JPH11121434A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH11121434A JPH11121434A JP944998A JP944998A JPH11121434A JP H11121434 A JPH11121434 A JP H11121434A JP 944998 A JP944998 A JP 944998A JP 944998 A JP944998 A JP 944998A JP H11121434 A JPH11121434 A JP H11121434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- flow rate
- sccm
- gas mixture
- etching method
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化物とケイ化金属との間のエッチング選択
性が増大し、エッチング・プロセスそれ自身が簡単にな
るようなエッチング方法を提供すること。 【解決手段】 酸化物層４９に開孔部５０を形成する主
エッチング工程とオーバエッチング工程で同一組成、同
一流量のエッチングガスを使用する。しかも、エッチン
グガスはＣＯを含む。具体的にはＣＨＦ3 、ＣＦ4 、ア
ルゴンおよびＣＯを含むエッチング・ガス混合物を使用
し、各ガスの流量は１０〜５０、１０〜５０、１００〜
５００、１００〜３００ＳＣＣＭとする。
性が増大し、エッチング・プロセスそれ自身が簡単にな
るようなエッチング方法を提供すること。 【解決手段】 酸化物層４９に開孔部５０を形成する主
エッチング工程とオーバエッチング工程で同一組成、同
一流量のエッチングガスを使用する。しかも、エッチン
グガスはＣＯを含む。具体的にはＣＨＦ3 、ＣＦ4 、ア
ルゴンおよびＣＯを含むエッチング・ガス混合物を使用
し、各ガスの流量は１０〜５０、１０〜５０、１００〜
５００、１００〜３００ＳＣＣＭとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられるエッチング方法に関し、特に酸化物とケイ
化物との間にエッチング選択性を有するエッチング方法
に関する。
に用いられるエッチング方法に関し、特に酸化物とケイ
化物との間にエッチング選択性を有するエッチング方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）を製造する
場合には、ＭＯＳのソース／ドレイン領域と、その上の
接続金属層との間にケイ化物（シリサイド）の層を形成
するために、ケイ化金属処理が通常行われる。前記ケイ
化物の層は、前記ソース領域部または前記ドレイン領域
部の面積抵抗を下げ、ＭＯＳとその上の金属層との間に
形成された浅い接合点における一体性を確実にする働き
をする。前記ケイ化物処理工程は、ソース／ドレイン領
域およびゲート領域上へチタニウムをスパッタして、こ
のチタニウムをソース／ドレイン領域内のシリコンとゲ
ート領域内のポリシリコンと反応させてケイ化チタニウ
ム層を形成した後、反応していない残りのチタニウムを
除去するステップを含む。その後で、ケイ酸ホウ素リン
・ガラス（ＢＰＳＧ）層が層間絶縁膜としてケイ化物の
層上に形成される。ＭＯＳ装置の小型化に従って、浅い
接合部におけるケイ化金属の層を薄くする必要があり、
一方、層間絶縁膜もまた薄くする必要がある。それ故、
ケイ化金属（金属シリサイド）と酸化物との間のエッチ
ング選択性が、考慮すべき重要な処理要因となってきて
いる。
場合には、ＭＯＳのソース／ドレイン領域と、その上の
接続金属層との間にケイ化物（シリサイド）の層を形成
するために、ケイ化金属処理が通常行われる。前記ケイ
化物の層は、前記ソース領域部または前記ドレイン領域
部の面積抵抗を下げ、ＭＯＳとその上の金属層との間に
形成された浅い接合点における一体性を確実にする働き
をする。前記ケイ化物処理工程は、ソース／ドレイン領
域およびゲート領域上へチタニウムをスパッタして、こ
のチタニウムをソース／ドレイン領域内のシリコンとゲ
ート領域内のポリシリコンと反応させてケイ化チタニウ
ム層を形成した後、反応していない残りのチタニウムを
除去するステップを含む。その後で、ケイ酸ホウ素リン
・ガラス（ＢＰＳＧ）層が層間絶縁膜としてケイ化物の
層上に形成される。ＭＯＳ装置の小型化に従って、浅い
接合部におけるケイ化金属の層を薄くする必要があり、
