JP2006252669A

JP2006252669A - 光記録媒体

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Publication number: JP2006252669A
Application number: JP2005067965A
Authority: JP
Inventors: Hajime Yuzurihara; 肇譲原
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2005-03-10
Filing date: 2005-03-10
Publication date: 2006-09-21
Anticipated expiration: 2025-03-10
Also published as: JP4300193B2

Abstract

【課題】波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６０以上の光ピックアップを用いたシステムで記録再生を行ない、記録層を２層以上設けて多層化することにより大容量化を図る光記録媒体において、光入射側の記録層（保護層、相変化記録層、半透明反射層、放熱層を含む）の透過率を上げ、放熱性も良い放熱層材料と、高線速記録において信頼性とオーバーライト特性に優れた相変化記録層材料を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくとも反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４の順に積層された光記録媒体か、あるいは基板上に少なくとも反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４、基板からなる光記録媒体において、放熱層がＮｂ酸化物、Ｓｉ酸化物の混合物であって、下記条件を満たすことを特徴とする光記録媒体。
【数６】

【選択図】図１

Description

本発明は、相変化、光記録、光ディスクに関するものであり、大容量データストレージ、デジタルビデオディスクに応用される。

現在、実用化されている光記録媒体に用いられている結晶状態と非晶質（アモルファス）状態の可逆的相変化を利用したいわゆる相変化型光記録媒体に用いられている記録材料に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅなどがあり、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷメディアに用いられている。これら記録材料は、短い記録マークを形成する能力が高く、高密度化に適している。ＤＶＤＲＯＭ、書き換え型ＤＶＤシステムが昨今、急速に普及しており、高速記録、片面２層タイプのディスクも市場に登場している。従って、高速、大容量の需要は常に求められている。しかし、コンテンツの種類によっては、既に４．７ＧＢでは高画質を維持したまま、長時間録画に対して、充分でない状況になっている。さらに、将来、あらゆる地域で地上波デジタル放送を見る時代になれば、３０ＧＢの容量が求められる。その要求に応えるべく、波長６５０ｎｍの赤色ＬＤから、４０５ｎｍのＬＤを用い、さらに対物レンズの開口率（ＮＡ）が０．８５の記録再生システムと、片面２０ＧＢから２５ＧＢの容量のディスクが市場に出始めた。ＤＶＤ記録再生システムは普及しているものの、それは１００ＧＢクラスのハードディスクを搭載した一体型のシステムである。このことからも、高速、大容量が要求されているのは依然変わらない。今後、４０５ｎｍのＬＤを用いたシステムは、片面２層以上、高速記録が本格的普及のために必要になってくると予想される。そのための記録材料及び多層化のための媒体構成を検討する必要がある。また、記録媒体として重要な高温環境下の記録マークの安定性、記録再生特性が確保されていなければならない。

相変化型記録媒体の場合、片面多層化に対して重要なことは、光入射側の情報記録層の高い透過率、記録時の相変化記録層の放熱、透過率を上げるために相変化記録層の膜厚が薄くなることによるさらなる記録層の信頼性向上等である。高速記録、具体的には２０ｍ／ｓを超える線速で記録可能でしかも信頼性の高い相変化記録材料として、Ｓｂ_７０Ｔｅ_３０付近の共晶組成にＡｇ，Ｉｎ，Ｇｅを添加した系があるが、特に信頼性の点で適用できなくなってくる。そこで、他の材料として、ＳｂにＧｅ，Ｍｎを添加する（特許文献１：特開２００３−３４１２４０号公報）、ＩｎＳｂ系にＧｅを添加する（特許文献２：特開２００１−０３９０３１号公報）、ＧｅＭｎＳｂＳｎ系（特許文献３：特願２００４−２１０５５３号明細書）、ＩｎＳｂ系にＧｅ，Ｈを添加した系（特許文献４：特願２００３−３５８２２３号明細書）がある。Ｓｂを含まない系としてはＧｅＴｅ系がある。片面２層以上の場合は光入射側の記録層はより薄くしなければならないため、ダイレクトオーバーライトを含む記録特性が良好で、しかも信頼性が高くて高線速で記録可能な材料をさらに検討する必要がある。

