JPH11129473A - インクジェットヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ｉ基板の異方性エッチングおよび高濃度ボロ
ンエッチングストップを利用して形成されるインクジェ
ットヘッドにおいて、振動板の長期駆動に対する機械的
強度を増し、長期駆動におけるインクジェットヘッドの
信頼性を向上させる。 【解決手段】 ボロンドープ層４６が形成され、酸化膜
４２がパターニングさているＳｉ基板４１を４０ｗｔ％
水酸化カリウム水溶液で、ボロンドープ層４６に達する
直前までエッチングし、５ｗｔ％水酸化カリウム水溶液
でエッチングを継続してエッチングストップさせ、さら
にエッチングを継続し、所定の振動板厚みになるまでエ
ッチングする。この方法により、隔壁部５５と振動板５
４の接続部に微小な角度を持った斜面５６を形成するこ
とができ、この斜面５６により隔壁部５５と振動板５４
の接続部にかかる応力を低減することができ、インクジ
ェットヘッドの信頼性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録を必要とする
時にのみインク液滴を吐出し、記録紙面に付着させるイ
ンクジェットヘッド記録装置の主要部であるインクジェ
ットヘッドの製造方法の関する。

【０００２】

【従来の技術】インクジェット記録装置は、記録時の騒
音が極めて小さいこと、高速印字が可能であること、イ
ンクの自由度が高く安価な普通紙を使用できることなど
多くの利点を有する。この中でも記録が必要な時にのみ
インク液滴を吐出する、いわゆるインク・オン・デマン
ド方式が、記録に不要なインク液滴の回収を必要としな
いため、現在主流となっている。

【０００３】このインク・オン・デマンド方式の記録に
インクジェットヘッド記録装置には、インクを吐出させ
る方法として、駆動手段に静電気力を利用したインクジ
ェットヘッド記録装置（特開平６−７１８８２号公報）
があり、この方式は小型高密度・高印字品質及び長寿命
とあるという利点を有している。

【０００４】また、振動板をＳｉ基板をエッチングして
形成する手段として、特願平８−４３６０２号７頁９行
記載のエッチングストップ技術を用い、Ｐ型不純物層の
エッチング速度が遅いことを利用し、Ｐ型不純物層のみ
をエッチングにより残留せしめて、振動板となるＳｉ薄
膜を高精度に形成する方法が取られるようになってき
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、振動板
を形成したＳｉ基板をヘッドに組み立てて長期間駆動さ
せると、吐出室を構成する隔壁部と振動板の接続部に応
力が集中し、この応力の集中により振動板接続部に亀裂
が走り、インクが静電駆動に必要な振動板と対向電極の
ギャップに侵入して、駆動が不可能になる課題があっ
た。そこで、本発明は上記した様な課題を解決するもの
で、その目的とするところは隔壁部と振動板の接続部の
機械的強度を増し、振動板の長期間駆動に対する耐久性
を向上させ、信頼性の高いインクジェットヘッドの製造
方法を提供するところにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のインクジェット
は、インク液滴を吐出する単一または複数のノズル孔
と、該ノズル孔の各々に連結する吐出室と、該吐出室の
少なくとも一方の壁を構成する振動板と、該振動板に変
形を生じさせる駆動手段とを備え、該駆動手段が該振動
板を静電気力に変形させる電極からなり、該振動板が形
成される基板がSi基板であるインクジェットヘッドにお
いて、該吐出室を構成する隔壁部と該振動板の接続部に
斜面部を設けたことを特徴とする。

【０００７】また、前記インクジェットヘッドの製造方
法において、振動板が高濃度p型不純物層からなるＳｉ
基板であって、該Ｓｉ基板の高濃度ｐ型不純物層が形成
された面の反対面の、該高濃度ｐ型不純物層の近傍まで
のＳｉ基板のエッチングを高濃度水酸化カリウム水溶液
で行い、該高濃度p型不純物層の近傍から該高濃度ｐ型
不純物層までのエッチングを低濃度水酸化カリウム水溶
液で行い、該高濃度ｐ型不純物層を残留させて該振動板
を形成することを特徴とする。

