JPH11121522A - 半導体装置、およびこの製造方法 - Google Patents

半導体装置、およびこの製造方法

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JPH11121522A JP9283612A JP28361297A JPH11121522A JP H11121522 A JPH11121522 A JP H11121522A JP 9283612 A JP9283612 A JP 9283612A JP 28361297 A JP28361297 A JP 28361297A JP H11121522 A JPH11121522 A JP H11121522A
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JP
Japan
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electrode pad
semiconductor chip
semiconductor device
stud bump
semiconductor
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JP9283612A
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Hiroshi Oka
浩 岡
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップどうしが電気的に接続された半
導体装置を作業性良く、しかも安価に製造できるように
する。 【解決手段】 第１の半導体チップ３に形成された第１
電極パッド３１と、第２の半導体チップ４に形成された
第２電極パッド４０とが互いに対向配置させられている
とともに、上記第１電極パッド３１と上記第２電極パッ
ド４０とが電気的に導通接続された半導体装置１におい
て、上記第１電極パッド３１と上記第２電極パッド４０
とを、貴金属によって先端部が尖った形状に形成された
スタッドバンプ７を介して電気的に導通接続されるよう
にした。好ましくは、上記スタッドバンプ７は、圧縮変
形可能とし、また金により形成する。加えて、上記第１
の半導体チップ３の第１電極パッド３１が形成された面
３ａと、上記第２の半導体チップ４の第２電極パッド４
０が形成された面４ａとの間を樹脂製接着剤６によって
接合し、上記樹脂製接着剤６として、液状のものを使用
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、複数の半導体チ
ップを有するとともに、所定の半導体チップどうしが電
気的に接続された半導体装置およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より採用されている半導体チップど
うしの電気的な接続構造として、たとえば図９に示すよ
うなものがある。この接続構造は、接着性の樹脂膜６５
内に導電性の粒子６４を分散させた構造をもった、いわ
ゆる異方性導電膜６３を用いた接続構造である。この接
続構造では、それぞれの半導体チップ３，４の主面３
ａ，４ａ間に異方性導電膜６３が介在させられている
が、上記各半導体チップ３，４の電極パッド３０，４０
からそれぞれ突出形成されたバンプ３０ａ，４０ａ間に
は、それぞれのバンプ３０ａ，４０ａに接触して導電性
粒子６４が介在させられている。すなわち、上記各バン
プ３０ａ，４０ａ間は、上記導電性粒子６４によって電
気的な接続が図られている一方、上記各バンプ３０ａ，
４０ａ間以外の部分は、上記導電性粒子６４が上記樹脂
膜６５内に分散された状態であるので絶縁状態とされて
いるとともに上記各半導体チップ３，４どうしが上記樹
脂膜６５が硬化したときに接着力によって互いに接合さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異方性
導電膜６３を用いた半導体チップ３，４どうしの接続
は、一方の半導体チップ３（４）にこの半導体チップ３
（４）の大きさに対応した異方性導電膜６３を貼着また