一方、層間絶縁膜もまた薄くする必要がある。それ故、
ケイ化金属（金属シリサイド）と酸化物との間のエッチ
ング選択性が、考慮すべき重要な処理要因となってきて
いる。
【０００３】図３は、従来の方法により開孔部を形成す
るために、酸化物層をエッチングする際の製造ステップ
の進行を示す断面図である。図４は、従来の方法により
酸化物層内に開孔部をエッチング形成する際の、処理の
流れを示すブロック図である。最初に、図４のステップ
２０において、図３（Ａ）に示すような基板１０が供給
される。この基板１０は、例えば、その上に既に形成さ
れている絶縁構造１２、ゲート１４、スペーサ１５およ
びソース／ドレイン領域１６を含む。さらに、ケイ化金
属の層１７も、既にソース／ドレイン領域１６およびゲ
ート１４の頂部に形成されている。ケイ化金属の層１７
は、例えばセルフアラインケイ化物（シリサイド）プロ
セス（サリサイドプロセス）を使用して形成することが
できる。さらに、基板構造全体が、二酸化シリコンまた
はケイ酸ホウ素リン・ガラス（ＢＰＳＧ）のような材料
を使用して、酸化物の層１８により被覆される。この酸
化物層１８は、例えば常圧化学蒸着法（ＡＰＣＶＤ）を
使用して形成することができる。
るために、酸化物層をエッチングする際の製造ステップ
の進行を示す断面図である。図４は、従来の方法により
酸化物層内に開孔部をエッチング形成する際の、処理の
流れを示すブロック図である。最初に、図４のステップ
２０において、図３（Ａ）に示すような基板１０が供給
される。この基板１０は、例えば、その上に既に形成さ
れている絶縁構造１２、ゲート１４、スペーサ１５およ
びソース／ドレイン領域１６を含む。さらに、ケイ化金
属の層１７も、既にソース／ドレイン領域１６およびゲ
ート１４の頂部に形成されている。ケイ化金属の層１７
は、例えばセルフアラインケイ化物（シリサイド）プロ
セス（サリサイドプロセス）を使用して形成することが
できる。さらに、基板構造全体が、二酸化シリコンまた
はケイ酸ホウ素リン・ガラス（ＢＰＳＧ）のような材料
を使用して、酸化物の層１８により被覆される。この酸
化物層１８は、例えば常圧化学蒸着法（ＡＰＣＶＤ）を
使用して形成することができる。
【０００４】次に、ホトレジスト層（図示せず）が酸化
物層１８上に形成され、その後で、ホトレジスト層内に
パターンが形成され、必要な図３（Ｂ）の開孔部１９の
位置が決められる。開孔部１９は、コンタクトホールと
して使用される。その後、図３（Ｂ）に示すように酸化
物層１８内に開孔部１９を形成するために、図４のステ
ップ２２で示す主エッチング工程が行われる。この主エ
ッチング工程中、基板構造は、反応室に入れられ、そこ
でエッチング・ガス、すなわちＣＨＦ3 、ＣＦ4 および
アルゴンが供給される。エッチング・ガス、すなわちＣ
ＨＦ3 、ＣＦ4およびアルゴンの流量は、それぞれ、約
３０、約３０および約４００ＳＣＣＭ（１分間当たりの
標準立法センチメートル）である。続いて、ステップ２
４において、開孔部１９がケイ化金属層１７を露出させ
るように、酸化物層１８に対してオーバエッチング工程
が行われる。この工程中、基板構造は反応室内に置か
れ、エッチング・ガスとしてＣＨＦ3 、ＣＦ4 およびア
ルゴンが供給される。ただし、エッチング選択比を高く
するために、前記エッチング・ガスの流量は、それぞ
れ、２０、１０および３００ＳＣＣＭである。
物層１８上に形成され、その後で、ホトレジスト層内に
パターンが形成され、必要な図３（Ｂ）の開孔部１９の
位置が決められる。開孔部１９は、コンタクトホールと
して使用される。その後、図３（Ｂ）に示すように酸化
物層１８内に開孔部１９を形成するために、図４のステ
ップ２２で示す主エッチング工程が行われる。この主エ
ッチング工程中、基板構造は、反応室に入れられ、そこ
でエッチング・ガス、すなわちＣＨＦ3 、ＣＦ4 および
アルゴンが供給される。エッチング・ガス、すなわちＣ
ＨＦ3 、ＣＦ4およびアルゴンの流量は、それぞれ、約
３０、約３０および約４００ＳＣＣＭ（１分間当たりの
標準立法センチメートル）である。続いて、ステップ２
４において、開孔部１９がケイ化金属層１７を露出させ
るように、酸化物層１８に対してオーバエッチング工程
が行われる。この工程中、基板構造は反応室内に置か
れ、エッチング・ガスとしてＣＨＦ3 、ＣＦ4 およびア
ルゴンが供給される。ただし、エッチング選択比を高く
するために、前記エッチング・ガスの流量は、それぞ