【０００８】また、前記インクジェットヘッドの製造方
法において、振動板が高濃度p型不純物層からなるＳｉ
基板であって、該Ｓｉ基板の高濃度ｐ型不純物層が形成
された面の反対面の、該高濃度ｐ型不純物層の近傍まで
のＳｉ基板のエッチングを複数の厚みでパターニングさ
れた酸化膜をエッチングマスクで行うことを特徴とす
る。

【０００９】前記した低濃度水酸化カリウム水溶液の濃
度が、０．５〜１０wt％であることを特徴とし、あるい
は、高濃度水酸化カリウム水溶液の濃度が、３５〜５５
wt％であることを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】

（実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に関わるイ
ンクジェットヘッドの分解斜視図で、一部断面図で示し
てある。本実施例はインク液滴を基板の面部に設けたノ
ズル孔から吐出させるフェイスインクジェットヘッドの
例を示すものである。図２は組み立てられた全体装置の
側面の断面図、図３は図２のＡ−Ａ‘線矢視図である。
本実施例のインクジェットヘッドは、下記に詳記する構
造を持つ３枚の基板１・２・３を重ねて接合した積層構
造となっている。

【００１１】中間の第１の基板１は、Ｓｉ基板であり、
底壁を振動板５とする吐出室６を構成することになる凹
部７と、凹部７の後部に設けられたオリフィス８を構成
することになるインク流入口のための細溝９と、各々の
吐出室６にインクを供給するための共通のインクキャビ
ティ１０を構成することになる凹部１１を有する。そし
て、隔壁部１８と振動板５の接続部１９に斜面２０を儲
けている。第１の基板の全面に、熱酸化により酸化膜を
０．１ミクロン形成し絶縁膜としている。これは、イン
クジェット駆動時の絶縁破壊、ショートを防止するため
である。

【００１２】第１の基板１の下面に接合される第2の基
板２は、ホウケイ酸ガラスを使用し、この第一の基板１
に電極１５を装着するための凹部１４を０．３ミクロン
エッチングすることにより、振動板５とこれに対向して
配置させる電極１５との対向間隔、すなわちギャップＧ
を形成している。この凹部１４はその内部に電極１５、
リード部１６及び端子１７を装着できるように電極部形
状に類似したやや大きめの形状にパターン形成してい
る。電極は凹部１４内にＩＴＯを０．１ミクロンスパッ
タし、ＩＴＯパターンを形成することで作製する。した
がって、本実施例における第１の基板１と第２の基板２
を陽極接合した後のギャップＧは、０．２ミクロンとな
っている。

【００１３】また、第１の基板の上面に接合される第３
の基板３には、厚さ１００ミクロンのＳｉ基板を用い、
基板３の面部に、吐出室６用の凹部７と連通するように
それぞれノズル孔１２を設け、またインクキャビティ１
０用の凹部１１と連通するようにインク供給口１３を設
ける。

【００１４】上記のように構成されたインクジェットヘ
ッドの動作を説明する。電極１５に発信回路２３により
０Ｖから３５Ｖのパルス電極を印加し、電極１５の表面
がプラスに帯電すると、対応する振動板５の下面はマイ
ナス電位に帯電する。したがって、振動板５は静電気の
吸引作用により下方へたわむ。次に、電極１５をOFFに
すると、振動板５は復元する。そのため、吐出室６内の
圧力が急激に上昇し、ノズル孔１２よりインク液滴２１
を記録紙２２に向けて吐出する。次に、振動板５が再び
下方へたわむことにより、インクがインクキャビティ１
０よりオリフィス８を通じて吐出室６内に補給される。
なお、基板１と発信回路２３との接続は、ドライエッチ
ングにより基板１の１部に開けた酸化膜の窓（図示せ
ず）において行う。また、インクジェットヘッドへのイ
ンクの供給は、インクキャビティ１０の端部のインク供
給口１３により行う。

【００１５】本発明第一の実施例におけるインクジェッ
トヘッドの振動板と隔壁部に斜面を形成した場合につい
て、第１の基板１の製造方法を図４の第１の基板の拡散
工程図および図５の第１の基板のエッチング工程図にお
いて、Ｂ_２Ｏ_３を不純物拡散源として、厚さ２ミクロン
の振動板を形成する場合について詳細に説明する。

