ところが、このようにして得られたHEMTは、目的とする特性、例えば目的とするしきい値電圧Vthを有するHEMTが必ずしも得られないという問題が生じる。
これは、ゲート領域114を形成する不純物例えばZnのドープを行う図8Bで示す開口112Wの底面が、面内均一性に問題があることによる。
これは、ゲート領域114を形成する不純物例えばZnのドープを行う図8Bで示す開口112Wの底面が、面内均一性に問題があることによる。
例えば図10にショットキー障壁のバンド図を示すショットーゲート型のHEMTのしきい値電圧Vthは、次式(1)で表すことができる。
Vth=ΦB−(qNDa/εS)−ΔEc (1)
ここで
ΦB: ショットキー障壁
q : 電荷
ND: シートキャリア濃度
a:チャネル層とショットキー障壁を形成するゲート電極との距離(以下ゲート・チャネル間距離という)
εS :半導体の誘電率
ΔEc: ヘテロ接合による伝導帯のエネルギー差
を示している。
式(1)から、しきい値電圧Vthの半導体層の面内分布が、半導体層のND,εS,ΔEcの面内ばらつきと、ゲート・チャンネ間距離aによって影響を受けることが分かる。
すなわち、しきい値電圧Vthの面内分布に影響を与える要因を大きく分けると、
要因1.半導体層の特性要因
要因2.プロセス要因
に大別される。
Vth=ΦB−(qNDa/εS)−ΔEc (1)
ここで
ΦB: ショットキー障壁
q : 電荷
ND: シートキャリア濃度
a:チャネル層とショットキー障壁を形成するゲート電極との距離(以下ゲート・チャネル間距離という)
εS :半導体の誘電率
ΔEc: ヘテロ接合による伝導帯のエネルギー差
を示している。
式(1)から、しきい値電圧Vthの半導体層の面内分布が、半導体層のND,εS,ΔEcの面内ばらつきと、ゲート・チャンネ間距離aによって影響を受けることが分かる。
すなわち、しきい値電圧Vthの面内分布に影響を与える要因を大きく分けると、
要因1.半導体層の特性要因
要因2.プロセス要因
に大別される。
そして、ゲート・チャネル間距離aは、要因2によるものであり、このゲート・チャネル間距離aは、例えばショットキー障壁にあっては、ショットキー障壁を形成するショットキー電極の形成面が基準面となり、pn接合ゲートにあっては、接合ゲート領域の不純物導入面が基準面となることから、これらの基準面となるショットキー電極や、不純物導入の各表面位置の面内均一性が問題となる。
例えば接合型ゲートにあっては、図8における接合ゲート領域114とチャネル層106との距離aのばらつきは、ゲート領域114のいわば基準面となる例えば図8Aにおけるゲート領域を形成する開口114の底面のばらつき、すなわちSiNの絶縁層112の厚さの面内ばらつき、開口114の形成時における例えばRIEの深さの面内ばらつきに因る。
例えば接合型ゲートにあっては、図8における接合ゲート領域114とチャネル層106との距離aのばらつきは、ゲート領域114のいわば基準面となる例えば図8Aにおけるゲート領域を形成する開口114の底面のばらつき、すなわちSiNの絶縁層112の厚さの面内ばらつき、開口114の形成時における例えばRIEの深さの面内ばらつきに因る。
このようなショットキー障壁ゲートや、接合ゲート領域のいわば基準面を正確に形成することができるようにすることの改善に関する提案が種々なされている。例えば上述した開口114の底面位置の面内均一性を高めるために、開口の底面、すなわち半導体素子もしくは回路素子の形成面とのエッチング性の選択性が高いエッチング液の提案もなされている(例えば特許文献1参照。) また、例えば半導体素子、あるいは回路素子の形成層の表面がエッチング選択性の高いエッチング選択性の高いエッチングストッパ層を形成するなどの方法がとられる。しかしながら、この場合、このストッパ層が、上述した開口面の底面に残存するものであり、この開口面にストッパとしての機能を有し、かつ素子構成層との選択性の高いストッパ材料の選定に問題がある。
特開平7−176521号公報
本発明は、例えば上述したHEMT等の半導体装置において、その製造プロセス、特にその特性に大きく影響する例えばショットキー障壁形成のゲート電極、接合ゲートを形成するゲート領域の不純物導入の表面の面内均一性をより高めるとか、半導体集積回路等における半導体基体上に抵抗素子等の例えば受動素子等の回路素子を形成する場合における電極形成面の面内均一性、すなわち抵抗値の均一性を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供するものである。
本発明による半導体装置は、半導体基体にもしくは半導体基体上に形成された半導体素子または/および回路素子を構成する素子構成層の不純物導入ないしは電極の形成層上に、該形成層に比してエッチング性の高いエッチング選択性を呈するエッチング犠牲層を介して絶縁層が形成され、
上記エッチング犠牲層の底面位置によって設定され、該絶縁層における第1の開口部と上記エッチング犠牲層における第2の開口部とが貫通して形成された貫通開口有し、
該貫通開口の上記素子構成層に、上記不純物導入ないしは電極が形成されて成ることを特徴とする。
上記エッチング犠牲層の底面位置によって設定され、該絶縁層における第1の開口部と上記エッチング犠牲層における第2の開口部とが貫通して形成された貫通開口有し、
該貫通開口の上記素子構成層に、上記不純物導入ないしは電極が形成されて成ることを特徴とする。
また、本発明による半導体装置は、上述した半導体装置にあって、上記貫通開口を形成する上記第1の開口部の開口に比し、上記第2の開口部の開口面積が大とされ、上記絶縁層の開口部周縁下に空洞が形成されて成ることを特徴とする。
また、本発明は、上述した半導体装置にあって、上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記不純物導入領域がゲート領域であり、上記電極がゲート電極であることを特徴とする。