は載置して上記樹脂膜６５を加熱溶融させるとともに、
この状態で一方の半導体チップ３（４）を他方の半導体
チップ４（３）に押圧させることにより行われる。すな
わち、この方法では、上記各半導体チップ３，４間に異
方性導電膜６３を介在させるために、まず、極めて小さ
な半導体チップ３（４）に対応した大きさの異方性導電
膜６３を用意しなければならない。しかも、小片とされ
た異方性導電膜６３を一枚一枚上記半導体チップ３
（４）に貼着するか、あるいは載置しなければならな
い。したがって、上述したような異方性導電膜６３を用
いた半導体チップ３，４どうしの接続方法では、異方性
導電膜６３を小片とするための工程が必要となり、工程
数の増加にともなう作業性の悪化を招くとともにコスト
アップを招来する。加えて、小片とされた異方性導電膜
６３を一枚一枚上記半導体チップ３（４）に貼着または
載置する作業も効率が悪く、コストアップを招来する要
因となる。
【０００４】また、上記各電極パッド３０，４０間を選
択的に導通接続するためには、上記導電性粒子６４を介
在させるべく導通接続すべき部位を突出させておかなけ
ればならない。このため、上記各電極パッド３０，４０
上に、たとえば金メッキ工程やエッチング工程などとい
った複数の工程によって金製などのバンプ３０ａ，４０
ａを形成しなければならない。すなわち、異方性導電膜
６３を用いた方法では、半導体チップ３（４）を製造す
る段階において、複数の工程によって予めバンプ３０
ａ，４０ａを形成しておかなければならず、半導体チッ
プ３（４）の製造コストが増加し、ひいては半導体装置
１の製造コストが増加してしまう。
【０００５】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、半導体チップどうしが電気的に接
続された半導体装置を作業性良く、しかも安価に製造で
きるようにすることをその課題としている。
【０００６】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【０００７】すなわち、本願発明によれば、第１の半導
体チップに形成された第１電極パッドと、第２の半導体
チップに形成された第２電極パッドとが互いに対向配置
させられているとともに、上記第１電極パッドと上記第
２電極パッドとが電気的に導通接続された半導体装置で
あって、上記第１電極パッドと上記第２電極パッドと
が、貴金属によって先端部が尖った形状に形成されたス
タッドバンプを介して電気的に導通接続されていること
を特徴とする、半導体装置が提供される。
【０００８】上記構成では、上記スタッドバンプの先端
部が尖った形状とされて、これが上記第２の半導体チッ
プの接続部位に突き刺さるような恰好とされているの
で、上記第２の半導体チップの接続部位が酸化しやすい
アルミニウムなどによって形成されている場合であっ
て、熱や超音波などのエネルギを付与して接続部位に形
成された酸化膜を除去するまでもなく、上記スタッドバ
ンプの先端部が酸化膜を突き破ることによって上記第２
電極パッドと上記スタッドバンプとが電気的に接続され
ることになる。
【０００９】もちろん、上記スタッドバンプの先端部が
上記第２電極パッドに突き刺さるようして接続されてい
てもよい。すなわち、このような構成では、上記第２の
半導体チップの第２電極パッドに直接的に上記スタッド
バンプが接続されているので、少なくとも第２の半導体
チップの第２電極パッド上には、金メッキ工程やエッチ
ング工程などの複数の工程によってバンプを形成する必
要はない。また、上記スタッドバンプを上記第１の半導
体チップの第１電極パッド上に直接形成するようにすれ
ば、上記第１の半導体チップに関してもバンプを形成す
る必要はなくなる。このため、従来の異方性導電膜を用
いた方法においては上記各半導体チップどうしの接続を
図るために必要であったバンプ形成する工程が、本願発
明では不要となるため、この点において作業性を向上さ
せ、コスト低減を図ることができる。このように、本願
発明では、上記各半導体チップどうしを接続するため
に、上記第２電極パッド上に形成された酸化膜を除去す
るすべく熱や超音波などのエネルギを付与する必要はな
