JPH11115985A - 帯電防止型薄板収納容器 - Google Patents

帯電防止型薄板収納容器

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JPH11115985A
JPH11115985A JP9280051A JP28005197A JPH11115985A JP H11115985 A JPH11115985 A JP H11115985A JP 9280051 A JP9280051 A JP 9280051A JP 28005197 A JP28005197 A JP 28005197A JP H11115985 A JPH11115985 A JP H11115985A
Authority
JP
Japan
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parts
resin composition
release agent
lubricant
carbon black
Prior art date
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Application number
JP9280051A
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English (en)
Inventor
Mitsuaki Obara
光明 小原
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Miraial Co Ltd
Original Assignee
Kakizaki Seisakusho Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Kakizaki Seisakusho Co Ltd filed Critical Kakizaki Seisakusho Co Ltd
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Publication of JPH11115985A publication Critical patent/JPH11115985A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電防止性能を保持した状態で、不純物の漏
出や微粒子の発生を抑えて、半導体ウエハ等の汚染を防
止する。 【解決手段】 ポリマー主鎖中に 【化１】 で表示される構成単位を９０モル％以上含有するポリブ
チレンテレフタレート87−97.5部とカーボンブラック13
−2.5 部よりなる樹脂組成物を使用し、且つ滑剤、離型
剤等を実質上一切使用せずに帯電防止型薄板収納容器を
成型した。また、ＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密封容
器内で８０℃、２時間加熱保持した際のテトラハイドロ
フランの発生量が3.0 ｐｐｍ以下である前記樹脂組成物
を使用し且つ滑剤、離型剤等を実質上一切使用せずに帯
電防止型薄板収納容器成型した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやハ
ードディスク用基盤等の薄板を複数枚同時に支持し、保
管、搬送、洗浄等をまとめて行う帯電防止型薄板収納容
器に関し、特に帯電防止性能を備えた帯電防止型薄板収
納容器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄板収納容器は、半導体ウエハやハード
ディスク用基盤を複数枚同時に支持して保管や搬送等を
行うものである。この例としてはウエハキャリアがあ
る。このウエハキャリアは主に、２枚対向して設けられ
る側壁と、この側壁の内側面に設けられ複数枚挿入され
た半導体ウエハを相互に一定間隔を保って支持するリブ
とを備えて構成されている。このように構成されたウエ
ハキャリアは一般的に、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ
カーボネート（ＰＣ）、ポリブチレンテレフタレート
（ＰＢＴ）等を材料とし、場合により各種の方法、例え
ばカーボンブラックや炭素繊維を添加する、或いは練込
み型帯電防止剤を添加するという方法で、帯電防止がな
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】例えば、上述のポリマ
ーを基本材料としてウエハキャリアを成型した場合、ポ
リマーの製造工程から伴われる溶媒、副生物、或いは成
型工程で発生する分解物、添加する添加物等が半導体ウ
エハの処理中に漏出し、半導体ウエハの表面を汚染して
しまうおそれがある。
【０００４】また、カーボンブラックを添加して帯電防
止を行う場合、添加量を多くすれば効果は得られるが、
所謂チョーキング現象が発生し、添加物が少なければ帯
電防止効果が得られない。また、カーボンブラックの種
類、銘柄によっては多量に添加しても所期の効果が発現
しないものもある。
【０００５】また、ＰＰを材料としたウエハキャリアで
は、ＰＰの表面硬度が比較的低いため、半導体ウエハを
ウエハキャリアから出し入れする際等にこれらが互いに
接触して摩擦されると、微粒子が発生することがある。
この微粒子は、半導体ウエハの表面を汚染してしまうお
それが有り、カーボンブラックの添加量が比較的少量の
場合にもチョーキング現象が発生することがある。
【０００６】本発明は、以上の問題点に鑑みなされたも
のであり、不純物の漏出や微粒子の発生を抑えて、半導
体ウエハやハードディスク用基盤等の汚染を防止できる
帯電防止型薄板収納容器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の帯電防止型薄板収納容器は、以下の対策を講
じた。
【０００８】樹脂成型物の表面が帯電防止性能を有する
ためには、その表面抵抗値が１０4〜１０12Ωの範囲に
あることが望ましいと一般に言われている。実際に１０
13Ω以上では帯電防止性能が急激に低下し、１０3 Ω以
下では抵抗値が低すぎて導通破壊が発生するおそれがあ
る。
【０００９】帯電防止性能を向上させるためには、カー
ボンブラックを添加すればよい。その一方で、カーボン
ブラックの添加量を増加させると、チョーキング現象が
発生するおそれがある。
【００１０】この課題を解決するために、カーボンブラ
ックの添加量を下記の式により特定される範囲に維持す
る。
【００１１】添加するカーボンブラックの特性を、式
（１）で表示される導電性指標Ｘ（フィラー研究会編
「フィラー活用辞典」大成社 参照）で規定し、且つこ
の導電性指標Ｘの値を２００から５００の範囲に維持す
ると共に、カーボンブラック添加量Ｙ（wt％）を式
（２）から式（３）の範囲に維持する。
【００１２】 ｛添加するカーボンブラックの導電性指標（Ｘ）｝ ＝｛比表面積(m2 /g) ×DBP 吸油量(cc/g)｝0.5 / ｛1+揮発分(wt ％) ｝…（１） Ｙ＝｛100/(X-100) 0.5 ｝＋3.00 …（２） Ｙ＝｛80/(X-100) 0.5｝−1.50 …（３） 帯電防止型薄板収納容器から漏出する有機物やイオン性
不純物は、半導体ウエハやハードディスク用基盤の表面
を汚染するおそれがあるため、この漏出する有機物やイ
オン性不純物の量を低減する必要がある。このため、Ａ
ＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し、密封容器内で８０℃、２
時間加熱保時した際のテトラハイドロフランの発生量が