光入射側の記録時に発生した熱を放熱する放熱層は奥側の層に光をより透過し、さらに熱の放熱能力が高いことが望まれる。その手前の半透過反射層はＡｇ等が用いられるが、膜厚を薄くしないと透過しないため厚みに限度がある。薄い膜厚でも急冷され記録マークが形成できれば良いが、この層だけでは限界がある。放熱層の役割をする材料として、Ｉｎ_２Ｏ_３とＺｎＯの混合物、Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２の混合物、あるいはＩｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２の混合物を用いる例がある（特許文献５：特開２００３−３０３４４３号公報）。
さらに、Ａｌ_２Ｏ_３の酸化物を用いる例がある（特許文献６：特開２００４−１７８６７３号公報）。

特開２００３−３４１２４０号公報特開２００１−０３９０３１号公報特願２００４−２１０５５３号明細書特願２００３−３５８２２３号明細書特開２００３−３０３４４３号公報特開２００４−１７８６７３号公報

本発明の課題は、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６０以上の光ピックアップを用いたシステムで記録再生を行ない、記録層を２層以上設けて多層化することにより大容量化を図る光記録媒体において、光入射側の記録層（保護層、相変化記録層、半透明反射層、放熱層を含む）の透過率を上げ、放熱性も良い放熱層材料と、高線速記録において信頼性とオーバーライト特性に優れた相変化記録層材料を見出すことにある。

上記課題は、本発明の（１）、（２）により解決される。
（１）：基板上に少なくとも反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４の順に積層された光記録媒体か、あるいは基板上に少なくとも反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４、基板からなる光記録媒体において、放熱層がＮｂ酸化物、Ｓｉ酸化物の混合物であって、下記条件を満たすことを特徴とする光記録媒体。

（２）：前記相変化記録層が下記条件を満たし、ＭはＧｅとＭｎ、Ｓｉの少なくとも一つであることを特徴とする前記（１）に記載の光記録媒体。

本発明により、高線速で記録しても高感度で良好な特性が得られ、信頼性の高い片面２層構成の相変化型記録媒体が提供できる。

記録媒体の構成の一つは、図１に示すように基板上に、少なくとも、反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４を含み、この順に積層された場合である。誘電体層４の上にはカバー層が設けられる。これは、光ピックアップの対物レンズのＮＡ（開口数）が０．８５の場合に適した構成である。
もう一つの構成は、表面側に第２基板を有するもので、図２に示すように、基板上に少なくとも反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４を含み、この順に積層した場合である。誘電体層４の上には基板が設けられている。この構成では、基板はともに０．６ｍｍ厚であって、対物レンズのＮＡ（開口数）が０．６５に適した構成である。光はカバー層側から入射される。

本発明に関わる放熱層材料は、Ｎｂ酸化物、Ｓｉ酸化物からなり、各酸化物の混合の割合は、

である。
既に、開示されているＩｎＯ，Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ，Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ、ＺｎＯ等の酸化物は放熱性すなわち熱伝導率が高く、屈折率が２を超えている。膜厚が１００ｎｍレベルでは、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯで約４．５Ｗ／ｍＫである。
一方、複素屈折率ｎ，ｋは波長４００ｎｍ近傍でｎ＝２．２〜２．３，ｋ＝０．０６である。相変化記録媒体に一般的に用いられているＺｎＳＳｉＯ_２は、特にｋが小さく、約０．０１であるが、熱伝導率はＩｎＯ系より高い。また、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２は熱伝導率、光学定数ｋは、ＺｎＳＳｉＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯの中間であることが経験的にわかっている。窒化物であるＡｌＮや炭化物であるＳｉＣは、熱伝導率がさらに高い。しかし、ｋが大きく光が吸収されやすい。従って、放熱層としてもちいる場合、充分な放熱を行なうために膜厚が１００ｎｍを超える場合は、ｋが小さく、ゼロになる方が良い。

そこで、従来用いられてきたＺｎＳＳｉＯ_２よりも熱伝導率が高く、ｎが少なくとも２を超え、ｋが小さい材料が要求される。Ｎｂ酸化物は、光吸収が小さいため、放熱層としても適している。ＳｉＯ_２と混合することにより、熱伝導率もＺｎＳＳｉＯ_２より高くすることが可能であるが、屈折率が高く、低光吸収の特長をいかすためにＮｂ_２Ｏ_５を５０ｍｏｌ％以上とするのが良い。Ｎｂ_２Ｏ_５：ＳｉＯ_２＝８０：２０の薄膜のｎ，ｋは、ｎ＝２．１，ｋ＝０．０００２であり、特にｋが小さい。従って、膜厚が厚くなっても透過率が高く、放熱性も高いことから光入射側の記録層にある放熱層に用いるのに適している。さらに、これら混合物にＴａ_２Ｏ_５，ＣｅＯ_２，ＩｎＯ_２，ＺｎＯを３０ｍｏｌ％以下添加するのも良い。熱伝導率をより高くすることが可能になる。膜厚は、レンズの開口数によっても変わるが、薄くて５０ｎｍ、上限は２００ｎｍである。それ以上厚いと、成膜中の温度上昇により、媒体の機械特性の劣化やクラックの発生による特性の劣化の原因になる。それより薄いと放熱の効果がなくなってしまう。