く、また、上記第２電極パッド上に酸化膜が形成される
のを回避するために金メッキなどを施して上記第２電極
パッドを保護する必要はないといった利点が得られる。
【００１０】好ましい実施の形態においては、上記スタ
ッドバンプは、圧縮変形可能とされている。
【００１１】上記各半導体チップどうしの電気的な接続
を行う場合には、たとえば各半導体チップの電極パッド
どうしを対向させて上記第２の半導体チップを上記第１
の半導体チップに圧し付けることにより行われる。この
とき、上記スタッドバンプが圧縮可能とされていれば、
このスタッドバンプの圧縮変形によって外的に加えられ
た付加を吸収することができる。すなわち、上記スタッ
ドバンプを介在させることで、必要以上に上記各半導体
チップに外的な付加が加えられてしまうことが回避され
ている。
【００１２】好ましい実施の形態においてはさらに、上
記スタッドバンプは、金により形成されており、また、
上記スタッドバンプを上記第１電極パッド上に形成され
た金製バンプ上に形成してもよい。
【００１３】このように、金製バンプ上に、たとえば金
によって上記スタッドバンプを形成するようにすれば、
酸化されにくい金表面に上記スタッドバンプが形成され
ることとなるため、上記スタッドバンプを形成する際に
上記スタッドバンプを形成すべき部位の酸化膜を除去す
るといった操作が不要となるといった利点がある。ま
た、上記金製バンプと上記スタッドバンプとの接続が、
金どうしの接続となるため、接続部分の強度が酸化によ
って低下するといったことも考えにくく、良好な接続状
態を維持することができる。
【００１４】好ましい実施の形態においては、上記第１
の半導体チップの第１電極パッドが形成された面と、上
記第２の半導体チップの第２電極パッドが形成された面
との間は、樹脂製接着剤によって接合されている。
【００１５】すなわち、本願発明では、上述のように半
導体チップどうしの電気的な接続は上記スタッドバンプ
を介して行われているが、半導体チップどうしの機械的
な接合は樹脂製接着剤の硬化収縮作用によって行われて
いる。ところで、一般的な半導体チップにおいては、電
極パッドの形成面と回路素子が形成された面が一致して
いることが多い。このような場合には、上記第１の半導
体チップの第１電極パッド形成面と、上記第２の半導体
チップの第２電極パッド形成面とを樹脂性接着剤によっ
て接合すれば、上記各電極パッド形成面、すなわち回路
素子形成面が上記樹脂性接着剤によって封止されて保護
されるといった利点が得られる。
【００１６】本願発明の第２の側面においては、第１の
半導体チップに形成された第１電極パッドと、第２の半
導体チップに形成された第２電極パッドとが電気的に導
通接続された半導体装置の製造方法であって、上記第１
の半導体チップ上に上記第１電極パッドと導通するスタ
ッドバンプを貴金属によって先端部が尖った形状に形成
する工程と、上記第１電極パッドが形成された面と上記
第２電極パッドが形成された面とを対向配置させ、上記
スタッドバンプによって上記第２電極パッドを突き刺す
ようにして上記第１電極パッドと上記第２電極パッドと
を電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする、
半導体装置の製造方法が提供される。
【００１７】上記スタッドバンプを形成する工程は、金
属ワイヤを用いたワイヤボンディング工程の、いわゆる
ファーストボンディングと略同様な操作によって行うこ
とができる。具体的には、たとえば以下のようにして行
われる。まず、キャピラリと呼ばれる治具内に挿通され
た金属ワイヤの先端部を、上記キャピラリの先端部から
突出させておき、金属ワイヤの先端部を水素炎などによ
って加熱溶融させて溶融状態の金属ボールを形成する。
ついで、上記キャピラリを移動させて上記第１電極パッ
ド上に金属ボールを圧し付けて固着する。このとき、上
記キャピラリを上動させることによって、あるいは外力
によって金属ワイヤを切断することによって上記第１電
極パッド上に上記スタッドバンプが形成される。
【００１８】このように、上記スタッドバンプ形成工程
は、ワイヤボンディング工程のファーストボンディング
