JPH11120619A

JPH11120619A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH11120619A
Application number: JP9285901A
Authority: JP
Inventors: Koichi Yasuda; 宏一保田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-10-17
Filing date: 1997-10-17
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】相変化型の光記録媒体において、高速記録のた
めの吸収率制御とクロストークキャンセル、高速オーバ
ーライト特性を同時に成り立たせる。【解決手段】案内溝を有する基板上に相変化型記録膜と
反射膜とが形成されてなる光記録媒体の前記反射膜を金
属と誘電体の混合物により形成する。酸化物は金属に比
べて光透過率が高く、したがって反射膜を金属と酸化物
の混合物とすることで、反射膜の透過率、反射率が容易
に制御可能となる。その結果、相変化型光記録媒体の吸
収率、反射率を容易、且つ適正に制御することができ
る。吸収率制御とクロストークキャンセル、高速オーバ
ーライト特性を同時に成り立たせるためには、反射膜に
おける金属と誘電体の比率や膜厚を調整することで、相
変化型記録膜が結晶状態のときの吸収率Ａｃと非晶質状
態のときの吸収率ＡａとをＡｃ／Ａａ≧１．２なる関
係、相変化型記録膜が結晶状態のときの反射率Ｒｃと非
晶質状態のときの反射率ＲａとをＲｃ／Ｒａ≧５なる関
係とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高速書換え及び大
容量化が可能な相変化型の光記録媒体に関するものであ
り、特に、反射膜を改良することで相変化型記録膜の結
晶状態と非晶質状態の吸収率、反射率の関係を適正なも
のとした光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録の分野では、例えば次世代の光記
録媒体として、片面にＮＴＳＣ方式の情報信号を２時間
以上記録再生することができる光記録媒体（光ディス
ク）が提案されている。

【０００３】このような長時間の記録再生は、現行の磁
気記録方式のビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）に代わる
新しい記録媒体として考えたときに必要であり、これに
より家庭用ビデオディスクレコーダーとして受け入れら
れるものと考えられる。

【０００４】このとき、形状やサイズ等について言え
ば、いわゆるコンパクトディスク（ＣＤ）と同じ形状、
サイズを選ぶことにより、ＣＤの手軽さや使い勝手に慣
れ親しんだユーザーにとって違和感のない商品とするこ
とができる。

【０００５】ビデオディスクレコーダは、ディスク形態
の最大の特徴としてのアクセスの速さを利用し、小型、
簡便な記録装置というだけでなく、瞬時に録画、再生や
トリックプレイ、編集等、多彩な機能を盛り込んだ商品
を実現でき、その期待は大きい。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な商品を実現化するには、高容量で記録速度がより速い
必要がある。例えば、いわゆるＤＶＤ−ＲＡＭは線速６
ｍ／秒であるが、上記ビデオディスクレコーダでは線速
１２ｍ／秒以上が必要となる。

【０００７】しかしながら、従来の４層構造の相変化型
光記録媒体では、線速１２ｍ／秒以上の記録再生を実現
することが可能な層構成は存在していない。

【０００８】既に提案されている線速１２ｍ／秒以上の
記録再生が実現可能な相変化型光記録媒体では、５層あ
るいは６層以上積層した層構成とし、これにより結晶部
と非晶質部の吸収率を制御し、結晶部と非晶質部の到達
温度を等価にして波形歪みを低減している。

【０００９】一方、高速度記録するために案内溝のみを
記録エリアとして用いるだけにとどまらず、案内溝（い
わゆるグルーブ）を凹部としたときに凸部となる部分
（いわゆるランド）にも記録する方法が提案されてい
る。これをランドグルーブ記録と呼ぶ。

【００１０】このランドグルーブ記録でさらに高密度記
録するために、クロストークキャンセルと称される方法
が提案されている。これは、記録マークである非晶質部
の反射率と、案内溝の溝深さに由来する位相差から１次
光と２次光の干渉で消光することによる反射率とを等価
とし、凸部の信号が漏れ込まないようにする方法であ
る。

【００１１】しかしながら、従来の層構成では、やはり
吸収率制御とクロストークキャンセルを同時に成り立た
せることは困難である。例えば、前記反射率の制御の方
法として、反射膜の厚さを薄くして入射光の一部を透過
させることが考えられるが、金属からなる反射膜は光を
ほとんど透過しないので、反射膜の厚さを極めて薄くし
なければこのような効果は望めない。このとき、膜厚が
僅かにでも変動すると透過率は大きく変わってしまう。
したがって、反射率の膜厚で吸収率や反射率を制御する
ことは、現実的でない。