相変化記録層１，２に用いる材料は、記録線速が２０ｍ／ｓを超えてもオーバーライト可能となるように選ばれる。従来のＳｂＴｅ系では高線速記録するためには、Ｓｂが７０から８０ａｔ％の量になる。初期記録特性は良くても、高温環境下の信頼性が悪くなる。Ｇｅなどを添加することで改善されるが、あまり多く入れると高速記録に適さなくなるため、添加量に限界がある。一方、ＧｅＳｂ系のＧｅ_１８Ｓｂ_８２共晶組成付近は、高線速記録に適した材料と考えられるが、アモルファス相が形成しにくく、変調度が小さい。さらに、波長４０５ｎｍ付近での結晶相とアモルファス相の屈折率差が小さいことも変調度が小さいことに起因している。また、結晶化温度が２５０℃と高いため、相変化記録層形成時にアモルファス相を結晶相に相変化させる工程である、いわゆる初期化がしにくいため、記録信号に欠陥が多く発生する。従って、Ｓｎ，Ｍｎを添加することにより、上記不具合を改善できるが、Ｓｎが多くなると融点が減少し、熱伝導率が高くなってくる。この場合、マークが広がり易くマーク長制御がしにくくなる。

そこで、より高線速に適した組成としてＩｎＳｂを基本とした系が挙げられる。ＩｎＳｂは、特に化合物組成の場合、ＧｅＴｅ，ＳｂＴｅ系に比べて、バンドギャップが小さいため、記録パワーに対する感度を高くすることが可能である。高線速に対応するためＩｎ_２０Ｓｂ_８０共晶組成の方が適している。融点、結晶化温度はＧｅＳｂに比べて低いため、初期化もしやすく、多数回のオーバーライトが可能である。しかし、信頼性を確保するためには、Ｇｅ元素は必須である。ただし、多すぎると線速が遅くなりすぎ、しかもオーバーライト回数が少なくなる。従って、添加量は１５ａｔ％以下が好ましい。下限としては３ａｔ％以上が好ましい。

しかし、Ｇｅは信頼性の確保に必須であるが、Ｇｅ量で最適記録線速が変わる。たとえば、線速２５ｍ／ｓで記録するためには、Ｇｅは５ａｔ％程度入れるのが良いが、それ以上入れると線速が遅くなる。従って、信頼性が充分確保できなくなる。そこで、あまり線速を低くしないで、信頼性を確保するためには、Ｍｎ、Ｓｉが適している。Ｍｎ，ＳｉはＧｅほど結晶化速度を遅くすることがなく、結晶化温度をあまり高くすることがないので、記録特性と信頼性の両立が図れる。ＧｅとＭｎあるいはＳｉ，または両方の元素の添加量は、５ａｔ％以上２０ａｔ％であるが、５ａｔ％以上１０ａｔ％が良い。その中で、ＧｅはＭｎ．Ｓｉより量が同じか多い方が良い。

その他、感度向上のためにＢｉ，Ｓｎ，Ｔｅの少なくとも１元素を１０ａｔ％以下添加しても良い。信頼性向上のためには、Ｃｏ，Ｚｎ，希土類元素などを少なくとも１元素を添加しても良い。従って、記録材料は（Ｍ）_ｘ（Ｉｎ_ｙＳｂ_１−ｙ）_{１００−ｘ}に対して、３≦ｘ≦２０，０．１≦ｙ≦０．３であって、ＭはＧｅとＭｎ、Ｓｉの少なくとも一つである。ＩｎとＳｂの比は、Ｉｎ_ｙＳｂ_１−ｙに対して、０．１以上０．３以下が良いが、０．１５以上０．２５以下が良い。少なすぎても、記録マークが形成しにくく、多すぎると遅い線速にしか対応できなくなってしまう。上記、相変化記録層材料は片面１層のみの媒体にも適用して良い。