本発明は、上述した半導体装置にあって、上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記電極がショットキーゲート電極であることを特徴とする。
また、本発明は、上述した半導体装置にあって、上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記不純物導入領域がゲート領域であり、上記電極がゲート電極であることを特徴とする。
本発明は、上述した半導体装置にあって、上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記電極がショットキーゲート電極であることを特徴とする。
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基体にもしくは半導体基体上に、半導体素子または/および回路素子を構成する素子構成層と、該構成層の上記半導体素子または/および回路素子の不純物導入ないしは電極の形成層上に、該形成層に比してエッチング性の高いエッチング選択性を呈するエッチング犠牲層とを形成する工程と、該エッチング犠牲層上に絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層を貫通し、上記エッチング犠牲層を貫通することがない深さの第1の開口部をエッチングによって形成する第1のエッチング工程と、該第1の開口部を通じて、上記エッチング犠牲層を貫通する上記第2の開口部を形成して上記第1および第2の開口部が貫通して形成された貫通開口を形成する第2のエッチング工程と、該貫通開口を通じて該貫通開口の底面に不純物導入工程または/および電極形成を行う工程とを有することを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記第1のエッチング工程を異方性エッチングとし、上記第2のエッチング工程を等方性エッチングとして、上記第1の開口部の開口に比し、上記第2の開口部の開口を大として、上記第1の開口部の周縁下に空洞が形成されるようにしたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記第2のエッチング工程が、ウエットエッチングであることを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記第2のエッチング工程が、ドライエッチング工程であることを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記第2のエッチング工程が、イオン化傾向によるエッチングによることを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記第2のエッチング工程が、ウエットエッチングであることを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記第2のエッチング工程が、ドライエッチング工程であることを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記第2のエッチング工程が、イオン化傾向によるエッチングによることを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの形成層であり、上記貫通開口を通じての底面の不純物導入工程によってゲート領域を形成し、上記貫通開口内の電極形成工程によって、ゲート電極を形成することを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記半導体素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の不純物導入工程によってゲート領域を形成することを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記半導体素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の不純物導入工程によってゲート領域を形成することを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記エッチング犠牲層と、該エッチング犠牲層の直下の上記素子構成層との一方がP(燐)系半導体層で、他方がAs系半導体層であることを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記半導体素子構成層が、少なくともチャネル層を有する電界効果トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記不純物導入工程によって、ゲート領域を構成することを特徴とする。
また、本発明は、上記回路構成層が、抵抗層であり、該抵抗層への電極形成部上に上記貫通開口を形成し、該貫通開口内に上記抵抗層の電極を形成する工程を有することを特徴とする。
また、本発明は、上述した本発明による半導体装置の製造方法にあって、上記半導体素子構成層が、少なくともチャネル層を有する電界効果トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記不純物導入工程によって、ゲート領域を構成することを特徴とする。
また、本発明は、上記回路構成層が、抵抗層であり、該抵抗層への電極形成部上に上記貫通開口を形成し、該貫通開口内に上記抵抗層の電極を形成する工程を有することを特徴とする。
上述したように、本発明による半導体装置においては、絶縁層、具体的には表面絶縁層、あるいは半導体集積回路等においては層間絶縁層と、この絶縁層に形成された第1の開口部を通じて形成される不純物導入領域ないしは電極の形成層との間に、エッチング犠牲層を介在させた構成としたことにより、半導体素子の特性に大きな影響を与える不純物導入領域ないしは電極の形成面の設定を正確に行うことができる。