と同様な操作によって形成することができるため、半導
体装置を製造する際にワイヤボンディング工程が必要な
場合には、上記スタッドバンプを形成する工程を別途設
ける必要はなく、ワイヤボンディング工程と同様な工程
において行うことができる。また、上記製造方法におい
て、上記各半導体チップの電極パッド上に直接上記スタ
ッドバンプを形成するようにすれば、上記各電極パッド
上に金メッキ工程やエッチング工程などによってバンプ
を形成する必要がないために、この点においてコスト的
に有利である。
【００１９】このようにして形成されるスタッドバンプ
は、先端部が尖った形状とされているので、容易に上記
第２電極パッドに突き刺すことができ、これにより上記
第１電極パッドと上記第２電極パッドとを接続すること
ができる。もちろん、上記第２電極パッドがアルミニウ
ムなどの酸化されやすいもので形成されている場合であ
っても、上記スタッドバンプの先端部が尖った形状とさ
れているので、熱や超音波などのエネルギを付与しなく
とも酸化膜を突き破って上記第２電極パッドと接続され
ることとなる。
【００２０】また、上記スタッドバンプを圧縮変形可能
に形成すれば、上記第２の半導体装置を上記第１の半導
体装置に圧し付けた際には上記スタッドバンプが圧縮変
形するため、これによるアライメント効果が期待でき
る。しかも、上記スタッドバンプが圧縮変形することに
より上記スタッドバンプと上記第２電極パッドとの間の
接触面積が大きくなるため確実にこれらを電気的に接続
することができる。
【００２１】好ましい実施の形態においては、上記第１
電極パッドと上記第２電極パッドとを接続する工程は、
上記第１電極パッドが形成された面または上記第２電極
パッドが形成された面に樹脂製接着剤が塗布または貼着
された状態で行われる。
【００２２】すなわち、上記第１の半導体チップの第１
電極パッドと上記第２の半導体チップの第２電極パッド
とを接続する工程において、上記第１電極パッド形成面
と上記第２電極パッド形成面との間に樹脂製接着剤を介
在させることによって、上記各半導体チップどうしの機
械的な接合が図られる。このときに使用される接着剤と
しては、液状のものが好ましい。このような樹脂製接着
剤を使用すれば、上記各半導体チップどうしを接合する
際に、従来の異方性導電膜を用いた方法ような半導体チ
ップの大きさに対応した樹脂小片を得るための工程が不
要となり、また得られた樹脂小片を１枚１枚半導体チッ
プ上に載置したり貼着したりする必要もなく、これによ
り作業性を向上させ、コスト低減を図ることができる。
【００２３】なお、上記スタッドバンプは、貴金属によ
って形成されるのは上述の通りであるが、ワイヤボンデ
ィング工程は、金線ワイヤを用いて行われることが多い
ため、ワイヤボンディング工程のファーストボンディン
グ工程と同様な操作によって形成されるスタッドバンプ
は、一般的には金により形成される。
【００２４】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００２６】図１は、本願発明に係る半導体装置の一例
を表す全体斜視図であり、図２は、図１のII−II線に沿
う断面図である。
【００２７】図１および図２に示すように、上記半導体
装置１は、ポリイミド樹脂製などのフイルム基板２と、
このフイルム基板２上に実装される第１の半導体チップ
３と、この第１の半導体チップ３と電気的な導通が図ら
れた第２の半導体チップ４とを備えて大略構成されてい
る。
【００２８】図１および図２に良く表れているように、
上記フイルム基板２の両端部には、それぞれ４つの貫通
孔２０ａが形成されており、これらの貫通孔２０ａの形
成部位に対応して端子２０が計８個形成されている。こ
れらの各端子２０は、上記フイルム基板２の上面に形成
された薄膜端子部２２と上記フイルム基板２の下面に形
成されたボール状端子部２１とを有しており、もちろん
上記薄膜端子部２２と上記ボール状端子部２１とは上記
貫通孔２０ａを介して電気的に導通している。なお、上
記薄膜端子部２２は、たとえば銅などによって形成され
ており、上記ボール状端子部２１は、たとえばハンダな
どによって形成されている。また、上記貫通孔２０ａお
