JPH11135949A

JPH11135949A - 多層プリント配線板

Info

Publication number: JPH11135949A
Application number: JP31268597A
Authority: JP
Inventors: Yoji Mori; 要二森
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1997-10-29
Filing date: 1997-10-29
Publication date: 1999-05-21
Anticipated expiration: 2017-10-29
Also published as: JP3256172B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電源層又はグランド層を備えると共に、導体
配線に断線を生じさせない多層プリント配線板を提供す
る。【解決手段】グランド層を構成する導体回路３４Ｕ
は、円形状の導体非形成部分３５を有するメッシュパタ
ーンに形成されている。該導体非形成部分３５には、樹
脂充填剤４０が充填されている。メッシュパターンの導
体回路３４Ｕに形成された導体非形成部分３５が、円形
状に形成され角部がないため、該角部にて応力が集中す
ることがなく、層間樹脂絶縁層５０を介して形成された
導体配線１５８に断線を生じさせない。また、樹脂充填
剤が充填される導体非形成部分３５が、円形状に形成さ
れているため、樹脂充填剤を隙間なく導体非形成部分３
５に充填することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電源層又はグラ
ンド層として形成される導体回路を備える多層プリント
配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】複数層の導体回路をそれぞれ絶縁層にて
絶縁して成る多層プリント配線板において、１層分の導
体回路をグランド層、或いは、電源層として用いること
が、ノイズの低減等の目的で行われている。係る多層プ
リント配線板において、図２６に示すように、該グラン
ド層（或いは電源層）を形成する配線４３４を、導体非
形成部分４３５を有するメッシュパターンに形成するこ
とが多い。ここで、導体非形成部分４３５を設けるの
は、配線４３４が樹脂との接続性が低い銅で形成される
ため、配線４３４の上層に配設される層間樹脂絶縁層
（図示せず）と下層に配設される樹脂製基板（図示せ
ず）との接続性を、該導体非形成部分にて層間樹脂絶縁
層と樹脂製基板とを直接接触させることで改善するため
である。

【０００３】ここで、本出願人は、メッシュパターンの
配線４３４を形成した際に、導体非形成部分４３５へ樹
脂を充填することにより、多層プリント配線板を平滑化
する方法を案出した。この平滑化を行う多層プリント配
線板の製造について、図２７を参照して説明する。図２
７（Ａ）は、図２６に示す配線４３４の形成された基板
４３０のＦ−Ｆ断面を示している。この基板４３０に均
一に樹脂４４０を塗布し、該樹脂４４０を硬化させる
（図２７（Ｂ）参照）。そして、樹脂４４０を研磨して
基板４３０を平滑化させる（図２７（Ｃ）参照）。その
後、該基板上に層間樹脂絶縁層４５０を形成してから、
導体回路４５８を形成する（図２７（Ｄ）参照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成においては、図２６に示すように配線４３４が、メッ
シュパターン状に形成されているため、導体非形成部分
４３５が矩形状となり角部４３５Ｅを有している。この
ため、図２７（Ｂ）を参照して上述した導体非形成部分
４３５に樹脂４０を充填する工程において、該角部４３
５Ｅへ充填できないことがあり、該樹脂４０が充填でき
なかった角部４３５Ｅにおいて、図２７（Ｄ）に示すよ
うに基板４３０の表面に凹部ができ、上層の導体回路４
５８が意図したように形成できなくなることがあった。

【０００５】また、銅等の金属製の導体回路４３４と、
樹脂からなる層間樹脂絶縁層４５０とは、熱膨張率が大
きく異なる。従って、矩形状の導体非形成部分４３５の
角部４３５Ｅにおいて応力が集中し易い。このため、多
層プリント配線板が熱膨張−収縮を繰り返した際に、該
応力により図２７（Ｅ）に示すよう層間樹脂絶縁層４５
０へクラックＫが入り、該層間樹脂絶縁層４５０の上層
の導体回路４５８に断線を生ぜしめることがあった。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、電源層
又はグランド層を備えると共に、導体配線に断線を生じ
させない多層プリント配線板を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するため、内層導体回路が形成された基板上
に層間樹脂絶縁層を介して導体回路が形成されてなる多
層プリント配線板であって、前記内層導体回路又は導体
回路が、電源層又はグランド層として形成され、該電源
層又はグランド層として形成された内層導体回路又は導
体回路が、円形状の導体非形成部分を有するメッシュパ
ターンであることを特徴とする。