また、その絶縁層に形成された第1の開口部に比しエッチング犠牲層に形成した第2の開口部を大として、第1の開口部周縁下に、大なる第2の開口部の存在によって空洞が形成される構造とすることにより、この空洞における絶縁層に比し小さい誘電率部分が介在された構成とすることができることによって例えば絶縁層上に渡って形成されたこの開口に配置される電極と素子構成層間に介在される浮遊容量の低減化が図られ、ft(遮断周波数),fmax(最大発振周波数)を高めることができる。
また、本発明による半導体装置の製造方法によれば、半導体装置を構成する半導体素子、あるいは回路素子の構成層の不純物導入領域ないしは電極例えばHEMTにおいて、その接合ゲート領域、あるいはその電極もしくはショットキー電極の形成層の再上層構成層上に、これに対しエッチング選択性を有するエッチング犠牲層を介して絶縁層を形成したことによって、不純物導入あるいは電極形成のための絶縁層に対する第1の開口部の形成、すなわち第1のエッチングにおいては、エッチング犠牲層を貫通することがない範囲で、絶縁層を完全に貫通するいわゆるオーバーエッチングを行うことができるので、絶縁層の開口を確実に行うことができる。
そして、次にエッチング犠牲層について、第1の開口部を通じてエッチングを行って第2の開口部を形成して第1および第2の開口部による貫通開口を形成するものであるが、このとき、エッチング犠牲層が、素子構成層の最上層に比し高いエッチング性、すなわちエッチングレートを有するエッチングによって行うことから、エッチング犠牲層のみを除去することができる。このようにして、第2の開口部の底面、すなわち貫通開口部の底面は、絶縁層の厚さの面内不均一性、および貫通開口形成のエッチングの面内不均一性の影響が回避される。
そして、次にエッチング犠牲層について、第1の開口部を通じてエッチングを行って第2の開口部を形成して第1および第2の開口部による貫通開口を形成するものであるが、このとき、エッチング犠牲層が、素子構成層の最上層に比し高いエッチング性、すなわちエッチングレートを有するエッチングによって行うことから、エッチング犠牲層のみを除去することができる。このようにして、第2の開口部の底面、すなわち貫通開口部の底面は、絶縁層の厚さの面内不均一性、および貫通開口形成のエッチングの面内不均一性の影響が回避される。
したがって、貫通開口の底面から不純物のドーピングを行って、例えばHEMTにおける接合ゲート領域を形成するとか、あるいはショットキーゲート電極を形成するとき、前記(1)式におけるからゲート・チャネル間距離aを、所定の距離に、かつ高い面内均一性をもって形成することができる。
また、同様の理由から、各種回路素子例えば抵抗の電極形成部において、その電極形成面の位置および面内均一性を高めることができるので、安定して高い精度の高い抵抗を得ることができるものである。
また、同様の理由から、各種回路素子例えば抵抗の電極形成部において、その電極形成面の位置および面内均一性を高めることができるので、安定して高い精度の高い抵抗を得ることができるものである。
本発明による半導体装置と、本発明による半導体装置の製造方法の形態例を図面を参照して説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
[実施の形態例1]
図1〜図3の各工程の概略断面図を参照して本発明による半導体装置、この例では、接合ゲート型HEMTを、本発明による半導体製造方法によって製造する一形態例を説明する。
この例は、チャネル層を挟んでその上下に電子供給層としてのドーピング層が配置されたダブルドープ型のAlGaAs/InGaAsPHEMT構成による場合である。
この場合、図1Aに示すように、GaAsによる半絶縁性(SI)の半導体基体1上にバッファ層2を介して素子構成層3、この例では、HEMTを構成する構成層3をエピタキシャル成長する。
[実施の形態例1]
図1〜図3の各工程の概略断面図を参照して本発明による半導体装置、この例では、接合ゲート型HEMTを、本発明による半導体製造方法によって製造する一形態例を説明する。
この例は、チャネル層を挟んでその上下に電子供給層としてのドーピング層が配置されたダブルドープ型のAlGaAs/InGaAsPHEMT構成による場合である。
この場合、図1Aに示すように、GaAsによる半絶縁性(SI)の半導体基体1上にバッファ層2を介して素子構成層3、この例では、HEMTを構成する構成層3をエピタキシャル成長する。
この構成層3は、バッファ層2側から電子供給層としての高不純物濃度のn型のAlGaAsによる下層ドーピング層4、ノンドープのAlGaAsによる下層スペーサ層5、ノンドープのInGaAsによるチャネル層6、ノンドープのAlGaAsによる上層スペーサ層7、電子供給層としての高不純物濃度のn型のAlGaAsによる上層ドーピング層8、n型もしくはノンドープのAlGaAsによるバリア層9と、高不純物濃度のn型のキャップ層10とによる素子構成層3を成膜するものであるが、本発明においては、このバリア層9上に例えばn型のIn0.48Ga0.52Pによるエッチング犠牲層20を厚さ数十nm以下の例えば15nmに成膜し、この上に上述したキャップ層10を成膜する。と、例えば連続エピタキシャル成長によって形成する。これら半導体層は、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)による連続エピタキシャル成長によって成膜して半導体基板21を構成することができる。
図1Bに示すように、半導体基板21上、すなわちキャップ層10上に、フォトリソグラフィによってゲート形成部より幅広の開口11Wが形成されたレジスト層によるマスク層11を形成する。そして、このマスク層11の開口11Wを通じてキャップ層10をエッチングして、開口11Wを形成し、この開口11Wを通じてエッチング犠牲層20を露呈する。
この開口11Wを形成するエッチングは、例えばドライエッチングあるいはウエットエッチングによって、形成することができる。
