JPH11168060A - 位置精度計測方法 - Google Patents
位置精度計測方法Info
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- JPH11168060A JPH11168060A JP9348478A JP34847897A JPH11168060A JP H11168060 A JPH11168060 A JP H11168060A JP 9348478 A JP9348478 A JP 9348478A JP 34847897 A JP34847897 A JP 34847897A JP H11168060 A JPH11168060 A JP H11168060A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- measurement
- position accuracy
- group
- glass plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アライメント計測精度を劣化させることなく、
且つデバイス製造の生産性を低下させないアライメント
精度計測方法を提供することを課題とする。 【解決手段】基板ＰのパターンＷ上に複数個の計測箇所
Ｍを設け、複数枚の基板Ｐについて計測箇所Ｍを計測
し、この計測結果に基づいてパターンＷの位置精度を計
測する位置精度計測方法において、複数枚の基板Ｐを少
なくとも第１グループの基板Ｐ1、Ｐ3…と、第１グルー
プとは異なる第２グループの基板Ｐ2、Ｐ4…とに分別
し、第１グループの基板は複数個の計測箇所Ｍのうちの
第１の計測箇所Ｍaを計測し、第２グループの基板は複
数個の計測箇所Ｍのうちの第２の計測箇所Ｍbを計測す
ることを特徴とする。
且つデバイス製造の生産性を低下させないアライメント
精度計測方法を提供することを課題とする。 【解決手段】基板ＰのパターンＷ上に複数個の計測箇所
Ｍを設け、複数枚の基板Ｐについて計測箇所Ｍを計測
し、この計測結果に基づいてパターンＷの位置精度を計
測する位置精度計測方法において、複数枚の基板Ｐを少
なくとも第１グループの基板Ｐ1、Ｐ3…と、第１グルー
プとは異なる第２グループの基板Ｐ2、Ｐ4…とに分別
し、第１グループの基板は複数個の計測箇所Ｍのうちの
第１の計測箇所Ｍaを計測し、第２グループの基板は複
数個の計測箇所Ｍのうちの第２の計測箇所Ｍbを計測す
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子や半
導体素子の製造工程における、パターンの重ね合わせ精
度と単位パターンのつなぎ合わせ精度とを計測する位置
精度計測方法に関するものである。
導体素子の製造工程における、パターンの重ね合わせ精
度と単位パターンのつなぎ合わせ精度とを計測する位置
精度計測方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子や半導体素子等のデバイス
は、ウエハやガラスプレート等の基板上にレジスト等の
感光剤を塗布し、レチクルやマスク等の投影原版上に配
置されたマスクパターンを基板上に露光し、露光された
基板を現像し、基板上に露光されたマスクパターンの位
置精度を計測する、一連の処理工程によって製造されて
いる。
は、ウエハやガラスプレート等の基板上にレジスト等の
感光剤を塗布し、レチクルやマスク等の投影原版上に配
置されたマスクパターンを基板上に露光し、露光された
基板を現像し、基板上に露光されたマスクパターンの位
置精度を計測する、一連の処理工程によって製造されて
いる。
【０００３】露光工程では、１個のマスクパターンによ
って露光される１個の単位パターンを複数個つなぎ合わ
せて合成パターンを構成し、１枚の基板上に複数の合成
パターンを形成する。また、第１層目の合成パターンが
形成されているガラスプレートは、その後の加工工程を
終え、再び投影露光装置に設置される。そして第２層目
の合成パターンを重ね合わせて露光する。このようにし
て複数層の合成パターンを基板上に形成する。
って露光される１個の単位パターンを複数個つなぎ合わ
せて合成パターンを構成し、１枚の基板上に複数の合成
パターンを形成する。また、第１層目の合成パターンが
形成されているガラスプレートは、その後の加工工程を
終え、再び投影露光装置に設置される。そして第２層目
の合成パターンを重ね合わせて露光する。このようにし
て複数層の合成パターンを基板上に形成する。
【０００４】つぎに、位置精度計測の工程においては、
測定機により同じ層の単位パターン間のつなぎ合わせ誤
差を測定したり、第１層目のパターンと第２層目のパタ
ーンとの重ね合わせ誤差を測定していた。図７は、複数
の基板上に露光された単位パターンＳで構成される合成
パターンＷを示す。１個の合成パターンＷは４個の単位
パターンＳ を画面合成によってつなぎ合わせて、１枚の
ガラスプレートＰ上に形成するものとする。単位パター
ンＳには、計測箇所Ｍが配置されている。
測定機により同じ層の単位パターン間のつなぎ合わせ誤
差を測定したり、第１層目のパターンと第２層目のパタ
ーンとの重ね合わせ誤差を測定していた。図７は、複数
の基板上に露光された単位パターンＳで構成される合成
パターンＷを示す。１個の合成パターンＷは４個の単位
パターンＳ を画面合成によってつなぎ合わせて、１枚の
ガラスプレートＰ上に形成するものとする。単位パター
ンＳには、計測箇所Ｍが配置されている。
【０００５】従来のこの種の位置精度計測方法において
は、単位パターンＳに配置された計測箇所Ｍ の全点につ
いて計測をおこなっていた。１層目の露光が完了した複
数の基板Ｐについて、各計測箇所Ｍの計測値を平均し
て、１層目の単位パターンＳの配列座標値を求めてい
た。この配列座標値と設計上の配列座標値との誤差を計
算し、第２層目の合成パターンＷの重ね合わせ露光を行
うために座標位置の指示を投影露光装置に出していた。
図７中、○印は計測箇所Ｍを示す。また各基板Ｐ1〜ＰN
に付したＭは、いずれの基板Ｐ1〜ＰNも、計測箇所Ｍを
実際の計測点として計測するという意味である。
