JPH11133117A - コンパレータ回路 - Google Patents

コンパレータ回路

Info

Publication number
JPH11133117A
JPH11133117A JP9312801A JP31280197A JPH11133117A JP H11133117 A JPH11133117 A JP H11133117A JP 9312801 A JP9312801 A JP 9312801A JP 31280197 A JP31280197 A JP 31280197A JP H11133117 A JPH11133117 A JP H11133117A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
comparator
output
under test
device under
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9312801A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayoshi Izuhara
正義 出原
Moriyasu Sawai
守康 澤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ando Electric Co Ltd filed Critical Ando Electric Co Ltd
Priority to JP9312801A priority Critical patent/JPH11133117A/ja
Publication of JPH11133117A publication Critical patent/JPH11133117A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 機能を損なうことなく、多ピン化するICテ
スタの回路規模を従来の1/2に縮小できるコンパレー
タ回路を提供すること。 【解決手段】 被測定デバイス1の出力電圧を比較器3
に入力して、比較器3において電圧源2で発生した所定
の基準電圧VO2より高電位側設定電圧VOHあるいは
低電位側設定電圧VOLとの間のヒステリシス量とを比
較し、その比較の結果、被測定デバイス1の出力電圧が
高電位側設定電圧VOH以上あるいは低電位側設定電圧
VOL以下になった時点で、それぞれ比較器の出力信号
を反転させて、比較器の出力信号をレジスタ4にラッチ
し、レジスタ4の出力信号と期待パターンとをイクスク
ルーシブORゲート18で排他的論理和をとって、被測
定デバイス1の良否を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はコンパレータ回路
に関し、特に、半導体試験装置(以下、ICテスタとい
う)で被測定デバイスの出力の判定を行うコンパレータ
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、被測定デバイスの性能測定を行
うためにICテスタが用いられているが、このICテス
タに使用し、被測定デバイスの出力電圧が所定の許容値
内に入っているか否かの判定を行う従来のコンパレータ
回路の一例として、たとえば、図4に示すようなコンパ
レータ回路を挙げることができる。
【0003】図4において、比較器7は被測定デバイス
1の出力電圧のハイレベルを判定する比較器であり、比
較器9は被測定デバイス1の出力電圧のローレベルを判
定する比較器である。被測定デバイス1の出力電圧は、
比較器9の第2入力端(否定入力端)と、比較器7の第
1入力端に入力され、比較器9の第1入力端には、電圧
源8から低電位側設定電圧VOL(以下、L設定電圧と
いう)が印加され、比較器7の第2入力端には、電圧源
6から高電位側設定電圧VOH(以下、H設定電圧とい
う)が印加される。比較器7・9には、電圧源17から
制御電圧を印加して、比較器7・9のヒステリシス量を
制御可能になっている。
【0004】このヒステリシス量の制御機能は、比較器
7・9のノイズに対する安定動作を期すために設けられ
ているものである。比較器7・9の入力端間にヒステリ
シス量以上の電位差がないときには、比較器7・9の出
力信号は反転しないようにしている。比較器9の出力信
号はレジスタ11に出力し、比較器7の出力信号はレジ
スタ10に出力するようにしている。
【0005】レジスタ10・11には、クロック発生源
16から安定化クロック(以下、STBクロックとい
う)が入力され、このSTBクロックのタイミングでそ
れぞれ比較器7・9の出力信号をレジスタ10・11に
取り込むようにしている。レジスタ10・11の出力信
号は、それぞれNAND回路13・12の第1入力端に
入力され、NAND回路13・12の各第2入力端に
は、パターン発生源15から期待パターンが印加されて
いる。NAND回路13・12の出力信号はそれぞれN
AND回路14の第1入力端、第2入力端に入力される
ように構成されている。
【0006】次に、従来のコンパレータ回路の動作につ
いて、図5のタイミングチャートを参照して説明する。
図5(a)の台形状の波形は被測定デバイス1の出力電
圧の波形を示しており、この被測定デバイス1の出力電
圧は比較器9の第2入力端と、比較器7の第1入力端に
印加される。比較器9には、同じく図5(a)に示す電
圧源8からL設定電圧VOLが印加され、比較器7には
電圧源6からH設定電圧VOHが印加されている。
【0007】さらに、両比較器9・7には、電圧源17
から制御電圧を印加して、両比較器9・7のヒステリシ
スを制御している。比較器7は、被測定デバイス1の出
力電圧がH設定電圧VOH以上であるか否かを判定する