【００１２】さらに、相変化型光記録媒体において高速
オーバーライトを考えた場合、やはり吸収率や反射率の
コントロールが必須であるが、クロストークキャンセル
の場合と同様、これらを適正に制御することは難しい。

【００１３】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、吸収率や反射率を容易に制
御することができ、高速記録のための吸収率制御とクロ
ストークキャンセル、さらには高速オーバーライト特性
を同時に成り立たせることが可能な光記録媒体を提供す
ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の光記録媒体は、案内溝を有する基板上に
相変化型記録膜と反射膜とが形成されてなり、上記反射
膜は金属と誘電体の混合物よりなることを特徴とするも
のである。

【００１５】酸化物は金属に比べて光透過率が高く、し
たがって反射膜を金属と酸化物の混合物とすることで、
反射膜の透過率、反射率が容易に制御可能となる。その
結果、光記録媒体の吸収率、反射率を容易、且つ適正に
制御することができ、吸収率制御とクロストークキャン
セルや高速オーバーライト特性を同時に成り立たせるこ
とが可能である。

【００１６】具体的には、相変化型記録膜が結晶状態の
ときの吸収率Ａｃと非晶質状態のときの吸収率Ａａとを
Ａｃ／Ａａ≧１．２なる関係、相変化型記録膜が結晶状
態のときの反射率Ｒｃと非晶質状態のときの反射率Ｒａ
とをＲｃ／Ｒａ≧５なる関係としたときに、クロストー
クキャンセルや高速オーバーライトが実現される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】本発明を適用した光記録媒体の一例を図１
に示す。この光記録媒体は、基本的には、案内溝１ａが
形成された透明基板１上に、相変化型記録膜２と反射膜
３とがこの順に形成されてなるものであり、上記透明基
板１側から記録再生光が照射され、その一部が記録膜２
で吸収、あるいは反射されるとともに、これを透過した
光が反射膜３で反射される。

【００１９】勿論、エンハンス効果等を狙って適宜誘電
体層を設けることも可能である。図２に相変化型記録膜
２と透明基板１の間にのみ誘電体層４を設けた光記録媒
体の一例を、図３に相変化型記録膜２を挟んで両側に第
１の誘電体層５、第２の誘電体層６を設けた光記録媒体
の一例をそれぞれ示す。

【００２０】上記透明基板１としては、透明樹脂基板や
ガラス基板等を用いることができ、例えば射出成形によ
り案内溝１ａが転写形成されたポリカーボネート基板等
が好適である。この場合、透明基板１の厚さは０．３〜
１．２ｍｍ程度の範囲とされ、いわゆるリジッド基板と
して取り扱われる。

【００２１】透明基板１には、この他、射出成形やキャ
スト法等によって作られる透明シートを用いることも可
能である。透明シートの厚さを１０〜１７７μｍとし、
高い開口数（ＮＡ）の光学系を組み合わせることで、こ
れまでのものより遥かに記録密度の高い光記録媒体が実
現される。なお、この透明シートを用いる場合、案内溝
１ａや信号ピット等の凹凸パターンは、マスタスタンパ
に対して高温で加熱圧着することにより容易に転写形成
することができる。

【００２２】透明基板１に上記透明シートを用いた場
合、そのままシート状の光記録媒体（いわばフレキシブ
ル光ディスク）とすることもできるが、例えば図４に示
すように、スピンコート法等により塗布された紫外線硬
化樹脂７等を介して支持基板８にこれを貼り合わせ、リ
ジッドなディスクとすることもできる。このとき、用い
る支持基板８は必ずしも透明でなくてよく、例えば熱可
塑性樹脂よりなる厚さ０．６〜１．２ｍｍ程度の基板を
用いる。

【００２３】また、上記相変化型記録膜２は、加熱・冷
却により結晶状態及び非晶質状態をとり、その反射率の
違いにより信号が読み出される。

【００２４】相変化型記録膜２の材質としては、このよ
うな条件を満たすもので有れば従来より公知のものがい
ずれも使用でき、具体的にはＧｅＳｂＴｅ合金等が挙げ
られる。相変化型記録膜２の厚さであるが、例えば記録
材料としてＧｅＳｂＴｅを用いた場合、１０〜３０ｎｍ
とすることが好ましい。

