JPH11150374A - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比誘電率の高い基板材料を使用して機能内蔵
型の多層配線基板を構成する場合にも、寄生容量による
高周波特性の劣化を抑制する。 【解決手段】 セラミック１基板の積層体からなる多層
配線基板において、内蔵される高周波伝送線路４、薄膜
コイル６、薄膜抵抗７等の機能素子の上面側と下面側と
を連通された空洞１２とすることで、これら機能素子を
比誘電率εの低い空中に架設した状態とする。機能素子
を架設するには、セラミックグリーンシートに予め形成
された下面側空洞形成用の開口をレジスト材料で平坦に
埋め込み、この開口を横断しかつ上記レジスト材料が一
部露出するように機能素子のパターンを形成し、レジス
ト材料を除去し、さらに機能素子の形成部位に対応して
上面側空洞形成用の開口が予め形成されたセラミックグ
リーンシートを積層する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品や半導体素
子が実装される多層配線基板とその製造方法に関し、特
に基板内部の寄生容量が少なく高周波信号の取扱いに適
する多層配線基板と、その簡便な製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、セルラー電話、パーソナルコンピ
ュータ、ＩＳＤＮ（総合デジタル通信網）等の機器や設
備を利用したネットワーク技術の進展により、様々な電
子機器へ高周波通信回路ブロックや高速シリアル・イン
ターフェースが搭載されるようになっている。これらの
高速・高周波ブロックを電子機器へ搭載するには、ブロ
ック全体をコンパクトにまとめることはもちろんのこ
と、その内部構成部品の実装方法についても動作高速化
やノイズ低減のための配慮が必要である。上述のような
要請に応える方法として、機能内蔵型の多層配線基板を
用いる方法が提案されている。機能内蔵型とは、コイ
ル、キャパシタ、抵抗といった従来はチップ状の外付け
部品として供給されていた機能素子が、薄膜型の素子と
して多層配線基板の内部に作り込まれていることを指
す。

【０００３】図２５に、機能内蔵型の多層配線基板の一
構成例を示す。この多層配線基板は、６層のセラミック
基板１０１を積層することにより、電源信号レイヤＶc
c、第２グランド信号レイヤＧＮＤ２、第４信号レイヤ
Ｓ４、第１グランド信号レイヤＧＮＤ１、第３信号レイ
ヤＳ３、第２信号レイヤＳ２、第１信号レイヤＳ１の７
つの信号レイヤを形成したものである。すなわち下層側
から順に、１層目のセラミック基板１０１の裏面には電
源線１０２がパターニングされ、１層目と２層目の間に
は第２グランド線１０３が介在され、２層目と３層目の
間には高周波伝送線路１０４、３層目と４層目の間には
第１グランド線１０５、４層目と５層目の間にはスパイ
ラル状の薄膜コイル１０６と薄膜抵抗１０７とキャパシ
タ１１１、５層目と６層目の間には内部配線１１２、６
層目の表面には半導体素子等のパッケージＰを実装する
ための電極パッド１１４が形成されている。レイヤ間
は、セラミック基板１０１を貫通するビアホール１１３
により、電気的に接続されている。

【０００４】かかる機能内蔵基板は一般に、焼成前の柔
らかいセラミック基板であるセラミックグリーンシート
上における導電膜のパターニングと、所定のビアホール
開口パターンを有するセラミックグリーンシートの圧接
による積層とを繰り返し、最後にこの積層体を焼成して
硬化させる手順で製造される。導電膜のパターニング
は、典型的には銅を含む導電性インキを用いたスクリー
ン印刷法により、またセラミックグリーンシートの所定
のビアホール開口パターンの形成は、金型を用いた打抜
き加工により行われる。この製造プロセスの一例を、図
２６ないし図２９に示す。

【０００５】図２６は、第１グランド信号レイヤＧＮＤ
１の形成までが終了した状態を示している。この状態を
得るには、裏面側に電源線１０２を形成した１層目のセ
ラミックグリーンシート１０１１の表面側上で第２グラ
ンド線１０３をパターニングし、この上に２層目のセラ
ミックグリーンシート１０１２を積層し、この上で高周
波伝送線路１０４をパターニングし、この上に３層目の
セラミックグリーンシート１０１３を積層し、さらにこ
の上で第１グランド線１０５をパターニングする。次
に、図２７に示されるように、予めビアホール１１３の
開口された４層目のセラミックグリーンシート１０１４
を積層する。

【０００６】次に、図２８に示されるように、たとえば
ＲｕＯ₂ 膜からなる薄膜抵抗１０７をパターニングし、
続いて銅膜からなる薄膜コイル１０６、キャパシタ１１
１の底部電極１０８、その他の内部配線をパターニング
する。上記ビアホール１１３は、この銅膜により埋め込
まれる。さらに、上記底部電極１０８の上ではたとえば
Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜からなるキャパシタ誘電体膜１０９をパタ
ーニングする。次に、図２９に示されるように、予めビ
アホール１１３とキャパシタの上部電極の形成部位に開
口を有する５層目のセラミックグリーンシート１０１５
を積層し、キャパシタ１１１の上部電極１１０、および
内部配線１１２をパターニングする。

【０００７】この上に、６層目のセラミックグリーンシ
ートを積層してその表面で電極パッド１１４をパターニ
ングすれば、前掲の図２５に示したような機能内蔵型の
多層配線基板が完成される。このようにして製造される
機能内蔵型の多層配線基板は、理想的に設計されれば従
来のようなチップ状の機能素子の表面実装をすべて省略
することが可能であり、実装基板の面積の縮小を通じた
電子機器の小型化に大いに貢献する。また、実装基板の
小型化で機能素子間の配線長が短縮されるために、信号
伝送の高速化が図れる他、特に高周波信号の減衰を防ぐ
上でも有利である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、機能内蔵型
の下層配線基板の本体を構成する誘電体材料としては、
上述の例にも示したように、アルミナやムライト等のセ
ラミックが一般に用いられている。これは、セラミック
を用いた場合、印刷法により微細な回路パターンを形成
することができ高密度化に適すること、多層化が容易で
あること、耐熱性が高く半導体チップを直接実装可能で
あること、といったメリットが得られるからである。し
かし、セラミック以前の代表的な多層配線基板の構成材
料であり、比誘電率εが約４と低いガラス繊維強化エポ
キシ基板に比べ、セラミックの比誘電率εは９〜１０と
高い。近年の電子機器には動作の高速化に伴い１００〜
３００ＭＨｚもの高いクロック周波数が採用されている
ため、基板材料の比誘電率εが上記のごとく高いと、寄
生容量の増加が動作上無視できないレベルに達してく
る。