ドライエッチングにおいては、例えばBCl3とArとの混合ガスを用いたECR(Electron Cyclotron Resonance)法によることができ、ウエットエッチングにおいては、H3POと、H2O2と、H2Oとの1:1:1の混合液によるエッチング液を用いるエッチングによって例えばGaAsによるキャップ層10に対して選択的にエッチングを行うことができ、開口10Wを穿設することができる。
この開口11Wを形成するエッチングは、例えばドライエッチングあるいはウエットエッチングによって、形成することができる。
ドライエッチングにおいては、例えばBCl3とArとの混合ガスを用いたECR(Electron Cyclotron Resonance)法によることができ、ウエットエッチングにおいては、H3POと、H2O2と、H2Oとの1:1:1の混合液によるエッチング液を用いるエッチングによって例えばGaAsによるキャップ層10に対して選択的にエッチングを行うことができ、開口10Wを穿設することができる。
図1Cに示すように、マスク層11を除去し、キャップ層10上と、その開口10Wを通じて露呈されたエッチング犠牲層20上に、全面的に、例えばSiNによる絶縁層12を例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって形成する。
図2Aに示すように、絶縁層12上に、フォトリソグラフィによって、接合ゲート領域の形成部上に相当する部分に開口13Wを有するレジストによるマスク層13を形成する。
このマスク層13の開口13Wを通じて、絶縁層12に、接合ゲート領域を形成する不純物導入部に第1の開口部31をエッチング形成する。
この第1の開口部31の形成のためのエッチングは、例えばCHF3,CF4,O2の混合ガスによるRIE(Reactive Ion Etching)によって形成することができる。
この第1の開口部31は、絶縁層12を貫通するように、絶縁層12の全厚さに渡る深さに形成するものであり、この場合、このエッチングは、エッチング犠牲層20を貫通することがない範囲で、エッチング犠牲層20に差し掛かるいわゆるオーバーエッチングとすることができることから、確実に絶縁層12を貫通する第1の開口部31を形成することができる。
このマスク層13の開口13Wを通じて、絶縁層12に、接合ゲート領域を形成する不純物導入部に第1の開口部31をエッチング形成する。
この第1の開口部31の形成のためのエッチングは、例えばCHF3,CF4,O2の混合ガスによるRIE(Reactive Ion Etching)によって形成することができる。
この第1の開口部31は、絶縁層12を貫通するように、絶縁層12の全厚さに渡る深さに形成するものであり、この場合、このエッチングは、エッチング犠牲層20を貫通することがない範囲で、エッチング犠牲層20に差し掛かるいわゆるオーバーエッチングとすることができることから、確実に絶縁層12を貫通する第1の開口部31を形成することができる。
この場合、この第1の開口部31の深さは、この第1の開口部31を通じてバリア層9に、p型不純物のZnを拡散して、接合ゲート領域14を形成する。
その後、図2Bに示すように、絶縁層12をマスクとして、その第1の開口部31を通じてエッチング犠牲層20をその全厚さに渡って貫通エッチングして第2の開口部32を穿設し、第1および第2の開口部31および32が貫通して形成された貫通開口33を形成する。
第2の開口部32を形成するためのエッチングは、エッチング犠牲層20の底面に接する素子形成層3の構成層、この例ではバリア層9に対するエッチング性に比し高いエッチング性を有する選択性を有し、更に、望ましくは等方性エッチングを示す例えばウエットエッチングによって形成される。
このウエットエッチングは、エッチング犠牲層20を形成するInGaPのエッチングとこの下のAlGaAsとのエッチングの選択比が10000にも及ぶ高い選択性を示す例えばHCl系エッチング液によって行うことができる。
このように、第2の開口部20を等方性のウエットエッチングによって形成することによってその開口幅が、第1の開口部31の開口幅より大に形成することによって第1の開口部31の周縁部下に第2の開口部32が存在しない空洞34が生じるようになすことができる。
第2の開口部32を形成するためのエッチングは、エッチング犠牲層20の底面に接する素子形成層3の構成層、この例ではバリア層9に対するエッチング性に比し高いエッチング性を有する選択性を有し、更に、望ましくは等方性エッチングを示す例えばウエットエッチングによって形成される。
このウエットエッチングは、エッチング犠牲層20を形成するInGaPのエッチングとこの下のAlGaAsとのエッチングの選択比が10000にも及ぶ高い選択性を示す例えばHCl系エッチング液によって行うことができる。
このように、第2の開口部20を等方性のウエットエッチングによって形成することによってその開口幅が、第1の開口部31の開口幅より大に形成することによって第1の開口部31の周縁部下に第2の開口部32が存在しない空洞34が生じるようになすことができる。
しかしながら、この空洞34が生じないように構成する場合は、第2の開口部32の形成を等方性エッチングによらないエッチングによって形成する。
このエッチングとしては、例えばバリア層9のAlGaAsに比して高いエッチング性を示す選択的エッチングを行うことができるCH4とH2とArとの混合ガスを用いたECRによるドライエッチングによることができる。
このエッチングとしては、例えばバリア層9のAlGaAsに比して高いエッチング性を示す選択的エッチングを行うことができるCH4とH2とArとの混合ガスを用いたECRによるドライエッチングによることができる。
次に、図2Cに示すように、貫通開口33を通じて、n型のバリア層9上にp型の不純物を導入して接合ゲート領域14を形成する。この接合ゲート領域14の形成は、例えばZnの拡散によって形成することができる。