は、単位パターンＳに配置された計測箇所Ｍ の全点につ
いて計測をおこなっていた。１層目の露光が完了した複
数の基板Ｐについて、各計測箇所Ｍの計測値を平均し
て、１層目の単位パターンＳの配列座標値を求めてい
た。この配列座標値と設計上の配列座標値との誤差を計
算し、第２層目の合成パターンＷの重ね合わせ露光を行
うために座標位置の指示を投影露光装置に出していた。
図７中、○印は計測箇所Ｍを示す。また各基板Ｐ1〜ＰN
に付したＭは、いずれの基板Ｐ1〜ＰNも、計測箇所Ｍを
実際の計測点として計測するという意味である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板であるガ
ラスプレートは生産性の要求から大型化していく傾向に
あり、更に合成パターンには精度の高いつなぎ合わせと
重ね合わせによって形成されることが要求されている。
従って合成パターンの配列座標値を計測する計測点の数
が増加して、位置精度の計測時間が増大してしまう。こ
れによって、デバイスの製造工程において計測工程がク
リティカルパスとなってしまい、デバイス製造の生産性
の低下を引き起こすおそれがある。そこで本発明は、上
記問題点に鑑みてなされたものであり、計測精度を劣化
させることがなく、且つデバイス製造の生産性を低下さ
せない位置精度計測方法を提供することを課題とする。
ラスプレートは生産性の要求から大型化していく傾向に
あり、更に合成パターンには精度の高いつなぎ合わせと
重ね合わせによって形成されることが要求されている。
従って合成パターンの配列座標値を計測する計測点の数
が増加して、位置精度の計測時間が増大してしまう。こ
れによって、デバイスの製造工程において計測工程がク
リティカルパスとなってしまい、デバイス製造の生産性
の低下を引き起こすおそれがある。そこで本発明は、上
記問題点に鑑みてなされたものであり、計測精度を劣化
させることがなく、且つデバイス製造の生産性を低下さ
せない位置精度計測方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決の為に本
発明は、基板のパターン上に複数個の計測箇所を設け、
複数枚の基板について計測箇所を計測し、この計測結果
に基づいてパターンの位置精度を計測する位置精度計測
方法において、複数枚の基板を少なくとも第１グループ
の基板と、第１グループとは異なる第２グループの基板
とに分別し、第１グループの基板は複数個の計測箇所の
うちの第１の計測箇所を計測し、第２グループの基板は
複数個の計測箇所のうちの第２の計測箇所を計測するこ
とを特徴とする位置精度計測方法である。
発明は、基板のパターン上に複数個の計測箇所を設け、
複数枚の基板について計測箇所を計測し、この計測結果
に基づいてパターンの位置精度を計測する位置精度計測
方法において、複数枚の基板を少なくとも第１グループ
の基板と、第１グループとは異なる第２グループの基板
とに分別し、第１グループの基板は複数個の計測箇所の
うちの第１の計測箇所を計測し、第２グループの基板は
複数個の計測箇所のうちの第２の計測箇所を計測するこ
とを特徴とする位置精度計測方法である。
【０００８】その際、第１の計測箇所と第２の計測箇所
とは異なる計測箇所とすることができる。またその際、
複数枚の基板を計測する際に、複数個の計測箇所のそれ
ぞれがほぼ同じ回数計測されるように設定されることが
好ましい。またその際、パターンは複数の単位パターン
が合成された合成パターンであり、単位パターン毎に計
測箇所を設けることができる。またその際、パターンは
複数の単位パターンが合成された合成パターンであり、
基板上には合成パターンが複数形成されており、合成パ
ターン毎に計測箇所を設けることができる。
とは異なる計測箇所とすることができる。またその際、
複数枚の基板を計測する際に、複数個の計測箇所のそれ
ぞれがほぼ同じ回数計測されるように設定されることが
好ましい。またその際、パターンは複数の単位パターン
が合成された合成パターンであり、単位パターン毎に計
測箇所を設けることができる。またその際、パターンは
複数の単位パターンが合成された合成パターンであり、
基板上には合成パターンが複数形成されており、合成パ
ターン毎に計測箇所を設けることができる。
【０００９】またその際、計測箇所の計測工程が、全パ
ターンの露光工程を含む一連の処理工程のクリティカル
パスとならないように、各基板について各計測箇所を定
めることが好ましい。また、パターンは第１パターンの
上に第２パターンを重ねて形成されており、その際、位
置精度は、第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ
の位置精度である。その際、パターンは液晶表示素子に
関するパターンであり、第１パターンがゲートパターン
であり、第２パターンがソース・ドレインパターンであ
る構成とすることができる。
ターンの露光工程を含む一連の処理工程のクリティカル
パスとならないように、各基板について各計測箇所を定
めることが好ましい。また、パターンは第１パターンの
上に第２パターンを重ねて形成されており、その際、位
置精度は、第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ
の位置精度である。その際、パターンは液晶表示素子に
関するパターンであり、第１パターンがゲートパターン
であり、第２パターンがソース・ドレインパターンであ
る構成とすることができる。
【００１０】その際、更に最適な構成とするには、各基
板の各計測箇所をほぼ均等となるようにＮ（Ｎ≧２）個
のグループにグループ分けし、１枚目の基板について
は、Ｎ個のグループを繰り返し並べた配列の先頭からｎ
（１≦ｎ＜Ｎ）個のグループに属する計測点のみを計測
し、２枚目の基板については、配列の次のｎ個のグルー
プに属する計測点のみを計測し、以降この過程を繰り返
すことにより、全計測箇所のうちのほぼｎ／Ｎだけの計
測点を計測する。
板の各計測箇所をほぼ均等となるようにＮ（Ｎ≧２）個
のグループにグループ分けし、１枚目の基板について
は、Ｎ個のグループを繰り返し並べた配列の先頭からｎ
（１≦ｎ＜Ｎ）個のグループに属する計測点のみを計測