れ、２０、１０および３００ＳＣＣＭである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング技術
においては、主エッチング工程とオーバエッチング工程
とで同じエッチング・ガスを使用する。しかし、前記二
つの工程でガスの流量は異なっていて、そのため製造プ
ロセスが複雑になっていた。さらに、エッチング作業の
結果はというと、酸化物層１８とケイ化金属層１７との
間で達成可能な最大エッチング選択比は、約１０〜４０
に過ぎなかった。半導体装置の大きさはどこまでも小さ
くなっていくので、ケイ化金属もそれに従って薄くなっ
ていく。それ故、従来のエッチング法では強力すぎて、
薄いケイ化金属層１７に孔があいてしまう。従って、ケ
イ化金属層の、ソース／ドレイン部分での面積抵抗を下
げ、浅い接合部におけるＭＯＳとケイ化金属層との間の
一体性を確保するという、本来の機能が失われてしまう
ことがある。これらから、エッチング作業を改善する必
要に迫られている。
においては、主エッチング工程とオーバエッチング工程
とで同じエッチング・ガスを使用する。しかし、前記二
つの工程でガスの流量は異なっていて、そのため製造プ
ロセスが複雑になっていた。さらに、エッチング作業の
結果はというと、酸化物層１８とケイ化金属層１７との
間で達成可能な最大エッチング選択比は、約１０〜４０
に過ぎなかった。半導体装置の大きさはどこまでも小さ
くなっていくので、ケイ化金属もそれに従って薄くなっ
ていく。それ故、従来のエッチング法では強力すぎて、
薄いケイ化金属層１７に孔があいてしまう。従って、ケ
イ化金属層の、ソース／ドレイン部分での面積抵抗を下
げ、浅い接合部におけるＭＯＳとケイ化金属層との間の
一体性を確保するという、本来の機能が失われてしまう
ことがある。これらから、エッチング作業を改善する必
要に迫られている。
【０００６】従って、本発明の目的は、酸化物とケイ化
金属との間のエッチング選択性が増大し、エッチング・
プロセスそれ自身が簡単になるようなエッチング方法を
提供することにある。
金属との間のエッチング選択性が増大し、エッチング・
プロセスそれ自身が簡単になるようなエッチング方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は次のようなエッチング方法とする。ま
ず、ケイ化金属層と酸化物層とが形成されている基板を
供給する。次に、エッチング・ガスを使用して、前記酸
化物層内に開孔部を形成するために、主エッチングを行
う。このとき、エッチング・ガスはＣＨＦ3 、ＣＦ4 、
アルゴンおよびＣＯを含む。次に、開孔部を深めてケイ
化金属層を露出させるために、オーバエッチングを行
う。このオーバエッチング時、前記主エッチング時と同
じ組成、同じ流量のエッチング・ガスが使用される。
めに、本発明は次のようなエッチング方法とする。ま
ず、ケイ化金属層と酸化物層とが形成されている基板を
供給する。次に、エッチング・ガスを使用して、前記酸
化物層内に開孔部を形成するために、主エッチングを行
う。このとき、エッチング・ガスはＣＨＦ3 、ＣＦ4 、
アルゴンおよびＣＯを含む。次に、開孔部を深めてケイ
化金属層を露出させるために、オーバエッチングを行
う。このオーバエッチング時、前記主エッチング時と同
じ組成、同じ流量のエッチング・ガスが使用される。
【０００８】上記から明らかなように、本発明の第一の
特徴は、主エッチング工程でもオーバエッチング工程で
も、同じ組成と同じ流量のＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴン
およびＣＯのエッチング・ガス混合物を使用することで
ある。それ故、主エッチング工程からオーバエッチング
工程へ移行するときに、流量を新しい流量に切り換える
必要がなく、処理が簡単になる。
特徴は、主エッチング工程でもオーバエッチング工程で
も、同じ組成と同じ流量のＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴン
およびＣＯのエッチング・ガス混合物を使用することで
ある。それ故、主エッチング工程からオーバエッチング
工程へ移行するときに、流量を新しい流量に切り換える
必要がなく、処理が簡単になる。
【０００９】本発明の第二の特徴は、エッチング・ガス
の組成にＣＯを加えることにより、酸化物とケイ化金属
層との間のエッチング選択性を高めることができること
である。本発明によれば、酸化物とケイ化金属との間の