よび端子２０の形成部位および個数は適宜設計事項であ
る。
【００２９】図２に良く表れているように、上記第１の
半導体チップ３および第２の半導体チップ４のそれぞれ
の主面３ａ，４ａには、第１電極パッド３１，第３電極
パッド３０および第２電極パッド４０が形成されてい
る。もちろん、上記第１の半導体チップ３の第１および
第３電極パッド３１，３０は、上記第１の半導体チップ
３の主面３ａ，４ａに形成された回路素子（図示略）と
導通しており、上記第２の半導体チップ４に形成された
第２電極パッド４０は、上記第２の半導体チップ４の主
面４ａに形成された回路素子（図示略）と導通してい
る。
【００３０】図１および図２に良く表れているように、
上記フイルム基板２の端子２０と上記第１の半導体チッ
プ３の第３電極パッド３１とは、金線ワイヤ５によって
接続されて電気的な導通が図られている。上記端子２０
と金線ワイヤ５の一端部５ａとの接続、および上記第３
電極パッド３１と上記金線ワイヤ５の他端部５ｂとの接
続は、たとえば周知の熱超音波ボンディングなどによっ
て行われる（詳細については後述する）。
【００３１】図２に良く表れているように、上記第１の
半導体チップ３と上記第２の半導体チップ４とは、上記
第１電極パッド３１と上記第２電極パッド４０とがスタ
ッドバンプ７によって電気的に接続されており、各主面
３ａ，４ａ間は樹脂製接着剤６によって機械的に接合さ
れている。
【００３２】上記スタッドバンプ７は、上記第１電極パ
ッド３１から突出して、たとえば金により先端部が尖っ
た形状とされているとともに、圧縮変形可能とされてい
る。このスタッドバンプ７は、たとえば上述したワイヤ
ボンディング工程の、いわゆるファーストボンディング
と同様な操作によって形成することができる。
【００３３】このように、本実施形態では、半導体チッ
プ３，４を製造する段階において各半導体チップ３，４
の電極パッド３０，３１，４０上に金メッキ工程やエッ
チング工程などの複数の工程によってバンプを形成する
までもなく、上記第１の半導体チップ３の第１電極パッ
ド３１上にスタッドバンプ７を形成し、このスタッドバ
ンプ７によって電気的な接続が図られている。このた
め、従来では上記各半導体チップ３，４どうしの接続を
図るために必要であったバンプを形成する工程が不要と
なるため、この点において作業性を向上させ、コスト低
減を図ることができる。
【００３４】また、本実施形態では、上記第１電極パッ
ド３１上に直接スタッドバンプ７が形成されて上記各半
導体チップ３，４間の電気的な導通は図られているの
で、電極パッド上に形成された酸化膜を除去するために
熱や超音波などのエネルギを付与して上記各半導体チッ
プ３，４どうしの接合を図る必要はなく、また、電極パ
ッド上に酸化膜が形成されるのを回避するために金メッ
キなどを施して電極パッドを保護する必要はないといっ
た利点が得られる。さらに、金製とされたスタッドバン
プ７は、その表面が酸化されにくいため、半導体チップ
３，４どうしの電気的な接続部分が酸化して導通不良を
起こすようなことは考えにくく、良好な接続状態を維持
することができる。
【００３５】上記樹脂製接着剤６としては、たとえば接
合時には液状であるとともに、常温で硬化収縮する樹脂
が好適に採用される。すなわち、上記第１の半導体チッ
プ３と上記第２の半導体チップ４とは、樹脂製接着剤６
の硬化時の収縮力によって接合されている。ところで、
一般的な半導体チップにおいては、電極パッドの形成面
と回路素子が形成された面が一致していることが多い。
このような場合には、上記第１の半導体チップ３の第１
電極パッド形成面（主面）３ａと、上記第２の半導体チ
ップ４の第２電極パッド形成面（主面）４ａとを樹脂性
接着剤６によって接合すれば、上記各電極パッド形成面
３ａ，４ａ、すなわち回路素子形成面が上記樹脂性接着
剤６によって封止されて保護されるといった利点が得ら
れる。
【００３６】なお、上記第１および第２半導体チップ
３，４、フイルム基板２、および金線ワイヤ５は、エポ
キシなどの樹脂を用いた金型成形によって形成された樹
脂パッケージ６１によって保護されている。