し、２枚目の基板については、配列の次のｎ個のグルー
プに属する計測点のみを計測し、以降この過程を繰り返
すことにより、全計測箇所のうちのほぼｎ／Ｎだけの計
測点を計測する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明にかかる位置精度計測方法
の一実施例を説明する。図１は、基板上にマスクパター
ンを露光する、投影露光装置の構成を示す。照明系１に
よって照明されたマスクＲのマスクパターンは、投影光
学系２によってＸＹステージ３上に載置された基板（以
下ガラスプレートと称す）Ｐ上の所定の領域に転写され
る。ＸＹステージ３には移動鏡４が固定されており、レ
ーザ干渉計５と移動鏡４との間の距離を計測することで
ＸＹステージ３の２次元的位置座標がモニタされる。
の一実施例を説明する。図１は、基板上にマスクパター
ンを露光する、投影露光装置の構成を示す。照明系１に
よって照明されたマスクＲのマスクパターンは、投影光
学系２によってＸＹステージ３上に載置された基板（以
下ガラスプレートと称す）Ｐ上の所定の領域に転写され
る。ＸＹステージ３には移動鏡４が固定されており、レ
ーザ干渉計５と移動鏡４との間の距離を計測することで
ＸＹステージ３の２次元的位置座標がモニタされる。
【００１２】主制御装置６は、レーザ干渉計５から出力
されたＸＹステージ３の現在位置と目標位置情報に基づ
き、ステージ制御装置７を介してモータＭを駆動するこ
とでＸＹステージ３をサーボ制御する。露光の位置合わ
せを行うためのアライメント系としては、マスクＲをア
ライメントするマスクアライメント検出系８と、ガラス
プレートＰをアライメントするガラスプレートアライメ
ント検出系９とがそれぞれ配置されている。また、マス
クＲを交換するマスク交換機構１０が装備されている。
されたＸＹステージ３の現在位置と目標位置情報に基づ
き、ステージ制御装置７を介してモータＭを駆動するこ
とでＸＹステージ３をサーボ制御する。露光の位置合わ
せを行うためのアライメント系としては、マスクＲをア
ライメントするマスクアライメント検出系８と、ガラス
プレートＰをアライメントするガラスプレートアライメ
ント検出系９とがそれぞれ配置されている。また、マス
クＲを交換するマスク交換機構１０が装備されている。
【００１３】図２は、ガラスプレートＰ1〜Ｐ20上に露
光された合成パターンＷ1〜Ｗ4を示す。１個の合成パタ
ーンＷは４個の単位パターンＳ1〜Ｓ4を画面合成によっ
てつなぎ合わせて、１枚のガラスプレートＰ上に形成す
るものとする。各単位パターンＳは、各々１枚のマスク
Ｒに対応し、マスク交換機構１０で４枚のマスクＲ1〜
Ｒ4を交換しながらガラスプレートＰ上に位置合わせし
て露光する。１枚のガラスプレートＰ上には、複数の合
成パターンＷ1〜Ｗ4が形成され、計測工程における指標
となる計測箇所Ｍが合成パターンＷ1〜Ｗ4と同時に露光
され、現像されている。
光された合成パターンＷ1〜Ｗ4を示す。１個の合成パタ
ーンＷは４個の単位パターンＳ1〜Ｓ4を画面合成によっ
てつなぎ合わせて、１枚のガラスプレートＰ上に形成す
るものとする。各単位パターンＳは、各々１枚のマスク
Ｒに対応し、マスク交換機構１０で４枚のマスクＲ1〜
Ｒ4を交換しながらガラスプレートＰ上に位置合わせし
て露光する。１枚のガラスプレートＰ上には、複数の合
成パターンＷ1〜Ｗ4が形成され、計測工程における指標
となる計測箇所Ｍが合成パターンＷ1〜Ｗ4と同時に露光
され、現像されている。
【００１４】ガラスプレートＰ1〜Ｐ20にレジスト等の
感光剤を塗布し、マスクＲ1〜Ｒ4上に配置されたマスク
パターンをガラスプレートＰ上に露光し、１層目の合成
パターンＷを形成する。露光後、現像処理されたガラス
プレートＰ1〜Ｐ20は計測工程に送られ、この計測工程
では各合成パターンＷに配置されている計測箇所Ｍの位
置を計測し、各計測箇所Ｍの測定値を複数のガラスプレ
ートＰ1〜Ｐ20について平均し、この平均値に基づいて
合成パターンＷ1〜Ｗ4の配列座標値を求める。つまり各
単位パターンＳにおけるつなぎ合わせの位置精度を求め
る。上記の一連の工程において、複数のガラスプレート
Ｐ1〜Ｐ20は、一度に同一の条件によって処理される。
感光剤を塗布し、マスクＲ1〜Ｒ4上に配置されたマスク
パターンをガラスプレートＰ上に露光し、１層目の合成
パターンＷを形成する。露光後、現像処理されたガラス
プレートＰ1〜Ｐ20は計測工程に送られ、この計測工程
では各合成パターンＷに配置されている計測箇所Ｍの位
置を計測し、各計測箇所Ｍの測定値を複数のガラスプレ
ートＰ1〜Ｐ20について平均し、この平均値に基づいて
合成パターンＷ1〜Ｗ4の配列座標値を求める。つまり各
単位パターンＳにおけるつなぎ合わせの位置精度を求め
る。上記の一連の工程において、複数のガラスプレート
Ｐ1〜Ｐ20は、一度に同一の条件によって処理される。
【００１５】第１層の合成パターンＷの配列座標値の計
測後に、ガラスプレートＰは再び投影露光装置に設置さ
れる。このとき第１層目の合成パターンＷの配列座標値
の計測結果を基に、ガラスプレートＰ1〜Ｐ20上の露光
位置を補正して、第２層目の合成パターンＷを露光す
る。そして同様に計測工程において計測箇所Ｍの位置を
測定し、各合成パターンＷにおける重ね合わせの位置精
度を求める。このようにしてガラスプレートＰ上に、精
度良くつなぎ合わせた合成パターンＷを複数層にわたり
精度良く重ね合わせて形成している。
測後に、ガラスプレートＰは再び投影露光装置に設置さ
れる。このとき第１層目の合成パターンＷの配列座標値
の計測結果を基に、ガラスプレートＰ1〜Ｐ20上の露光
位置を補正して、第２層目の合成パターンＷを露光す
る。そして同様に計測工程において計測箇所Ｍの位置を
測定し、各合成パターンＷにおける重ね合わせの位置精
度を求める。このようにしてガラスプレートＰ上に、精
度良くつなぎ合わせた合成パターンＷを複数層にわたり
精度良く重ね合わせて形成している。
【００１６】例えば、液晶表示素子における単位パター
ンＳの中に形成されたソースＳｏのパターンとドレイン
Ｄのパターンと、ゲートＧのパターンの拡大図を図６に
