JPH1098134A - 素子の樹脂封止構造 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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Abstract
るように配置、接続されたフリップチップ構造を樹脂封
止する場合、基板と素子の間隙から樹脂が入り込み、素
子の電極パターンと接触するため、素子が機能しなくな
るという問題がある。 【解決手段】基板面上の素子外周部近傍に凸状部を形成
し、樹脂封止の際、樹脂が素子配線部に流れ込むのを阻
止した。素子と基板は樹脂が入り込まない程度の間隔が
あってもよい。この構造により、歩留まりよく樹脂封止
ができ、金属キャップなどが不要になる。
Description
ップ実装に関し、特に樹脂封止構造に関する。
3に示すように素子表面にあるパッド3aにバンプ4を
形成し、そのバンプを基板側のパッド3bに接続するこ
とで行っている。フリップチップ実装後は、応力緩和、
異物侵入防止、さらにバンプ保護の目的から素子と基板
の隙間を樹脂6で封止する。しかし、高周波素子であ
る、GaAs素子や表面弾性波素子は素子表面に異物が
付着すると所望の電気的特性が得られないため、基板と
素子の隙間は気密状態で素子周辺が樹脂で覆われた構造
にしなければならない。
子の隙間に樹脂が入り込まないような高粘度タイプの樹
脂を素子に滴下し、硬化することで基板と素子の隙間を
気密にした構造を形成している。
合大会A380に示される例では、半導体素子にバンプ
を形成した後、バンプにレベリングをしてバンプ高さを
一定にし、導電性接着剤を転写し、基板のキャビティに
半導体素子をフリップチップ実装している。その後素子
の周辺に絶縁性樹脂を塗布し、硬化させた後、金属製キ
ャップで半田封止している。
すようなフリップチップ実装した素子を樹脂で囲む構造
では、基板と素子の隙間から樹脂が入り込み、電極パタ
ーンと接触するため、信号が流れず、所望の特性が得ら
れないことが多い。
する構造では、構成する部品が多くなり、取り付ける工
数が増え、生産性が劣り、安価な製品を提供できない。
明の素子の樹脂封止構造は、素子と基板とが所定の間隔
をおいて電気的に接続されており、前記基板に凸状部が
形成され、該凸状部と素子外周部は樹脂封止されている
構造である。ここで基板と素子が互いの配線形成面が対
向するように配置され、電気的に接続された構造を有し
ており、基板面上の素子外周部近傍に凸状部(以下ダム
と記す)が形成されており、該凸状部と素子外周部は樹
脂封止されている。
もよいが、両者の間隙から樹脂が大きく入り込まない範
囲の間隔があってもよい。樹脂は素子の全面を覆うよう
に形成することもできる。上記凸状部は基板と同一材料
が望ましいが、互いに異なる材料でもよい。
て、図面を参照して詳細に説明する。図1を参照する
と、ダム5が形成された基板2に対し、素子1がフリッ
プチップ実装されている。樹脂6が素子1に覆いかぶさ
り、素子1と基板2の隙間は気密となった構造をしてい
る。ダム5は基板2上で凸になった枠形状であり、外形
サイズは素子1とほぼ同じで、基板からの高さは、素子
1と基板2のフリップチップ実装後の隙間高さより約1
0μ以下程度だけ低い構造とした。
り低いのは、Auバンプにより素子1と基板2を接続す
る際に、素子1がダム5に接触して破損するおそれがあ
るためマージンをとっているからである。素子1に影響
がなければ、素子1と基板2が接続された後結果的にダ
ム5と素子1が接触してもかまわない。
いて、詳細に説明する。まず素子側パッド3aにAuバ
ンプ2を形成し、Auバンプ4を決められた基板側パッ
ド3bに接続することでフリップチップ実装する。パッ
ドの形状はたとえば1辺が100μから400μの矩形
である。たとえば素子1が表面弾性波デバイスの場合、
1辺が400μのパッドを1素子あたり10〜8個形成
する。また素子1がガリウム・ヒ素高周波素子のような
場合パッドは1辺100μのものを使用する。
ド3bに半田を供給して接続する半田接続方法がある。
Au/Au圧着方法は、Auメッキを施した基板側パッ
ド3bに対し、Auバンプ4を加熱しながら、押しつけ
る方法である。この結果Au同士が拡散し、Auバンプ
4と基板側パッド3bが接合することにより、基板2と
素子1が電気的に接続する。
田を供給し、加熱した素子1のバンプ4を基板側パッド
3bに接続させる方法である。半田を溶融後冷却して固
化することでAuバンプ4と基板側パッド3bは半田を
介して接合し、基板2と素子1は電気的に接続される。
ラミック系(通常アルミナ−ガラスセラミックが用いら
れる。)の場合は同じ材料系のセラミック、基板2がエ