ものであり、この被測定デバイス1の出力電圧がH設定
電圧VOH以上になると、出力を反転し、図5(b)に
示すような比較器出力を発生してレジスタ11に送出す
る。
【0008】同様にして、比較器9は被測定デバイス1
の出力電圧とL設定電圧VOLとを比較して、被測定デ
バイス1の出力電圧がL設定電圧VOL以下であるか、
否かの判定を行い、被測定デバイス1の出力電圧がL設
定出圧VOL以下であると判定した場合には、図5
(c)に示すように、比較器9は反転した出力信号を発
生して、レジスタ10に送出する。
【0009】レジスタ11・10には、それぞれクロッ
ク発生源16から図5(d)に示すようなSTBクロッ
クが供給されており、このSTBクロックが入力される
タイミングでレジスタ11は比較器9の出力を入力して
ラッチし、図5(f)に示すように、レジスタ11の出
力をNAND回路13の第1入力端に送出する。同様に
して、レジスタ10は比較器7の出力信号をSTBのク
ロックのタイミングで入力してラッチし、図5(e)に
示すようにレジスタ10の出力信号はNAND回路12
の第1入力端に送出される。
【0010】NAND回路12・13の各第2入力端に
は、パターン発生源15から図5(g)に示すような期
待パターンが供給されており、このNAND回路12・
13はそれぞれ期待パターンとレジスタ11・10の出
力信号とのNAND論理をとって図5(h)に示すよう
な出力信号14を発生する。NAND回路14の出力信
号がローレベルの場合には、被測定デバイス1は良品と
して判定し、逆にNAND回路14の出力信号がハイレ
ベルの場合には、被測定デバイス1は不良品と判定す
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来のコンパレータ回
路においては、被測定デバイス1の出力ピンごとに被測
定デバイス1の出力電圧の判定用にハイレベル側の比較
器7と、ローレベル側の比較器9との2つの比較器7・
9を設けており、しかも被測定デバイス1は多ピン化の
傾向にあり、この多ピン化に対処するために、ICテス
タとしても、多ピン化されている。したがって、ICテ
スタの回路規模が増大しており、しかもコンパレータ回
路に比較器を設けることは、回路規模の増大をより一層
助長するこになるという課題がある。
【0012】この発明は、一つの比較器で被測定デバイ
スの出力電圧のハイレベルとローレベルの判定を可能と
し、従来に比較して1/2の回路規模を縮小することが
できるコンパレータ回路を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明のコンパレータ回路は、被測定デバイス1
の出力と所定電位とを比較し、かつヒステリシス機能を
有する比較器3と、比較器3の出力を安定化クロック1
6のタイミングで入力するレジスタ4と、レジスタ4の
出力が期待パターン15との一致の有無を判定する判定
手段18と、を備える。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、この発明のコンパレータ回
路の実施の形態について図面を参照して説明する図1は
この発明の第1の実施の形態の構成を示すブロック図で
ある。図1で、図4と同一部分には同一符号を付して説
明する。図1を図4と比較しても明らかなように、図1
では被測定デバイス1と、パターン発生源15と、クロ
ック発生源16のみが図4と同一符号が付されている。
被測定デバイス1の出力電圧は単一の比較器3の第2入
力端(否定入力端)に印加されるようにしている。
【0015】比較器3の第1入力端には、電圧源2の出
力端が接続されている。電圧源2は、被測定デバイス1
の出力電圧のハイレベルの判定に供するH設定電圧VO
Hと、被測定デバイス1の出力電圧のL設定電圧VOL
との中点に基準電圧VO2を設定して、ヒステリシス量
HSをH設定電圧VOHと基準電圧VO2間の電圧と、
L設定電圧VOLと基準電圧VO2との間に設定するよ
うにしている。このヒステリシス量を制御するために、
比較器3には、比較器3の外部から制御電圧源5により
制御電圧が印加されており、この制御電圧によって比較
器3はヒステリシス電圧を制御できるヒステリシス機能
を備えている。
【0016】被測定デバイス1の出力電圧がローレベル
からハイレベルに立ち上がる場合に、被測定デバイス1
の出力電圧がH設定電圧VOHを越える点でハイレベル
からローレベルに反転するようになっている。逆に、被
測定デバイス1の出力電圧がハイレベルからローレベル
に立ち下がる場合に、L設定電圧VOL以下になると、
比較器3の出力電圧はローレベルからハイレベルに反転
するようになっている。
【0017】比較器3の出力信号はレジスタ4に送出さ
れている。レシスタ4には、クロック発生源16からS
TBクロックも入力され、このSTBクロックの入力の
タイミングで比較器3の出力信号がレジスタ4に入力さ
れて、ラッチするようにしている。
【0018】レジスタ4の出力信号は判定手段18とし
てのイクスクルーシブORゲート18(以下、EORゲ
ートと称し、符号18を用いて説明する)の第1入力端
に入力され、このEORゲート18の第2入力端には、
パターン発生源15からの期待パターンが入力されてお
り、このEORゲート18はレジスタ4の出力信号と期
待パターンとの排他的論理和をとって出力を発生するよ
うに構成されている。
【0019】次に、以上のように構成されたこの第1の
実施の形態の動作について、図2のタイミングチャート
を参照して説明する。図2(a)に示すように、被測定
デバイス1の出力電圧のハイレベル判定用のH設定電圧
VOHを、たとえば、0.9Vとし、被測定デバイス1
の出力電圧のローレベル判定用のL設定電圧VOLを