【００３７】また、上記実施形態においては、上記第１
の半導体チップ３の第１電極パッド３１上に直接上記ス
タッドバンプ７が形成されていたが、上記第１電極パッ
ド３１上に金製バンプを形成し、この金製バンプ上に上
記スタッドバンプ７が形成されたものも本願発明の適用
範囲であるのはいうまでもない。
【００３８】次に、図１および図２に示した半導体装置
１の製造方法の一例を、図３ないし図８を参照しつつ簡
単に説明する。
【００３９】上記半導体装置１の製造方法は、上記フイ
ルム基板２となるべき長尺帯状樹脂フイルム２Ａの所定
部位に薄膜端子２２を形成する工程と、上記第１の半導
体チップ３を上記フイルム２Ａに実装する工程と、上記
薄膜端子２２と上記第１の半導体チップ３の第３電極パ
ッド３０との間を金線ワイヤ５によって接続する工程
と、上記第１の半導体チップ３の第１電極パッド３１上
にスタッドバンプ７を形成する工程と、上記第１の半導
体チップ３と上記第２の半導体チップ４とを電気的に接
続するとともに機械的に接合する工程と、を含んでい
る。
【００４０】図３に良く表れているように、上記樹脂フ
イルム２Ａは、たとえばポリイミド樹脂製であり、幅方
向の両側部に係止穴２０Ａが形成されており、所定の送
り機構によってピッチ送り、あるいは連続送りが可能と
されている。このような樹脂フイルム２Ａに薄膜端子２
２を形成する工程は、上記樹脂フイルム２Ａの表面に、
たとえばスパッタリング、蒸着、あるいはＣＶＤなどの
手段によって銅などの被膜を形成した後に、エッチング
処理を施すことによって行われる。
【００４１】上記第１の半導体チップ３を上記フイルム
２Ａに実装する工程は、たとえば液状の樹脂製接着剤６
０を上記樹脂フイルム２Ａ、あるいは上記第１の半導体
チップ３の一面３ｂに塗布した状態で上記第１の半導体
チップ３を上記樹脂フイルム２Ａ上に載置することによ
り行われる。上記樹脂製接着剤６０としては、常温で硬
化する樹脂や後述するワイヤボンディング時の加熱温度
程度で硬化する樹脂などが好適に採用される。
【００４２】図４および図５に示すように、上記薄膜端
子２２と上記第１の半導体チップ３の第３電極パッド３
０との間を金線ワイヤ５によって接続する工程は、いわ
ゆる熱超音波ボンディングによって行われる。この熱超
音波ボンディングは、たとえば支持台９上に上記樹脂フ
イルム２Ａを載置して、上記支持台９から上記樹脂フイ
ルム２Ａおよび第１の半導体チップ３を１００〜２００
℃程度に加熱した状態で行われるが、この工程は図４に
示すファーストボンディングと、図５に示すセカンドボ
ンディングとからなる。
【００４３】図４に良く表れているように、ファースト
ボンディングは、キャピラリ８と呼ばれる治具内に挿通
された金線ワイヤ５０の先端部を、上記キャピラリ８の
先端部８０から突出させておき、金線ワイヤ５０の先端
部を水素炎などによって加熱溶融させて金ボール５０ａ
を形成し、上記キャピラリ８を移動させて上記第３電極
パッド３０上に上記金ボール５０ａを圧し付けて固着す
ることにより行われる。もちろん、上記金ボール５０ａ
を圧し付ける際に、固着すべき部位に超音波振動を供給
してもよい。図５に良く表れているように、セカンドボ
ンディングは、上記金線ワイヤ５０の先端部を固着した
状態で上記金線ワイヤ５０を引き出しつつ上記樹脂フイ
ルムＡに薄膜端子部２２の部位まで移動させ、上記キャ
ピラリ８の先端部８０によって上記薄膜端子部２２の上
面に上記金線ワイヤ５０を圧し付けながら超音波振動を
供給することにより行われる。そして、上記金線ワイヤ
５０が圧着された場合には、上記キャピラリ８をスライ
ド移動させて上記金線ワイヤ５０圧し切って、ワイヤボ
ンディング工程が終了する。
【００４４】図６に示すように、上記スタッドバンプ７
を形成する工程は、上述したワイヤボンディング工程の
ファーストボンディングと同様な操作によって行われ
る。すなわち、上記樹脂フイルム２Ａを支持台９に載置
した状態で、キャピラリ８の先端部８０から突出した金
線ワイヤ５０の先端部を加熱溶融させて形成された溶融
金ボール５０ａを、上記第１電極パッド３１に圧し付
け、上記キャピラリ８を上動させることによって、ある
いは外力によって上記金線ワイヤ５０を切断することに