【００１６】本実施例のインクジェットヘッドにおける
振動板は、高濃度にＰ型不純物を拡散したＳｉ薄膜であ
る。このＳｉ薄膜は、アルカリ水溶液によるＳｉエッチ
ングにおけるエッチングレートが、ドーパントがボロン
の場合、高濃度（約５×１０^１９ｃｍ^−３以上）の領域
において、エッチングレートが非常に小さくなることを
利用して作製される。すなわち、振動板形成領域を高濃
度ボロンドープ層とし、アルカリ異方性エッチングによ
り、吐出室、インクキャビティを形成する際に、ボロン
ドープ層が露出した時点でエッチングレートが極端に小
さくなる、いわゆるエッチストップ技術によって、振動
板は所望の板厚に作製される。

【００１７】先ず、（１１０）を面方位とするＳｉ基板
４１の両面を鏡面研磨し、１８０ミクロンの厚みの基板
を作製する（図４（ａ））。Ｓｉ基板４１を、熱酸化炉
にセットし、酸素および水蒸気雰囲気中で摂氏１１００
度、４時間で熱酸化処理を施し、Ｓｉ基板４１表面に酸
化膜４２を１．２ミクロン成膜する（図４（ｂ））。次
いで、ボロンドープ層を形成する面４３の酸化膜４２を
剥離するため、Ｓｉ基板４１のボロンドープ層を形成す
る面４３の反対の面４４にレジストをコートし、レジス
トを保護膜としてボロンドープ層を形成する面４３の酸
化膜４２をふっ酸水溶液にてエッチング除去し、レジス
トを剥離する（図４（ｃ））。拡散源となるＢ_２Ｏ_３を
有機溶剤中に３．１５ｗｔ％を分散した拡散剤４５を、
酸化膜を除去したボロンドープ層を形成する面４３に２
０００ｒｐｍ、１分間の条件でスピンコーティングし、
クリーンオーブン中で摂氏１４０度の温度で３０分間ベ
ークする（図４（ｄ））。このとき拡散剤４５の厚みは
１．２ミクロンとなる。

【００１８】拡散剤４５をコーティングしたＳｉ基板４
１を熱酸化炉にセットし、酸素雰囲気中、摂氏６００度
の条件で加熱し、拡散剤４５中の有機バインダーを酸化
除去しＢ_２Ｏ_３を焼成する。引き続き炉内を窒素雰囲気
にし、温度を摂氏１１００度に上昇させ、そのまま温度
を１２時間保持し、ボロンをＳｉ基板中に拡散させ、ボ
ロンドープ層４６を形成する。このとき、拡散剤４５
（Ｂ_２Ｏ_３）とＳｉ基板４１表面ボロンドープ層４６の
界面にボロン化合物４７が形成されている（図４
（ｅ））。

【００１９】ボロンドープ層４６を形成した面の反対側
にレジストをコートし、拡散剤４５をふっ酸水溶液によ
りエッチング除去する（図４（ｆ））。Ｓｉ基板４１表
面に現れたボロン化合物４７は耐エッチング性が高く、
ウェットエッチングによる除去が不可能なため、次のよ
うな手段をとる。まず、Ｓｉ基板４１のレジストを剥離
した後、Ｓｉ基板４１を酸化炉にセットし、酸素および
水蒸気雰囲気、摂氏６００度の条件でボロン化合物４７
を１時間酸化し、ふっ酸水溶液によるエッチングが可能
なＢ_２Ｏ_３＋ＳｉＯ_２ に化学変化させる。なお、酸化
の温度が低いため、拡散が進行することはなく、ボロン
化合物４７を酸化せずドライエッチングで除去すること
も可能である。拡散面のボロン化合物４７を酸化してＢ
_２Ｏ_３＋ＳｉＯ_２ に化学変化させた状態でさらに熱酸
化して、ボロンドープ層側に１．２ミクロンの酸化膜４
８を形成する（図４（ｇ））。

【００２０】以上が、高濃度ボロンドープ層４６の形成
を塗布法で実施した場合であり、他の高濃度のドープ層
を形成する手段として、ボロン拡散板をＳｉ基板に対向
させて熱拡散を行う方法がある。

