JPH11153542A - Icp発光分光分析におけるプラズマトーチのクリーニング方法 - Google Patents

Icp発光分光分析におけるプラズマトーチのクリーニング方法

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JPH11153542A
JPH11153542A JP9320876A JP32087697A JPH11153542A JP H11153542 A JPH11153542 A JP H11153542A JP 9320876 A JP9320876 A JP 9320876A JP 32087697 A JP32087697 A JP 32087697A JP H11153542 A JPH11153542 A JP H11153542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
gas
plasma torch
gas pipe
tip
Prior art date
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Pending
Application number
JP9320876A
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English (en)
Inventor
Tomoyuki Hirano
智之 平野
Kiyohito Waki
喜代人 脇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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Priority to JP9320876A priority Critical patent/JPH11153542A/ja
Publication of JPH11153542A publication Critical patent/JPH11153542A/ja
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  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマトーチを分析装置から取り外すこと
なく、プラズマトーチ先端に付着したカーボンを簡便に
焼失できるようにする。 【解決手段】 主としてプラズマガス管2に導入される
プラズマガスおよびクーラントガス管3に導入されるク
ーラントガスの流量を制限し、プラズマ炎を分析中の位
置よりキャリアガス管1およびプラズマガス管2の先端
に近づけるようにし、この降下したプラズマ炎によって
キャリアガス管の先端を加熱することによりカーボンの
焼失と除去を行う。したがってカーボンは、ガス流量調
整のみで焼失でき、クリーニング操作が簡便となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICP(高周波誘
導結合プラズマ)発光分光分析に関する。
【0002】
【従来技術】ICP(高周波誘導結合プラズマ)発光分
光分析では、液体試料をネブライザで霧化させて試料エ
アロゾルとし、アルゴンガスと共にプラズマトーチと呼
ばれる放電管に導く一方、プラズマトーチの外周に誘導
コイルを置いて、電源から高周波電流を供給してプラズ
マトーチ中心部に電磁誘導による電界を発生させて、ア
ルゴンプラズマ炎を生成させる。
【0003】このアルゴンプラズマ炎中を前述の試料エ
アロゾルが通過するとき、試料原子は加熱・励起されて
発光する。この発光を分光分析することにより試料中の
元素の定性・定量測定が行われる。
【0004】ところで、プラズマトーチとして現在広く
使われているものは図1に示すような同軸三重管構造と
なっており、材質は石英で作られている。三重管構造の
内中心管には前述したネブライザで霧化された試料エア
ロゾルと、この試料エアロゾルをプラズマ炎の中心部に
導入するためのアルゴンキャリアガスが流されるキャリ
アガス管1がある。
【0005】中間のプラズマガス管2に流されるアルゴ
ンガスはプラズマガスと呼ばれ、このアルゴンガスは主
として生成されたプラズマ炎をプラズマガス管2からわ
ずかに浮かす(離す)働きをする。最外側のクーラント
ガス管3に流されるアルゴンガスはクーラントガスと呼
ばれ、このアルゴンガスはプラズマの維持を主目的に流
される。
【0006】これらの同軸三重管の先端部分の形状は図
1に示すごとく、キャリアガス管1の先端はオリフィス
として狭く絞られている。プラズマガス管2の先はクー
ラントガス管3との間を狭くするように広げられてい
て、クーラントガス管3はキャリアガス管1やプラズマ
ガス管2の先端よりも長く作られている。そして高周波
誘導コイル4はこの部分に置かれているので、プラズマ
炎は図1で示される位置にできる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマトーチ
は以上のように構成されているが、これらの同軸三重管
の内、試料の分析に最も重要なキャリアガス管の先端は
試料エアロゾルをプラズマ炎内に噴霧させるためにオリ
フィス径は1.5mm位に狭く絞られている。
【0008】試料として高塩濃度水溶液や有機溶媒を噴
霧する場合にはこのキャリアガス管オリフィス部に塩類
やカーボンが付着して目詰まりを起こし分析が不能とな
るため、これら付着物の除去を行う必要が生じる。
【0009】従来はこの様なとき、直ちに分析を中断し
て点灯しているプラズマ炎を一旦消灯して冷却後プラズ
マトーチ部を装置から分解・取り外しを行い、プラズマ
トーチ先端に付着したカーボンをガスバーナや電気炉で
加熱することにより焼失せしめているのが一般的で、プ
ラズマトーチの再取付作業が必要など非常に不便な使い
方を余儀なくされるという問題があった。
【0010】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであってプラズマトーチの消灯や、装置からの分
解・取り外し・取付および他の器具による付着物焼失な
どの作業が不要となる、分光分析におけるプラズマトー
チのクリーニング方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のプラズマトーチのクリーニング方法は前記
プラズマ炎を発生させるために、前記プラズマトーチに
導入されるプラズマガスとクーラントガスのうち少なく
ともプラズマガスの流量を制限して、プラズマ炎の位置
をキャリアガス管の先端に接近させることによりプラズ