相変化記録層１の膜厚は５ｎｍから２５ｎｍであり、１０ｎｍから１５ｎｍが好ましい。それ以上薄いと変調度がとれなくなり、それ以上厚いと記録感度、繰り返しオーバーライト特性が劣化する。この層は、光入射側に対して奥側の層になる。光入射側の相変化記録層２膜厚は、光透過率を高めるために厚くすることはできない。この記録層部の透過率は５０％以上が良い。従って、好ましい膜厚は５ｎｍから１０ｎｍが良い。相変化記録層材料１，２の材料、組成は同じとは限らない。材料の構成元素は同じ場合は組成を変える。相変化記録層２は、膜厚が相変化記録層１よりも薄いため、結晶化速度が遅くなる。従って、組成比を調整してより結晶化速度が速い組成にする。必要に応じて、相変化記録層のどちらか一方に酸化物、窒化物からなる界面層を設けて、結晶成長を進めさせても良い。

透過率を高めるために、光入射側の記録層のうち、相変化記録層２以外に重要なのが半透過反射層である。この層は、奥側に光を透過させると同時に、相変化記録層２に記録マークを形成するときに急冷する必要があるため、熱伝導率の高い材料が好ましい。反射層材料として用いられるＡｇまたはＡｇ合金があるが、ＡｕあるいはＡｌ合金でも良い。合金の場合の添加元素としては、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｎｄ，Ｔｉなどがある。膜厚は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が良い。好ましくは１０ｎｍから２０ｎｍが好ましい。厚すぎると、光透過率が減少し、奥側の相変化記録層の記録感度が悪くなる。

奥側の反射層も、ＡｇまたはＡｇ合金が好ましい。特にこの層は、波長４０５ｎｍで、高ＮＡの対物レンズを用いて入射光のビーム径を小さくすると、表面が粗くなると光が散乱されやすくノイズ上昇の原因になる。従って、膜表面が平坦であることが要求される。そのためにも、ＡｇあるいはＡｇ合金が好ましい。膜厚は８０ｎｍから２５０ｎｍが良いが、１００ｎｍから２００ｎｍが好ましい。

誘電体層１〜４は、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を用いるが好ましい。酸化物、窒化物、炭化物、これら混合物があるが、波長４０５ｎｍ付近でも透過率がより高い材料が適している。中でも、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物であってＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝（３０〜９０）：（７０〜１０）（モル比）が用いられる。ＺｎＳ、ＳｉＯ_２の割合が、６０＜ＺｎＳ≦８０，４０＜ＳｉＯ_２≦２０（ｍｏｌ％）が好ましい。繰り返し記録時や高温環境下での膜自身の結晶化が抑制され、繰り返し記録時の膜変形も抑えられる材料になっている。他の材料としては、具体的にはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙ等の希土類の硫化物を６０ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下含む複合誘電体が望ましい。あるいは、ＺｎＳ、ＺｎＯもしくは希土類硫化物の組成の範囲を７０〜９０ｍｏｌ％とすることが望ましい。これらと混合されるべき、融点または分解点が１０００℃以上の耐熱化合物材料としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。なお、上記酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。誘電体層１と誘電体層３にＺｎＳＳｉＯ_２を用い、反射層と半透過反射層にＡｇを用いる場合は、その間に酸化物、炭化物、その混合物を用いて、高温環境下での硫化防止及び密着性を向上させる。好ましくは、ＴｉＯ_２とＴｉＣ、Ｔａ_２Ｏ_５とＴａＣ，ＺｒＯ_２とＺｒＣ，ＳｉＣなどがある。膜厚は２ｎｍから５ｎｍが好ましい。また、誘電体層２および誘電体層４の膜厚は、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下とする必要がある。５ｎｍより薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊されやすく、また放熱効果が大きすぎて記録に要するパワーが不必要に大きくなってしまう。誘電体層１および誘電体層３の膜厚は、繰返しオーバーライトにおける耐久性に大きく影響し、特にジッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚は一般的に５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。５ｎｍ未満では、熱伝導の遅延効果が不充分で記録感度低下が著しくなり好ましくない。膜厚が３０ｎｍより厚いと熱の蓄積時間が長くなり繰り返しオーバーライト時に誘電体層の変形、溶融の繰り返しによる相変化記録層の体積変化による組成変化により特性が劣化してしまう。より好ましくは５〜２５ｎｍである。