エッチング選択比の数値を１１０にまで高めることがで
きる。
の組成にＣＯを加えることにより、酸化物とケイ化金属
層との間のエッチング選択性を高めることができること
である。本発明によれば、酸化物とケイ化金属との間の
エッチング選択比の数値を１１０にまで高めることがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明の
実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の形
態における半導体装置を工程順に示す断面図、図２は本
発明の実施の形態における製造ステップを示すブロック
図である。本発明の実施の形態では、最初に、図２のス
テップ６０において、図１（Ａ）に示すような基板４０
が供給される。この基板４０は、例えば、その上に既に
形成されている絶縁構造４２、ゲート４４、スペーサ４
５およびソース／ドレイン領域４７を含む。さらに、ケ
イ化金属の層４８も、既にソース／ドレイン領域４７お
よびゲート４４の頂部に形成されている。ケイ化金属の
層４８は、例えばセルフアラインケイ化物（シリサイ
ド）プロセス（サリサイドプロセス）を使用して形成す
ることができる。さらに、基板構造全体が、二酸化シリ
コンまたはケイ酸ホウ素リン・ガラス（ＢＰＳＧ）のよ
うな材料を使用して、酸化物の層４９により被覆され
る。この酸化物層４９は、例えば常圧化学蒸着法（ＡＰ
ＣＶＤ）を使用して形成することができる。
実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の形
態における半導体装置を工程順に示す断面図、図２は本
発明の実施の形態における製造ステップを示すブロック
図である。本発明の実施の形態では、最初に、図２のス
テップ６０において、図１（Ａ）に示すような基板４０
が供給される。この基板４０は、例えば、その上に既に
形成されている絶縁構造４２、ゲート４４、スペーサ４
５およびソース／ドレイン領域４７を含む。さらに、ケ
イ化金属の層４８も、既にソース／ドレイン領域４７お
よびゲート４４の頂部に形成されている。ケイ化金属の
層４８は、例えばセルフアラインケイ化物（シリサイ
ド）プロセス（サリサイドプロセス）を使用して形成す
ることができる。さらに、基板構造全体が、二酸化シリ
コンまたはケイ酸ホウ素リン・ガラス（ＢＰＳＧ）のよ
うな材料を使用して、酸化物の層４９により被覆され
る。この酸化物層４９は、例えば常圧化学蒸着法（ＡＰ
ＣＶＤ）を使用して形成することができる。
【００１１】次に、ホトレジスト層（図示せず）が酸化
物層４９上に形成され、その後で、ホトレジスト層内に
パターンが形成され、必要な図１（Ｂ）の開孔部５０の
位置が決められる。開孔部５０は、コンタクトホールと
して使用される。
物層４９上に形成され、その後で、ホトレジスト層内に
パターンが形成され、必要な図１（Ｂ）の開孔部５０の
位置が決められる。開孔部５０は、コンタクトホールと
して使用される。
【００１２】その後、図１（Ｂ）に示すように酸化物層
４９に開孔部５０を形成するために、図２のステップ６
２で示す主エッチング工程が行われる。この主エッチン
グ工程中、基板構造は、反応室に入れられ、そこでエッ
チング・ガスすなわちＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよ
びＣＯが供給される。この主エッチング工程中の、エッ
チング・ガスすなわちＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよ
びＣＯの流量は、それぞれ、１０〜５０、１０〜５０、
１００〜５００および１００〜３００ＳＣＣＭである。
好適には、エッチング・ガスすなわちＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 、アルゴンおよびＣＯの流量は、それぞれ、約３
０、約２０、約３００および約２００ＳＣＣＭであるこ
とが好ましい。
４９に開孔部５０を形成するために、図２のステップ６
２で示す主エッチング工程が行われる。この主エッチン
グ工程中、基板構造は、反応室に入れられ、そこでエッ
チング・ガスすなわちＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよ
びＣＯが供給される。この主エッチング工程中の、エッ
チング・ガスすなわちＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよ
びＣＯの流量は、それぞれ、１０〜５０、１０〜５０、
１００〜５００および１００〜３００ＳＣＣＭである。
好適には、エッチング・ガスすなわちＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 、アルゴンおよびＣＯの流量は、それぞれ、約３
０、約２０、約３００および約２００ＳＣＣＭであるこ
とが好ましい。
【００１３】続いて、ステップ６４において、開孔部５
０がケイ化金属層４８を露出させるように、酸化物層４
９に対してオーバエッチング工程が行われる。このオー
バエッチング工程中も、上記基板構造は反応室内に置か
れ、エッチング・ガスとしてはＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アル
ゴンおよびＣＯが供給される。しかも、このオーバエッ
チング工程中も、上記エッチング・ガス、すなわちＣＨ
Ｆ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよびＣＯの流量は、それぞ
れ、１０〜５０、１０〜５０、１００〜５００および１
００〜３００ＳＣＣＭである。好適には、ＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 、アルゴンおよびＣＯの流量は、約３０、約２０、
約３００および約２００ＳＣＣＭであることが好まし
い。すなわち、エッチング・ガスの組成、およびエッチ
ング・ガス混合物の個々のガスの流量は、主エッチング
工程の場合も、オーバエッチング工程の場合も、全く同
じである。その後、開孔部５０が形成されると、マスク
としてのホトレジスト層が除去される。
０がケイ化金属層４８を露出させるように、酸化物層４
９に対してオーバエッチング工程が行われる。このオー
バエッチング工程中も、上記基板構造は反応室内に置か
れ、エッチング・ガスとしてはＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アル
ゴンおよびＣＯが供給される。しかも、このオーバエッ
チング工程中も、上記エッチング・ガス、すなわちＣＨ
Ｆ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよびＣＯの流量は、それぞ
れ、１０〜５０、１０〜５０、１００〜５００および１
００〜３００ＳＣＣＭである。好適には、ＣＨＦ3 、Ｃ
Ｆ4 、アルゴンおよびＣＯの流量は、約３０、約２０、
約３００および約２００ＳＣＣＭであることが好まし
い。すなわち、エッチング・ガスの組成、およびエッチ
ング・ガス混合物の個々のガスの流量は、主エッチング
工程の場合も、オーバエッチング工程の場合も、全く同
じである。その後、開孔部５０が形成されると、マスク
としてのホトレジスト層が除去される。
【００１４】上記エッチング工程中、エッチング・ガス
混合物内のＣＨＦ3 分子は集合し、それにより酸化物と
ケイ化金属との間のエッチング選択性が増大する。ＣＦ
4 の目的は、酸化物をエッチングするための遊離基Ｆを
供給することである。アルゴンＡｒは、ＣＦ4 を遊離基
Ｆに解離するためのものである。アルゴンＡｒは、また
ＣＨＦ3 を解離し、集合体に再結合するために、ＣＨＦ
3 に衝突させるためにも使用される。
混合物内のＣＨＦ3 分子は集合し、それにより酸化物と
ケイ化金属との間のエッチング選択性が増大する。ＣＦ
4 の目的は、酸化物をエッチングするための遊離基Ｆを
供給することである。アルゴンＡｒは、ＣＦ4 を遊離基
Ｆに解離するためのものである。アルゴンＡｒは、また
ＣＨＦ3 を解離し、集合体に再結合するために、ＣＨＦ
3 に衝突させるためにも使用される。
【００１５】本発明では、上記のように、エッチング・
ガス混合物の組成内に、ガス状の一酸化炭素ＣＯが混入
される。ＣＯは、酸化物とケイ化金属との間のエッチン
グ選択性の増大を促進する。本発明の方法の場合には、
エッチング・ガス混合物内へのＣＯの添加により、エッ
チング選択比の数値を１１０に高めることができる。こ
の数値は、従来技術による約１０〜４０というエッチン
グ選択性より遥かに高い。酸化物とケイ化金属との間の
エッチング選択比が１１０であるので、ケイ化金属層
は、エッチングを効果的に阻止することができるエッチ
ング阻止層の役割を果たすことができる。それ故、エッ
チング作業中にケイ化金属層に孔があくという問題が、
大いに軽減される。
ガス混合物の組成内に、ガス状の一酸化炭素ＣＯが混入
