JPH11157824A - シリカゲルの製造方法 - Google Patents
シリカゲルの製造方法Info
- Publication number
- JPH11157824A JPH11157824A JP31845597A JP31845597A JPH11157824A JP H11157824 A JPH11157824 A JP H11157824A JP 31845597 A JP31845597 A JP 31845597A JP 31845597 A JP31845597 A JP 31845597A JP H11157824 A JPH11157824 A JP H11157824A
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- Japan
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- silica gel
- pure water
- crushed
- washed
- washing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の市水洗浄したシリカゲルを磁気ディスク
装置の顕度調整に用いると、市水洗浄各種の腐食性イオ
ンがシリカゲル表面に残存し、シリカゲル表面に洗浄残
渣として残っている成分が磁気ディスク装置内でガス化
することで磁気ヘッドと磁気記録媒体間の吸着、腐食等
の障害を引き起こし、装置の信頼性を著しく低下させ
る。 【解決手段】純水洗浄工程を含む破砕状シリカゲルの製
造方法であって、比抵抗値１ＭΩ・ｃｍ以上を有する純
水を用いてシリカゲルを洗浄する。
装置の顕度調整に用いると、市水洗浄各種の腐食性イオ
ンがシリカゲル表面に残存し、シリカゲル表面に洗浄残
渣として残っている成分が磁気ディスク装置内でガス化
することで磁気ヘッドと磁気記録媒体間の吸着、腐食等
の障害を引き起こし、装置の信頼性を著しく低下させ
る。 【解決手段】純水洗浄工程を含む破砕状シリカゲルの製
造方法であって、比抵抗値１ＭΩ・ｃｍ以上を有する純
水を用いてシリカゲルを洗浄する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリカゲルの製造
方法に関し、特に情報記憶に用いられる磁気ディスク装
置内の湿度を調節する目的で封入されているシリカゲル
の製造方法に関する。
方法に関し、特に情報記憶に用いられる磁気ディスク装
置内の湿度を調節する目的で封入されているシリカゲル
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリカゲルは粒状タイプまたは破砕状タ
イプのものが使用されている。
イプのものが使用されている。
【０００３】従来、磁気ディスク装置内の湿度を調節す
る目的では、粒状シリカゲルが一般的に使用されてい
た。
る目的では、粒状シリカゲルが一般的に使用されてい
た。
【０００４】従来のシリカゲルの製造方法は図７に示す
ように、ケイ酸ソーダ（Ｎａ2 ＯX・Ｓｉ−Ｏ2 ）と硫
酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）とを中和反応させてシリカゲルを製造
する。しかし、反応時に硫酸ナトリウムが発生し、製造
したシリカゲルに付着するため、市水洗浄にて、硫酸ナ
トリウムを除去している。その後、シリカゲルに付着し
た水分を除去するため、加熱乾燥を実施している。
ように、ケイ酸ソーダ（Ｎａ2 ＯX・Ｓｉ−Ｏ2 ）と硫
酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）とを中和反応させてシリカゲルを製造
する。しかし、反応時に硫酸ナトリウムが発生し、製造
したシリカゲルに付着するため、市水洗浄にて、硫酸ナ
トリウムを除去している。その後、シリカゲルに付着し
た水分を除去するため、加熱乾燥を実施している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のシリカ
ゲルの製造方法は、市水洗浄により、シリカゲルから大
部分の硫酸ナトリウムは除去出来るものの、洗浄に使用
している水は純水でなく、市水のため、Ｃｌ- 、Ｎ
Ｏ3 -、ＳＯ4 2- 等の成分が含まれているため、シリカゲ
ル表面に洗浄残渣として、これら各イオンが多量に残存
してしまう。更に、この従来の方法で製造したシリカゲ
ルを磁気ディスク内に入れるとシリカゲル表面に洗浄残
渣として残っている成分が磁気ディスク装置内でガス化
することで、磁気ヘッドと磁気記録媒体の吸着、腐食等
の障害を引き起こし、装置の信頼性を著しく低下させる