【００２５】誘電体層を形成する場合、誘電体材料とし
ては、従来よりこの種の媒体に用いられるものがいずれ
も使用可能であり、その厚さは屈折率等の光学的特性を
考慮して適宜設計することができる。例えば、誘電体材
料としてＺｎＳとＳｉＯ₂を用い、その厚さを誘電体層
４や第１誘電体層５では５０〜２００ｎｍ、第２誘電体
層６では５〜１００ｎｍとすればよい。

【００２６】一方、反射膜３は、基本的には金属材料か
らなるものであるが、本発明では金属と酸化物の混合物
とし、特にその光透過率、反射率をその比率により制御
することができるような構成とされている。

【００２７】ここで、金属材料としては、任意の金属材
料を用いることができ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｒ
ｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｃｓ、Ｂ
ａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕの単体あ
るいは２種類以上の合金等を用いることができるが、化
学的安定性等を考慮すると、Ａｕが好ましい。

【００２８】また、酸化物としては、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎ
ａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔ
ｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕから選ばれる１以上の金属の酸化物、窒化物、硫化
物、フッ化物等を挙げることができる。

【００２９】上記反射膜３においては、金属と誘電体の
比率を調整することで反射率や透過率を制御することが
できる。

【００３０】そこで、本発明の光記録媒体では、上記比
率を調整し、反射膜３の反射率、透過率を適正なものと
し、高速記録のための吸収率制御とクロストークキャン
セル、高速オーバーライト特性を同時に成り立たせる。

【００３１】具体的には、相変化型記録膜２側から光を
照射したときに、相変化型記録膜２が結晶状態のときの
吸収率Ａｃと非晶質状態のときの吸収率ＡａがＡｃ／Ａ
ａ≧１．２なる関係にあり、且つ、相変化型記録膜２が
結晶状態のときの反射率Ｒｃと非晶質状態のときの反射
率ＲａとがＲｃ／Ｒａ≧５なる関係にあるように設定す
る。

【００３２】さらには、上記相変化型記録膜２が非晶質
状態のときの反射率Ｒａが２％以下となるようにする。

【００３３】図５は、反射膜３をＡｕと誘電体（Ｚｎ
Ｓ：Ｓｉ＝８０：２０）の混合物とし、Ａｕの比率を２
０分子％（金属を単原子分子としたときの比率）とした
とき、相変化型記録膜２の結晶部、非晶質部における吸
収率、及び反射率と、第１誘電体層の膜厚との関係（計
算結果）を示すものである。

【００３４】この図５を見ると、第１誘電体層の厚さ７
０ｎｍ及び２００ｎｍの近傍に、上記条件を満たす解が
あることがわかる。

【００３５】上記反射膜３における金属と誘電体の比率
は、例えば上記条件を満たすように任意に選定すればよ
いが、あまり金属の比率が低すぎると反射膜としての機
能が失われる。逆に金属の割合が高すぎると（誘電体の
割合が低すぎると）、光透過性が失われ、反射膜３の厚
さを極めて薄くせざるを得ない。膜厚を薄くすることで
光透過率を確保（調整）する場合、膜厚のバラツキが光
透過率に大きな影響を与え、これを適正にコントロール
することが難しくなるばかりか、熱容量の問題も生ず
る。したがって、金属の比率（濃度）を１分子％〜５０
分子％の範囲内で調整することが好ましい。

【００３６】また、上記反射膜３の膜厚であるが、金属
と誘電体の比率と同様、上記条件を満たすように設定す
ればよい。ただし、膜厚があまり薄すぎたり厚すぎる
と、様々な不都合が生ずる虞れがある。したがって前記
膜厚に関しては自ずと適正範囲が決まり、１０〜３００
ｎｍとすることが好ましい。

【００３７】以上、本発明を適用した光記録媒体の基本
的な構成について説明してきたが、これは一例に過ぎ
ず、本発明は様々な構造の光記録媒体に適用可能であ
る。以下、これらの光記録媒体について説明する。

【００３８】図６は、支持基板１１上に反射膜１２、相
変化型記録膜１３の順で成膜してなるものであり、さら
に相変化型記録膜１３の表面を光透過層１４で覆ってな
るものである。

【００３９】この図６に示す光記録媒体では、光透過層
１４側から光を照射し、情報信号の記録や再生を行う。
したがって、光透過層１４の厚さを薄く、例えば１０〜
１７７μｍとし、高ＮＡの光学系と組み合わせること
で、高記録密度を実現することができる。