【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１におい
て、前記内層導体回路又は導体回路の導体非形成部分に
は、樹脂が充填されていることを技術的特徴とする。

【０００９】また、請求項３の発明は、請求項１又は２
において、前記メッシュパターンの内層導体回路又は導
体回路は、粗化処理されていることを技術的特徴とす
る。

【００１０】請求項１の多層プリント配線板では、メッ
シュパターンの導体回路の有する導体非形成部分が、円
形状に形成され、角部がないため、応力が集中すること
がなく、導体配線に断線を生じさせない。

【００１１】請求項２の多層プリント配線板では、樹脂
が充填される導体非形成部分が、円形状に形成されてい
るため、樹脂を隙間なく導体非形成部分に充填すること
ができる。

【００１２】請求項３の多層プリント配線板では、メッ
シュパターンの内層導体回路又は導体回路が、粗化処理
されているため、上層の層間樹脂絶縁層との密着性が高
い。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態に係る多層
プリント配線板の構成について図２２を参照して説明す
る。図２２に断面を示す第１実施形態の多層プリント配
線板は、上面に集積回路（図示せず）を載置した状態
で、マザーボード（図示せず）に取り付けるためのいわ
ゆる集積回路パッケージを構成するものである。該多層
プリント配線板は、上面に集積回路のバンプ側に接続す
るための半田バンプ７６Ｕが設けられ、下面側にマザー
ボードのバンプに接続するための半田バンプ７６Ｄが配
設され、該集積回路−マザーボード間の信号等の受け渡
し、及び、マザーボード側からの電源供給を中継する役
割を果たしている。

【００１４】多層プリント配線板のコア基板３０の上面
及び下面には、グランド層となる内層銅パターン３４
Ｕ、３４Ｄが形成されている。また、内層銅パターン３
４Ｕの上層には、層間樹脂絶縁層５０を介在させて信号
線を形成する導体回路５８Ｕが形成されている。導体回
路５８Ｕの上層には、層間樹脂絶縁層１５０を介して最
外層の導体回路１５８Ｕ及び該層間樹脂絶縁層１５０を
貫通するバイアホール１６０Ｕが形成され、該バイアホ
ール１６０Ｕには半田バンプ７６Ｕが形成されている。

【００１５】一方、コア基板３０の下面側のグランド層
（内層銅パターン）３４Ｄの上層（ここで、上層とは基
板３０を中心として上面については上側を、基板の下面
については下側を意味する）には、層間樹脂絶縁層５０
を介して信号線を形成する導体回路５８Ｄが形成されて
いる。該導体回路５８Ｄの上層には、層間樹脂絶縁層１
５０を介して最外層の導体回路１５８Ｄ及び該層間樹脂
絶縁層１５０を貫通するバイアホール１６０Ｄが形成さ
れ、該バイアホール１６０Ｄには半田バンプ７６Ｄが形
成されている。

【００１６】図２２のＸ１−Ｘ１断面を図２３に示す。
即ち、図２３は、多層プリント配線板の横断面を示し、
図２３中のＸ２−Ｘ２縦断面が図２２に相当する。図２
３中に示すように、グランド層を構成する導体回路３４
Ｕは、円形状の導体非形成部分３５を有するメッシュパ
ターンに形成されている。該導体非形成部分３５には、
後述する樹脂充填剤４０が充填されている。なお、図示
しないが、基板３０の下面側の内層導体回路３４Ｄも、
同様に円形状の導体非形成部分３５を有するメッシュパ
ターンに形成されている。

【００１７】メッシュパターンの導体回路３４Ｕに形成
された導体非形成部分３５が、円形状に形成され、図２
６及び図２７（Ｅ）を参照して上述した従来技術の導体
回路のような角部がないため、該角部にて応力が集中す
ることがなく、層間樹脂絶縁層５０を介して形成された
導体配線１５８Ｕ、１５８Ｄに断線を生じさせない。ま
た、樹脂充填剤が充填される導体非形成部分３５が、円
形状に形成されているため、従来技術の角部を有する構
成と異なり、樹脂充填剤を隙間なく導体非形成部分３５
に充填することができる。このため、基板表面をフラッ
ト化することにより、上層に適切に導体回路を形成する
ことが可能となる。更に、図２５（Ｃ）に示すようにバ
イアホール接続領域９９と導体非形成部分３５とが重な
らないように配置することが望ましい。バイアホール接
続領域９９と導体非形成部分３５とが、図２５（Ｄ）に
示すように重なると、導体非形成部分３５の面積が小さ
くなり、樹脂を充填し難くなるからである。