次に、図示しないが、貫通開口33を通じて、接合ゲート領域14にオーミックコンタクトするゲート電極層を一旦全面的に形成し、フォトリソグラフィによるレジストマスク層を用いて、例えばイオンミリングによってパターンエッチングを行って、図3Aに示すように、ゲート電極15を形成する。
その後、マスク層16を除去し、上述したイオンミリングによって絶縁層12の厚さの減少を補償し、また、ゲート電極15と他の後述する電極等との電気的絶縁を高めるために、絶縁層12上に、再び、同様の例えばSiNによる絶縁層12を同様に例えばCVDによって厚さ例えば100nm程度全面的に成膜する。
そして、図3Bに示すように、絶縁層12上に、フォトリソグラフィによって、ソースおよびドレインの各電極形成部上にそれぞれに開口17WSおよび17WDを有するマスク層17を形成する。
これら開口17WSおよび17WDを通じて、絶縁層12に上述したソースおよびドレイン各電極形成開口12WSおよび12WDを形成する。
そして、図3Bに示すように、絶縁層12上に、フォトリソグラフィによって、ソースおよびドレインの各電極形成部上にそれぞれに開口17WSおよび17WDを有するマスク層17を形成する。
これら開口17WSおよび17WDを通じて、絶縁層12に上述したソースおよびドレイン各電極形成開口12WSおよび12WDを形成する。
そして、マスク層17上からソースおよびドレイン電極を構成するAuGe/Ni/Auの金属層を順次蒸着した電極金属層を形成、マスク層17を除去することによって、開口12WSおよび12WDを通じてキャップ層10上に被着された部分の金属層のみを残して他部の金属層をリフトオフする。その後、300℃〜500℃の熱処理を行うことによって所要の深さにアロイを行って、図3Cに示すように、ソース電極18Sおよびドレイン電極18Dが形成された目的とするHEMTが形成される。
このようにして形成された本発明によるHEMTは、その接合ゲート領域14の不純物導入面が、エッチング犠牲層20の底面によって設定された、すなわちこのエッチング犠牲層とその下の、素子構成層3を形成する層、この例ではバリア層9とのエッチングの選択性を利用して露呈させた面であることから、エッチング犠牲層20の厚さや、絶縁層の厚さの不均一性、エッチングのばらつき等に起因する不純物導入面における不均一性が排除された面として形成される。
したがって、この面から不純物導入された接合ゲート領域14の深さの面内均一性が高められる。
すなわち、前述したゲート・チャネル間距離aの面内均一性が高められることにより、安定した目的とするしきい値電圧Vthが設定されたHEMTを得ることができるものである。
したがって、この面から不純物導入された接合ゲート領域14の深さの面内均一性が高められる。
すなわち、前述したゲート・チャネル間距離aの面内均一性が高められることにより、安定した目的とするしきい値電圧Vthが設定されたHEMTを得ることができるものである。
そして、上述したように、エッチング犠牲層20に空洞34を形成するときは、ゲート・ドレイン間の寄生容量( Cgd )を、絶縁層12に比して低誘電率の空洞34の存在によって低減することができることから、高周波数特性の遮断周波数ft,最大発振周波数fmaxの改善を図ることができる。
尚、上述したHEMTにおいては、ダブルドープ型のPHEMT構成とした場合であるが、ダブルドープ型構成によらない例えばチャネル層6の上層にのみ電子供給層のドーピング層が配置された構成とすることもできる。
また、上述した例では、素子構成層3のエッチング犠牲層20が形成されるバリア層9がAlGaAsである場合で、この場合エッチング選択比がえられるエッチング犠牲層20がP(燐)系のInGaPによって構成した場合であるが、バリア層9が例えばIn0.48Ga0.58PのP(燐)系である場合は、エッチング犠牲層をAs系のAlGaAsによって構成することによって、エッチング選択性を得るようにすることができる。
また、上述した例では、素子構成層3のエッチング犠牲層20が形成されるバリア層9がAlGaAsである場合で、この場合エッチング選択比がえられるエッチング犠牲層20がP(燐)系のInGaPによって構成した場合であるが、バリア層9が例えばIn0.48Ga0.58PのP(燐)系である場合は、エッチング犠牲層をAs系のAlGaAsによって構成することによって、エッチング選択性を得るようにすることができる。
また、上述したHEMTにおいては、ゲートがpn接合による接合ゲート領域構成とした場合であるが、ショットキーゲート型HEMTに適用することもでき、この場合においては、上述した接合ゲート領域14およびゲート電極15に代えてショットキーメタルを配置する構成とするなど、上述したHEMTの実施形態例に限定されることなく、本発明装置の構成および製造方法の実施の形態を採ることができる。
また、本発明は、HEMTに適用する場合に限られるものではなく、種々の半導体装置に適用することができるものである。
また、本発明は、HEMTに適用する場合に限られるものではなく、種々の半導体装置に適用することができるものである。
図4および図5の各工程の概略断面図を参照して、接合型電界効果トランジスタJFETについて、その製造方法の実施の形態例とともに共に説明する。
[実施の形態例2]
この例においては、nチャネル型のJFETによる場合で、図4Aに示すように、例えば半絶縁性のGaAsより成る半導体基体1上に、例えばInGaPによるエッチング犠牲層20を例えば数十nm以下例えば15nmの厚さにエピタキシャル成長する。
そして、このエッチング犠牲層20上に、例えばSiNによる絶縁層12を例えばCVDによって成膜する。
[実施の形態例2]
この例においては、nチャネル型のJFETによる場合で、図4Aに示すように、例えば半絶縁性のGaAsより成る半導体基体1上に、例えばInGaPによるエッチング犠牲層20を例えば数十nm以下例えば15nmの厚さにエピタキシャル成長する。
そして、このエッチング犠牲層20上に、例えばSiNによる絶縁層12を例えばCVDによって成膜する。