ポキシ系の場合はエポキシ系の材料で印刷と加熱処理に
よって形成する。セラミックの場合はセラミック粉末と
有機バインダーを混合したものをスクリーン印刷し、焼
成する。セラミック基板上にエポキシ系のダムを形成す
ることもできる。また、あらかじめダム5の形状にした
シールを基板に貼りつけて形成する方法もある。
ズの枠形状とした。マージンをみて、高さは基板2と素
子1の隙間高さより低い構造とした。例えば、素子1が
6mm×8mmで基板2と素子1の隙間高さが50μm
の場合、ダム5のサイズは6mm×8mmとし、高さは
40μm程度にする。ただし、素子1とダム5の形状は
必ずしも同一でなくともよい。ダムの枠の幅は、150
μm〜200μmである。
素子1を樹脂封止する。その際、樹脂6は高粘度かつ低
熱膨脹のエポキシ系樹脂であり、市販されているものを
用いた。基板2に形成したダム5が樹脂6の入り込みを
防止するため、基板2と素子1の隙間に樹脂6の入り込
みはなく、隙間は気密状態になる。樹脂6は素子1のフ
リップチップ実装後の応力が小さくなるように硬化後の
熱膨張係数が小さく、また電極の腐食を防止するため、
硬化時に発生するガスが極めて小さい特徴を有するもの
を用いる。樹脂6は、100℃から150℃の温度で数
時間熱処理した。
示したが、素子1の周辺部のみを樹脂封止することもで
きる。
を使用せず、歩留りの高い樹脂封止が実現できる。
素子の樹脂封止をする際、歩留りが高いことである。
子の隙間に入り込もうとするのを防ぐからである。
る際、工数が少なく、材料費も安価なことである。
ップ等の部品も使用してないからである。
る。
ある。
Claims (5)
- 【請求項1】 素子と基板とが所定の間隔をおいて電気
的に接続された構造を有し、前記基板に凸状部が形成さ
れており、該凸状部と素子外周部は樹脂封止されている
ことを特徴とする素子の樹脂封止構造。 - 【請求項2】 素子の配線形成面が基板に対向して配置
され、これら基板と素子が電気的に接続された構造を有
し、前記基板上の素子と対向する面上で素子外周部近傍
に凸状部が形成されており、該凸状部と素子外周部は樹
脂封止されていることを特徴とする素子の樹脂封止構
造。 - 【請求項3】 素子と凸状部は直接接触していない請求
項1または2に記載の素子の樹脂封止構造。 - 【請求項4】 凸状部は基板と同じ材料で形成される請
求項1、2または3に記載の素子の樹脂封止構造。 - 【請求項5】 樹脂が素子上をすべて覆っている請求項
1、2、3または4に記載の素子の樹脂封止構造。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8249623A JP2973940B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 素子の樹脂封止構造 |
US08/934,401 US5900581A (en) | 1996-09-20 | 1997-09-19 | Resin sealing structure for elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8249623A JP2973940B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 素子の樹脂封止構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1098134A true JPH1098134A (ja) | 1998-04-14 |
JP2973940B2 JP2973940B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=17195787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8249623A Expired - Fee Related JP2973940B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 素子の樹脂封止構造 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5900581A (ja) |
JP (1) | JP2973940B2 (ja) |
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---|---|
US5900581A (en) | 1999-05-04 |
JP2973940B2 (ja) | 1999-11-08 |
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