【００１８】引き続き、図２２に示す多層プリント配線
板の製造工程について図１〜図２２を参照して説明す
る。（１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビ
スマレイミドトリアジン）樹脂からなるコア基板３０の
両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張
積層板３０Ａを出発材料とする（図１参照）。まず、こ
の銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理
を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板
３０の両面に図２３を参照して上述したような形状の内
層銅パターン３４Ｕ、３４Ｄとスルーホール３６を形成
する（図２参照）。

【００１９】（２）さらに、内層銅パターン３４Ｕ、３
４Ｄおよびスルーホール３６を形成した基板３０を、水
洗いして乾燥した後、酸化一還元処理し、内層銅パター
ン３４Ｕ、３４Ｄおよびスルーホール３６の表面に粗化
層３８を設ける（図３参照）。

【００２０】（３）一方、基板表面を平滑化するための
樹脂充填剤を調整する。ここでは、ビスフェノールＦ型
エポキシモノマー（油化シェル製、分子量３１０、ＹＬ
９８３Ｕ）１００重量部、イミダゾール硬化剤（四国化
成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６重量部を混合し、これらの
混合物に対し、表面にシランカップリング剤がコーティ
ングされた平均粒径１．６μｍのＳｉＯ₂球状粒子（ア
ドマテック製、ＣＲＳ１１０１−ＣＥ、ここで、最大粒
子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（１５μ
ｍ）以下とする）１７０重量部、消泡剤（サンノプコ
製、ペレノールＳ４）０．５重量部を混合し、３本ロー
ルにて混練することにより、その混合物の粘度を２３±
１℃で４５，０００〜４９，０００ｃｐｓに調整して、
樹脂充填剤を得る。この樹脂充填剤は無溶剤である。も
し溶剤入りの樹脂充填剤を用いると、後工程において層
間剤を塗布して加熱・乾燥させる際に、樹脂充填剤の層
から溶剤が揮発して、樹脂充填剤の層と層間材との間で
剥離が発生するからである。

【００２１】（４）上記（３）で得た樹脂充填剤４０
を、基板３０の両面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、上面の導体回路（内層銅パターン）３４Ｕ間
あるいはスルーホール３６内に充填し、７０℃，２０分
間で乾燥させ、下面についても同様にして樹脂充填剤４
０を導体回路３４Ｄ間あるいはスルーホール３６内に充
填し、７０℃，２０分間で乾燥させる（図４参照）。

【００２２】（５）上記（４）の処理を終えた基板３０
の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を
用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン３４
Ｕ、３４Ｄの表面やスルーホール３６のランド表面に樹
脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行う（図５参照）。次いで、１００℃で１時間、１２０
℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加
熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化させる。

【００２３】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および導体回路３４
Ｕ、３４Ｄ上面の粗化層３８を除去して基板両面を平滑
化することで、樹脂充填剤４０と導体回路３４Ｕ、３４
Ｄの側面とが粗化層３８を介して強固に密着し、またス
ルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３
８を介して強固に密着した配線基板を得る。即ち、この
工程により、掛脂充填剤４０の表面と内層銅パターン３
４Ｕ、３４Ｄの表面とを同一平面にする。ここで、充填
した硬化樹脂のＴｇ点は１５５．６℃、線熱膨張係数は
４４．５×１０^-6／℃であった。

【００２４】（６）上記（５）の処理で露出した導体回
路３４Ｕ、３４Ｄおよびスルーホール３６のランド上面
に、厚さ２．５μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化
層（凹凸層）４２を形成し、さらに、その粗化層４２の
表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設ける（図６参照、但
し、Ｓｎ層については図示しない）。その形成方法は以
下のようである。即ち、基板３０を酸性脱脂してソフト
エッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からな
る触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を
活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ
／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９
ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌ、
ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅
導体回路４およびスルーホール９のランド上面にＣｕ−
Ｎｉ−Ｐ合金の粗化層４２を形成した。ついで、ホウフ
ッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／
ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換
反応させ、粗化層４２の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層
を設けた（Ｓｎ層については図示しない）。

【００２５】引き続き、絶縁層を形成する感光性接着剤
（上層用）及び層間樹脂絶縁剤（下層用）を用意する。（７）感光性接着剤（上層用）は、ＤＭＤＧ（ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル）に溶解した濃度８０ｗ
ｔ％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を３５重量
部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２
重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ
３１５）４重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガ
キュアＩ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製、
ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部を混合し、これらの混合物
に対し、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポー
ル）の平均粒径１．０μｍのものを７．２重量部、平均
粒経０．５μｍのものを３．０９重量部、消泡剤（サン
ノプコ製Ｓ−６５）０．５重量部を混合した後、さら
にＮＭＰ３０重量部を添加しながら混合して粘度７Ｐａ
・ｓの感光性接着剤（上層用）を得る。