3.0 ｐｐｍ以下の樹脂組成物を成型用原料として使用
し、滑剤、離型剤等を実質上一切使用せずに成型する。
【００１３】ＰＰは表面硬度が比較的低いため、半導体
ウエハやハードディスク用基盤を薄板収納容器から出し
入れする際等にこれらが互いに接触して摩擦されると、
微粒子が発生して半導体ウエハやハードディスク用基盤
の表面を汚染してしまうおそれがある。この課題を解決
するために、ポリマー主鎖中に［化１］で表示される構
成単位を９０モル％以上含有し、且つオルソクロロフェ
ノール溶液での極限粘度が0.70以上であるポリブチレン
テレフタレート、またはポリマー主鎖中に［化２］で表
示される構成単位を９０モル％以上含有し、且つオルソ
クロロフェノール溶液での極限粘度が0.65以上であるポ
リブチレンナフタレートを樹脂組成物の原料に使用す
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。本発明の帯電防止型薄板収納容器は、半導体ウエハ
やハードディスク基盤を収納支持する容器である。この
容器を、以下に述べる材料を用いて構成する。尚、半導
体ウエハ用或いはハードディスク基盤用の帯電防止型薄
板収納容器の具体例としては、ウエハキャリア、このウ
エハキャリアを収納するキャリアケースやディスクキャ
リア等がある。
【００１５】［実施例１］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.80のポリブチレンテ
レフタレート95.5部と導電性指数３２０のカーボンブラ
ック4.5 部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠
し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラ
ハイドロフランの発生量が3.0 ｐｐｍである樹脂組成物
を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００１６】その結果、表面電気抵抗値が２×１０12Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値２×１０12Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００１７】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は6.1
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.5 °であった。
【００１８】［実施例２］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.76のポリブチレンテ
レフタレート88.5部と導電性指数２２０のカーボンブラ
ック11.5部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠
し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラ
ハイドロフランの発生量が2.5 ｐｐｍである樹脂組成物
を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００１９】その結果、表面電気抵抗値が７×１０4 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値７×１０4 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００２０】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.6
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.8 °であった。
【００２１】［実施例３］前記［化２］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.67のポリブチレンナ
フタレート９１部と導電性指数３１８のカーボンブラッ
ク９部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密
封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハイ
ドロフランの発生量が1.8 ｐｐｍである樹脂組成物を使
用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、モ
ンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上一
切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。この
半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠して
測定した。
【００２２】その結果、表面電気抵抗値が３×１０4 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値３×１０4 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００２３】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.6
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.9 °であった。
【００２４】［実施例４］前記［化２］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.70のポリブチレンナ
フタレート９４部と導電性指数２２８のカーボンブラッ
ク６部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密
封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハイ
ドロフランの発生量が2.8 ｐｐｍである樹脂組成物を使
用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、モ
ンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上一
切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。この
半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠して
測定した。
【００２５】その結果、表面電気抵抗値が８×１０12Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値８×１０12Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００２６】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.8
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.4 °であった。
【００２７】［実施例５］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に９５モル％含有するポリブチレンテレ
フタレート６０重量％と残りがポリカーボネートからな
り、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が0.