示す。このパターンは、初めに第１層目の露光によって
ゲートＧのパターンを形成し、続いて第２層目の露光で
ソースＳｏのパターンとドレインＤのパターンとを第１
層目のゲートＧのパターンに重ね合わせて形成する。こ
こで第２層目の露光でソースＳｏのパターンとドレイン
Ｄのパターンとを１層目のゲートＧのパターンに重ね合
わせるときに、重ね合わせの基準位置として１層目のゲ
ートＧの位置精度を測定する。この測定結果を基に２層
目の露光をおこなって、精度良くソースＳｏのパターン
とドレインＤのパターンをゲートＧのパターンに重ね合
わせることができる。
ンＳの中に形成されたソースＳｏのパターンとドレイン
Ｄのパターンと、ゲートＧのパターンの拡大図を図６に
示す。このパターンは、初めに第１層目の露光によって
ゲートＧのパターンを形成し、続いて第２層目の露光で
ソースＳｏのパターンとドレインＤのパターンとを第１
層目のゲートＧのパターンに重ね合わせて形成する。こ
こで第２層目の露光でソースＳｏのパターンとドレイン
Ｄのパターンとを１層目のゲートＧのパターンに重ね合
わせるときに、重ね合わせの基準位置として１層目のゲ
ートＧの位置精度を測定する。この測定結果を基に２層
目の露光をおこなって、精度良くソースＳｏのパターン
とドレインＤのパターンをゲートＧのパターンに重ね合
わせることができる。
【００１７】つぎに位置精度を計測するときの、計測箇
所Ｍの分割方法について説明する。図２は、１枚のガラ
スプレートＰ上に配された計測箇所Ｍを２個のグループ
にグループ分けした一例を示す。計測箇所Ｍを２個の計
測箇所Ｍa，Ｍbのグループにグループ分けし、分けられ
た計測箇所Ｍa，Ｍbは１枚のガラスプレートＰ上に均等
に分布するように配置されている。図２中、○印と×印
はそれぞれ計測箇所ＭaとＭbを示す。またガラスプレー
トＰ1〜Ｐ20に付した計測箇所Ｍa又はＭbは、そのガラ
スプレートＰで実際に計測を行う計測箇所Ｍのグループ
を示す。
所Ｍの分割方法について説明する。図２は、１枚のガラ
スプレートＰ上に配された計測箇所Ｍを２個のグループ
にグループ分けした一例を示す。計測箇所Ｍを２個の計
測箇所Ｍa，Ｍbのグループにグループ分けし、分けられ
た計測箇所Ｍa，Ｍbは１枚のガラスプレートＰ上に均等
に分布するように配置されている。図２中、○印と×印
はそれぞれ計測箇所ＭaとＭbを示す。またガラスプレー
トＰ1〜Ｐ20に付した計測箇所Ｍa又はＭbは、そのガラ
スプレートＰで実際に計測を行う計測箇所Ｍのグループ
を示す。
【００１８】露光順の１枚目のガラスプレートＰ1につ
いて、第１のグループの計測箇所Ｍaを計測点として指
定している。つぎに露光順の２枚目のガラスプレートＰ
2について第２のグループの計測箇所Ｍbを計測点として
指定している。このようにして２０枚のガラスプレート
Ｐ1〜Ｐ20について、露光順の奇数枚目のガラスプレー
トＰでは、第１のグループの計測箇所Ｍaについて配列
座標を計測し、露光順の偶数枚目のガラスプレートＰに
ついては第２のグループの計測箇所Ｍbについて配列座
標を計測する。つまり計測点の総数は、配置された計測
箇所Ｍの半分となっている。
いて、第１のグループの計測箇所Ｍaを計測点として指
定している。つぎに露光順の２枚目のガラスプレートＰ
2について第２のグループの計測箇所Ｍbを計測点として
指定している。このようにして２０枚のガラスプレート
Ｐ1〜Ｐ20について、露光順の奇数枚目のガラスプレー
トＰでは、第１のグループの計測箇所Ｍaについて配列
座標を計測し、露光順の偶数枚目のガラスプレートＰに
ついては第２のグループの計測箇所Ｍbについて配列座
標を計測する。つまり計測点の総数は、配置された計測
箇所Ｍの半分となっている。
【００１９】但し、このときに第１のグループの計測箇
所Ｍaを計測点とするガラスプレートＰを露光順の１枚
目から１０枚目として、第２のグループの計測箇所Ｍb
を計測点とするガラスプレートＰを露光順の１１枚目か
ら２０枚目とするような計測箇所Ｍの分割方法は可能で
あるが、ガラスプレートＰの露光順にあわせてグループ
分けされた計測箇所Ｍをサイクリックに指定する方が測
定精度上好ましい。
所Ｍaを計測点とするガラスプレートＰを露光順の１枚
目から１０枚目として、第２のグループの計測箇所Ｍb
を計測点とするガラスプレートＰを露光順の１１枚目か
ら２０枚目とするような計測箇所Ｍの分割方法は可能で
あるが、ガラスプレートＰの露光順にあわせてグループ
分けされた計測箇所Ｍをサイクリックに指定する方が測
定精度上好ましい。
【００２０】図３は、１枚のガラスプレートＰ上に配さ
れた計測箇所Ｍを４個のグループにグループ分けした一
例を示す。計測箇所Ｍを４個の計測箇所Ｍa〜Ｍdのグル
ープにグループ分けし、分けられた計測箇所Ｍa〜Ｍdは
１枚のガラスプレートＰ上に均等に分布するように配置
されている。ここで計測箇所Ｍa〜Ｍdを繰り返し並べた
配列Ｍa，Ｍb，Ｍc，Ｍd，Ｍa，Ｍb，Ｍc，Ｍd，…を作
成する。図３中、ガラスプレートＰ1〜Ｐ20に付した計
測箇所Ｍa〜Ｍdは、ぞのガラスプレートＰで実際に計測
を行う計測箇所Ｍのグループを示す。
れた計測箇所Ｍを４個のグループにグループ分けした一
例を示す。計測箇所Ｍを４個の計測箇所Ｍa〜Ｍdのグル
ープにグループ分けし、分けられた計測箇所Ｍa〜Ｍdは
１枚のガラスプレートＰ上に均等に分布するように配置
されている。ここで計測箇所Ｍa〜Ｍdを繰り返し並べた
配列Ｍa，Ｍb，Ｍc，Ｍd，Ｍa，Ｍb，Ｍc，Ｍd，…を作
成する。図３中、ガラスプレートＰ1〜Ｐ20に付した計
測箇所Ｍa〜Ｍdは、ぞのガラスプレートＰで実際に計測
を行う計測箇所Ｍのグループを示す。
【００２１】露光順が１枚目のガラスプレートＰ1につ
いては、上記配列のうち先頭の３個のグループに属する
計測箇所Ｍa，Ｍb，Ｍcを計測点として指定している。
次に露光順が２枚目のガラスプレートＰ2については、
上記配列の次の３個のグループに属する計測箇所Ｍd，
Ｍa，Ｍbを計測点として指定している。以降この過程を
繰り返して２０枚のガラスプレートＰ1〜Ｐ20につい
て、指定された計測箇所Ｍを計測点として配列座標の計
測を行う。つまり計測点の総数は、配置された計測箇所