される。ＣＯは、酸化物とケイ化金属との間のエッチン
グ選択性の増大を促進する。本発明の方法の場合には、
エッチング・ガス混合物内へのＣＯの添加により、エッ
チング選択比の数値を１１０に高めることができる。こ
の数値は、従来技術による約１０〜４０というエッチン
グ選択性より遥かに高い。酸化物とケイ化金属との間の
エッチング選択比が１１０であるので、ケイ化金属層
は、エッチングを効果的に阻止することができるエッチ
ング阻止層の役割を果たすことができる。それ故、エッ
チング作業中にケイ化金属層に孔があくという問題が、
大いに軽減される。
【００１６】また、本発明では、上記のように、主エッ
チング工程でもオーバエッチング工程でも、同じ組成で
同じ流量の、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよびＣＯの
エッチング・ガス混合物が使用される。それ故、主エッ
チング工程からオーバエッチング工程へ移行するとき
に、流量を新しい設定に切り換える必要がなく、処理が
簡単になる。
チング工程でもオーバエッチング工程でも、同じ組成で
同じ流量の、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴンおよびＣＯの
エッチング・ガス混合物が使用される。それ故、主エッ
チング工程からオーバエッチング工程へ移行するとき
に、流量を新しい設定に切り換える必要がなく、処理が
簡単になる。
【００１７】なお、上記の実施の形態は単なる一例にす
ぎず、本発明は特許請求の範囲および精神から逸脱しな
いで、本発明の構造に種々の修正および変更を行うこと
ができることは明らかである。
ぎず、本発明は特許請求の範囲および精神から逸脱しな
いで、本発明の構造に種々の修正および変更を行うこと
ができることは明らかである。
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置を工程
順に示す断面図。
順に示す断面図。
【図２】本発明の実施の形態における製造ステップを示
すブロック図。
すブロック図。
【図３】従来の方法を説明するために半導体装置を工程
順に示す断面図。
順に示す断面図。
【図４】従来の方法を説明するための製造ステップのブ
ロック図。
ロック図。
４０ 基板 ４８ ケイ化金属層 ４９ 酸化物層 ５０ 開孔部
フロントページの続き (72)発明者 陳 進來 台湾桃園縣楊梅鎮光裕南街215号
Claims (17)
- 【請求項１】 ケイ化金属層と酸化物層とを含む基板を
供給するステップと、 それぞれが所定の流量を持つＣＨＦ3 、ＣＦ4 、アルゴ
ンおよびＣＯを含むエッチング・ガス混合物を使用し
て、前記酸化物層内に開孔部を形成するために主エッチ
ングを行うステップと、 前記主エッチングの場合と同じ組成および流量のガス混
合物を使用してオーバエッチングを行うステップとから
なることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のエッチング方法におい
て、前記酸化物層が前記ケイ化金属層の上に形成されて
いることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のエッチング方法におい
て、前記酸化物層は常圧化学蒸着法で形成されることを
特徴とするエッチング方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のエッチング方法におい
て、主エッチングを行うステップの前に、前記酸化物層
上にホトレジスト層をコーティングするステップと、開
孔部部分の前記酸化物層表面を露出させるために前記ホ
トレジスト層をパターン形成するステップとを含むこと
を特徴とするエッチング方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載のエッチング方法におい
て、前記オーバエッチングの実行後に前記ホトレジスト
層を除去することを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載のエッチング方法におい
て、前記酸化物層は二酸化シリコンで形成されることを
特徴とするエッチング方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載のエッチング方法におい
て、前記酸化物層はケイ酸ホウ素リン・ガラスで形成さ
れることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載のエッチング方法におい
て、前記ケイ化金属層はセルフアラインケイ化物プロセ
スで形成されることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項９】 請求項１に記載のエッチング方法におい
て、前記開孔部はコンタクトホール用の開孔部であるこ
とを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項１０】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のＣＨＦ3 のガス流量
は１０〜５０ＳＣＣＭであることを特徴とするエッチン
グ方法。 - 【請求項１１】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のＣＨＦ3 のガス流量
は約３０ＳＣＣＭであることを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項１２】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のＣＦ4 のガス流量は
１０〜５０ＳＣＣＭであることを特徴とするエッチング
方法。 - 【請求項１３】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のＣＦ4 のガス流量は
約２０ＳＣＣＭであることを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項１４】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のアルゴンのガス流量
は１００〜５００ＳＣＣＭであることを特徴とするエッ
チング方法。 - 【請求項１５】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のアルゴンのガス流量
は約３００ＳＣＣＭであることを特徴とするエッチング
方法。 - 【請求項１６】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のＣＯのガス流量は１
００〜３００ＳＣＣＭであることを特徴とするエッチン
グ方法。 - 【請求項１７】 請求項１に記載のエッチング方法にお
いて、エッチング・ガス混合物内のＣＯのガス流量は約
２００ＳＣＣＭであることを特徴とするエッチング方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW086115355A TW371781B (en) | 1997-10-18 | 1997-10-18 | Method for improving etching process |
| TW86115355 | 1997-10-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121434A true JPH11121434A (ja) | 1999-04-30 |
| JP2947774B2 JP2947774B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=21627118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10009449A Expired - Fee Related JP2947774B2 (ja) | 1997-10-18 | 1998-01-21 | エッチング方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947774B2 (ja) |
| TW (1) | TW371781B (ja) |
-
1997
- 1997-10-18 TW TW086115355A patent/TW371781B/zh active
-
1998
- 1998-01-21 JP JP10009449A patent/JP2947774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW371781B (en) | 1999-10-11 |
| JP2947774B2 (ja) | 1999-09-13 |
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