という問題点がある。
ゲルの製造方法は、市水洗浄により、シリカゲルから大
部分の硫酸ナトリウムは除去出来るものの、洗浄に使用
している水は純水でなく、市水のため、Ｃｌ- 、Ｎ
Ｏ3 -、ＳＯ4 2- 等の成分が含まれているため、シリカゲ
ル表面に洗浄残渣として、これら各イオンが多量に残存
してしまう。更に、この従来の方法で製造したシリカゲ
ルを磁気ディスク内に入れるとシリカゲル表面に洗浄残
渣として残っている成分が磁気ディスク装置内でガス化
することで、磁気ヘッドと磁気記録媒体の吸着、腐食等
の障害を引き起こし、装置の信頼性を著しく低下させる
という問題点がある。
【０００６】本発明のシリカゲルの特性である吸湿能力
及び放湿能力を損ねることなく、シリカゲルに付着した
イオンまたはイオン化しやすい異物を除去し、シリカゲ
ルから発生するガス量を低減させ、湿度調節用にシリカ
ゲルを使用した磁気ディスク装置の信頼性の向上に寄与
することを目的とする。
及び放湿能力を損ねることなく、シリカゲルに付着した
イオンまたはイオン化しやすい異物を除去し、シリカゲ
ルから発生するガス量を低減させ、湿度調節用にシリカ
ゲルを使用した磁気ディスク装置の信頼性の向上に寄与
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のシリカゲルの製
造方法は、破砕状シリカゲルを純水で洗浄することを特
徴とし、前記純水は比抵抗値が１ＭΩ・ｃｍ以上である
ことを特徴とする。
造方法は、破砕状シリカゲルを純水で洗浄することを特
徴とし、前記純水は比抵抗値が１ＭΩ・ｃｍ以上である
ことを特徴とする。
【０００８】本発明のシリカゲルの製造方法は、ケイ酸
ソーダと硫酸とを中和して得たシリカゲルを破砕し、純
水で洗浄することを特徴とする。
ソーダと硫酸とを中和して得たシリカゲルを破砕し、純
水で洗浄することを特徴とする。
【０００９】本発明の磁気ディスク装置は、上記の方法
で製造したシリカゲルを内部に収めたことを特徴とす
る。
で製造したシリカゲルを内部に収めたことを特徴とす
る。
【００１０】シリカゲルの製造工程途中においてシリカ
ゲルに付着したＣｌ- 、ＮＯ3 -、ＳＯ4 2- といったイオ
ンやイオン化しやすい異物等の影響を防止するため、純
水洗浄を実施した破砕状シリカゲルを用いることで、シ
リカゲルから発生するガス量を低減させ、これらのシリ
カゲルを封入したデシカントパックを磁気ディスク装置
に設置した場合に、磁気ディスク装置の信頼性向上に寄
与する事になる。
ゲルに付着したＣｌ- 、ＮＯ3 -、ＳＯ4 2- といったイオ
ンやイオン化しやすい異物等の影響を防止するため、純
水洗浄を実施した破砕状シリカゲルを用いることで、シ
リカゲルから発生するガス量を低減させ、これらのシリ
カゲルを封入したデシカントパックを磁気ディスク装置
に設置した場合に、磁気ディスク装置の信頼性向上に寄
与する事になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１２】図１に本発明の実施の形態のシリカゲル製
造方法を示す。本実施の形態の方法は、最初にケイ酸ソ
ーダ（Ｎａ2 ＯX ・Ｓｉ−Ｏ2 ）と硫酸とを中和させて
シリカゲルを得る。次に、シリカゲルの形状を破砕状に
する。そして、中和時に発生した硫酸ナトリウムが破砕
状シリカゲルに付着しているため、この硫酸ナトリウム
を除去する目的で純水洗浄を実施する。最後に、洗浄に
よってシリカゲルに付着した水分を除去する目的で、加
熱乾燥を実施する。この純水洗浄は、比抵抗値１ＭΩ・
ｃｍ以上の条件を満たす純水で行う。
造方法を示す。本実施の形態の方法は、最初にケイ酸ソ
ーダ（Ｎａ2 ＯX ・Ｓｉ−Ｏ2 ）と硫酸とを中和させて
シリカゲルを得る。次に、シリカゲルの形状を破砕状に
する。そして、中和時に発生した硫酸ナトリウムが破砕
状シリカゲルに付着しているため、この硫酸ナトリウム
を除去する目的で純水洗浄を実施する。最後に、洗浄に
よってシリカゲルに付着した水分を除去する目的で、加
熱乾燥を実施する。この純水洗浄は、比抵抗値１ＭΩ・
ｃｍ以上の条件を満たす純水で行う。
【００１３】図２及び図３は横軸に破砕状シリカゲルの
純水洗浄時間、縦軸にイオンクロマトグラフで測定した
イオン量（Ｃｌ- 、ＮＯ3 -、ＳＯ4 2- ）の関係を示す。
洗浄時間が増加するにつれて、Ｃｌ- 、ＮＯ3 -、ＳＯ4
2- の各イオン量は大幅に減少し、洗浄時間が１０分後
にはそれぞれ、約２０％、約５％、約１０％にまで減少
している。このことから、破砕状シリカゲルに付着して
いるイオンやイオン化しやすい異物等は純水洗浄を実施
することで、除去することが可能といえる。