Ｍの３／４となっている。この場合も先に示した２個の
グループ分割と同様に、ガラスプレートＰの露光順にあ
わせて計測箇所Ｍをサイクリックに指定する方が測定精
度上好ましいので、上記のような計測箇所Ｍa〜Ｍdの指
定を行っている。
いては、上記配列のうち先頭の３個のグループに属する
計測箇所Ｍa，Ｍb，Ｍcを計測点として指定している。
次に露光順が２枚目のガラスプレートＰ2については、
上記配列の次の３個のグループに属する計測箇所Ｍd，
Ｍa，Ｍbを計測点として指定している。以降この過程を
繰り返して２０枚のガラスプレートＰ1〜Ｐ20につい
て、指定された計測箇所Ｍを計測点として配列座標の計
測を行う。つまり計測点の総数は、配置された計測箇所
Ｍの３／４となっている。この場合も先に示した２個の
グループ分割と同様に、ガラスプレートＰの露光順にあ
わせて計測箇所Ｍをサイクリックに指定する方が測定精
度上好ましいので、上記のような計測箇所Ｍa〜Ｍdの指
定を行っている。
【００２２】つぎに図４は、１枚のガラスプレートＰ上
に配された計測箇所Ｍを２個の合成パターンＷのグルー
プにグループ分けした一例を示す。合成パターンＷを２
個のグループにグループ分けし、各合成パターンＷのグ
ループごとに計測箇所Ｍa，Ｍbを指定する。計測箇所Ｍ
a，Ｍbは１枚のガラスプレートＰ上に均等に分布するよ
うに配置されている。図４中、○印と×印はそれぞれ計
測箇所ＭaとＭbを示す。またガラスプレートＰ1〜Ｐ20
に付した計測箇所Ｍa又はＭbは、そのガラスプレートＰ
で実際に計測を行う計測箇所Ｍのグループを示す。
に配された計測箇所Ｍを２個の合成パターンＷのグルー
プにグループ分けした一例を示す。合成パターンＷを２
個のグループにグループ分けし、各合成パターンＷのグ
ループごとに計測箇所Ｍa，Ｍbを指定する。計測箇所Ｍ
a，Ｍbは１枚のガラスプレートＰ上に均等に分布するよ
うに配置されている。図４中、○印と×印はそれぞれ計
測箇所ＭaとＭbを示す。またガラスプレートＰ1〜Ｐ20
に付した計測箇所Ｍa又はＭbは、そのガラスプレートＰ
で実際に計測を行う計測箇所Ｍのグループを示す。
【００２３】合成パターンＷの第１のグループは、ガラ
スプレートＰ上の４個の合成パターンＷ1〜Ｗ4のうち、
左下の合成パターンＷ2と右上の合成パターンＷ4と設定
し、このグループについての計測箇所Ｍaを計測点とし
ている。合成パターンＷの第２のグループは、ガラスプ
レートＰ上の左上の合成パターンＷ1と右下の合成パタ
ーンＷ3と設定し、このグループについての計測箇所Ｍb
を計測点としている。
スプレートＰ上の４個の合成パターンＷ1〜Ｗ4のうち、
左下の合成パターンＷ2と右上の合成パターンＷ4と設定
し、このグループについての計測箇所Ｍaを計測点とし
ている。合成パターンＷの第２のグループは、ガラスプ
レートＰ上の左上の合成パターンＷ1と右下の合成パタ
ーンＷ3と設定し、このグループについての計測箇所Ｍb
を計測点としている。
【００２４】このようにして２０枚のガラスプレートＰ
1〜Ｐ20について、露光順が奇数枚目のガラスプレート
Ｐでは、第１のグループの計測箇所Ｍaを計測点とし
て、配列座標を計測する。つぎに露光順が偶数枚目のガ
ラスプレートＰでは、第２のグループの測定箇所Ｍbを
計測点として、配列座標を計測する。つまり計測点の総
数は、配置された計測箇所Ｍのうちの半分となってい
る。この場合も先に示したグループ分割と同様に、ガラ
スプレートＰの露光順にあわせて計測箇所Ｍをサイクリ
ックに指定する方が測定精度上好ましいので、このよう
な計測箇所Ｍa，Ｍbの指定を行っている。
1〜Ｐ20について、露光順が奇数枚目のガラスプレート
Ｐでは、第１のグループの計測箇所Ｍaを計測点とし
て、配列座標を計測する。つぎに露光順が偶数枚目のガ
ラスプレートＰでは、第２のグループの測定箇所Ｍbを
計測点として、配列座標を計測する。つまり計測点の総
数は、配置された計測箇所Ｍのうちの半分となってい
る。この場合も先に示したグループ分割と同様に、ガラ
スプレートＰの露光順にあわせて計測箇所Ｍをサイクリ
ックに指定する方が測定精度上好ましいので、このよう
な計測箇所Ｍa，Ｍbの指定を行っている。
【００２５】つぎに図５は、１枚のガラスプレートＰ上
に配された計測箇所Ｍを２個の単位パターンＳのグルー
プにグループ分けした一例を示す。単位パターンＳを２
個のグループにグループ分けし、各単位パターンＳのグ
ループごとに計測箇所Ｍa，Ｍbを指定する。計測箇所Ｍ
a，Ｍbは１枚のガラスプレートＰ上に均等に分布するよ
うに配置されている。図５中、○印と×印はそれぞれ計
測箇所ＭaとＭbを示す。またガラスプレートＰ1〜Ｐ20
に付した計測箇所Ｍa又はＭbは、そのガラスプレートＰ
で実際に計測を行う計測箇所Ｍのグループを示す。
に配された計測箇所Ｍを２個の単位パターンＳのグルー
プにグループ分けした一例を示す。単位パターンＳを２
個のグループにグループ分けし、各単位パターンＳのグ
ループごとに計測箇所Ｍa，Ｍbを指定する。計測箇所Ｍ
a，Ｍbは１枚のガラスプレートＰ上に均等に分布するよ
うに配置されている。図５中、○印と×印はそれぞれ計
測箇所ＭaとＭbを示す。またガラスプレートＰ1〜Ｐ20
に付した計測箇所Ｍa又はＭbは、そのガラスプレートＰ
で実際に計測を行う計測箇所Ｍのグループを示す。
【００２６】単位パターンＳの第１のグループは、合成
パターンＷ上の４個の単位パターンＳ1〜Ｓ4のうち、左
下の単位パターンＳ2と右上の単位パターンＳ4と設定
し、このグループについての計測箇所Ｍaを計測点とし
ている。単位パターンＳの第２のグループは、合成パタ
ーン上の左上の単位パターンＳ1と右下の単位パターン
Ｓ3と設定し、このグループについての計測箇所Ｍbを計
測点としている。
パターンＷ上の４個の単位パターンＳ1〜Ｓ4のうち、左
下の単位パターンＳ2と右上の単位パターンＳ4と設定
し、このグループについての計測箇所Ｍaを計測点とし
ている。単位パターンＳの第２のグループは、合成パタ
ーン上の左上の単位パターンＳ1と右下の単位パターン
Ｓ3と設定し、このグループについての計測箇所Ｍbを計
測点としている。
【００２７】このようにして２０枚のガラスプレートＰ