【００２１】次に、エッチングによる振動板および振動
板斜面部の作製方法を説明する。

【００２２】ボロンドープ層４６が形成され、酸化膜４
２を成膜したＳｉ基板４１のボロンドープ側と反対面に
レジストをコートし、キャビティとなる部分５１をパタ
ーニングし、フッ酸水溶液で酸化膜４２をエッチングす
る。さらに、レジストを剥離して、酸化膜４２がパター
ニングされた状態になる（図５（ａ））。次に、４０ｗ
ｔ％水酸化カリウム水溶液でエッチングがボロンドープ
層４６（厚み３ミクロン）に達し、エッチングストップ
が起こり始めるエッチング深さ（残り３ミクロン程度）
まで行う（図５（ｂ））。このとき、高濃度水酸化カリ
ウム水溶でのエッチングではキャビティ底部５２に斜面
５３が残る性質があり、４０ｗｔ％水酸化カリウム水溶
液においては高さ１８ミクロンの斜面５３が形成され
る。次に高濃度ボロンドープ層４６でのエッチングスト
ップ性が高い５ｗｔ％水酸化カリウム水溶液で、Ｓｉ基
板４１のエッチングを継続してエッチングストップさせ
る（図５（ｃ））。しかし、５ｗｔ％水酸化カリウム水
溶液のような低濃度のエッチング液においては、キャビ
ティ底部５２に斜面５３を形成しない性質があり、所定
厚みの振動板５４になるまでエッチングを継続すると、
斜面５３は消失していき斜面５３のテーパー角は小さく
なっていく。

【００２３】以上の工程により、隔壁部と振動板の接続
部に微小なテーパー角を持つ斜面を有するインクジェッ
トキャビティを形成することができる。このことによ
り、振動板の耐久性が向上し、インクジェットヘッドの
安定した長期駆動を実現できた。

【００２４】（実施例２）本発明第２の実施例である複
数の厚みでパターニングされた酸化膜をエッチングマス
クとして斜面部を形成する方法について図６のエッチン
グ工程図において説明する。

【００２５】高濃度水酸化カリウム水溶液で形成される
キャビティ底部の斜面部の大きさは、エッチング液濃度
のほぼ規定されるため、より大きな斜面を形成しようと
した場合、次のような方法をとる。

【００２６】Ｓｉ基板４１にボロンドープ層４６を形成
し、酸化膜４６の形成までを前記実施例の拡散工程と同
様に行う。Ｓｉ基板４１のボロンドープ側と反対面にレ
ジストをコートし、キャビティとなる部分６１をパター
ニングし、ふっ酸水溶液で酸化膜４２をハーフエッチン
グする（図６（ａ））。一度レジストを除去した後、再
度レジストをコートし振動板となる部分６２の酸化膜４
２をふっ酸水溶液で完全に除去し、レジストを剥離する
（図６（ｂ））。この酸化膜４２をパターニングしたＳ
ｉ基板４１を３０ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液で振動
板となる部分６２を６０ミクロンの深さでエッチングす
る（図６（ｃ））。次にハーフエッチングで薄くした酸
化膜部分６３のみをエッチング除去できるように、エッ
チング時間を調整しＳｉ基板４１を浸漬する（図６
（ｄ））。そして、最初にエッチングした振動板となる
部分６２の厚みが３ミクロン程度になるように水酸化カ
リウム水溶液によるエッチングを継続する。この時、酸
化膜４２を除去した部分もエッチングされていき、角６
４が徐々にエッチングされて（図６（ｅ））、最終的に
は大きなテーパー形状の斜面６５となる（図６
（ｆ））。次に高濃度ボロンドープ層４６でのエッチン
グストップ性が高い５ｗｔ％水酸化カリウム水溶液で、
Ｓｉ基板４１のエッチングを継続して所定の厚みの振動
板６６を形成する（図６（ｇ））。高濃度エッチング終
了後の斜面６５のテーパーが大きいため最終的に残るテ
ーパー形状も大きくできた。このことにより、隔壁部と
振動板の接続部の強度が増し、振動板の耐久性がさらに
向上した。

【００２７】（実施例３）本発明第３の実施例である高
濃度水酸化カリウム水溶液と低濃度水酸化カリウム水溶
液の濃度について、エッチング液濃度と斜面幅の関係を
示した図７、及びエッチング液濃度とエッチングストッ
プ選択比（ボロンドープされたＳｉのエッチングレート
に対するドープされていないＳｉのエッチングレートの
比）の関係を示した図８、さらにエッチングの状況をシ
ュミレーションして示した図９において説明する。