純水洗浄時間、縦軸にイオンクロマトグラフで測定した
イオン量（Ｃｌ- 、ＮＯ3 -、ＳＯ4 2- ）の関係を示す。
洗浄時間が増加するにつれて、Ｃｌ- 、ＮＯ3 -、ＳＯ4
2- の各イオン量は大幅に減少し、洗浄時間が１０分後
にはそれぞれ、約２０％、約５％、約１０％にまで減少
している。このことから、破砕状シリカゲルに付着して
いるイオンやイオン化しやすい異物等は純水洗浄を実施
することで、除去することが可能といえる。
【００１４】図４は、純水洗浄した破砕状シリカゲルと
未洗浄の破砕状シリカゲルの吸湿特性のグラフである。
２５°Ｃ、８０％環境下で、純水洗浄した破砕状シリカ
ゲルと未洗浄の破砕状シリカゲルを放置した時間を横軸
に、縦軸に各シリカゲルの重量を示す。純水洗浄した破
砕状シリカゲルと未洗浄の破砕状シリカゲル両者とも、
時間の経過とともに、徐々に減少し、１００時間ぐらい
からほぼ一定になる。また、両者間の差はほとんどない
ことがわかる。
未洗浄の破砕状シリカゲルの吸湿特性のグラフである。
２５°Ｃ、８０％環境下で、純水洗浄した破砕状シリカ
ゲルと未洗浄の破砕状シリカゲルを放置した時間を横軸
に、縦軸に各シリカゲルの重量を示す。純水洗浄した破
砕状シリカゲルと未洗浄の破砕状シリカゲル両者とも、
時間の経過とともに、徐々に減少し、１００時間ぐらい
からほぼ一定になる。また、両者間の差はほとんどない
ことがわかる。
【００１５】同様に、図５は、純水洗浄した破砕状シリ
カゲルと未洗浄の破砕状シリカゲルの放湿特性のグラフ
である。純水洗浄した破砕状シリカゲルと未洗浄の破砕
状シリカゲルを２５°Ｃ、８０％環境下で、５時間放置
したものを、２５°Ｃ、４５％環境下に保管したときの
を経過時間を横軸に、縦軸に各シリカゲルの重量を示
す。純水洗浄した破砕状シリカゲルと未洗浄の破砕状シ
リカゲルの両者とも、時間の経過とともに、徐々に減少
し、２００時間ぐらいからほぼ一定になる。また、両者
間の差はほとんど差がないことがわかる。
カゲルと未洗浄の破砕状シリカゲルの放湿特性のグラフ
である。純水洗浄した破砕状シリカゲルと未洗浄の破砕
状シリカゲルを２５°Ｃ、８０％環境下で、５時間放置
したものを、２５°Ｃ、４５％環境下に保管したときの
を経過時間を横軸に、縦軸に各シリカゲルの重量を示
す。純水洗浄した破砕状シリカゲルと未洗浄の破砕状シ
リカゲルの両者とも、時間の経過とともに、徐々に減少
し、２００時間ぐらいからほぼ一定になる。また、両者
間の差はほとんど差がないことがわかる。
【００１６】図４，図５から破砕状シリカゲルを純水洗
浄することで、破砕状シリカゲルに付着しているイオン
やイオン化しやすい異物等は除去することが可能とな
り、吸湿及び放湿能力の低下も認められないことがわか
る。
浄することで、破砕状シリカゲルに付着しているイオン
やイオン化しやすい異物等は除去することが可能とな
り、吸湿及び放湿能力の低下も認められないことがわか
る。
【００１７】図６に純水洗浄をした破砕状シリカゲルを
デジカントパックに封入したものを内部に設置した磁気
ディスク装置と通常の洗浄していない破砕状シリカゲル
をデシカントパックに封入したものを設置した磁気ディ
スク装置を３２°Ｃ８０％環境下で耐久試験を実施した
結果を示す。このとき、横軸に評価時間、縦軸に障害率
を示す。
デジカントパックに封入したものを内部に設置した磁気
ディスク装置と通常の洗浄していない破砕状シリカゲル
をデシカントパックに封入したものを設置した磁気ディ
スク装置を３２°Ｃ８０％環境下で耐久試験を実施した
結果を示す。このとき、横軸に評価時間、縦軸に障害率
を示す。
【００１８】純水洗浄した破砕状シリカゲル設置した磁
気ディスク装置は障害率が横這いであるのに対し、通常
の洗浄していない破砕状シリカゲルは障害率が高くなっ
ている。
気ディスク装置は障害率が横這いであるのに対し、通常
の洗浄していない破砕状シリカゲルは障害率が高くなっ
ている。
【００１９】なお、本発明の製造方法により得たシリカ
ゲルの使用は、磁気ディスク装置に限られるものではな
い。
ゲルの使用は、磁気ディスク装置に限られるものではな
い。
【００２０】
【発明の効果】本発明の破砕状シリカゲルを純水洗浄す
ることで、破砕状シリカゲルの製造工程途中において付
着してイオンやイオン化しやすい異物等を除去すること
になる。このため、これらの成分がガス化することもな
くなるため、磁気ディスク装置の信頼性向上に寄与する
ことになる。
ることで、破砕状シリカゲルの製造工程途中において付
着してイオンやイオン化しやすい異物等を除去すること
になる。このため、これらの成分がガス化することもな
くなるため、磁気ディスク装置の信頼性向上に寄与する
ことになる。