【００４０】この場合、支持基板１１には熱可塑性樹脂
からなる厚さ０．３〜１．２ｍｍの基板が用いられ、例
えば案内溝１１ａを射出成形により形成する。

【００４１】上記光透過層１４は、例えば紫外線硬化樹
脂を塗布することにより、あるいは光透過性フィルムを
紫外線硬化樹脂を接着剤として貼り付けることにより形
成されるが、いずれの場合にも厚さ（光透過性フィルム
を紫外線硬化樹脂で貼り付けた場合には、これらを合わ
せた全体の厚さ）は１０〜１７７μｍとすることが好ま
しい。

【００４２】上記のように相変化型記録膜と反射膜の形
成順序を逆にし、光透過層１４側から記録光、再生光を
照射する場合にも、誘電体層を必要に応じて形成するこ
とができる。

【００４３】図７は、光透過層１４と相変化型記録膜１
３の間にのみ誘電体層１５を形成した光記録媒体の一例
を示すものであり、図８は、相変化型記録膜１３を挟ん
で上下に第１誘電体層１６及び第２誘電体層１７を積層
形成した光記録媒体の一例を示すものである。

【００４４】上記のような構造とした場合、支持基板１
１と相変化型記録膜１３の間に反射膜１２があるため、
例えば案内溝１１ａの形状を忠実に相変化型記録膜１３
に反映させることが困難である。特に、従来の金属のみ
からなる反射膜では、支持基板１１の表面性が反射膜１
２の結晶性に影響を及ぼしたり、あるいは、反射膜１２
の組成等に依存して所定の粒径で形成される結晶粒によ
り界面形状が乱れ、これが相変化型記録膜１３の表面
性、性質に影響を与える。

【００４５】これに対して、本発明の光記録媒体では、
反射膜１２を金属と誘電体の混合物としているので、こ
れを非晶質化することができ、反射膜１２の結晶性に由
来する影響を解消することができる。

【００４６】次に、多層構造を有する光記録媒体、両面
構造を有する光記録媒体等への応用について説明する。
なお、以下の例においては、相変化型記録膜と反射膜、
誘電体層を合わせて記録層として説明するが、いずれの
場合にも、反射膜を金属と誘電体の混合物とし、吸収率
特性等を制御することが可能であることは、先に説明し
た例と同様である。

【００４７】図９は、最終的に得る光記録媒体のほぼ半
分の厚みとした支持基板２１上に記録層２２及び光透過
層２３を形成したものを、２枚貼り合わせて両面ディス
クとした例である。

【００４８】この場合には、光透過層２３を介して光照
射することにより、両面からそれぞれの記録層２２に対
して記録、再生を行うことができる。

【００４９】図１０は、１枚の基板３１の両面に案内溝
３１ａを形成し、それぞれ記録層３２及び光透過層３３
を形成したものである。この両面光ディスクにおいて
も、それぞれの面に対して記録、再生を行うことができ
る。

【００５０】図１１は、支持基板４１上に第１の記録層
４２と第２の記録層４３とを光学的に透明な中間層４４
を介して形成し、その表面に光透過層４５を形成した多
層構造の光記録媒体（多層光ディスク）の一例である。
多層光ディスクでは、光入射側（光透過層４５側）に向
かうにしたがって記録層の反射率が次第に小さくなるよ
うに設定する。

【００５１】この多層光ディスクでは、片側（光透過層
４５側）から記録層４２、４３に対する記録、再生が行
われる。

【００５２】以上、両面光ディスク、多層光ディスクの
例について説明したが、単板ディスクにおいて、様々な
機能を有する層を付加することも可能である。

【００５３】図１２は、支持基板５１上に記録層５２、
光透過層５３を順次形成した単板光ディスクにおいて、
支持基板５１の記録層形成面とは反対側の面にスキュー
補正層５４を形成した例を示すものである。

【００５４】単板ディスクにおいては、片面にのみ記録
層５２や光透過層５３が形成されるため、反りが発生し
やすく、スキューが大きな問題となる。そこで、これと
は反対側の面に紫外線硬化樹脂等を塗布することにより
スキュー補正層５４を形成し、前記反りをキャンセルし
てスキューを防止する。

【００５５】ここで、スキュー補正層５４に用いられる
紫外線硬化樹脂等は、光透過層５３を形成する材料より
も硬化収縮率が高いものであることが好ましい。

【００５６】図１３は、光透過層５３の上に表面硬度改
善、及び帯電防止を目的として保護透明層５５を形成し
た例である。

【００５７】また、上述のように、本発明の光記録媒体
においては、光透過層を形成するため、あるいは支持基
板との貼り合わせのため等、記録層、すなわち相変化型
記録膜や誘電体層、反射膜上に紫外線硬化樹脂を塗布す
ることが必要になることがある。このとき、紫外線硬化
樹脂との密着性を改善するために、これら相変化型記録
膜や誘電体層、反射膜の表面を予めシラン処理しておく
ことも有効である。