【００２８】水酸化カリウム水溶液によるＳｉ基板のエ
ッチングにおいて、エッチング溝底部に形成される斜面
の斜面幅と濃度には図７のような関係があり、３２ｗｔ
％以上で斜面が形成され、３０ｗｔ％以下では斜面は全
く形成されない。すなわち、水酸化カリウム水溶液の最
高濃度は５５ｗｔ％であり、振動板形成において斜面部
形成を目的とした高濃度水酸化カリウム水溶液の最適な
濃度は、３２〜５５ｗｔ％である。

【００２９】一方、水酸化カリウム水溶液の低濃度エッ
チング液の濃度選定のポイントは、いかにエッチングス
トップ選択比を大きく取るかと言うことである。すなわ
ち、エッチングストップによって、Ｓｉ基板厚みのばら
つきをどれだけ吸収できるかを意味し、エッチングスト
ップ選択比は高いことが望ましい。Ｓｉ基板厚みばらつ
きが１０ミクロン程度であることを考慮すると、振動板
厚み精度を最悪でも±０．３ミクロン以内に抑えるた
め、必要となる選択比は１６以上である。すなわち、選
択比１６以上を確保するためには、図８より水酸化カリ
ウム水溶液の濃度は、１０ｗｔ％以下で良いことが解
る。一方、水酸化カリウム水溶液は濃度が極端に低くな
ると、Ｓｉに対するエッチング能力が不安定になり易
く、０．５ｗｔ％より低い濃度では実用的ではない。し
たがって、振動板形成においてエッチングストップを目
的とした低濃度水酸化カリウム水溶液の最適な濃度は
０．５〜１０ｗｔ％である。

【００３０】高濃度エッチング後の隔壁部９１と振動板
部９２の接続部の斜面９３の形状は、図９（０）のよう
になり斜面幅ｄ、斜面高さｈはほぼ等しい。ここで、低
濃度エッチング後の形状を推定するため、低濃度エッチ
ング液でのエッチングストップ選択比をＳとし、高濃度
ボロンドープ層９５に達してからのエッチング量をａす
ると、ｈとＳの関係において低濃度エッチング後の形状
は図９（Ι）、（П）、（Ш）のように３タイプにな
る。低濃度エッチング後の斜面部の高さをｘとすると、 Ｓ×ａ＜ｈのとき、 ｘ＝ｈ−（Ｓ×ａ）＋ａ Ｓ×ａ=ｈのとき、 ｘ＝ａ Ｓ×ａ＞ｈのとき、 斜面部上部９４が高濃度ボロンドープ層に達するまでに
高濃度ボロンドープ層がエッチングされる量をａ_１ と
し、斜面部上部９４が高濃度ボロンドープ層に達してか
らのエッチング量をａ_２ とすると、 Ｓ×ａ_１ ＝ｄ、 ａ＝ａ_１ ＋ａ_２ ａ_１ ＝ｈ／Ｓ ｘ＝ａ−ａ_２ ＝ａ_１ ＝ｈ／Ｓ ここで、高濃度ボロンドープ層９５の厚みは３ミクロン
であり、振動板９６の目標厚みは２ミクロンであるた
め、高濃度ボロンドープ層９５のエッチング量はａ＝１
ミクロンとなる。例えば、高濃度エッチング液の濃度を
４０ｗｔ％、低濃度エッチング液の濃度を５ｗｔ％とす
ると、図７及び図８のグラフより、ｈ＝１８ミクロン、
Ｓ＝２２であり、 Ｓ×ａ＝２２＞ｈ＝１８となるため、ｘは、 ｘ＝ｈ／Ｓ＝１８／２２＝０．８２ したがって、この場合、エッチング終了後の斜面部高さ
は０．８２ミクロンとなる。

【００３１】以上のことより、高濃度エッチング液及び
低濃度エッチング液の濃度選定により斜面形状を任意に
制御可能できる。

【００３２】

【発明の効果】インクジェットヘッドの吐出室を構成す
る隔壁部と振動板の接続部に斜面を形成したことによ
り、隔壁部と振動板の接続部への応力集中が減少し、接
続部の耐久性が向上する。そして、接続部への応力集中
による振動板の破損を防いだことによってインクジェッ
トヘッドの長期駆動における信頼性を高めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例におけるインクジェット
ヘッドの構造を分解して示す斜視図。