より行われる。
【００４５】このように、上記スタッドバンプ７を形成
する工程は、ワイヤボンディング工程のファーストボン
ディングと同様な操作によって形成することができるた
め、半導体装置１を製造する際に上述したようなワイヤ
ボンディング工程が必要な場合には、上記スタッドバン
プ７を形成する工程を別途設ける必要はなく、ワイヤボ
ンディング工程と同様な工程において行うことができ
る。また、上記製造方法では、上記第１の半導体チップ
３の第１電極パッド３１上に直接上記スタッドバンプ７
を形成するようになされているので、従来の異方性導電
膜を用いた方法のように上記第１電極パッド３１上に金
メッキ工程やエッチング工程などによってバンプを形成
する必要がなく、この点においてコスト的に有利であ
る。
【００４６】図７および図８に示すように、上記第１の
半導体チップ３と上記第２の半導体チップ４とを電気的
に接続するとともに機械的に接合する工程は、図７に示
す液状の樹脂製接着剤６を上記第１の半導体チップ３の
主面３ａ上に塗布する工程と、上記第２の半導体チップ
４を上記第１の半導体チップ３１に圧し付ける工程とか
らなる。すなわち、図７に良く表れているように、予め
上記第１の半導体チップ３の主面３ａ上に液状の樹脂製
接着剤を塗布しておき、図８に良く表れているように、
この状態で上記第２の半導体チップ４の第２電極パッド
４０を上記第１の半導体チップ３の第１電極パッド３１
と対向させて上記第２の半導体チップ４を上記第１の半
導体チップ３の圧し付けることにより行われる。
【００４７】このとき、上記スタッドバンプ７の先端部
が尖った形状とされているので、上記スタッドバンプ７
の先端部が上記第２電極パッド４０に突き刺さるような
恰好とされる。このため、上記第２電極パッド４０がア
ルミニウムなどの酸化しやすいものによって形成されて
いても、上記スタッドバンプ７が上記第２電極パッド４
０上に形成された酸化膜を突き破り、上記スタッドバン
プ７と上記電極パッド４０との間の良好な接続を図るこ
とができる。なお、上記樹脂製接着剤６としては、常温
で硬化する樹脂やワイヤボンディング時の加熱温度程度
で硬化する樹脂などが好適に採用される。
【００４８】また、上記スタッドバンプ７は、金製であ
るとともに先端部が尖った形状とされているために比較
的圧縮変形可能である。このため、このようなスタッド
バンプ７に上記第２の半導体装置４を上記第１の半導体
装置３に圧し付けた場合には、上記スタッドバンプ７が
圧縮変形するため、これによるアライメント効果が期待
できる。しかも、上記スタッドバンプ７が圧縮変形する
ことにより上記スタッドバンプ７と上記第２電極パッド
４０との間の接触面積が大きくなるため確実にこれらを
電気的に接続することができる。
【００４９】上述した各工程が終了した場合には、図示
しないが、上記第１および第２半導体チップ３，４、お
よび金線ワイヤ５０を覆うようにして樹脂パッケージ６
１が形成される。この樹脂パッケージ６１は、たとえば
エポキシ樹脂などを用いた金型成形によって形成され
る。そして、上記樹脂フイルム２Ａの貫通孔２ａが形成
された部位の下面側に、ハンダなどによってボール状端
子部２１を形成して、上記樹脂フイルム２Ａから切り離
すことによって、図１および図２に示したような半導体
装置１が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る半導体装置の一例を表す全体斜
視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】長尺帯状のフィルムに第１の半導体チップが実
装された状態を表す斜視図である。
【図４】ワイヤボンディング工程のファーストボンディ
ングを表す図である。
【図５】ワイヤボンディング工程のセカンドボンディン
グを表す図である。
【図６】上記第１の半導体チップの第１の電極パッド上
にスタッドバンプを形成している状態を表す図である。
【図７】上記第１の半導体チップの第１電極パッド形成
面に液状の樹脂製接着剤を塗布した状態を表す図であ
る。
【図８】上記第１の半導体チップと第２の半導体チップ
とを接合している状態を表す図である。