77の樹脂組成物95.5部と導電性指数３２５のカーボンブ
ラック4.5 部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準
拠し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテト
ラハイドロフランの発生量が2.8 ｐｐｍである樹脂組成
物を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００２８】その結果、表面電気抵抗値が５×１０11Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値５×１０11Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００２９】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.3
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.3 °であった。
【００３０】［実施例６］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に９５モル％含有するポリブチレンテレ
フタレート６０重量％と残りがポリカーボネートからな
り、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が0.
78の樹脂組成物８９部と導電性指数２３０のカーボンブ
ラック１１部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準
拠し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテト
ラハイドロフランの発生量が2.6 ｐｐｍである樹脂組成
物を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００３１】その結果、表面電気抵抗値が８×１０4 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値８×１０4 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００３２】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.2
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.8 °であった。
【００３３】［実施例７］前記［化２］で表示される構
成単位を実質的に９５モル％含有するポリブチレンナフ
タレート６０重量％と残りがポリカーボネートからな
り、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が0.
68の樹脂組成物９１部と導電性指数３２５のカーボンブ
ラック９部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠
し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラ
ハイドロフランの発生量が2.1 ｐｐｍである樹脂組成物
を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００３４】その結果、表面電気抵抗値が６×１０4 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値６×１０4 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００３５】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は4.6
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.2 °であった。
【００３６】［実施例８］前記［化２］で表示される構
成単位を実施的に９５モル％含有するポリブチレンナフ
タレート６０重量％と残りがポリカーボネートからな
り、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が0.
70の樹脂組成物９４部と導電性指数２３０のカーボンブ
ラック６部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠
し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラ
ハイドロフランの発生量が2.7 ｐｐｍである樹脂組成物
を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００３７】その結果、表面電気抵抗値が６×１０12Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値６×１０12Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００３８】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.7
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.6 °であった。
【００３９】［実施例９］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.78のポリブチレンテ
レフタレート９２部と導電性指数４４８のカーボンブラ
ック８部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し
密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハ
イドロフランの発生量が1.8 ｐｐｍである樹脂組成物を
使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、
モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上
一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。こ
の半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠し
て測定した。
【００４０】その結果、表面電気抵抗値が３×１０4 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値３×１０4 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００４１】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.6
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.8 °であった。
【００４２】［実施例１０］前記［化２］で表示される
構成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソク
ロロフェノール溶液での極限粘度が0.74のポリブチレン
ナフタレート９７部と導電性指数４６２のカーボンブラ
ック３部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し
密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハ
イドロフランの発生量が1.2 ｐｐｍである樹脂組成物を
使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、
モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上
一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。こ
の半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠し
て測定した。
【００４３】その結果、表面電気抵抗値が７×１０12Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値７×１０12Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００４４】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は4.2
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.4 °であった。
【００４５】［比較例１］前記［化２］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.75のポリブチレンナ
フタレート９１部と導電性指数４６０のカーボンブラッ
ク９部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密
封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハイ
ドロフランの発生量が1.2 ｐｐｍである樹脂組成物を使
用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、モ
ンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上一
切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。この
半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠して
測定した。
【００４６】その結果、表面電気抵抗値が２×１０2 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値２×１０2 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の下限値以下であり、抵抗
値が低すぎるため、導通破壊を起こすおそれがある。
【００４７】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は4.8
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.4 °であった。
【００４８】［比較例２］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.80のポリブチレンテ
レフタレート９８部と導電性指数４４８のカーボンブラ
ック２部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し
密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハ
イドロフランの発生量が1.3 ｐｐｍである樹脂組成物を
使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、
モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上
一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。こ
の半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠し
て測定した。
【００４９】その結果、表面電気抵抗値が７×１０14Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値７×１０14Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の上限値以上である。
【００５０】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.3
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.8 °であった。
【００５１】［比較例３」前記［化２］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有するポリブチレンナ
フタレート６０重量％と残りがポリカーボネートからな
り、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が0.