【０００９】図３０に、寄生容量ＰＣの発生を模式的に
示す。寄生容量ＰＣは、基板の内部で導電膜が接近する
あらゆる場所で発生し、信号の減衰とインピーダンスの
低下をもたらす。これにより、回路定数に様々な変化が
生じ、機能素子の本来の特性と実際の特性との間にズレ
が生じたり、高周波特性が劣化する問題が顕著となって
いる。そこで本発明は、比誘電率εの高い基板材料を使
用した場合にも、高周波特性の劣化を防止し、高速動作
に適する機能内蔵型の多層配線基板と、その簡便な製造
方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、複数の誘電体基板が積層されてなる積層体の内部に
内蔵された機能素子の上面側と下面側の双方に空洞を設
け、機能素子の近傍を比誘電率εの低い空気に置き換え
た構造とすることで、上述の目的を達成しようとするも
のである。機能素子の上面側と下面側の空洞は互いに連
結されていても、あるいは誘電体薄板で隔てられていて
もよい。前者は、寄生容量の低下に最も効果の大きい理
想的な構成である。後者は、寄生容量の低減効果にはや
や劣るが、それでも機能素子の周囲が誘電体基板材料で
固められている従来の構成に比べれば、著しく高周波特
性の改善された構成となる。

【００１１】上記の上面側空洞と下面側空洞とは構造
上、積層される個々の誘電体基板の厚み全体を利用した
ものであっても、厚みの一部を利用したものであって
も、あるいはこれらの組合せであってもよい。いずれの
場合にも空洞の形成は、機能素子の形成部位に対応する
部分の誘電体基板の一部を予め除去しておくことで可能
となる。つまり、誘電体基板の厚みをそのまま利用した
空洞は、該誘電体基板を貫通する開口の内側に形成する
ことができ、厚みの一部を利用した空洞は、厚み方向の
一部が除去された凹部の内側に形成することができる。
さらに、誘電体基板を貫通する開口が、開口幅の小さい
第１開口と開口幅の大きい第２開口とが基板の厚み方向
に連通されたような開口であれば、この開口の側壁面の
段差に機能素子を架設することにより、１枚の誘電体基
板の厚みの範囲内で上面側空洞と下面側空洞の双方を形
成することもできる。

【００１２】ところで、本発明の多層配線基板の製造方
法が（１）下面側空洞の形成→（２）機能素子の形成→
（３）上面側空洞の形成、の順序を経る限り、機能素子
の一部が空中に架設された状態を達成するためには、犠
牲層を利用することが好適である。すなわち、空洞形成
用の開口を犠牲層で一旦埋め込み、この開口を横断する
機能素子を該犠牲層の一部が露出するように形成し、そ
の後、犠牲層を除去すればよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の多層配線基板は、従来で
あれば機能素子を取り囲んでいた高誘電率材料の一部
を、空洞に置き換えたところを最大の特色としている。
ここで、本発明者らがシミュレーションにもとづいて高
周波伝送線路の伝送特性（Ｓ２１）に及ぼす空洞の効果
を検討した結果について、図２２ないし図２４を参照し
ながら説明する。図２２は、伝送特性のシミュレーショ
ンモデルを表す斜視図であり、（ａ）図は高周波伝送線
路Ｔを空洞内に配置した場合、（ｂ）図は誘電体内に配
置した場合をそれぞれ示す。（ａ）図では、面積、厚さ
共に無限大のグランド面Ｇ１から厚さｄ２の空間を隔て
た厚さｄ４の誘電体膜Ｄ１の上に、幅ｗ１、長さＬ１、
厚さｄ１を有する高周波伝送線路Ｔが形成されている。
高周波伝送線路Ｔに厚さｄ３の空間を隔てて対向される
グランド面Ｇ２は、面積、厚さ共に無限大である。一方
の（ｂ）図では、上記の厚さｄ２の空間と厚さｄ４の誘
電体膜Ｄ１とを合わせた領域が厚さｄ５（＝ｄ２＋ｄ４
＝ｄ３）の誘電体膜Ｄ３とされている。

【００１４】ここで、次のような条件を設定する。 ｄ１＝４μｍ ｄ２＝９５μｍ ｄ３＝ｄ５＝１００μｍ ｄ４＝５μｍ ｗ１＝１５０μｍ Ｌ１＝３００μｍまたは３０００μｍ グランド面Ｇ１，Ｇ２の導電率＝∞ 高周波伝送線路Ｔの導電率＝４．１×１０⁶ Ｓ／ｍ 誘電体膜Ｄ１，Ｄ２の比誘電率ε＝９．６

【００１５】以上の条件設定にもとづく電力透過特性
（Ｓ２１）のシミュレーション結果を、図２３および図
２４に示す。図２３はＬ１＝３００μｍの場合の０〜１
００ＧＨｚにおける特性、図２４はＬ１＝３０００μｍ
の場合の０〜１０ＧＨｚにおける特性にそれぞれ対応す
る。また、両図共、横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は電
力減衰率（ｄＢ）、実線のグラフは高周波伝送線路Ｔが
空洞内にある場合、破線のグラフは高周波伝送線路Ｔが
誘電体内にある場合を表す。これらの結果より、空洞内
に高周波伝送線路Ｔを配置した場合の方が電力の減衰が
少なく、高周波特性に優れていることが明らかである。
たとえば図２３では周波数５０ＧＨｚにおいて、また図
２４では周波数５ＧＨｚにおいて、いずれも空洞内に置
かれた高周波伝送線路の方が誘電体内のものに比べて
１．２ｄＢ以上高いゲインを示している。

【００１６】このように、高周波伝送線路Ｔの下に薄い
誘電体膜が存在するシミュレーションモデルに関して従
来品よりも高いゲインが確認されたことから、高周波伝
送線路Ｔの下面側が直に空洞とされた場合には、一層高
いゲインが得られることは容易に理論的に推察される。
なお、本発明において上面に空洞が設けられると有効な
機能素子とは、高周波伝送線路、薄膜コイル、薄膜抵
抗、キャパシタの少なくともいずれかである。電源線や
低周波信号を伝送する信号線等のように伝送損失がそれ
ほど問題とならない配線については、特に上面側と下面
側と空洞化する必要はない。