【図１】本発明の実施の形態のシリカゲルの製造方法を
示す図である。
示す図である。
【図２】破砕状シリカゲルの洗浄時間とイオン量（Ｃｌ
- 、ＮＯ3 -）の関係を示す図である。
- 、ＮＯ3 -）の関係を示す図である。
【図３】破砕状シリカゲルの洗浄時間とイオン量（ＳＯ
4 2- ）の関係をグラフに示す図である。
4 2- ）の関係をグラフに示す図である。
【図４】純水洗浄した破砕状シリカゲルと未洗浄の破砕
状シリカゲルの吸湿特性を示す図である。
状シリカゲルの吸湿特性を示す図である。
【図５】純水洗浄した破砕状シリカゲルと未洗浄の破砕
状シリカゲルの放湿特性を示す図である。
状シリカゲルの放湿特性を示す図である。
【図６】純水洗浄をした破砕状シリカゲルと通常の洗浄
していない破砕状シリカゲルとを設置した磁気ディスク
の耐久試験における障害率を示す図である。
していない破砕状シリカゲルとを設置した磁気ディスク
の耐久試験における障害率を示す図である。
【図７】従来のシリカゲルの製造方法を示す図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 破砕状シリカゲルを純水で洗浄すること
を特徴とするシリカゲルの製造方法。 - 【請求項２】 前記純水は比抵抗値が１ＭΩ・ｃｍ以上
であることを特徴とする請求項１記載のシリカゲルの製
造方法。 - 【請求項３】 ケイ酸ソーダと硫酸とを中和して得たシ
リカゲルを破砕し、純水で洗浄することを特徴とするシ
リカゲルの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３に記載した方法で製造した
シリカゲルを内部に収めたことを特徴とする磁気ディス
ク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31845597A JPH11157824A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | シリカゲルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31845597A JPH11157824A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | シリカゲルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11157824A true JPH11157824A (ja) | 1999-06-15 |
Family
ID=18099319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31845597A Pending JPH11157824A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | シリカゲルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11157824A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003171115A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-06-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | シリカ |
| CN110330022A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-10-15 | 福建远翔新材料股份有限公司 | 一种发泡硅橡胶海绵用高分散二氧化硅的制备方法 |
-
1997
- 1997-11-19 JP JP31845597A patent/JPH11157824A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003171115A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-06-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | シリカ |
| CN110330022A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-10-15 | 福建远翔新材料股份有限公司 | 一种发泡硅橡胶海绵用高分散二氧化硅的制备方法 |
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