72の樹脂組成物８７部と導電性指数２２１のカーボンブ
ラック１３部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準
拠し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテト
ラハイドロフランの発生量が2.4 ｐｐｍである樹脂組成
物を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００５２】その結果、表面電気抵抗値が４×１０2 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値４×１０2 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の下限値以下であり、抵抗
値が低すぎるため、導通破壊を起こすおそれがある。
【００５３】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.9
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.6 °であった。
【００５４】［比較例４］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有するポリブチレンテ
レフタレート６０重量％と残りがポリカーボネートから
なり、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が
0.74の樹脂組成物９５部と導電性指数２２１のカーボン
ブラック５部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準
拠し密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテト
ラハイドロフランの発生量が2.3 ｐｐｍである樹脂組成
物を使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属
塩、モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実
質上一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型し
た。この半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に
準拠して測定した。
【００５５】その結果、表面電気抵抗値が８×１０14Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値８×１０14Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の上限値以上である。
【００５６】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は5.9
°であった。なお、装入前のブランク品の接触角は平均
3.8 °であった。
【００５７】［比較例５］前記［化２］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.73のポリブチレンナ
フタレート９１部と導電性指数２２３のカーボンブラッ
ク９部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密
封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハイ
ドロフランの発生量が5.8 ｐｐｍである樹脂組成物を使
用し且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、モン
タン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上一切
使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。この半
導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠して測
定した。
【００５８】その結果、表面電気抵抗値が３×１０8 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値３×１０8 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００５９】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は10.8
°となり、ウエハ表面が汚染された。なお、装入前のブ
ランク品の接触角は平均3.4 °であった。
【００６０】［比較例６］前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.80のポリブチレンテ
レフタレート９３部と導電性指数３１８のカーボンブラ
ック７部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し
密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハ
イドロフランの発生量が6.0 ｐｐｍである樹脂組成物を
使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、
モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上
一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。こ
の半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠し
て測定した。
【００６１】その結果、表面電気抵抗値が８×１０8 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値８×１０8 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００６２】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は11.1
°となり、ウエハ表面が汚染された。なお、装入前のブ
ランク品の接触角は平均3.5 °であった。
【００６３】［比較例７］前記［化２］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.71のポリブチレンナ
フタレート９４部と導電性指数４０３のカーボンブラッ
