JPH11152593A - 銀を含む電解銅箔 - Google Patents
銀を含む電解銅箔Info
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- JPH11152593A JPH11152593A JP32967497A JP32967497A JPH11152593A JP H11152593 A JPH11152593 A JP H11152593A JP 32967497 A JP32967497 A JP 32967497A JP 32967497 A JP32967497 A JP 32967497A JP H11152593 A JPH11152593 A JP H11152593A
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Abstract
の特性に優れた電解銅箔を製造すること。 【解決手段】 電解銅箔に銀を２０〜５２００ｐｐｍ含
ませることにより、電解銅箔の１８０℃での機械特性お
よび室温の抗張力を向上させる。
Description
（ＰＣＢ）の製造に用いられる電解銅箔に関するもので
あり、特には２０〜５２００ｐｐｍの銀を含有させるこ
とにより室温及び１８０℃での機械的特性を向上させた
電解銅箔に関する。
対向するアノードとの間に電解液を流しながら電圧を加
え、そして銅を回転するカソード上に析出させ、そして
所定厚さとなった析出銅をカソードから剥ぎ取ることに
より製造される。電解液は銅イオンと硫酸イオンを含有
し、これに有機添加剤を加えて、また塩素イオン濃度を
管理することにより銅箔の特性を制御している。
ラチン（具体的には、ニカワ）及び活性硫黄含有成分
（具体的には、チオ尿素）を添加することにより、低プ
ロファイルで、かつ、ＩＰＣ１級又は３級と同等以上の
特性を持つ銅箔の製造について記載する。特開平５−５
０２０６２号は、塩素イオンを２０ｐｐｍ以下、ゼラチ
ン（具体的には、ニカワ）及び／又は活性硫黄含有成分
（具体的には、チオ尿素）を微量（具体的には、０〜４
ｐｐｍ）添加することにより、高温（１８０℃）での伸
び率５．５％以上、室温での引張り強度の大きい（６０
０００ｐｓｉ以上）銅箔を製造することを記載する。更
に、特開平８−５３７８９号は、０．０５〜２．０ｐｐ
ｍのチオ尿素若しくはその誘導体、０．０８〜１２ｐｐ
ｍの高分子多糖類及び分子量１００００以下の膠を０．
０３〜４ｐｐｍ添加することにより、ロープロファイル
で、常温及び高温における伸び率が高く、かつ抗張力が
高い銅箔の製造について記載する。このように、ニカ
ワ、チオ尿素等の有機物を添加することにより、銅箔の
室温及び／又は高温での機械的特性の改善がなされてき
た。
物は、電解酸化等により分解され、電解液中でその濃度
を一定に保つことが難しい、或いは、分解物の影響によ
り製造される銅箔の特性が一定のものを得ることが難し
い、更には、分解物の影響により電解銅箔の特性が悪化
する場合もある等の問題点があった。例えば、チオ尿素
は熱および電解により分解し、この分解物は電析物であ
る銅箔の性質、例えば室温での抗張力、および１８０℃
での破断伸びを低下させ、特性に悪影響を与える。銅箔
の抗張力は取扱い易さを表す１つの指標であり、この値
が低くなると、一般に銅箔は柔らかく、取扱いの際にシ
ワができ易くなる。シワができた銅箔をＰＣＢに用いる
と、シワの部分で電気的な接触不良が発生する場合があ
る。近年の電子機器の小型、軽量化に伴い、より高密度
の電子回路の形成が求められ、これに応えるために、複
数の基板を張り合わせた積層板が広く用いられている
が、この積層板の作製には、約１８０℃の熱を約１時間
かけて基板と銅箔を張り合わせる工程がある。この工程
では、基板と銅箔の熱膨張率の違いから、銅箔の１８０
℃破断伸びが小さいと、銅箔が基板の膨張に追随するこ
とができずにクラックが発生し、電気的な接触不良が発
生する場合がある。
については、その濃度管理のために過剰分を活性炭等で
除去することが一般的に行われてきた。又、チオ尿素に
ついては、特願平８−２８４６１８号において、電解液
中に金属銅を添加することにより、チオ尿素及び／又は
その分解物を除去することにより濃度管理を行うことが
提案されている。