0.1Vとして、被測定デバイス1を判定する場合に、
電圧源2から出力される基準電圧VO2の値を0.5V
に設定して、同じく図2(a)に示すように、ヒステリ
シス量HSを0.4Vにする。
【0020】ヒステリシス電圧と制御電圧源5から比較
器7・9に供給される制御電圧との関係は図3に示すと
おりであり、この図3は、横軸に制御電圧をとり、縦軸
にヒステリシス電圧をとって示している。図3の例で
は、ヒステリシス電圧を0.4Vとする場合に、制御電
圧を0.15Vに設定している。
【0021】この状態で、被測定デバイス1の出力電圧
がL設定電圧VOLからH設定電圧VOHに向かって立
ち上がる場合に、比較器3の出力信号は被測定デバイス
1の出力電圧が基準電圧VO2の値からヒステリシス分
上がった点の0.9Vで図2(b)に示すようにローレ
ベルからハイレベルに反転する。
【0022】比較器3の出力信号は、図2(c)に示す
クロック発生源16からのSTBクロックがレジスタ4
に入力されるタイミングでレジスタ4にラッチされ、レ
ジスタ4の出力信号は図2(d)に示すように、ハイレ
ベルになっている。レジスタ4の出力信号はEORゲー
ト18の第2入力端に送出され、EORゲート18の第
1入力端にはパターン発生源15からの図2(e)に示
す期待パターンが入力されている。したがって、EOR
ゲート18は期待パターンとレジスタ4の出力信号との
排他的論理和をとって、EORゲート18はレジスタ4
の出力信号が期待パターンと一致しているか、否かの判
定を行う。
【0023】この判定に際して、期待パターンがハイレ
ベルの場合には、EORゲート18の出力信号はローレ
ベルとなり、被測定デバイス1は正常と判定する{被測
定デバイス1はパス(pass)となる}。また、期待
パターンがローレベルの場合には、EORゲート18の
出力信号はハイレベルとなり、被測定デバイス1は不良
と判定する{被測定デバイス1は欠陥(fall)にな
る}。
【0024】次に、上記とは逆に、被測定デバイス1の
出力電圧がハイレベルからローレベルに立ち下がる場合
には、比較器3の出力信号が、基準電圧VO2の値から
ヒステリシス分下がった点の0.1Vで図2(a)に示
すように、ハイレベルからローレベルに反転してレジス
タ4に出力される。
【0025】レジスタ4では、このローレベルに反転し
た比較器3の出力信号を図2(c)に示すSTBクロッ
クのタイミングでレジスタ4にラッチする。このレジス
タ4にラッチされているローレベルの出力信号はEOR
ゲート18の第2入力端に出力され、EORゲート18
の第1入力端には、パターン発生器15からの期待パタ
ーンが入力されている。
【0026】したがって、EORゲート18は期待パタ
ーンとレジスタ4の出力信号との排他的論理和をとっ
て、被測定デバイス1の正否の判定を行う。この判定に
際して、期待パターンがハイレベルの場合には、図2
(f)に示すEORゲート18の出力はハイレベルとな
って、被測定デバイス1は欠陥(fall)と判定す
る。また、期待パターンがローレベルの場合には、EO
Rゲート18のローレベルとなって、被測定デバイス1
は正常(pass)と判定する。
【0027】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、被測
定デバイスの出力電圧を所定電位からあらかじめ設定し
たハイレベル以上あるいはローレベル以下になった時点
でそれぞれ比較器の出力信号が反転するようにし、比較
器の出力信号をレジスタにラッチして期待パターンとレ
ジスタの出力信号とを判定手段で被測定デバイスの良否
を判定するようにしたので、従来の1/2の回路規模で
同一の機能を発揮することができる。したがって、多ピ
ン化するICテスタにおける回路規模の縮小に有効とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明のコンパレータ回路の第1の実施の形
態の構成を示すブロック図である。
【図2】図1のコンパレータ回路の動作を説明するため
のタイミングチャートである。
【図3】図1のコンパレータ回路における比較器の制御
電圧とヒステリシス電圧との関係を示すグラフである。
【図4】従来のコンパレータ回路の構成を示すブロック
図である。
【図5】図4のコンパレータ回路の動作を説明するため
のタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 被測定デバイス 2 電圧源 3 比較器 4 レジスタ 5 制御電圧源 15 パターン発生源 16 クロック発生源 18 EORゲート

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定デバイス(1) の出力と所定電位と
    を比較し、かつヒステリシス機能を有する比較器(3)
    と、 比較器(3) の出力を安定化クロック(16)のタイミングで
    入力するレジスタ(4)と、 レジスタ(4) の出力が期待パターン(15)との一致の有無
    を判定する判定手段(18)とを備えることを特徴とするコ
    ンパレータ回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のコンパレータ回路におい
    て、 判定手段(18)は、イクスクルーシブORゲートであるこ
    とを特徴とするコンパレータ回路。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のコンパレータ回路におい
    て、 前記比較器(3) は、電圧源(2) により前記被測定デバイ
    ス(1) の出力電圧の高電位側設定電圧(VOH) と低電位側