ク６部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密
封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハイ
ドロフランの発生量が5.3 ｐｐｍである樹脂組成物を使
用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、モ
ンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上一
切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。この
半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠して
測定した。
【００６４】その結果、表面電気抵抗値が７×１０9 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値７×１０9 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００６５】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は10.2
°となり、ウエハ表面が汚染された。なお、装入前のブ
ランク品の接触角は平均3.7 °であった。
【００６６】［比較例８」前記［化１］で表示される構
成単位を実質的に１００モル％含有し、且つオルソクロ
ロフェノール溶液での極限粘度が0.79のポリブチレンテ
レフタレート９５部と導電性指数４５３のカーボンブラ
ック５部よりなり、且つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し
密封容器にて８０℃、２時間加熱保持した時のテトラハ
イドロフランの発生量が6.4 ｐｐｍである樹脂組成物を
使用し、且つステアリン酸金属塩、モンタン酸金属塩、
モンタン酸エステル、タルク等の滑剤、離型剤を実質上
一切使用せずに、半導体ウエハキャリアを成型した。こ
の半導体ウエハキャリアをＡＳＴＭ Ｄ２５７に準拠し
て測定した。
【００６７】その結果、表面電気抵抗値が６×１０9 Ω
を有する半導体ウエハキャリアを得た。この表面電気抵
抗値６×１０9 Ωは、帯電防止性能を有するために必要
な数値（１０4 〜１０12Ω）の範囲内にある。
【００６８】この半導体ウエハキャリアに所定枚数の半
導体ウエハを装入し、密閉容器内で１週間常温で保持し
た後、半導体ウエハを取り出してウエハ表面と水との接
触角を測定した。この接触角の測定は、半導体ウエハの
表面の５カ所で行った。測定した接触角の平均値は13.2
°となり、ウエハ表面が汚染された。なお、装入前のブ
ランク品の接触角は平均3.9 °であった。
【００６９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の帯電防止
型薄板収納容器によれば、十分な帯電防止性能を保持し
た状態で、不純物の漏出や微粒子の発生を抑えて、半導
体ウエハやハードディスク用基盤等の薄板の汚染を防止
できるようになる。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ポリマー主鎖中に 【化１】 で表示される構成単位を９０モル％以上含有するポリブ
    チレンテレフタレート87−97.5部とカーボンブラック13
    −2.5 部よりなる樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤
    等を実質上一切使用せずに成型されたことを特徴とする
    帯電防止型薄板収納容器。
  2. 【請求項２】 ＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密封容器
    内で８０℃、２時間加熱保持した際のテトラハイドロフ
    ランの発生量が3.0 ｐｐｍ以下である請求項１に記載の
    樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤等を実質上一切使
    用せずに成型されたことを特徴とする帯電防止型薄板収
    納容器。
  3. 【請求項３】 オルソクロロフェノール溶液での極限粘
    度が0.70以上である請求項１に記載のポリブチレンテレ
    フタレート87−97.5部とカーボンブラック13−2.5 部よ
    りなる樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤等を実質上
    一切使用せずに成型されたことを特徴とする帯電防止型
    薄板収納容器。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載のポリブチレンテレフタ
    レート87−97.5部と導電性指標２００以上５００以下の
    カーボンブラック13−2.5 部よりなる樹脂組成物を使用
    し且つ滑剤、離型剤等を実質上一切使用せずに成型され
    たことを特徴とする帯電防止型薄板収納容器。
  5. 【請求項５】 オルソクロロフェノール溶液での極限粘
    度が0.70以上である請求項１に記載のポリブチレンテレ
    フタレート87−97.5部と導電性指標２００以上５００以
    下のカーボンブラック13−2.5 部よりなる樹脂組成物を
    使用し且つ滑剤、離型剤等を実質上一切使用せずに成型
    されたことを特徴とする帯電防止型薄板収納容器。
  6. 【請求項６】 オルソクロロフェノール溶液での極限粘
    度が0.70以上である請求項１に記載のポリブチレンテレ
    フタレート87−97.5部と導電性指標２００以上５００以
    下のカーボンブラック13−2.5 部よりなり、且つＡＳＴ
    Ｍ Ｄ４５２６に準拠し密封容器内で８０℃、２時間加
    熱保持した際のテトラハイドロフランの発生量が3.0 ｐ
    ｐｍ以下である樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤等
    を実質上一切使用せずに成型されたことを特徴とする帯
    電防止型薄板収納容器。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載のポリブチレンテレフタ
    レート６０重量％以上と残りがポリカーボネートからな
    り、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が0.