【００２６】（８）一方、層間樹脂絶縁剤（下層用）
は、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）に溶解した濃度８０ｗｔ％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）の２５
％アクリル化物を３５重量部、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、感光性モノマー（東
亜合成製、アロニックスＭ３１５）４重量部、光開始剤
（チバガイギー製、イルガキュアI −９０７）２重量
部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＥ−Ｓ）０．２重量
部を混合し、これらの混合物に対し、エポキシ樹脂粒子
（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒経０．５μｍ
のものを１４．４９重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ
−６５）０．５重量部を混合した後、さらにＮＭＰ３０
重量部を添加しながら混合して粘度１．５Ｐａ・ｓの層
間樹脂絶縁剤（下層用）を得る。

【００２７】（９）基板３０の両面に、上記（７）で得
られた粘度１．５Ｐａ・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）
をロールコ一夕で塗布し、水平状態で２０分間放置して
から、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、絶
縁剤層４４を形成する。さらにこの絶縁剤層４４の上に
上記（８）で得られた粘度７Ｐａ・ｓの感光性接着剤
（上層用）をロールコ一タを用いて塗布し、水平状態で
２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行い、
接着剤層４６を形成する（図７参照）。

【００２８】上述したように導体回路３４Ｕ、３４Ｄ
は、粗化層（凹凸層）４２が形成され、即ち、粗化処理
が施されることで、上層の絶縁剤層４４との密着性が高
められている。

【００２９】（１０）上記（９）で絶縁剤層４４および
接着剤層４６を形成した基板３０の両面に、１００μｍ
φの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着さ
せ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ²で露光す
る。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当
該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ²で露
光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加
熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた１００μｍφの
開口（バイアホール形成用開口４８）を有する厚さ３５
μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成する（図
８参照）。なお、バイアホールとなる開口４８には、ス
ズめっき層を部分的に露出させる。

【００３０】（１１）開口４８が形成された基板３０
を、クロム酸に１分間浸漬し、接着剤層４６の表面のエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶
縁層５０の表面を粗面とし、その後、中和溶液（シプレ
イ社製）に浸漬してから水洗いする（図９参照）。さら
に、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒
（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁
層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に
触媒核を付ける。

【００３１】（１２）以下の組成の無電解銅めっき浴中
に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ１．６μｍの無電解
銅めっき膜５２を形成する（図１０参照）。〔無電解めっき液〕ＥＤＴＡ１５０ｇ／ｌ硫酸銅２０ｇ／ｌＨＣＨＯ３０ｍｌ／ｌＮａＯＨ４０ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕７０℃の液温度で３０分

【００３２】（１３）上記（１２）で形成した無電解銅
めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付
け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍの
めっきレジスト５４を設ける（図１１参照）。

【００３３】（１４）ついで、レジスト非形成部分に以
下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅
めっき膜５６を形成する（図１２参照）。〔電解めっき液〕硫酸１８０ｇ／ｌ硫酸銅８０ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）１
ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間３０分温度室温

【００３４】（１５）めっきレジスト５４を５％ＫＯＨ
で剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解
めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング
処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅め
っき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路５８Ｕ、５
８Ｄ及びバイアホール６０Ｕ、６０Ｄを形成する（図１
３参照）。引き続き、その基板３０を８００ｇ／ｌのク
ロム酸中に３分間浸漬して粗化面上に残留しているパラ
ジウム触媒核を除去する。

【００３５】（１６）導体回路５８Ｕ、５８Ｄ及びバイ
アホール６０Ｕ、６０Ｄを形成した基板３０を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ
／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ
／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電
解めっき液に浸漬し、該導体回路５８Ｕ、５８Ｄ及びバ
イアホール６０Ｕ、６０Ｄの表面に厚さ３μｍの銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層６２を形成する（図１４参
照）。さらに、ホウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ
尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条
件でＣｕ−Ｓｎ置換反応を行い、上記粗化層６２の表面
に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設ける（Ｓｎ層については
図示しない）。