【図２】本発明の第１の実施例のおけるインクジェット
ヘッドの断面側面図。

【図３】図２のＡ−Ａ‘線矢視図。

【図４】本発明の第１の実施例におけるインクジェット
ヘッドの第１の基板の製造工程を構成する拡散の工程
図。

【図５】本発明の第１の実施例におけるインクジェット
ヘッドの第１の基板の製造工程を構成するエッチングの
工程図。

【図６】本発明の第２の実施例におけるインクジェット
ヘッドの第１の基板の製造工程を構成するエッチングの
工程図。

【図７】本発明の第３の実施例における水酸化カリウム
水溶液濃度と斜面幅の関係図。

【図８】本発明の第３の実施例における水酸化カリウム
水溶液濃度と選択比の関係図。

【図９】本発明の第３の実施例における隔壁部と振動板
接続部の斜面部のエッチング形状をシュミレートし、説
明する概略図。

【符号の説明】

１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ 第３の基板 ５ 振動板 ６ 吐出室 ７ 凹部 ８ オリフィス ９ 細溝 １０ インクキャビティ １１ 凹部 １２ ノズル孔 １３ インク供給口 １４ 凹部 １５ 電極 １６ リード部 １７ 端子 １８ 隔壁部 １９ 接続部 ２０ 斜面 ２１ インク液滴 ２２ 記録紙 ２３ 発信回路 ４１ Ｓｉ基板 ４２ 酸化膜 ４３ ボロンドープ層を形成する面 ４４ 反対の面 ４５ 拡散剤 ４６ ボロンドープ層 ４７ ボロン化合物 ４８ 酸化膜 ５１ キャビティとなる部分 ５２ キャビティ底部 ５３ 斜面 ５４ 振動板 ５５ 隔壁部 ５６ 斜面 ６１ キャビティとなる部分 ６２ 振動板となる部分 ６３ 薄くした酸化膜部分 ６４ 角 ６５ 斜面 ６６ 振動板 ９１ 隔壁部 ９２ 振動板部 ９３ 斜面 ９４ 斜面上部 ９５ ボロンドープ層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】インク液滴を吐出する単一または複数のノ
   ズル孔と、該ノズル孔の各々に連結する吐出室と、該吐
   出室の少なくとも一方の壁を構成する振動板と、該振動
   板に変形を生じさせる駆動手段とを備え、該駆動手段が
   該振動板を静電気力に変形させる電極からなり、該振動
   板が形成される基板がSi基板であるインクジェットヘッ
   ドにおいて、該吐出室を構成する隔壁部と該振動板の接
   続部に斜面部を設けたことを特徴とするインクジェット
   ヘッド。
2. 【請求項２】前記請求項１記載のインクジェットヘッド
   において、振動板が高濃度p型不純物層からなるＳｉ基
   板であって、該Ｓｉ基板の高濃度ｐ型不純物層が形成さ
   れた面の反対面の、該高濃度ｐ型不純物層の近傍までの
   Ｓｉ基板のエッチングを高濃度水酸化カリウム水溶液で
   行い、該高濃度p型不純物層の近傍から該高濃度ｐ型不
   純物層までのエッチングを低濃度水酸化カリウム水溶液
   で行い、該高濃度ｐ型不純物層を残留させて該振動板を
   形成することを特徴とするインクジェットの製造方法。
3. 【請求項３】前記請求項２記載のインクジェットヘッド
   の製造方法において、振動板が高濃度p型不純物層から
   なるＳｉ基板であって、該Ｓｉ基板の高濃度ｐ型不純物
   層が形成された面の反対面の、該高濃度ｐ型不純物層の
   近傍までのＳｉ基板のエッチングを複数の厚みでパター
   ニングされた酸化膜をエッチングマスクで行うことを特
   徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】前記低濃度水酸化カリウム水溶液の濃度
   が、０．５〜１０wt％であることを特徴とするインクジ
   ェットヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】前記高濃度水酸化カリウム水溶液の濃度
   が、３５〜５５wt％であることを特徴とするインクジェ
   ットヘッドの製造方法。