【００５８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、反射膜を金属と誘電体の混合物としてい
るので、吸収率や反射率を容易に制御することができ、
高速記録のための吸収率制御とクロストークキャンセ
ル、さらには高速オーバーライト特性を同時に成り立た
せることが可能である。また、反射膜の結晶性に由来す
る影響を抑えることもでき、例えばノイズを抑えること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】案内溝を設けた透明基板上に相変化型記録膜と
反射膜を順次積層形成した光ディスクの一例を示す要部
概略断面図である。

【図２】案内溝を設けた透明基板上に誘電体層、相変化
型記録膜、反射膜を順次積層形成した光ディスクの一例
を示す要部概略断面図である。

【図３】案内溝を設けた透明基板上に誘電体層、相変化
型記録膜、誘電体層、反射膜を順次積層形成した光ディ
スクの一例を示す要部概略断面図である。

【図４】図１に示す構造のものに支持基板を貼り合わせ
た光ディスクの一例を示す要部概略断面図である。

【図５】反射膜を金属と誘電体の混合物としたときの相
変化型記録膜における反射率、吸収率と誘電体層の膜厚
の関係を示す特性図である。

【図６】案内溝を設けた支持基板上に反射膜、相変化型
記録膜を順次積層形成し、その表面に光透過層を形成し
た光ディスクの一例を示す要部概略断面図である。

【図７】案内溝を設けた支持基板上に反射膜、相変化型
記録膜、誘電体層を順次積層形成し、その表面に光透過
層を形成した光ディスクの一例を示す要部概略断面図で
ある。

【図８】案内溝を設けた支持基板上に反射膜、誘電体
層、相変化型記録膜、誘電体層を順次積層形成し、その
表面に光透過層を形成した光ディスクの一例を示す要部
概略断面図である。

【図９】貼り合わせ型両面光ディスクの一例を示す概略
断面図である。

【図１０】１枚の基板の両面に記録層を形成した両面光
ディスクの一例を示す概略断面図である。

【図１１】多層光ディスクの一例を示す概略断面図であ
る。

【図１２】スキュー補正層を設けた光ディスクの一例を
示す概略断面図である。

【図１３】保護透明層を設けた光ディスクの一例を示す
概略断面図である。

【符号の説明】

１透明基板、１ａ案内溝、２，１３相変化型記録
膜、３，１２反射膜、１１支持基板、１１ａ案内
溝、１４光透過層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】案内溝を有する基板上に相変化型記録膜
と反射膜とが形成されてなり、上記反射膜は金属と誘電体の混合物よりなることを特徴
とする光記録媒体。
【請求項２】上記相変化型記録膜側から光を照射した
ときに、相変化型記録膜が結晶状態のときの吸収率Ａｃ
と非晶質状態のときの吸収率ＡａがＡｃ／Ａａ≧１．２
なる関係にあり、且つ、相変化型記録膜が結晶状態のときの反射率Ｒｃと
非晶質状態のときの反射率ＲａとがＲｃ／Ｒａ≧５なる
関係にあることを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。
【請求項３】上記相変化型記録膜が非晶質状態のとき
の反射率Ｒａが２％以下であることを特徴とする請求項
２記載の光記録媒体。
【請求項４】上記反射膜に含まれる金属の割合が１分
子％〜５０分子％であることを特徴とする請求項１記載
の光記録媒体。
【請求項５】上記反射膜に含まれる金属がＡｕであ
り、誘電体がＺｎＳ及びＳｉＯ₂であることを特徴とす
る請求項１記載の光記録媒体。
【請求項６】上記相変化型記録膜がＧｅＳｂＴｅより
なることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項７】上記基板が透明基板であり、この透明基
板上に相変化型記録膜及び反射膜がこの順で形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項８】上記相変化型記録膜の少なくとも一方の
面に接して誘電体膜が形成されていることを特徴とする
請求項７記載の光記録媒体。
【請求項９】上記基板が支持基板であり、この支持基
板上に反射膜及び相変化型記録膜がこの順で形成される
とともに、この上に光透過層が形成され、この光透過層側から光を照射することで情報の記録及び
／又は再生が行われることを特徴とする請求項１記載の
光記録媒体。
【請求項１０】上記相変化型記録膜の少なくとも一方
の面に接して誘電体膜が形成されていることを特徴とす
る請求項９記載の光記録媒体。