【００３６】（１７）上記（２）〜（１６）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。
即ち、基板３０の両面に、層間樹脂絶縁剤（下層用）を
ロールコ一夕で塗布し、絶縁剤層１４４を形成する。ま
た、この絶縁剤層１４４の上に感光性接着剤（上層用）
をロールコ一タを用いて塗布し、接着剤層１４６を形成
する（図１５参照）。絶縁剤層１４４および接着剤層１
４６を形成した基板３０の両面に、フォトマスクフィル
ムを密着させ、露光・現像し、開口（バイアホール形成
用開口１４８）を有する層間樹脂絶縁層１５０を形成し
た後、該層間樹脂絶縁層１５０の表面を粗面とする（図
１６参照）。その後、該粗面化処理した該基板３０の表
面に、無電解銅めっき膜１５２を形成する（図１７参
照）。引き続き、無電解銅めっき膜１５２上にめっきレ
ジスト１５４を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅
めっき膜１５６を形成する（図１８参照）。そして、め
っきレジスト１５４をＫＯＨで剥離除去した後、そのめ
っきレジスト５４下の無電解めっき膜１５２を溶解除去
し導体回路１５８Ｕ、１５８Ｄ及びバイアホール１６０
Ｕ、１６０Ｄを形成する（図１９参照）。さらに、該導
体回路１５８Ｕ、１５８Ｄ及びバイアホール１６０Ｕ、
１６０Ｄの表面に粗化層１６２を形成し、多層プリント
配線板を完成する（図２０参照）。

【００３７】（１９）そして、上述した多層プリント配
線板にはんだバンプを形成する。先ず、はんだバンプ用
のソルダーレジスト組成物の調整について説明する。こ
こでは、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基
５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子
量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶
解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー
（日本化薬製、Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモ
ノマー（共栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ）１．５ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１ｇを混合
し、さらにこれらの混合物に対し、光開始剤としてのべ
ンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としての
ミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加えて、粘度
を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト
組成物を得る。

【００３８】（２０）上記（１８）で得た配線板の両面
に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗
布する。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間
の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）
が描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクフィルムを密着
させて載置し、１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ現像処理する。そしてさらに、８０℃で１
時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃
で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイ
アホールとそのランド部分を含む）７１が開口した（開
口径２００μｍ）ソルダーレジスト層（厚み２０μｍ）
７０を形成する（図２１参照）。

【００３９】（２１）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板３０を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ
／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０
分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっ
き層７２を形成する（図２２参照）。さらに、その基板
３０を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウ
ム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に
９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層７
２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する。

【００４０】（２２）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して２００℃で
リフローすることによりはんだバンプ７６Ｕ、７６Ｄを
形成し、はんだバンプ７６Ｕ、７６Ｄを有する多層プリ
ント配線板を完成する。

【００４１】引き続き、本発明の第２実施形態に係る多
層プリント配線板について図２４及び図２５を参照して
説明する。図２４は、本発明の第２実施形態に係る多層
プリント配線板の構成を示す断面図である。コア基板２
３０の上面及び下面には、グランド層となる内層銅パタ
ーン２３４Ｕ、２３４Ｄが形成されている。即ち、基板
２３０を介在させて対向するグランド層（内層銅パター
ン）２３４Ｕ及びグランド層（内層銅パターン）２３４
Ｄによりコンデンサが形成されている。

【００４２】また、内層銅パターン２３４Ｕの上層に
は、層間樹脂絶縁層２５０を介在させて信号線を形成す
る導体回路２５８Ｕが形成されている。該導体回路２５
８Ｕの上層には、層間樹脂絶縁層３５０を貫通するバイ
アホール３６０Ｕが形成され、該バイアホール３６０Ｕ
には半田バンプ３７６Ｕが形成されている。

【００４３】一方、基板２３０の下面側のグランド（内
層銅パターン）２３４Ｄの上層（ここで、上層とは基板
２３０を中心として上面については上側を、基板の下面
については下側を意味する）には、層間樹脂絶縁層２５
０を介して信号線となる導体回路２５８Ｄが形成されて
いる。該導体回路２５８Ｄの上層には、層間樹脂絶縁層
３５０を介して電源層となる導体回路３８８Ｄが形成さ
れている。該導体回路３８８Ｄの上層には、層間樹脂絶
縁層３９０を貫通するバイアホール３８０Ｄが形成さ
れ、該バイアホール３８０Ｄには半田バンプ３７６Ｄが
形成されている。即ち、本実施形態では、電源層を形成
する導体回路３８８Ｄに取り付けられたバイアホール３
８０Ｄに半田バンプ３７６Ｄが形成され、外部のバンプ
（図示せず）に直接該電源層を接続できるように構成さ
れている。