オ尿素等の有機物の添加は、銅箔の特性を向上させるこ
とが出来るという反面、その濃度管理及び分解物の除去
が必要であり、銅箔の特性を一定に保つことが難しいと
いう問題点があった。従って、本発明の課題は、こうし
た有機物の添加に頼ることなく室温及び高温での特性に
優れた銅箔を製造することである。
決するため、本発明者等が鋭意検討した結果、濃度管理
が容易な無機イオン、特には、銅箔に取り込まれても銅
の電気的特性を損なわない銀イオンを添加することで、
室温及び高温での特性に優れた銅箔を製造することが出
来ることを見出した。電解銅箔に銀を２０〜５２００ｐ
ｐｍ共析させることにより、電解銅箔の機械特性が向上
する。かくして、本発明は２０〜５２００ｐｐｍの銀を
含む電解銅箔を提供する。
ソードとカソードに沿ってカソードとほぼ一定の距離に
保たれて配置されるアノードとの間に銅イオンと硫酸イ
オンを含有する硫酸酸性硫酸銅溶液から成る電解液を流
し、カソードに銅が電析するように有効な量の電圧を印
加し、回転するカソード周囲に銅を電着していくことに
より製造される。所定の厚さとなった薄膜はカソードか
らはぎ取られる。カソード面側がシャイニー面を構成し
そして電着面側がマット面を構成する。
に７０〜１２０ｇ／ｌでありそして硫酸濃度は一般に５
０〜１２０ｇ／ｌである。電流密度Ｄｋは特には限定さ
れず、通常範囲、５０〜２００Ａ／ｄｍ2 、特には１０
０〜１５０Ａ／ｄｍ2 で十分である。硫酸酸性硫酸銅溶
液の液温度もまた特には限定されるものではなく、通常
４０〜８０℃、特には５０〜６０℃範囲に管理される。
硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速もまた特には限定されるも
のではなく、通常１．５ｍ／ｓｅｃ以上、好ましくは
２．０〜５ｍ／ｓｅｃとされる。
せ、銀を電解銅箔中に共析させることにより、２０〜５
２００ｐｐｍの銀を含む電解銅箔を製造する。電解液中
に銀イオンを１〜５０ｐｐｍの範囲で添加することによ
り、電解銅箔中の銀濃度を２０〜５２００ｐｐｍに管理
することができる。電解銅箔中の銀濃度が２０ｐｐｍ未
満の場合には、室温及び１８０℃での機械特性を向上さ
せる効果が少ない。又、５２００ｐｐｍを超える場合に
は、機械特性を向上させる効果が少なくなる上、銀添加
のコストが高くなり経済的に不利となる。銀イオンは、
電解液に可溶な銀塩、例えば硫酸銀の形で電解液中に添
加することができる。銀を電解銅箔中に含ませることに
より、室温の伸び率を損なうことなく、室温の抗張力を
増大させ、また１８０℃での抗張力及び伸び率を増大さ
せることができる。
ｍを添加し、電流密度：１２０Ａ／ｄｍ2 、電解液温
度：５７℃、液流速：２ｍ／ｓｅｃとした場合の電解銅
箔中に共析する銀濃度並びに室温及び１８０℃での機械
的性質（抗張力及び伸び率）を調べた結果である。
の伸び率を損なうことなく、室温の抗張力は、増大して
いることが分かる。また、１８０℃の抗張力は、大きく
増大し、１８０℃伸び率も、銀濃度５２００ｐｐｍでも
銀を含まないものより大きいことが分かる。特に、銀箔
中の銀濃度２０〜２５００ｐｐｍのものは１８０℃抗張
力及び伸び率も無添加より大きく優れている。
に取り込まれても銅の電気的特性を損なわない銀イオン
を添加することで、室温及び１８０℃での機械的特性に
優れた銅箔を製造することが出来る。
Claims (1)
- 【請求項１】 ２０〜５２００ｐｐｍの銀を含む電解銅
箔。
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| JP32967497A Expired - Fee Related JP3943214B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 銀を含む電解銅箔 |
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1997
- 1997-11-14 JP JP32967497A patent/JP3943214B2/ja not_active Expired - Fee Related
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