中間層の材料は通常、セラミックスあるいは樹脂であるが、光硬化性樹脂、遅効性樹脂が成形性、コストの点で好適である。中間層に溝が形成されてもよく、射出成形または、フォトポリマー法などによって成形される。中間層は、記録再生を行なう際に、ピックアップが光入射側の記録層と奥側の記録層とを識別し、光学的に分離可能とする厚さであり、１０〜５０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと、層間クロストークが生じてしまう。５０μｍより厚いと、奥側の記録層を記録再生する際に、球面収差が発生し、記録再生が困難になってしまう。

基板材料は通常、ガラス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。基板には溝が形成されており、溝部に情報が記録される。カバー層は、上記記載の樹脂を塗布したのちに硬化させて形成してもよい。図１の構成の場合、基板及び中間層に溝が形成されていればカバー層は溝がなくても良いが、中間層に溝がない場合は、予めカバー層に溝を形成しておく必要がある。図１の場合の基板厚は、１．１ｍｍ、カバー層の厚みは０．１ｍｍ、図２の場合の基板厚は０．６ｍｍである。

図１のタイプの場合、記録前に相変化記録層をアモルファス状態から結晶状態に相変化させる初期化工程を、中間層形成後に相変化記録層１を初期化装置を用いて行ない、２層構成にした後、相変化記録層２を初期化する。図２のタイプでは、予め各記録層を形成し、その時点で初期化して、最後に中間層により各記録層を貼り合せて、媒体とする。

以下に本発明の具体的な実施例を示す。
（実施例１）
厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製基板上に、Ａｇ_９９．５Ｂｉ_０．５（ａｔ％）、膜厚１４０ｎｍの反射層、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、膜厚１０ｎｍの誘電体層、Ｇｅ_５Ｍｎ_３（Ｉｎ_０．２Ｓｂ_０．８）_９２、膜厚１０ｎｍの相変化記録層１、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、Ａｇ_９９．５Ｂｉ_０．５（ａｔ％）、膜厚１００ｎｍの誘電体層２、ポリカーボネートからなる厚さ３０μｍの中間層、（Ｎｂ_２Ｏ_５）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、膜厚１２０ｎｍの放熱層、Ａｇ_９９．５Ｂｉ_０．５（ａｔ％）、膜厚１０ｎｍの半透過反射層、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、膜厚１０ｎｍの誘電体層３、Ｇｅ_３Ｍｎ_３Ｓｉ_２（Ｉｎ_０．１８Ｓｂ_０．８２）_９２、膜厚６ｎｍの相変化記録層２，ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、膜厚１００ｎｍの誘電体層４を順に積層した後、アクリル系両面接着層、ポリカーボネートからなる厚さ６０μｍのカバー層を形成して記録媒体を作製した。なお、ポリカーボネート製樹脂中間層とアクリル系両面接着層以外はスパッタ法により作製した。基板のtrack pitchは０．３２μｍ、記録される溝部の幅は０．２０μｍ、溝の深さは２２ｎｍである。波長４０５ｎｍ，ＮＡ０．８５のピックアップヘッドを用いて、記録線速４．９ｍ／ｓ，クロック周波数２６４ＭＨｚ、１ｂｉｔあたりのマーク長０．１０３μｍ，変調方式（１−７）ＲＬＬの３Ｔマークを連続的に記録した。記録線速は１８ｍ／ｓである。再生パワー０．３５ｍＷとした。記録するための光パルスの波形及びパワー制御方法は、相変化記録層を加熱するためのピークパワー（Ｐｐ）、Ｐｐ照射後に再生パワー以下のボトムパワー（Ｐｂ）、消去するための消去パワー（Ｐｅ）の少なくとも３値であり、Ｐｐ，Ｐｂのパルス時間を、Ｐｐ：４．０〜５．５ｎｓｅｃ．Ｐｂ：４．０ｎｓｅｃ．とした。Ｐｅは、Ｐｐの２０％から５０％とした。光入射側の記録層のＰｐ，Ｐｅが７ｍＷ，３．０ｍＷ、奥側の記録層のＰｐ，Ｐｅが、８．５ｍＷ，４．３ｍＷ、Ｐｂ：０．２ｍＷが最適であった。５トラック連続に１０回オーバーライト後、３トラック目の信号を再生したときの光入射側の記録層のＣＮＲが５３ｄＢ，奥側の層のＣＮＲが５４ｄＢであった。

（実施例２）
放熱層材料以外は、構成条件、記録条件は同じである。放熱層は、（Ｎｂ_２Ｏ_５）_７０（ＳｉＯ_２）_３０とした。この場合の光入射側の記録層のＣＮＲが５４ｄＢ，奥側の層のＣＮＲが５５ｄＢであった。