【図９】従来の異方性導電膜を用いた半導体チップどう
しの接続構造を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置 ３ 第１の半導体チップ ３ａ 電極パッド形成面（第１の半導体チップの） ４ 第２の半導体チップ ４ａ 電極パッド形成面（第２の半導体チップの） ５ 金線ワイヤ ６ 液状の樹脂製接着剤 ７ スタッドバンプ ３０ 第３電極パッド（第１の半導体チップの） ３１ 第１電極パッド（第１の半導体チップの） ４０ 第２電極パッド（第２の半導体チップの）

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の半導体チップに形成された第１電
    極パッドと、第２の半導体チップに形成された第２電極
    パッドとが互いに対向配置させられているとともに、上
    記第１電極パッドと上記第２電極パッドとが電気的に導
    通接続された半導体装置であって、 上記第１電極パッドと上記第２電極パッドとが、貴金属
    によって先端部が尖った形状に形成されたスタッドバン
    プを介して電気的に導通接続されていることを特徴とす
    る、半導体装置。
  2. 【請求項２】 上記スタッドバンプの先端部が上記第２
    電極パッドに突き刺さるようして接続されている、請求
    項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 上記スタッドバンプは、圧縮変形可能と
    されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 上記スタッドバンプは、金により形成さ
    れている、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体
    装置。
  5. 【請求項５】 上記スタッドバンプは、上記第１電極パ
    ッド上に形成された金製バンプ上に形成されている、請
    求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 上記第１の半導体チップの第１電極パッ
    ドが形成された面と、上記第２の半導体チップの第２電
    極パッドが形成された面との間は、樹脂製接着剤によっ
    て接合されている、請求項１ないし５のいずれかに記載
    の半導体装置。
  7. 【請求項７】 第１の半導体チップに形成された第１電
    極パッドと、第２の半導体チップに形成された第２電極
    パッドとが電気的に導通接続された半導体装置の製造方
    法であって、 上記第１の半導体チップ上に上記第１電極パッドと導通
    するスタッドバンプを貴金属によって先端部が尖った形
    状に形成する工程と、 上記第１電極パッドが形成された面と上記第２電極パッ
    ドが形成された面とを対向配置させ、上記スタッドバン
    プによって上記第２電極パッドを突き刺すようにして上
    記第１電極パッドと上記第２電極パッドとを電気的に接
    続する工程と、 を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 上記第１電極パッドと上記第２電極パッ
    ドとを接続する工程は、上記第１電極パッドが形成され
    た面または上記第２電極パッドが形成された面に樹脂製
    接着剤が塗布または貼着された状態で行われる、請求項
    ７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 上記樹脂製接着剤として、液状のものが
    使用される、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 上記スタッドバンプは、金によって形
    成される、請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体
    装置の製造方法。
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