【００１７】ところで、本発明で形成される空洞は、閉
鎖された空間であっても、あるいは大気と連通された空
間であってもよい。閉鎖された空洞は空気で満たされて
いても、あるいは所定の真空度を有する空間であっても
よい。真空を実現するには、この空洞を取り囲む誘電体
基板材料に残留空気を吸収する性質を有するものを用い
ることが考えられる。閉鎖された空間を形成するには、
機能素子を表出させる誘電体基板の開口を、その下層側
と上層側の誘電体基板で全面的に閉鎖すればよい。たと
えば、（ｎ＋１）層目の誘電体基板の下面側空洞形成用
の開口を横断するごとく機能素子が形成され、この機能
素子の形成部位に対応して上面側空洞形成用の開口が形
成された（ｎ＋２）層目の誘電体基板が積層されている
場合には、下面側空洞形成用の開口の底面側をｎ層目の
誘電体基板で、また上面側空洞形成用の開口の上面側を
（ｎ＋３）層目の誘電体基板でそれぞれ全面的に閉鎖す
ればよい。

【００１８】一方、大気と連通された空間を形成するに
は、ｎ層目の誘電体基板あるいは（ｎ＋３）層目の誘電
体基板の少なくとも一方に、適当な大気連通用の開口を
設けておけばよい。ここで、（ｎ＋３）層目以降のすべ
ての誘電体基板に、上面側空洞形成用の開口と同等の開
口が設けられていれば、この機能素子の上側は吹抜け部
となり、多層配線基板の放熱効果の向上に貢献する。ま
た、大気連通用の開口が上面側空洞形成用の開口よりも
小さければ、通気孔を形成することができる。この通気
孔は、放熱効果では吹抜け部に及ばないものの、製造工
程における空気の熱膨張に起因する基板へのクラック発
生等の不都合を回避する上で有効であり、また吹抜け部
とは異なり、ある機能素子の上方への他の機能素子の内
蔵を妨げないというメリットがある。

【００１９】以上の考え方は、誘電体基板の厚みの一部
を用いて上面側あるいは下面側の空洞を形成する場合に
も同様に当てはまる。すなわち、（ｎ＋１）層目の誘電
体基板に開口幅の相対的に小さい第１開口と開口幅の相
対的に大きい第２開口とが基板の厚み方向に連通して形
成されており、この第２開口の内部において第１開口を
横断する機能素子が形成されている場合には、第１開口
の底面側をｎ層目の誘電体基板で、また第２開口の上面
側を（ｎ＋２）層目の誘電体基板でそれぞれ全面的に閉
鎖すれば、閉鎖された空洞を形成することができる。一
方、大気と連通された空間を形成するには、ｎ層目の誘
電体基板あるいは（ｎ＋２）層目の誘電体基板の少なく
とも一方に、適当な大気連通用の開口を設けておけばよ
い。

【００２０】なお、上記第２開口が十分に深く、機能素
子がその開口端から十分に後退されている場合には、平
坦な（ｎ＋２）層目の誘電体基板で第２開口を塞いでも
ある程度は寄生容量を低減させることができる。しか
し、（ｎ＋２）層目の誘電体基板に予め第２開口の少な
くとも一部に対応する上面側空洞形成用の凹部を形成し
ておけば、上面側空洞を拡大することができ、寄生容量
の低減効果を一層高めることができる。同様のことは、
第１開口の下側のｎ層目の誘電体基板についても当ては
まる。すなわち、ｎ層目の誘電体基板に、第１開口の少
なくとも一部に対応する下面側空洞形成用の凹部を予め
形成しておけば、下面側空洞を拡大し、寄生容量の低減
効果を一層高めることができる。

【００２１】機能素子の上面側の空洞と下面側の空洞が
誘電体薄板で隔てられている場合には、空洞の閉鎖また
は大気連通に関する考え方は同じであるが、その製造に
際して犠牲層は不要である。このときの誘電体薄板の厚
みは、誘電体基板よりも厚みが十分に小さくなければ寄
生容量の低減に役立たないばかりか、多層配線基板の全
体の厚みを増大させる結果となる。したがって、誘電体
薄板の構成材料を誘電体基板と同じとする場合には、誘
電体薄板の厚みを誘電体基板のおおよそ１０分の１以下
とすることが特に好適である。なお、誘電体基板よりも
比誘電率の低い材料を用いて誘電体薄板を構成すること
も有効である。

【００２２】なお、本発明の多層配線基板においては、
上面側と下面側とが連通された空洞と誘電体薄板により
隔てられた空洞とが混在されていても良い。これは、高
周波伝送線路や薄膜抵抗のようにパターンが単純な機能
素子は、下面側空洞を横断するように形成することも比
較的容易であるが、薄膜コイルのようにパターンそのも
のが微細かつ二次元的に複雑な形状を有する機能素子に
ついては、誘電体薄膜の上に形成した方が構造上安定と
なるからである。

【００２３】本発明の多層配線基板を構成する個々の誘
電体基板は、開口や凹部の加工が実用的な方法で可能で
あり、内蔵される機能素子や表面に実装されるパッケー
ジに悪影響を与えないものである限り、その構成材料が
特に限定されるものではない。しかし、寄生容量に起因
する伝送損失の軽減という本発明の趣旨に照らすと、比
誘電率εが高い基板材料を用いた場合のメリットが大き
い。かかる基板材料として典型的なものは、アルミナや
ムライト等のセラミックである。セラミック基板は一般
に未焼成のグリーンシートの状態で加工、積層が行われ
るが、本発明でもこのグリーンシートの状態で開口や凹
部を形成する。グリーンシートは柔らかいので、導電膜
のパターンが形成されたグリーンシート上にも圧接すれ
ば、自身が変形して該パターンによる段差を吸収するこ
とができる。すべての加工と積層が終了した後にグリー
ンシートの焼成を行えば、硬化させた多層配線基板を容
易に得ることができる。