図4Bに示すように、フォトリソグラフィによって目的とするFETの形成部に開口50Wを有するフォトレジストによるマスク層50を形成し、その開口50を通じて、n型不純物をイオン注入して、低不純物濃度のn型のチャネル形成層となるFETの素子構成層3を形成する。
図4Cに示すように、マスク層50を除去し、あらためてフォトリソグラフィによってFETの接合ゲート領域を形成する不純物導入を行う部分上に、開口51Wを有するフォトレジストによるマスク層51を形成する。
そして、マスク51の開口51Wを通じて絶縁層12を、例えば前述したと同様のドライエッチング例えばCHF3,CF4,O2の混合ガスによるRIE(Reactive Ion Etching)によって形成することができる。
この場合においても、第1の開口部31は、絶縁層12を貫通するように、絶縁層12の全厚さに渡る深さに形成するものであり、この場合、このエッチングは、エッチング犠牲層20を貫通することがない範囲で、エッチング犠牲層20に差し掛かるいわゆるオーバーエッチングとすることができることから、確実に絶縁層12を貫通する第1の開口部31を形成することができる。
図4Cに示すように、マスク層50を除去し、あらためてフォトリソグラフィによってFETの接合ゲート領域を形成する不純物導入を行う部分上に、開口51Wを有するフォトレジストによるマスク層51を形成する。
そして、マスク51の開口51Wを通じて絶縁層12を、例えば前述したと同様のドライエッチング例えばCHF3,CF4,O2の混合ガスによるRIE(Reactive Ion Etching)によって形成することができる。
この場合においても、第1の開口部31は、絶縁層12を貫通するように、絶縁層12の全厚さに渡る深さに形成するものであり、この場合、このエッチングは、エッチング犠牲層20を貫通することがない範囲で、エッチング犠牲層20に差し掛かるいわゆるオーバーエッチングとすることができることから、確実に絶縁層12を貫通する第1の開口部31を形成することができる。
次に、図5Aに示すように、絶縁層12の第1の開口部31を通じて、エッチング犠牲層20をエッチングしてこのエッチング犠牲層20を貫通する第2の開口部32を形成して第1および第2の開口部31および32による貫通開口33を形成する。
このエッチングにおいても、エッチング犠牲層20のエッチング性が、このエッチング犠牲層20の下面に接するGaAsによる半導体基体1に比して高いエッチング性を示す選択的エッチングを行うことができるCH4とH2とArとの混合ガスを用いたECRによるドライエッチングによることができる。
図5Bに示すように、貫通開口33を通じて上述したn型の素子構成層3に、これとは異なる導電型のp型不純物の、例えばZnの拡散による不純物導入を行って接合ゲート領域54を、素子構成層3のチャネル形成層より浅く形成する。
このエッチングにおいても、エッチング犠牲層20のエッチング性が、このエッチング犠牲層20の下面に接するGaAsによる半導体基体1に比して高いエッチング性を示す選択的エッチングを行うことができるCH4とH2とArとの混合ガスを用いたECRによるドライエッチングによることができる。
図5Bに示すように、貫通開口33を通じて上述したn型の素子構成層3に、これとは異なる導電型のp型不純物の、例えばZnの拡散による不純物導入を行って接合ゲート領域54を、素子構成層3のチャネル形成層より浅く形成する。
その後、図5Cに示すように、図3で説明した方法に準ずる方法によって接合ゲート領域54上にオーミックにゲート電極55を形成し、接合ゲート領域54下にチャネル層を形成する素子構成層3の接合ゲート領域54を挟んでその両側をソース領域およびドレイン領域としてこれら領域上に、ソース電極58Sおよびドレイン電極58Dを形成する。
すなわち、図示しないが、貫通開口33を通じて、接合ゲート領域54にオーミックコンタクトする例えばTi/Pt/Auによるゲート電極層を一旦全面的に形成し、フォトリソグラフィによるレジストマスク層を用いて、例えばイオンミリングによってパターンエッチングを行って、ゲート電極55を形成する。
すなわち、図示しないが、貫通開口33を通じて、接合ゲート領域54にオーミックコンタクトする例えばTi/Pt/Auによるゲート電極層を一旦全面的に形成し、フォトリソグラフィによるレジストマスク層を用いて、例えばイオンミリングによってパターンエッチングを行って、ゲート電極55を形成する。
その後、マスク層を除去し、図示しないがさらに絶縁層12を全面的に成膜し、ソースおよびドレインの各電極形成部上にそれぞれに開口をフォトリソグラフィを用いたパターンエッチングによって形成し、これら開口を通じて、ソースおよびドレイン電極を構成する例えばAuGe/Ni/Auの金属層を順次蒸着した電極金属層を形成し、所要のパターンにドライエッチングし、アロイを行って、ソース電極58Sおよびドレイン電極58Dが形成された目的とするJFETを形成される。
このようにして形成された本発明によるJFETは、その接合ゲート領域54の不純物導入面が、エッチング犠牲層20の底面によって設定された、すなわちこのエッチング犠牲層とその下の、素子構成層3とのエッチングの選択性を利用して露呈させた面であることから、エッチング犠牲層20の厚さや、絶縁層の厚さの不均一性、エッチングのばらつき等に起因する不純物導入面における不均一性が排除された面として形成される。
したがって、この面から不純物導入された接合ゲート領域14の深さの面内均一性が高められる。
すなわち、前述したゲート・チャネル間距離aの面内均一性が高められることにより、安定した目的とするしきい値電圧Vthが設定されたJFETを得ることができるものである。
したがって、この面から不純物導入された接合ゲート領域14の深さの面内均一性が高められる。
すなわち、前述したゲート・チャネル間距離aの面内均一性が高められることにより、安定した目的とするしきい値電圧Vthが設定されたJFETを得ることができるものである。