    70以上の樹脂組成物87−97.5部と導電性指標２００以上
    ５００以下のカーボンブラック13−2.5 部からなり、且
    つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密封容器で８０℃、２
    時間加熱保持した際のテトラハイドロフランの発生量が
    3.0 ｐｐｍ以下である樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離
    型剤等を実質上一切使用せずに成型されたことを特徴と
    する帯電防止型薄板収納容器。
  8. 【請求項８】 ポリマー主鎖中に 【化２】 で表示される構成単位を９０モル％以上含有するポリブ
    チレンナフタレート87−97.5部とカーボンブラック13−
    2.5 部よりなる樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤等
    を実質上一切使用せずに成型されたことを特徴とする帯
    電防止型薄板収納容器。
  9. 【請求項９】 ＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密封容器
    内で８０℃、２時間加熱保持した際のテトラハイドロフ
    ランの発生量が3.0 ｐｐｍ以下である請求項８に記載の
    樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤等を実質上一切使
    用せずに成型されたことを特徴とする帯電防止型薄板収
    納容器。
  10. 【請求項１０】 オルソクロロフェノール溶液での極限
    粘度が0.65以上である請求項８に記載のポリブチレンナ
    フタレート87−97.5部とカーボンブラック13−2.5 部よ
    りなる樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤を実質上一
    切使用せずに成型されたことを特徴とする帯電防止型薄
    板収納容器。
  11. 【請求項１１】 請求項８に記載のポリブチレンナフタ
    レート87−97.5部と導電性指標２００以上５００以下の
    カーボンブラック13−2.5 部からなる樹脂組成物を使用
    し且つ滑剤、離型剤等を実質上一切使用せずに成型され
    たことを特徴とする薄板収納容器。
  12. 【請求項１２】 オルソクロロフェノール溶液での極限
    粘度が0.65以上である請求項８に記載のポリブチレンナ
    フタレート87−97.5部と導電性指標２００以上５００以
    下のカーボンブラック13−2.5 部よりなる樹脂組成物を
    使用し且つ滑剤、離型剤等を実質上一切使用せずに成型
    されたことを特徴とする帯電防止型薄板収納容器。
  13. 【請求項１３】 オルソクロロフェノール溶液での極限
    粘度が0.65以上である請求項８に記載のポリブチレンナ
    フタレート87−97.5部と導電性指標２００以上５００以
    下のカーボンブラック13−2.5 部よりなり、且つＡＳＴ
    Ｍ Ｄ４５２６に準拠し密封容器内で８０℃、２時間加
    熱保持した際のテトラハイドロフランの発生量が3.0 ｐ
    ｐｍ以下である樹脂組成物を使用し且つ滑剤、離型剤を
    実質上一切使用せずに成型されたことを特徴とする帯電
    防止型薄板収納容器。
  14. 【請求項１４】 請求項８に記載のポリブチレンナフタ
    レート６０重量％以上と残りがポリカーボネートからな
    り、且つオルソクロロフェノール溶液での極限粘度が0.
    60以上の樹脂組成物87−97.5部と導電性指標２００以上
    ５００以下のカーボンブラック13−2.5 部からなり、且
    つＡＳＴＭ Ｄ４５２６に準拠し密封容器内で８０℃、
    ２時間加熱保持した際のテトラハイドロフランの発生量
    が3.0ｐｐｍ以下である樹脂組成物を使用し且つ滑剤、
    離型剤等を実質上一切使用せずに成型されたことを特徴
    とする帯電防止型薄板収納容器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001096100A1 (en) * 2000-06-14 2001-12-20 Hyperion Catalysis International, Inc. Multilayered polymeric structure
JP2002038111A (ja) * 2000-04-28 2002-02-06 Lintec Corp 粘着シートおよび貼着体
JP2009013306A (ja) * 2007-07-05 2009-01-22 Honda Motor Co Ltd 炭素繊維強化シート状成形材料及びその製造方法
WO2021234809A1 (ja) * 2020-05-19 2021-11-25 ミライアル株式会社 基板収納容器

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