【００２４】ところで、下面側と上面側とで連通された
空洞の中に架設された状態の機能素子は、犠牲層を利用
して形成することができる。犠牲層とは、プロセスの途
中状態ではこれに接して形成される部材の形状や位置や
寸法を規定する固体として存在するが、目的を達した後
には除去され、プロセス終了時には存在しない層であ
る。本発明の多層配線基板の製造方法では、犠牲層の除
去に際して周囲の誘電体基板に損傷や変形が加わっては
ならないので、誘電体基板に対して選択比を確保できる
材料で犠牲層を構成する必要がある。特に、誘電体基板
としてセラミックグリーンシートを用いる場合には、犠
牲層として有機高分子材料を用いることが好適である。
この有機高分子材料としてはレジスト材料が典型的に用
いられるが、感光性は特に要求されない。かかる犠牲層
の除去は、酸素プラズマを用いたアッシング、あるいは
フォトレジスト用現像液やアセトン等の適当な溶剤を用
いた溶解により行うことができる。

【００２５】機能素子は、たとえば導電性塗料を用いて
スクリーン印刷を行えば、最初から所定パターンの状態
で形成することができる。あるいは、公知の薄膜形成技
術により基体の全面に形成された導電膜を、マスクを介
してエッチングしてもよい。このとき、マスクを犠牲層
と共通の有機高分子材料にて形成すれば、犠牲層の除去
時にマスクも同時に除去することができ、工程数の増加
によるスループットの低下を最小限に抑えることができ
る。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００２７】実施例１ 本実施例では、機能素子の上面側と下面側とで連通さ
れ、セラミック基板の厚みをそのまま利用した閉鎖型の
空洞が配された多層配線基板について、図１を参照しな
がら説明する。この多層配線基板は、９層のアルミナ系
のセラミック基板１からなる積層体を用いて、電源信号
レイヤＶcc、第２グランド信号レイヤＧＮＤ２、第４信
号レイヤＳ４、第１グランド信号レイヤＧＮＤ１、第３
信号レイヤＳ３、第２信号レイヤＳ２、第１信号レイヤ
Ｓ１の７つの信号レイヤを形成したものである。図中、
最下層のセラミック基板１の裏面には電源線２がパター
ニングされ、１層目と２層目の間には第２グランド線３
が介在されている。また、４層目と５層目のセラミック
基板１の間には第１グランド線５が、さらに７層目と８
層目のセラミック基板１の間には内部配線１４が形成さ
れている。これら電源線２、第２グランド線３、第１グ
ランド線５、および内部配線１４はいずれもスクリーン
印刷法により形成された銅パターンからなるものである
が、伝送損失が特に問題となる配線ではないので、上下
に空洞は設けられていない。

【００２８】これに対し、２層目のセラミック基板１の
上の高周波伝送線路４、５層目のセラミック基板１の上
のスパイラル状の薄膜コイル６と薄膜抵抗７、および７
層目のセラミック基板１に埋め込まれた形のキャパシタ
１１の上部電極１０の上下面には、それぞれ空洞１２が
形成されている。ここで、上記高周波伝送線路４は、そ
れ自体がパターン設計によりフィルタ等の機能を持ち得
るため、機能素子に含めている。９層目のセラミック基
板１の表面には、半導体素子等のパッケージＰを実装す
るための電極パッド１５が形成されている。上記薄膜抵
抗７はたとえば厚さ約１０μｍのＲｕＯ₂ 膜からなり、
キャパシタ誘電体膜９はたとえば厚さ約１０μｍのＴａ
₂ Ｏ₅ 膜よりなる。その他の導電膜は、すべて銅パター
ンからなる。

【００２９】かかる構成において、底部電極８とキャパ
シタ誘電体膜９と上部電極１０とが積層された厚みの大
きいキャパシタ１１を除き、各機能素子の厚さを約１０
μｍ、各セラミック基板１の厚さを約１００μｍとする
と、機能素子上における各空洞１２の高さは１９０μｍ
前後である。この空洞１２の内部は、グリーンシートの
焼成時における基板材料からの脱ガス成分を若干含有す
る空気で満たされている。本実施例では、多層配線基板
に内蔵される機能素子の上下に上記のような空洞１２が
設けられることで該機能素子の周囲の比誘電率εが低下
するため、寄生容量の影響を排し、高周波特性が向上さ
れている。

【００３０】ところで、空洞１２内に機能素子が架設さ
れた本発明の多層配線基板では、レイヤ間を電気的に接
続するビアホール１３を空洞１２の内部に形成すること
は機械的強度の観点から好ましくない。そこで、ビアホ
ール１３はもっぱらセラミック基板１を貫通して形成さ
れる。つまり、空洞１２内に架設される機能素子も、接
続端子部のみはセラミック基板１の内部へ延在させる
か、あるいは空洞１２の内部に島状に残したセラミック
基板１の上に配しておき、この部分で他レイヤとのコン
タクトをとることが好適である。たとえば、図１に示し
た薄膜コイル６では、第１グランド線５との接続がスパ
イラル状のコイル巻線の中心にて５層目のセラミック基
板１の島状領域を貫通するビアホール１３により達成さ
れ、電極パッド１５との接続がコイル巻線の末端にて６
層目以降のセラミック基板１を貫通するビアホール１３
により達成されている。

【００３１】実施例２ 本実施例では、実施例１の多層配線基板の製造に適用さ
れるプロセスについて、図２ないし図７を参照しながら
説明する。ただし、これらの図面は、前掲の図１の一部
を表したものではなく、より一般化した説明を行うため
の概念図である。図２は、下面側空洞形成用の開口２１
ａを形成した（ｎ＋１）層目グリーンシート２１を、ｎ
層目グリーンシート２０と位置合わせした状態を示して
いる。上記開口２１ａは、たとえば金型を用いた打ち抜
き加工により形成されたものである。上記ｎ層目グリー
ンシート２０には、機能素子以外の配線パターンが形成
されていてもよい。

【００３２】これら２層のグリーンシートを圧接して得
られた積層体を、図３に示す。次に、図４に示されるよ
うに、上記の開口２１ａの内部に犠牲層としてレジスト
埋込み層２２を平坦に形成した。上記レジスト埋込み層
２２は、印刷法により開口２１ａ内に注入されたレジス
ト材料を１００℃程度に予備加熱して仮硬化させたもの
である。レジスト埋込み層２２がポジ型フォトレジスト
材料からなる場合には、この段階で全面露光を行ってベ
ース樹脂を低分子化しておけば、後工程で現像液を用い
て容易に溶解除去することができる。また、開口２１ａ
を埋め込む方法は印刷法には限られない。たとえば、ド
クターブレード等を用いた塗布法により積層体の全面に
その表面段差を吸収できる程度の厚さのレジスト塗膜を
形成し、このレジスト塗膜を積層体の表面が露出するま
でエッチングすることにより、開口２１ａの内部にのみ
レジスト塗膜を残しても良い。