次に、例えば回路素子としての抵抗素子を有する半導体装置について実施の形態例を図6の工程図を参照して説明する。
[実施の形態例3]
この例では、半導体基体上に図6Eに概略断面図を示すように、半導体基体1上に、抵抗素子の端子となる対の電極61および62がオーミックコンタクトされて、両電極61および62間に所定の抵抗値を有する抵抗を形成する場合である。
この場合、図6Aに示すように、例えば半絶縁性のGaAsによる半導体基体1上に、素子構成層3として、例えばTaサーメットによる抵抗層が形成され、その電極形成部に表面層として、例えば下層から、Ti、Pt、Auが順次例えば蒸着によって形成された金属層70が形成され、この上に例えばNiよりなるエッチング犠牲層20を形成する。金属層70は、導電性が高く、かつ少なくともその最表面層が、イオン化傾向がエッチング犠牲層20に比して小さく、イオン化されにくい金属層によって構成される。
[実施の形態例3]
この例では、半導体基体上に図6Eに概略断面図を示すように、半導体基体1上に、抵抗素子の端子となる対の電極61および62がオーミックコンタクトされて、両電極61および62間に所定の抵抗値を有する抵抗を形成する場合である。
この場合、図6Aに示すように、例えば半絶縁性のGaAsによる半導体基体1上に、素子構成層3として、例えばTaサーメットによる抵抗層が形成され、その電極形成部に表面層として、例えば下層から、Ti、Pt、Auが順次例えば蒸着によって形成された金属層70が形成され、この上に例えばNiよりなるエッチング犠牲層20を形成する。金属層70は、導電性が高く、かつ少なくともその最表面層が、イオン化傾向がエッチング犠牲層20に比して小さく、イオン化されにくい金属層によって構成される。
これら金属層70およびエッチング犠牲層20は、それぞれ一旦全面的に形成し、フォトリソグラフィを用いたパターンエッチングによって電極形成部に形成するか、フォトリソグラフィによるマスクを形成し、この上に金属層70およびエッチング犠牲層20を全面的に形成し、リフトオフによって上述したように電極形成部に限定的に形成することが
できる。
そして、これら金属層70およびエッチング犠牲層20を覆って、例えばSiNより成る絶縁層12を全面的に例えばCVD法によって形成する。
できる。
そして、これら金属層70およびエッチング犠牲層20を覆って、例えばSiNより成る絶縁層12を全面的に例えばCVD法によって形成する。
図6Bに示すように、絶縁層12上に、例えばフォトリソグラフィによって、電極形成部上に開口71Wを有するフォトレジストによるマスク層71を形成する。
次に、図6Cに示すように、マスク層71の開口71Wを通じて絶縁層12を、前述した各実施の形態例におけると同様のRIEドライエッチングを行って、電極形成部の絶縁層12をエッチングして第1の開口部31を形成する。
この第1の開口部31は、エッチング犠牲層20を貫通することがない程度で、絶縁層12を貫通するオーバーエッチングを行うことができる。
次に、図6Cに示すように、マスク層71の開口71Wを通じて絶縁層12を、前述した各実施の形態例におけると同様のRIEドライエッチングを行って、電極形成部の絶縁層12をエッチングして第1の開口部31を形成する。
この第1の開口部31は、エッチング犠牲層20を貫通することがない程度で、絶縁層12を貫通するオーバーエッチングを行うことができる。
そして、図6Dに示すように、第1の開口部31を通じて露呈されたエッチング犠牲層20を、例えば等方性エッチングによって除去して、第2の開口部32を形成し、これら第1および第2の開口部31および32によって金属層70、すなわち素子構成層3の表面層を露呈させる貫通開口33を形成する。
このエッチング犠牲層20のエッチングは、上述した金属層70とのイオン化傾向の相違を用いて、HCl,HNO3,H2SO4等によるエッチングによることができる。
このエッチング犠牲層20のエッチングは、上述した金属層70とのイオン化傾向の相違を用いて、HCl,HNO3,H2SO4等によるエッチングによることができる。
その後、図6Eに示すように、貫通開口33内の金属層70上に例えばAuによる電極61および62を形成する。
このようにして、目的とする抵抗素子を回路素子とする半導体装置を得る。
このようにして形成した半導体装置においても、電極61および62の形成面が、エッチングの選択比を利用した素子構成部3の表面層の金属層70とエッチング犠牲層20の界面、すなわちエッチング犠牲層20の底面によって電極61および62の形成面が規定されることから、絶縁層12の厚さ、そのエッチングの面内不均一性を回避して、電極61および62の形成面を正確に設定できることから、抵抗のばらつきの改善が図られるものである。
このようにして、目的とする抵抗素子を回路素子とする半導体装置を得る。
このようにして形成した半導体装置においても、電極61および62の形成面が、エッチングの選択比を利用した素子構成部3の表面層の金属層70とエッチング犠牲層20の界面、すなわちエッチング犠牲層20の底面によって電極61および62の形成面が規定されることから、絶縁層12の厚さ、そのエッチングの面内不均一性を回避して、電極61および62の形成面を正確に設定できることから、抵抗のばらつきの改善が図られるものである。
尚、上述した実施形態例では、HEMT、JFET、抵抗素子の半導体素子および回路素子の単体についてその構造および製造方法について説明したものであるが、言うまでもなく、これらは、それぞれ複数個同時に形成することができるし、半導体集積回路として複数、組み合わせ形成する構成とすることができるなど、上述した例に限定されるものではない。
また、上述した各例において、その導電型は、図示と逆導電型とすることもできる。
また、上述した各例において、その導電型は、図示と逆導電型とすることもできる。