（実施例３）
放熱層材料以外は、構成条件、記録条件は同じである。放熱層は、（Ｎｂ_２Ｏ_５）_８０（ＳｉＯ_２）_２０とした。この場合の光入射側の記録層のＣＮＲが５４ｄＢ，奥側の層のＣＮＲが５５ｄＢであった。

（実施例４〜８）
厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製基板上に、Ａｇ_９９．５Ｂｉ_０．５（ａｔ％）、膜厚１４０ｎｍの反射層、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、膜厚１０ｎｍの誘電体層、膜厚１０ｎｍの相変化記録層１、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、Ａｇ_９９．５Ｂｉ_０．５（ａｔ％）、膜厚１００ｎｍの誘電体層２、ポリカーボネートからなる厚さ３０μｍの中間層、（Ｎｂ_２Ｏ_５）_５０（ＳｉＯ_２）_５０、膜厚１２０ｎｍの放熱層、Ａｇ_９９．５Ｂｉ_０．５（ａｔ％）、膜厚１０ｎｍの半透過反射層、ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、膜厚１０ｎｍの誘電体層３、膜厚６ｎｍの相変化記録層２，ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０、膜厚１００ｎｍの誘電体層４を順に積層した後、アクリル系両面接着層、ポリカーボネートからなる厚さ６０μｍのカバー層を形成して記録媒体を作製した。なお、ポリカーボネート製樹脂中間層とアクリル系両面接着層以外はスパッタ法により作製した。基板のtrack pitchは０．３２μｍ、記録される溝部の幅は０．２０μｍ、溝の深さは２２ｎｍｎである。波長４０５ｎｍ，ＮＡ０．８５のピックアップヘッドを用いて、記録線速４．９ｍ／ｓ，クロック周波数２６４ＭＨｚ、１ｂｉｔあたりのマーク長０．１０３μｍ，変調方式（１−７）ＲＬＬの３Ｔマークを連続的に記録した。記録線速は１８ｍ／ｓである。再生パワー０．３５ｍＷとした。記録するための光パルスの波形及びパワー制御方法は、相変化記録層を加熱するためのピークパワー（Ｐｐ）、Ｐｐ照射後に再生パワー以下のボトムパワー（Ｐｂ）、消去するための消去パワー（Ｐｅ）の少なくとも３値であり、Ｐｐ，Ｐｂのパルス時間を、Ｐｐ：４．０〜５．５ｎｓｅｃ．Ｐｂ：４．０ｎｓｅｃ．とした。Ｐｅは、Ｐｐの２０％から５０％とした。
表１に相変化記録層及び５トラック連続に１０回オーバーライト後、３トラック目の信号を再生したときのＣＮＲの結果を示す。
これら媒体を８０℃、８５％ＲＨの環境下で２００時間放置し、再び室温環境下でＣＮＲを再生したところ、変化量は、１ｄＢ以下であった。
なお、以上の記録媒体に２Ｔから８Ｔマークをランダムに記録する場合であるが、Ｐｐ．Ｐｂの照射パルスを一組とした場合に、２Ｔ，３Ｔマークを一組のパルス、４Ｔ，５Ｔマークを二組のパルス、６Ｔ，７Ｔマークを三組のパルス、８Ｔマークを四組のパルスにして記録する。より、高線速になるとこのパルス数を少なくして記録しても良い。

（比較例１〜３）
放熱層をＡｌＮ，ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝５０：５０（ｍｏｌ％）とした以外は、実施例４と同じ構成、条件とした。さらに放熱層のない場合も作製し比較した。
表２にその結果を示す。
いずれも手前側の層のＣＮＲは５０ｄＢに満たない結果になり、放熱層がないとよりＣＮが下がる。

本発明の記録媒体の構成の一例を示す図である。本発明の記録媒体の構成の他の例を示す図である。

Claims

基板上に少なくとも反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４の順に積層された光記録媒体か、あるいは基板上に少なくとも反射層、誘電体層１、相変化記録層１、誘電体層２、中間層、放熱層、半透過反射層、誘電体層３、相変化記録層２、誘電体層４、基板からなる光記録媒体において、放熱層がＮｂ酸化物、Ｓｉ酸化物の混合物であって、下記条件を満たすことを特徴とする光記録媒体。
前記相変化記録層が下記条件を満たし、ＭはＧｅとＭｎ、Ｓｉの少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。