【００３３】次に、図５に示されるように、たとえばス
クリーン印刷法で上記開口２１ａを横断する導電膜パタ
ーン２３ｐを形成した。ここでは、平均粒径約０．０１
μｍの超微粒子状の銅粉末が有機バインダ中に分散され
たペースト剤を印刷インクとして使用し、２００℃程度
の予備加熱でこれを硬化させることにより、導電膜パタ
ーン２３ｐを形成した。なお、このときの基体の表面に
はレジスト埋込み層２２が一部露出された状態となって
いる。次に、図６に示されるように、上記レジスト埋込
み層２２をアセトン等の有機溶剤を用いて溶解除去する
か、あるいは酸素プラズマアッシングを行って除去し
た。この積層体をさらに、上面側空洞形成用の開口２４
ａが予め形成された（ｎ＋２）層目グリーンシート２
４、およびこの開口２４ａを全面的に塞ぐ（ｎ＋３）層
目グリーンシート２５と位置合わせした。図７には、以
上の４層のグリーンシートからなる積層体の断面図を示
す。上記開口２１ａと開口２４ａの内側は連通された空
洞２６を形成し、その中途部に機能素子である導電膜パ
ターン２３ｐが架設された状態となっている。

【００３４】以後、同様の手順を繰り返して所望の数の
レイヤを形成し、最後にグリーンシートを硬化させる
と、セラミック多層配線基板が完成される。なお、上記
の導電膜パターン２３ｐに対してコンタクトをとる場合
には、該導電膜パターン２３ｐがグリーンシートに埋め
込まれた部分に臨んでビアホールが予め形成されたグリ
ーンシートを積層すればよい。また、上記ｎ層目グリー
ンシート２０や（ｎ＋３）層目グリーンシート２５にそ
れぞれ開口２１ａ，２４ａと同等の開口を形成し、かつ
ｎ層目以前または（ｎ＋３）以降のすべてのグリーンシ
ートにも同様の開口を形成すれば、空洞２６を吹抜け構
造とすることができる。あるいは、ｎ層目グリーンシー
ト２０や（ｎ＋３）層目グリーンシート２５に開口２１
ａ，２４ａに通じる通気孔を設け、かつｎ層目以前また
は（ｎ＋３）以降のすべてのグリーンシートにも同様の
通気孔を形成すれば、空洞２６を大気と連通させること
ができる。

【００３５】実施例３ 本実施例では、前掲の図５に示した導電膜パターン２３
ｐを、導電膜の全面成膜とエッチングにより形成したプ
ロセス例について、図８ないし図１１を参照しながら説
明する。まず、開口２１ａへのレジスト埋込み層２２の
形成を前掲の図４に示したように行った後、この積層体
の全面にたとえば蒸着法やスパッタリング法のような気
相薄膜形成技術により、図８に示されるような導電膜２
３を形成した。なお、上記レジスト埋込み層２２の材料
としては、後述のレジストパターン２７の構成材料と同
じものを使用した。次に、図９に示されるように、公知
のフォトリソグラフィおよび現像を経て、導電膜２３の
上にレジストパターン２７を形成した。る。

【００３６】次に、図１０に示されるように、上記レジ
ストパターン２７をマスクとして上記導電膜２３を加工
し、導電膜パターン２３ｐを形成した。このときの加工
は、たとえばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）やイオ
ンミリングにより行うことができる。次に、アセトン等
の有機溶剤を用いた溶解処理、あるいは酸素プラズマア
ッシングを行うことにより、図１１に示されるように、
レジストパターン２７とレジスト埋込み層２２とを同時
に除去した。以上のようなプロセスによっても、開口２
１ａに架設される導電膜パターン２３ｐを形成すること
ができた。以降の多層配線基板の製造プロセスは、実施
例２で述べたとおりである。

【００３７】実施例４ 本実施例では、機能素子の上面側と下面側の空洞を、そ
れぞれセラミック基板１の厚さの一部を用いて形成した
多層配線基板の構成例について、図１２を参照しながら
説明する。この多層配線基板は、６層のアルミナ系のセ
ラミック基板１からなる積層体を用いて、電源信号レイ
ヤＶcc、第２グランド信号レイヤＧＮＤ２、第４信号レ
イヤＳ４、第１グランド信号レイヤＧＮＤ１、第３信号
レイヤＳ３、第２信号レイヤＳ２、第１信号レイヤＳ１
の７つの信号レイヤを形成したものである。配線や機能
素子の種類と符号は前掲の図１と同じであるが、本実施
例では空洞１６をセラミック基板１をくり抜いて形成し
ているため、空洞形成用の余分のセラミック基板１は不
要である。すなわち、セラミック基板１の積層数に限っ
てみれば、前掲の図２５に示した従来の多層配線基板と
同じとすることが可能である。

【００３８】実施例５ 本実施例では、実施例４で述べた多層配線基板の製造に
適用されるプロセスについて、図１３ないし図１６を参
照しながら説明する。ただし、これらの図面は、前掲の
図１２の一部を表したものではなく、より一般的な説明
を行うための概念図である。図１３は、開口幅の相対的
に小さい第１開口２１ｂと開口幅の相対的に大きい第２
開口２１ｃとが基板の厚み方向に連通するごとく形成さ
れた（ｎ＋１）層目グリーンシート２１を、ｎ層目グリ
ーンシート２０と位置合わせした状態を示している。上
記のように開口幅が２段階に変化する開口を形成するに
は、たとえば金型を用いた打ち抜き加工を基板の厚みの
途中まで行って第２開口２１ｃを形成した後、この第２
開口２１ｃの内部の所定の領域をさらに打ち抜いて第１
開口２１ｂを形成すればよい。

【００３９】これら２層のグリーンシートを圧接して得
られた積層体を、図１４に示す。次に、図１５に示され
るように、上記の第２開口２１ｃの内部において、第１
開口２１ｂの上に架設される導電膜パターン２３ｐを形
成した。かかる導電膜パターン２３ｐは、犠牲層として
前述のようなレジスト埋込み層を第１開口２１ｂの内部
に平坦に形成し、この上に導電膜パターン２３ｐを形成
した後、レジスト埋込み層を除去すれば、形成すること
ができる。この積層体をさらに、上面側空洞形成用の凹
部２４ｂが予め形成された（ｎ＋２）層目グリーンシー
ト２４と位置合わせした。