マトーチに付着したカーボンを燃焼させることを特徴と
する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の分光分析におけるプラズ
マトーチのクリーニング方法の実施例を図1および図2
により説明する。
【0013】図1において、1は同軸三重管構造のプラ
ズマトーチにおける中心管でキャリアガス管、2はキャ
リアガス管1の外側に位置するプラズマガス管、3は最
外側に位置するクーラントガス管であり、4はクーラン
トガス管3の上部外側に置かれる高周波誘導コイルであ
る。
【0014】高周波誘導コイル4によってプラズマトー
チの中心部に生成されるアルゴンプラズマ炎は、分析時
においてはプラズマガスの導入によって図1に示すよう
に、キャリアガス管1およびプラズマガス管2の先端よ
り少し上部に浮かした(離れた)位置にできるよう、主
としてプラズマガスおよびクーラントガスの流量が設定
されている。
【0015】ここで高塩濃度水溶液や有機溶媒が試料と
してキャリアガス管1に導入され、キャリアガス管1の
先端にカーボンなどが付着して正常な分析が不能になっ
たとき、本発明の方法によれば主としてプラズマガスお
よびクーラントガスの流量を制限してプラズマを図2に
示すごとくキャリアガス管の先端に接近させる。
【0016】プラズマガスはプラズマ炎をキャリアガス
管1の先端から少し浮かせる働きが主体であるからプラ
ズマガス流量を制限することでプラズマ炎をキャリアガ
ス管1の先端に接近させることができる。特に高塩濃度
水溶液や有機溶媒を試料とする場合にはキャリアガス管
1の先端に塩類やカーボンが付着して目詰まりを起こす
のを防ぐために多めのプラズマガスが流されているから
このプラズマガスを制限することは効果的である。クー
ラントガスについては本来プラズマの維持が主目的のた
め他の導入ガスに比べて1桁多いガスが流されているか
ら、プラズマ炎の降下のために若干の制限が必要とな
る。
【0017】そして接近してきたプラズマによってキャ
リアガス管1の先端は加熱され、キャリアガス管1の先
端のオリフィス部に付着したカーボンは焼失され、かつ
流出しているプラズマガスおよびクーラントガスによっ
て焼失されたカーボンは取去される。
【0018】なお、プラズマトーチ部は分析装置に組み
込まれたままであるから、主としてプラズマガスおよび
クーラントガスの流量を元に戻しプラズマ炎を分析状態
(図1)の位置に戻してキャリアガスを流せば、直ちに
分析装置によりカーボン元素の信号強度を測定すること
によって付着したカーボンの消失状態を知ることができ
る。プラズマトーチに供給されるガスの調整はプラズマ
ガスのみに限定されず、クーラントガスと合わせてこれ
らのガスを調整するようにしてもよい。ただプラズマガ
スが主体となるので、クーラントガスのみの調整ではプ
ラズマ炎の降下が不充分であるまた、プラズマトーチ部
にプラズマ炎の位置センサーを付設して、オペレータに
よる「クリーニング」キー操作のみでプラズマ炎を適正
な降下位置になるよう自動的に導入ガスの流量を調節し
てクリーニングを行うこともできる。
【0019】
【発明の効果】本発明の分光分析におけるプラズマトー
チのクリーニング方法は上記のように行われ、プラズマ
トーチ先端に付着したカーボンを分析用に点灯されてい
るプラズマ炎を利用して焼失させることができるため、
従来法のようにプラズマ炎の消灯やプラズマトーチを装
置から着脱する手間、さらに焼失のための熱源部材を用
意する必要もなくなりプラズマトーチのクリーニングが
非常に簡便となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるプラズマトーチの分析時の図で
ある。
【図2】本発明にかかるプラズマトーチのクリーニング
時の図である。
【符号の説明】
1…キャリアガス管 2…プラズマガス管 3…クーラントガス管 4…高周波誘導コイル 5…分析装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ネブライザで霧化された試料エアロゾル
    をプラズマトーチに導入し、高周波磁界により発生させ
    るプラズマ炎によって試料原子を励起発光させて分析を
    行うICP発光分光分析において、前記プラズマ炎を発
    生させるために、前記プラズマトーチに導入されるプラ
    ズマガスとクーラントガスのうち、少なくともプラズマ
    ガスの流量を制限して、プラズマ炎の位置をプラズマト
    ーチの先端に接近させることにより、プラズマトーチに
    付着したカーボンを燃焼させることを特徴とするICP
    発光分光分析におけるプラズマトーチのクリーニング方
    法。
JP9320876A 1997-11-21 1997-11-21 Icp発光分光分析におけるプラズマトーチのクリーニング方法 Pending JPH11153542A (ja)

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JP9320876A JPH11153542A (ja) 1997-11-21 1997-11-21 Icp発光分光分析におけるプラズマトーチのクリーニング方法

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JPH11153542A true JPH11153542A (ja) 1999-06-08

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JP9320876A Pending JPH11153542A (ja) 1997-11-21 1997-11-21 Icp発光分光分析におけるプラズマトーチのクリーニング方法

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JP (1) JPH11153542A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010197207A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Shimadzu Corp 発光分光分析方法及び発光分光分析装置
JP2014186026A (ja) * 2013-02-21 2014-10-02 Ube Ind Ltd 微量不純物を分析する方法、及び当該分析に用いるプラズマトーチ

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