【００４４】電源層を形成する導体回路３８８Ｄの平面
図を図２５（Ａ）に示す。この第２実施形態の多層プリ
ント配線板では、図２３を参照して上述した第１実施形
態と同様に、電源層を構成する導体回路３８８Ｄを、導
体非形成部分３５９を有するメッシュパターンに形成し
てある。但し、第１実施形態では、導体非形成部分３５
が円形に形成されていたのに対して、該第２実施形態で
は、導体非形成部分３５９が楕円形状に形成されてい
る。

【００４５】第２実施形態の多層プリント配線板におい
ては、導体非形成部分３５９が、楕円状に形成され、図
２６及び図２７（Ｅ）を参照して上述した従来技術の導
体回路のような角部がないため、該角部にて応力が集中
することがなく、層間樹脂絶縁層３５０を介して形成さ
れた導体配線３５８Ｄ及び層間樹脂絶縁層３９０を介し
て形成されたバイアホール３８０Ｄに断線を生じさせな
い。

【００４６】図２５（Ｂ）は、第２実施形態の改変例に
係る導体回路３８８Ｄの平面図を示す。この第２実施形
態の改変例の多層プリント配線板では、角部が面取りさ
れた矩形形状の導体非形成部分３５９を有するメッシュ
パターンに形成されている。この第２実施形態の改変例
に係る多層プリント配線板においては、上述した従来技
術の導体回路のような角部がないため、該角部にて応力
が集中することがなく、導体配線３５８Ｄ及びバイアホ
ール３８０Ｄに断線を生じさせることがない。

【００４７】なお、上述した実施形態では、セミアディ
ティブ法により形成する多層プリント配線板を例示した
が、本発明の構成は、フルアディティブ法により形成す
る多層プリント配線板にも適用し得ることは言うまでも
ない。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の多層プリ
ント配線板においては、メッシュパターンの導体回路の
有する導体非形成部分が、円形状に形成され、角部がな
いため、応力が集中することがなく、導体配線に断線を
生じさせない。

【００４９】請求項２の多層プリント配線板において
は、樹脂が充填される導体非形成部分が、円形状に形成
されているため、樹脂を隙間なく導体非形成部分に充填
することができる。このため、基板表面をフラット化す
ることで、上層に適切に導体回路を形成することが可能
となる。

【００５０】請求項３の多層プリント配線板において
は、メッシュパターンの内層導体回路又は導体回路が、
粗化処理されているため、上層の層間樹脂絶縁層との密
着性が高く、層間樹脂絶縁層の剥離が発生しない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図３】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図４】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図５】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図１０】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１３】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１４】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１５】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１６】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図２０】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図２１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図２２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板を示す断面図である。

【図２３】図２２に示す多層プリント配線板のＸ１−Ｘ
１横断面図である。

【図２４】本発明の第２実施形態に係る多層プリント配
線板の構成を示す断面図である。

【図２５】図２５（Ａ）、図２５（Ｂ）は、図２４に示
す多層プリント配線板の導体回路の平面図であり、図２
５（Ｃ）、図２５（Ｄ）は、図２２に示す多層プリント
配線板の導体回路の平面図である。

【図２６】従来技術に係る多層プリント配線板のグラン
ド層の平面図である。

【図２７】図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）、図２７
（Ｃ）、図２７（Ｄ）、図２７（Ｅ）は、従来技術に係
る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。

【符号の説明】

３０基板３４Ｕ、３４Ｄ内層銅パターン（内層導体回路）３５導体非形成部分３８粗化層４０樹脂充填剤４２粗化層４８バイアホール用開口５０層間樹脂絶縁層５８Ｕ、５８Ｄ導体回路６０Ｕ、６０Ｄバイアホール７６Ｕ、７６Ｄ半田バンプ１５０層間樹脂絶縁層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内層導体回路が形成された基板上に層間
樹脂絶縁層を介して導体回路が形成されてなる多層プリ
ント配線板であって、前記内層導体回路又は導体回路が、電源層又はグランド
層として形成され、該電源層又はグランド層として形成された内層導体回路
又は導体回路が、円形状の導体非形成部分を有するメッ
シュパターンであることを特徴とする多層プリント配線
板。
【請求項２】前記内層導体回路又は導体回路の導体非
形成部分には、樹脂が充填されていることを特徴とする
請求項１の多層プリント配線板。
【請求項３】前記メッシュパターンの内層導体回路又
は導体回路は、粗化処理されていることを特徴とする請
求項１又は２の多層プリント配線板。