【００４０】図１６には、以上の３層のグリーンシート
の積層体の断面図を示す。この積層により、上記第１開
口２１ｂ、第２開口２４、および凹部２４ｂが一体とな
った空洞２７が形成され、その中途部に機能素子である
導電膜パターン２３ｐが架設された状態が得られた。な
お、第２開口２１ｃに十分な深さがある場合には上記凹
部２４ｂを特に設けなくてもよいが、この凹部２４ｂが
存在することにより機能素子の上面側空洞が大きくな
り、寄生容量の低減効果が大となる。以後、同様の手順
を繰り返して所望の数のレイヤを形成し、最後にグリー
ンシートを硬化させると、セラミック多層配線基板が完
成される。

【００４１】実施例６ 本実施例では、機能素子が誘電体薄板上に形成され、該
機能素子の上面側と下面側の空洞が該誘電体薄板で隔て
られた多層配線基板について、図１７を参照しながら説
明する。この多層配線基板は、９層のアルミナ系のセラ
ミック基板１と２層のセラミック薄板１ｔからなる積層
体を用いて、電源信号レイヤＶcc、第２グランド信号レ
イヤＧＮＤ２、第４信号レイヤＳ４、第１グランド信号
レイヤＧＮＤ１、第３信号レイヤＳ３、第２信号レイヤ
Ｓ２、第１信号レイヤＳ１の７つの信号レイヤを形成し
たものである。配線や機能素子の種類と符号は前掲の図
１と同じであるが、本実施例では２層目と３層目のセラ
ミック基板１の間に高周波電送線路４を支持するセラミ
ック薄板１ｔが介在され、また５層目と６層目のセラミ
ック基板１の間にも薄膜コイル６と薄膜抵抗７とキャパ
シタ１１とを支持するセラミック薄板１ｔが介在されて
いる。ここでは、セラミック基板１とセラミック薄板１
ｔの構成材料を共に誘電率の等しいアルミナ系セラミッ
クとし、前者の厚さを１００μｍ、後者の厚さを１０μ
ｍとした。空洞１２は、機能素子の上面側と下面側とに
分断されている。

【００４２】上記のセラミック薄板１ｔは、特に薄膜コ
イル６のように二次元的に複雑な形状を有する微細パタ
ーンからなる機能素子を支持する上で有効である。ま
た、機能素子はおおよそ下面側空洞の上方に位置してい
ればよく、製造に際して特に下面側空洞形成用の開口を
横断する必要がないので、本実施例の多層配線基板は設
計の自由度やプロセスマージンが比較的大きいという利
点も有する。かかる多層配線基板については、セラミッ
ク薄板１ｔを介在させることによる積層体の全体厚さの
増大を防ぐために、個々のセラミック基板１の厚さを基
板の電気的特性や機械的強度に支障を及ぼさない範囲で
減じたり、あるいはセラミック薄板１ｔの介在箇所を限
定してその使用枚数を最小限に抑えることも有効であ
る。たとえば、高周波電送線路４は前掲の図１や図１２
に示したように機能素子の上面側と下面側とで連通され
た空洞内に架設し、薄膜コイル６が含まれる第３信号レ
イヤＳ３のみをセラミック薄板１ｔ上に形成するといっ
た工夫も可能である。

【００４３】実施例７ 本実施例では、実施例６で述べた多層配線基板の製造に
適用されるプロセスについて、図１８ないし図２１を参
照しながら説明する。ただし、これらの図面は、前掲の
図１７の一部を表したものではなく、より一般的な説明
を行うための概念図である。図１８は、前掲の図３と同
じ積層体、すなわち下面側空洞形成用の開口２１ｃを形
成した（ｎ＋１）層目グリーンシート２１をｎ層目グリ
ーンシート２０の上に積層した積層体と、薄型グリーン
シート２８とを位置合わせした状態を示している。

【００４４】上記積層体と薄型グリーンシート２８とを
圧接して得られた積層体を、図１９に示す。この時点
で、開口２１ａの内部は下面側の独立した空洞２９とな
る。さらに、上記薄型グリーンシート２８の上には、ス
クリーン印刷あるいは全面成膜された導電膜のパターニ
ングにより、機能素子となる導電膜パターン２３ｐを形
成した。この導電膜パターン２３ｐは主要部が空洞２９
の上方に位置されるが、パターンを自力で支える必要が
ないため、特に開口２１ａを横断するごとく形成される
必要はない。

【００４５】次に、図２０に示されるように、上記の積
層体をさらに、上面側空洞形成用の開口２４ａが予め形
成された（ｎ＋２）層目グリーンシート２４、およびこ
の開口２４ａを全面的に塞ぐ（ｎ＋３）層目グリーンシ
ート２５と位置合わせした。図２１には、以上の４層の
グリーンシートと１層の薄型グリーンシートからなる積
層体の断面図を示す。上記開口２１ａの内部は空洞２
９、上記開口２４ａの内部は空洞３０とされるが、これ
ら空洞２９，３０は薄型グリーンシート２８で互いに隔
てられている。以後、同様の手順を繰り返して所望の数
のレイヤを形成し、最後にグリーンシートを硬化させる
とセラミック多層配線基板が完成される。

【００４６】以上、本発明の具体的な実施例を７例挙げ
たが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるもので
はない。たとえば、多層配線基板に内蔵される機能素子
の種類や組合せ、機能素子を構成する材料膜の種類や厚
さ、誘電体基板の構成材料、誘電体基板の積層枚数、空
洞の形状等の細部については、適宜変更、選択、組合わ
せが可能である。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の多層配線基板は機能素子の上面側と下面側の双方に
空洞が設けられることで寄生容量が低減されたものであ
り、これにより高周波特性の劣化が少なく、高速動作素
子の実装に適した基板が提供される。上面側の下面側の
空洞が互いに連結されている場合には、機能素子の一部
が空中に架設された状態となり、寄生容量の低減効果が
極めて大きくなる。上面側と下面側の空洞が誘電体薄板
で互いに隔てられている場合には、寄生容量の低減効果
はやや制限されるが、多層配線基板の内部において機能
素子を安定に支持可能となる。上記空洞は、高周波伝送
線路、薄膜コイル、薄膜抵抗、キャパシタの少なくとも
いずれかの上面に形成された場合に、寄生容量の低減効
果が顕著となる。