1〜Ｐ20について、露光順が奇数枚目のガラスプレート
Ｐでは、第１のグループの計測箇所Ｍaを計測点とし
て、配列座標を計測する。つぎに露光順が偶数枚目のガ
ラスプレートＰでは、第２のグループの計測箇所Ｍbを
計測点として、配列座標を計測する。つまり計測点の総
数は、配置された計測箇所Ｍのうちの半分となってい
る。この場合も先に示したグループ分割と同様に、ガラ
スプレートＰの露光順にあわせて計測箇所Ｍをサイクリ
ックに指定する方が測定精度上好ましいので、このよう
な計測箇所Ｍa，Ｍbの指定を行っている。
1〜Ｐ20について、露光順が奇数枚目のガラスプレート
Ｐでは、第１のグループの計測箇所Ｍaを計測点とし
て、配列座標を計測する。つぎに露光順が偶数枚目のガ
ラスプレートＰでは、第２のグループの計測箇所Ｍbを
計測点として、配列座標を計測する。つまり計測点の総
数は、配置された計測箇所Ｍのうちの半分となってい
る。この場合も先に示したグループ分割と同様に、ガラ
スプレートＰの露光順にあわせて計測箇所Ｍをサイクリ
ックに指定する方が測定精度上好ましいので、このよう
な計測箇所Ｍa，Ｍbの指定を行っている。
【００２８】つぎに、配列座標値の計測結果を用いて各
単位パターンＳごとに実際に位置決めすべき配列座標値
を求める、アライメント補正量の算出方法について説明
する。ガラスプレートＰに合成パターンＷを重ね合わせ
て露光するときの誤差は、ガラスプレートＰの回転、座
標系ｘ−ｙの直交度、ガラスプレートＰのｘ方向とｙ方
向の伸び、及びｘ方向とｙ方向のオフセットが要因とな
って、第１層合成パターンＷの配列座標値と設計上の配
列座標値との間で誤差が生じる場合がある。
単位パターンＳごとに実際に位置決めすべき配列座標値
を求める、アライメント補正量の算出方法について説明
する。ガラスプレートＰに合成パターンＷを重ね合わせ
て露光するときの誤差は、ガラスプレートＰの回転、座
標系ｘ−ｙの直交度、ガラスプレートＰのｘ方向とｙ方
向の伸び、及びｘ方向とｙ方向のオフセットが要因とな
って、第１層合成パターンＷの配列座標値と設計上の配
列座標値との間で誤差が生じる場合がある。
【００２９】ここで、ガラスプレートＰの回転とは、ガ
ラスプレートＰ上の合成パターンＷの配列座標の座標軸
をＸＹステージ３の座標軸と一致させる際にガラスプレ
ートアライメント検出系９による計測誤差から生じるも
のである。ＸＹステージ３の座標軸に対する配列座標軸
の残存回転ずれ量θで表される。また座標系ｘ−ｙの直
交度とは、ＸＹステージ３の送り方向が正確に直交して
いないことにより生じるものである。直交度誤差量ｗで
表される。
ラスプレートＰ上の合成パターンＷの配列座標の座標軸
をＸＹステージ３の座標軸と一致させる際にガラスプレ
ートアライメント検出系９による計測誤差から生じるも
のである。ＸＹステージ３の座標軸に対する配列座標軸
の残存回転ずれ量θで表される。また座標系ｘ−ｙの直
交度とは、ＸＹステージ３の送り方向が正確に直交して
いないことにより生じるものである。直交度誤差量ｗで
表される。
【００３０】またガラスプレートＰのｘ方向とｙ方向の
伸びとは、加工プロセスにおいてガラスプレートＰが熱
等の影響を受けて全体的に伸縮することにより生じるも
のである。ガラスプレートＰ上のｘ方向の２点間の距離
の実測値と設計値の比Ｒｘと、ガラスプレートＰ上のｙ
方向の２点間の距離の実測値と設計値の比Ｒｙで表すも
のとする。またｘ方向とｙ方向のオフセットとは、ガラ
スプレートアライメント検出系９の検出精度、ＸＹステ
ージ３の位置決め精度等により、ガラスプレートＰが全
体的にｘ方向とｙ方向にずれることによって生じるもの
である。ｘ方向とｙ方向についてそれぞれＯｘ、Ｏｙで
表される。
伸びとは、加工プロセスにおいてガラスプレートＰが熱
等の影響を受けて全体的に伸縮することにより生じるも
のである。ガラスプレートＰ上のｘ方向の２点間の距離
の実測値と設計値の比Ｒｘと、ガラスプレートＰ上のｙ
方向の２点間の距離の実測値と設計値の比Ｒｙで表すも
のとする。またｘ方向とｙ方向のオフセットとは、ガラ
スプレートアライメント検出系９の検出精度、ＸＹステ
ージ３の位置決め精度等により、ガラスプレートＰが全
体的にｘ方向とｙ方向にずれることによって生じるもの
である。ｘ方向とｙ方向についてそれぞれＯｘ、Ｏｙで
表される。
【００３１】そこで、各単位パターンＳごとに実際に位
置決めすべき配列座標値を求める、いわゆるエンハーン
スト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）を行う。本
実施例においては、第１層合成パターンＷが形成された
各領域ごとにＥＧＡを行う。すなわち各合成パターンＷ
1〜Ｗ4の領域ごとに第１層合成パターンＷ1〜Ｗ4内の複
数の単位パターンＳ1〜Ｓ4の配列座標値を計測して、当
該単位パターンＳの設計上の配列座標値との誤差を計算
する。まず各領域ごとに単位パターンＳ1〜Ｓ4のうち少
なくとも２以上の単位パターンの座標Ｆ*ｎ（Ｆ*ｘｎ，
Ｆ*ｙｎ）を計測する。
置決めすべき配列座標値を求める、いわゆるエンハーン
スト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）を行う。本
実施例においては、第１層合成パターンＷが形成された
各領域ごとにＥＧＡを行う。すなわち各合成パターンＷ
1〜Ｗ4の領域ごとに第１層合成パターンＷ1〜Ｗ4内の複
数の単位パターンＳ1〜Ｓ4の配列座標値を計測して、当
該単位パターンＳの設計上の配列座標値との誤差を計算
する。まず各領域ごとに単位パターンＳ1〜Ｓ4のうち少
なくとも２以上の単位パターンの座標Ｆ*ｎ（Ｆ*ｘｎ，
Ｆ*ｙｎ）を計測する。
【００３２】一方、第１層合成パターンＷ内の各単位パ
ターンＳ1〜Ｓ4の設計上の位置座標をＤｎ（Ｄｘｎ，Ｄ
ｙｎ）とし、重ね合わせ露光の際に前記した誤差要因を
考慮して実際に位置決めすべき単位パターン座標をＦ ｎ
（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）とすると、単位パターン座標Ｆ ｎ