1,101……半導体基体、2,102……バッファ層、3,103……素子構成層、4,104……下層ドーピング層、5,105……下層スペーサ層、6,106……チャネル層、7,107……上層スペーサ層、8,108……上層ドーピング層、9,109・・・バリア層、10,110……キャップ層、11,111……マスク層、12,112……絶縁層、13,113……マスク層、14,114……接合ゲート領域、115L……ゲート電極層、15,115……ゲート電極、16,116……マスク層、17,117……マスク層、20……エッチング犠牲層、21……半導体基板、31……第1の開口部、32……第2の開口部、33……貫通開口、34……空洞、50,51……マスク層、54……ゲート領域、55……ゲート電極、58S……ソース電極、58D……ドレイン電極、61,62……電極、70……金属層、71……マスク層、71W……開口
Claims (15)
- 半導体基体に、もしくは半導体基体上に形成された半導体素子または/および回路素子を構成する素子構成層の不純物導入ないしは電極の形成層上に、該形成層に比してエッチング性の高いエッチング選択性を呈するエッチング犠牲層を介して絶縁層が形成され、
上記エッチング犠牲層の底面位置によって設定され、該絶縁層における第1の開口部と上記エッチング犠牲層における第2の開口部とが貫通して形成された貫通開口有し、
該貫通開口の上記素子構成層に、上記不純物導入ないしは電極が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。 - 上記貫通開口を形成する上記第1の開口部の開口に比し、上記第2の開口部の開口面積が大とされ、上記絶縁層の開口部周縁下に空洞が形成されて成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記不純物導入領域がゲート領域であり、上記電極がゲート電極であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記電極がショットキーゲート電極であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 上記素子構成層が、少なくともチャネル層を有する電界効果トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記不純物導入領域がゲート領域であり、上記電極がゲート電極であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体基体に、もしくは半導体基体上に、
半導体素子または/および回路素子を構成する素子構成層と、該構成層の上記半導体素子または/および回路素子の不純物導入ないしは電極の形成層上に、該形成層に比してエッチング性の高いエッチング選択性を呈するエッチング犠牲層とを形成する工程と、
該エッチング犠牲層上に絶縁層を形成する工程と、
上記絶縁層を貫通し、上記エッチング犠牲層を貫通することがない深さの第1の開口部をエッチングによって形成する第1のエッチング工程と、
該第1の開口部を通じて、上記エッチング犠牲層を貫通する上記第2の開口部を形成して上記第1および第2の開口部が貫通して形成された貫通開口を形成する第2のエッチング工程と、
該貫通開口を通じて該貫通開口の底面に不純物導入工程または/および電極形成を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記第1のエッチング工程を異方性エッチングとし、上記第2のエッチング工程を等方性エッチングとして、上記第1の開口部の開口に比し、上記第2の開口部の開口を大として、上記第1の開口部の周縁下に空洞が形成されるようにしたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記第2のエッチング工程が、ウエットエッチングであることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記第2のエッチング工程が、ドライエッチング工程であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記第2のエッチング工程が、イオン化傾向によるエッチングによることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口を通じての底面の不純物導入工程によってゲート領域を形成し、上記貫通開口内の電極形成工程によって、ゲート電極を形成することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記半導体素子構成層が、少なくともチャネル層と、電子供給層とを有する高電子移動度トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の不純物導入工程によってゲート領域を形成することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記エッチング犠牲層と、該エッチング犠牲層の直下の上記素子構成層との一方がP(燐)系半導体層で、他方がAs系半導体層であることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記半導体素子構成層が、少なくともチャネル層を有する電界効果トランジスタの構成層であり、上記貫通開口の底面の上記不純物導入工程によって、ゲート領域を形成することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記回路構成層が、抵抗層であり、該抵抗層への電極形成部上に上記貫通開口を形成し、該貫通開口内に上記抵抗層の電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2005054014A JP2006237534A (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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