【００４８】上面側と下面側の空洞の高さが誘電体基板
の厚みと等しい場合には、空洞形成用の誘電体基板を随
時用いることで多層配線基板を構成することができる。
かかる多層配線基板は、積層される誘電体基板の一部に
ついてこれを貫通する開口を設けることにより容易に製
造可能である。一方、上面側と空洞の高さが基板の厚み
の一部と等しい場合には、空洞形成のみを目的とする誘
電体基板を使用することなく、少ない積層枚数にて多層
配線基板を構成することができる。かかる下層配線基板
は、積層される誘電体基板に凹部を設けたり、あるいは
基板の厚み方向に開口幅が２段階に変化するような開口
を設けることで製造可能である。

【００４９】誘電体基板の間に誘電体薄板を介在させる
場合以外は、空洞内に架設される機能素子を形成するた
めに犠牲層を利用することで、精度良く機能素子を形成
することができる。また、誘電体基板としてセラミック
基板を使用する場合には、回路パターンの微細化や基板
の多層化に適するセラミック基板本来の長所を活かしな
がら、その比誘電率εの大きさに起因する寄生容量の増
大効果を相殺し、高周波特性に優れた多層配線基板を提
供することが可能となる。また、セラミック基板は、未
焼成の柔らかいグリーンシートの状態で加工や積層が行
われ、最後に焼成によって硬化されるので、多数の誘電
体基板を積層する場合でも多層配線基板を精度良く形成
することができる。さらに、セラミックグリーンシート
を用いる場合、犠牲層を有機高分子材料を用いて構成す
ることは、該犠牲層の除去に際して高い選択比を達成す
る上で有効である。本発明は、高周波特性に優れ、高速
動作素子の実装に適した多層配線基板を極めて容易な方
法で提供することを通じ、電子機器の小型化や動作高速
化に貢献するものであり、産業上の価値は極めて高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】機能素子の上下に連通する空洞が設けられた本
発明の多層配線基板の一構成例を示す模式的断面図であ
る。

【図２】図１の多層配線基板の製造に適用されるプロセ
スにおいて、ｎ層目グリーンシートと開口が形成された
（ｎ＋１）層目グリーンシートとを位置合わせした状態
を示す斜視図である。

【図３】図２のｎ層目グリーンシートと（ｎ＋１）層目
グリーンシートとを積層した状態を示す斜視図である。

【図４】図３の開口にレジスト埋込み層を形成した状態
を示す斜視図である。

【図５】図４の開口を横断する導電膜パターンを形成し
た状態を示す斜視図である。

【図６】図５のレジスト埋込み層を除去し、（ｎ＋２）
層目グリーンシートおよび（ｎ＋３）層目グリーンシー
トとの位置合わせを行った状態を示す斜視図である。

【図７】４層のグリーンシートの積層状態を示す模式的
断面図である。

【図８】導電膜パターンの別の形成プロセスにおいて、
ｎ層目グリーンシートと（ｎ＋１）層目グリーンシート
との積層体の全面に導電膜を形成した状態を示す斜視図
である。

【図９】図８の導電膜の上にレジストパターンを形成し
た状態を示す斜視図である。

【図１０】図９のレジストパターンをマスクとして導電
膜をパターニングした状態を示す斜視図である。

【図１１】図１０のレジストパターンとレジスト埋込み
層とを同時に除去した状態を示す斜視図である。

【図１２】セラミック基板の厚さ方向の一部を空洞とし
た本発明の多層配線基板の一構成例を示す模式的断面図
である。

【図１３】図１２の多層配線基板の製造に適用されるプ
ロセスにおいて、ｎ層目グリーンシートと、第１開口お
よび第２開口とが形成された（ｎ＋１）層目グリーンシ
ートとを位置合わせした状態を示す斜視図である。

【図１４】図１３のｎ層目グリーンシートと（ｎ＋１）
層目グリーンシートとを積層した状態を示す斜視図であ
る。

【図１５】図１４の第１開口を横断する導電膜パターン
を第２開口内に形成し、凹部の形成された（ｎ＋２）層
目グリーンシートとの位置合わせを行った状態を示す斜
視図である。

【図１６】３層のグリーンシートの積層状態を示す模式
的断面図である。

【図１７】セラミック薄板を介在させた本発明の多層配
線基板の一構成例を示す模式的断面図である。

【図１８】図１７の多層配線基板の製造に適用されるプ
ロセスにおいて、ｎ層目グリーンシートと（ｎ＋１）層
目グリーンシートとの積層体に薄型グリーンシートを位
置合わせした状態を示す斜視図である。

【図１９】薄型グリーンシートの積層および導電膜パタ
ーンの形成状態を示す斜視図である。

【図２０】（ｎ＋２）層目グリーンシートと（ｎ＋３）
層目グリーンシートとの位置合わせ状態を示す斜視図で
ある。

【図２１】５層のグリーンシートの積層状態を示す模式
的断面図である。

【図２２】多層配線基板の伝送特性のシミュレーション
モデルを示す斜視図であり、（ａ）は伝送線路を空洞内
に配置したモデル、（ｂ）は伝送線路を誘電体内に配置
したモデルをそれぞれ表す。

【図２３】長さＬ１＝３００μｍの伝送線路が空洞内と
誘電体内に配置された場合の電力透過特性（Ｓ２１）の
シミュレーション結果を比較したグラフである。

【図２４】長さＬ１＝３０００μｍの伝送線路が空洞内
と誘電体内に配置された場合の電力透過特性（Ｓ２１）
のシミュレーション結果を比較したグラフである。

【図２５】従来の多層配線基板の一構成例を示す模式的
断面図である。

【図２６】図２５の多層配線基板の製造プロセスにおい
て、３層目グリーンシートの積層および第１グランド線
のパターニングまでが終了した状態を示す模式的断面図
である。