（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）は設計上の位置座標Ｄｎ（Ｄｘｎ，
Ｄｙｎ）を用いて次のように表される。 ただし、 ここで、ＡはガラスプレートＰの回転、座標系ｘ−ｙの
直交度、ガラスプレートＰのｘ方向とｙ方向の伸びに関
する誤差パラメータであり、Ｏはｘ方向とｙ方向のオフ
セットに関する誤差パラメータである。
ターンＳ1〜Ｓ4の設計上の位置座標をＤｎ（Ｄｘｎ，Ｄ
ｙｎ）とし、重ね合わせ露光の際に前記した誤差要因を
考慮して実際に位置決めすべき単位パターン座標をＦ ｎ
（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）とすると、単位パターン座標Ｆ ｎ
（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）は設計上の位置座標Ｄｎ（Ｄｘｎ，
Ｄｙｎ）を用いて次のように表される。 ただし、 ここで、ＡはガラスプレートＰの回転、座標系ｘ−ｙの
直交度、ガラスプレートＰのｘ方向とｙ方向の伸びに関
する誤差パラメータであり、Ｏはｘ方向とｙ方向のオフ
セットに関する誤差パラメータである。
【００３３】そこで、実測された単位パターン座標Ｆ*
ｎ（Ｆ*ｘｎ，Ｆ*ｙｎ）と位置決めすべき単位パターン
座標Ｆ ｎ（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）との位置ずれ、すなわちア
ドレス誤差Ｅｎ（＝Ｆ*ｎ−Ｆ ｎ）を計算する。得られ
たアドレス誤差Ｅｎについて、最小二乗法を用いてアド
レス誤差Ｅｎを最小とするように誤差パラメータＡ、Ｏ
を決定する。このようにして決定された誤差パラメータ
Ａ、Ｏを用いて、（１）式より当該領域に含まれるすべ
ての単位パターンＳ1〜Ｓ4について単位パターン座標Ｆ
ｎ（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）を計算し、当該領域に配置されて
いる単位パターンＳ1〜Ｓ4の配列座標値を決定する。こ
のようにして１層目の配列座標値の測定結果を用いて２
層目以降の重ね合わせ露光の座標位置の指示を投影露光
機に出すことができる。
ｎ（Ｆ*ｘｎ，Ｆ*ｙｎ）と位置決めすべき単位パターン
座標Ｆ ｎ（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）との位置ずれ、すなわちア
ドレス誤差Ｅｎ（＝Ｆ*ｎ−Ｆ ｎ）を計算する。得られ
たアドレス誤差Ｅｎについて、最小二乗法を用いてアド
レス誤差Ｅｎを最小とするように誤差パラメータＡ、Ｏ
を決定する。このようにして決定された誤差パラメータ
Ａ、Ｏを用いて、（１）式より当該領域に含まれるすべ
ての単位パターンＳ1〜Ｓ4について単位パターン座標Ｆ
ｎ（Ｆ ｘｎ，Ｆ ｙｎ）を計算し、当該領域に配置されて
いる単位パターンＳ1〜Ｓ4の配列座標値を決定する。こ
のようにして１層目の配列座標値の測定結果を用いて２
層目以降の重ね合わせ露光の座標位置の指示を投影露光
機に出すことができる。
【００３４】以上のように本実施例によれば、指定され
た計測点を各ガラスプレートＰについてほぼ均一の割合
で配置し、複数のガラスプレートＰについて指定された
各計測点の割合が、各々の計測箇所Ｍについてほぼ均一
に配置されているので、計測点が減少しても、計測箇所
Ｍのグループ分けと計測箇所Ｍの指定方法とによって十
分な測定精度を得ることができた。更に従来の計測方法
と異なり、測定精度と計測時間を勘案して計測箇所Ｍの
分割をおこなって、配列座標値を測定することができ
た。
た計測点を各ガラスプレートＰについてほぼ均一の割合
で配置し、複数のガラスプレートＰについて指定された
各計測点の割合が、各々の計測箇所Ｍについてほぼ均一
に配置されているので、計測点が減少しても、計測箇所
Ｍのグループ分けと計測箇所Ｍの指定方法とによって十
分な測定精度を得ることができた。更に従来の計測方法
と異なり、測定精度と計測時間を勘案して計測箇所Ｍの
分割をおこなって、配列座標値を測定することができ
た。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガラスプ
レート上の計測箇所をグループに分割して、グループの
中から指定された計測点について配列座標値の測定を行
うので、計測時間を考慮して計測点の設定をすることが
可能となった。従って配列座標値の計測する時間が製造
工程の生産性を低下させることなく、位置精度の計測工
程を実施することが可能となった。更に、複数のガラス
プレート上の計測点が均等に分割されているので、十分
精度の高い配列座標値の計測結果を得ることが可能とな
った。
レート上の計測箇所をグループに分割して、グループの
中から指定された計測点について配列座標値の測定を行
うので、計測時間を考慮して計測点の設定をすることが
可能となった。従って配列座標値の計測する時間が製造
工程の生産性を低下させることなく、位置精度の計測工
程を実施することが可能となった。更に、複数のガラス
プレート上の計測点が均等に分割されているので、十分
精度の高い配列座標値の計測結果を得ることが可能とな
った。
【図１】ガラスプレート上に合成パターンを露光する投
影露光装置を示す概略図である。
影露光装置を示す概略図である。
【図２】ガラスプレート上の計測箇所を２グループに分
けた１例を示す説明図である。
けた１例を示す説明図である。
【図３】ガラスプレート上の計測箇所を４グループに分
けた１例を示す説明図である。
けた１例を示す説明図である。
【図４】ガラスプレート上の計測箇所を合成パターンご
とのグループに分けた１例を示す説明図である。
とのグループに分けた１例を示す説明図である。
【図５】ガラスプレート上の計測箇所を単位パターンご
とのグループに分けた１例を示す説明図である。
とのグループに分けた１例を示す説明図である。
【図６】液晶表示素子のパターンの一例を示す単位パタ
ーンの拡大図である。
ーンの拡大図である。
【図７】従来の計測箇所を示す説明図である。
１…照明系 ２…投影光学系 ３…ＸＹステージ ４…移動鏡 ５…レーザ干渉計 ６…主制御装置 ７…ステージ制御装置 ８…マスクアライメ