    設定電圧(VOL) との中点で基準電圧(VO2) を設定すると
    ともに、高電位側設定電圧(VOH) と低電位側設定電圧(V
    OL) との範囲の電圧をヒステリシス電圧とし、前記被測
    定デバイス(1) の出力電圧が高電位側設定電圧(VOH) と
    低電位側設定電圧(VOL) とを越えるごとにそれぞれ出力
    信号を反転することを特徴とするコンパレータ回路。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3記載のいずれか1項に
    記載のコンパレータ回路において、 比較器(3) は、外部の制御電圧源(5) で発生された制御
    電圧によりヒステリシス量の制御が可能なヒステリシス
    機能を備えることを特徴とするコンパレータ回路。
JP9312801A 1997-10-29 1997-10-29 コンパレータ回路 Pending JPH11133117A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9312801A JPH11133117A (ja) 1997-10-29 1997-10-29 コンパレータ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9312801A JPH11133117A (ja) 1997-10-29 1997-10-29 コンパレータ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11133117A true JPH11133117A (ja) 1999-05-21

Family

ID=18033577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9312801A Pending JPH11133117A (ja) 1997-10-29 1997-10-29 コンパレータ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11133117A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032209A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Nxp B.V. Comparator testing in a flash a/d converter
CN112067883A (zh) * 2020-09-14 2020-12-11 珠海格力电器股份有限公司 一种电压检测电路、方法及用电设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032209A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Nxp B.V. Comparator testing in a flash a/d converter
CN112067883A (zh) * 2020-09-14 2020-12-11 珠海格力电器股份有限公司 一种电压检测电路、方法及用电设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060010360A1 (en) Semiconductor testing apparatus and method of testing semiconductor
JP2760284B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0792235A (ja) 半導体装置及びその遅延時間測定方法
JP3119335B2 (ja) Ic試験装置
EP0838689B1 (en) Test of circuits with Schmitt inputs
US20020158652A1 (en) CMOS integrated circuit and timing signal generator using same
US20030061554A1 (en) Memory chip and apparatus for testing a memory chip
JPH11133117A (ja) コンパレータ回路
KR20020001564A (ko) 반도체 집적 회로 및 반도체 장치 시스템
JPH0342810B2 (ja)
JPH10240560A (ja) 波形信号処理装置
US6587976B1 (en) Semiconductor device tester for measuring skew between output pins of a semiconductor device
KR100387192B1 (ko) 내부 전원 회로를 가진 반도체장치
US6064242A (en) I/O pin electronics circuit having a pair of drivers
JPS60140834A (ja) テスト回路内蔵型半導体集積回路
KR900008788B1 (ko) 테이터 회로를 구비한 반도체 집적회로장치
JP2002300013A (ja) 遅延回路
JPH11101850A (ja) Ic試験装置
JP2826504B2 (ja) 半導体集積回路
JP2588244B2 (ja) 半導体装置
JP3481402B2 (ja) 論理集積回路の試験装置
JP2591849B2 (ja) テスト回路
JP3025551B2 (ja) 直流特性試験回路
JPH04279874A (ja) Ic試験装置
KR100207481B1 (ko) 데이터 검출을 위한 검출 시간 조정 장치