【図２７】図２６の積層体上に４層目グリーンシートを
積層した状態を示す模式的断面図である。

【図２８】図２７の積層体上で薄膜コイル、薄膜抵抗、
底部電極、キャパシタ誘電体膜をパターニングした状態
を示す模式的断面図である。

【図２９】図２８の積層体上で５層目グリーンシートの
積層、および上部電極と内部配線のパターニングを行っ
た状態を示す模式的断面図である。

【図３０】従来の多層配線基板の内部に発生する寄生容
量を説明するための模式的断面図である。

【符号の説明】

１…セラミック基板 ２…電源線 ３…第２グランド線
４…高周波伝送線路 ５…第１グランド線 ６…薄膜コイル ７…薄膜抵抗
８…底部電極 ９…キャパシタ誘電体膜 １０…上部電
極 １１…キャパシタ １２，１６，２６，２７，２
９，３０…空洞 １３…ビアホール １４…内部配線
１５…電極パッド ２０…ｎ層目グリーンシート ２１…（ｎ＋１）層目グ
リーンシート ２１ａ，２４ａ…開口 ２１ｂ…第１開
口 ２１ｃ…第２開口 ２２…レジスト埋込み層 ２３…導電膜 ２３ｐ…導電膜パターン ２４…（ｎ＋
２）層目グリーンシート ２４ｂ…凹部 ２５…（ｎ＋
３）層目グリーンシート ２７…レジストパターン ２
８…薄型グリーンシート Ｐ…パッケージ

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の誘電体基板が積層されてなる積層
   体の内部に所定の導電膜パターンよりなる機能素子を内
   蔵させた多層配線基板であって、 前記機能素子の上面側と下面側の双方に空洞が設けられ
   ていることを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】 前記機能素子の上面側と下面側の双方の
   空洞が連通されていることを特徴とする請求項１記載の
   多層配線基板。
3. 【請求項３】 前記機能素子が、前記複数の誘電体基板
   の間に介在されかつ該誘電体基板よりも厚みの小さい誘
   電体薄板上に形成されており、該機能素子の上面側と下
   面側の空洞が該誘電体薄板で互いに隔てられていること
   を特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
4. 【請求項４】 前記機能素子の上面側と下面側の空洞の
   高さが、前記誘電体基板の厚みの少なくとも一部と等し
   くなされていることを特徴とする請求項１記載の多層配
   線基板。
5. 【請求項５】 前記機能素子が、高周波伝送線路、薄膜
   コイル、薄膜抵抗、キャパシタの少なくともいずれかで
   あることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
6. 【請求項６】 前記誘電体基板がセラミック基板である
   ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
7. 【請求項７】 予め下面側空洞形成用の開口が形成され
   た（ｎ＋１）層目の誘電体基板をｎ層目の誘電体基板上
   に積層する第１工程と、 前記開口の内部を犠牲層で埋め込む第２工程と、 前記（ｎ＋１）層目の誘電体基板上に、前記開口を横断
   する機能素子を前記犠牲層の一部を露出させるごとく形
   成する第３工程と、 前記犠牲層を除去する第４工程と、 予め前記機能素子の形成部位に対応して上面側空洞形成
   用の開口が形成された（ｎ＋２）層目の誘電体基板を、
   前記（ｎ＋１）層目の誘電体基板の上に積層する第５工
   程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記第５工程を終了後、前記上面側空洞
   形成用の開口の少なくとも一部を塞ぐごとく前記（ｎ＋
   ２）層目の誘電体基板の上に（ｎ＋３）層目の誘電体基
   板を積層することを特徴とする請求項７記載の多層配線
   基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記誘電体基板はセラミックグリーンシ
   ートからなり、積層終了後に得られた積層体を焼成して
   硬化させることを特徴とする請求項８記載の多層配線基
   板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記犠牲層が有機高分子材料からなる
    ことを特徴とする請求項９記載の多層配線基板の製造方
    法。
11. 【請求項１１】 前記第３工程では、基体の全面に成膜
    された導電膜を有機高分子材料からなるマスクを介して
    エッチングすることにより前記機能素子を形成し、 前記第４工程では前記犠牲層と共に前記マスクも同時に
    除去することを特徴とする請求項１０記載の多層配線基
    板の製造方法。
12. 【請求項１２】 開口幅の相対的に小さい第１開口と開
    口幅の相対的に大きい第２開口とが基板の厚み方向に連
    通して形成された（ｎ＋１）層目の誘電体基板を、該第
    １開口の側にてｎ層目の誘電体基板の上に積層する第１
    工程と、 前記第１開口の内部を犠牲層で埋め込む第２工程と、 前記第２開口の内部において前記第１開口を横断する機
    能素子を前記犠牲層の一部を露出させるごとく形成する
    第３工程と、 前記犠牲層を除去する第４工程とを有することを特徴と
    する多層配線基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第４工程を終了後、前記第２開口
    の少なくとも一部を塞ぐごとく前記（ｎ＋１）層目の誘
    電体基板の上に（ｎ＋２）層目の誘電体基板を積層する
    ことを特徴とする請求項１２記載の多層配線基板の製造
    方法。
14. 【請求項１４】 前記（ｎ＋２）層目の誘電体基板に
    は、前記第２開口の少なくとも一部に対応して上面側空
    洞形成用の凹部が形成されていることを特徴とする請求
    項１３記載の多層配線基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記誘電体基板はいずれもセラミック
    グリーンシートからなり、積層終了後に得られた積層体
    を焼成して硬化させることを特徴とする請求項１３記載
    の多層配線基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記犠牲層が有機高分子材料からなる
    ことを特徴とする請求項１５記載の多層配線基板の製造
    方法。
17. 【請求項１７】 予め下面側空洞形成用の開口が形成さ
    れた（ｎ＋１）層目の誘電体基板をｎ層目の誘電体基板
    上に積層する第１工程と、 前記（ｎ＋１）層目の誘電体基板よりも厚みの小さい誘
    電体薄板を、前記下面側空洞形成用の開口を塞ぐごとく
    該（ｎ＋１）層目の誘電体基板の上に積層する第２工程
    と、 前記誘電体薄板の上であって、前記下面側空洞形成用の
    開口の上方に機能素子を形成する第３工程と、 予め前記機能素子の形成部位に対応して上面側空洞形成
    用の開口が形成された（ｎ＋２）層目の誘電体基板を、
    前記（ｎ＋１）層目の誘電体基板の上に積層する第４工
    程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方
    法。
18. 【請求項１８】 前記第４工程を終了後、前記上面側空
    洞形成用の開口の少なくとも一部を塞ぐごとく前記（ｎ
    ＋２）層目の誘電体基板の上に（ｎ＋３）層目の誘電体
    基板を積層することを特徴とする請求項１７記載の多層
    配線基板の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記誘電体基板、および前記誘電体薄
    板は、いずれもセラミックグリーンシートからなり、積
    層後に得られた積層体を焼成して硬化させることを特徴
    とする請求項１８記載の多層配線基板の製造方法。