ント検出系 ９…ガラスプレートアライメント検出系 １０…マスク交換機構 Ｒ，Ｒ1〜Ｒ4…マ
スク Ｍ…モータ Ｐ，Ｐ1〜Ｐ20…ガ
ラスプレート Ｗ，Ｗ1〜Ｗ4…合成パターン Ｓ，Ｓ1〜Ｓ4…単位
パターン Ｍ，Ｍa〜Ｍd…計測箇所
ント検出系 ９…ガラスプレートアライメント検出系 １０…マスク交換機構 Ｒ，Ｒ1〜Ｒ4…マ
スク Ｍ…モータ Ｐ，Ｐ1〜Ｐ20…ガ
ラスプレート Ｗ，Ｗ1〜Ｗ4…合成パターン Ｓ，Ｓ1〜Ｓ4…単位
パターン Ｍ，Ｍa〜Ｍd…計測箇所
Claims (8)
- 【請求項１】基板のパターン上に複数個の計測箇所を設
け、複数枚の前記基板について前記計測箇所を計測し、
この計測結果に基づいて前記パターンの位置精度を計測
する位置精度計測方法において、 前記複数枚の基板を少なくとも第１グループの基板と、
前記第１グループとは異なる第２グループの基板とに分
別し、 前記第１グループの基板は前記複数個の計測箇所のうち
の第１の計測箇所を計測し、 前記第２グループの基板は前記複数個の計測箇所のうち
の第２の計測箇所を計測することを特徴とする位置精度
計測方法。 - 【請求項２】請求項１記載の位置精度計測方法におい
て、 前記第１の計測箇所と前記第２の計測箇所とは異なる計
測箇所であることを特徴とする位置精度計測方法。 - 【請求項３】請求項１記載の位置精度計測方法におい
て、 前記複数枚の基板を計測する際に、前記複数個の計測箇
所のそれぞれがほぼ同じ回数計測されるように設定され
ていることを特徴とする位置精度計測方法。 - 【請求項４】請求項１記載の位置精度計測方法におい
て、 前記パターンは複数の単位パターンが合成された合成パ
ターンであり、前記単位パターン毎に前記計測箇所が設
けられていることを特徴とする位置精度計測方法。 - 【請求項５】請求項１記載の位置精度計測方法におい
て、 前記パターンは複数の単位パターンが合成された合成パ
ターンであり、前記基板上には前記合成パターンが複数
形成されており、前記合成パターン毎に前記計測箇所が
設けられていることを特徴とする位置精度計測方法。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項記載の位置精
度計測方法において、 前記計測箇所の計測工程が、全パターンの露光工程を含
む一連の処理工程のクリティカルパスとならないよう
に、前記各基板について前記各計測箇所を定めたことを
特徴とする位置精度計測方法。 - 【請求項７】請求項１記載の位置精度計測方法におい
て、 前記パターンは第１パターンの上に第２パターンを重ね
て形成されており、 前記位置精度は、前記第１パターンと前記第２パターン
との重ね合わせの位置精度であることを特徴とする位置
精度計測方法。 - 【請求項８】請求項７記載の位置精度計測方法におい
て、 前記パターンは液晶表示素子に関するパターンであり、
前記第１パターンがゲートパターンであり、前記第２パ
ターンがソース・ドレインパターンであることを特徴と
する位置精度計測方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9348478A JPH11168060A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 位置精度計測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9348478A JPH11168060A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 位置精度計測方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168060A true JPH11168060A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18397287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9348478A Pending JPH11168060A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 位置精度計測方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11168060A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008084886A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の測定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板の測定システム |
| CN109976099A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种测量点的配置选择方法及装置 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9348478A patent/JPH11168060A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008084886A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の測定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板の測定システム |
| CN109976099A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种测量点的配置选择方法及装置 |
| CN109976099B (zh) * | 2017-12-27 | 2021-08-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种测量点的配置选择方法及装置 |
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