JPH1093224A

JPH1093224A - セラミック基板用導電材料およびセラミック配線板

Info

Publication number: JPH1093224A
Application number: JP14233397A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Kuzuoka; 馨葛岡
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1996-07-01
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】セラミック配線板の形成時におけるスルーホ
ール充填部の亀裂の発生を抑制する。【解決手段】貴金属材料にセラミック材料を添加した
セラミック基板用導電材料により、セラミック基板１に
設けられるスルーホール充填部４１、４２を構成してい
る。上記セラミック基板用導電材料の焼結収縮率は、貴
金属材料の焼結収縮率よりも、セラミック材料の焼結収
縮率に近いので、セラミック配線板の形成後における、
スルーホール充填部４１、４２の収縮量を抑制でき、ひ
いては、スルーホール充填部４１、４２の亀裂の発生を
抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板に
設けられるスルーホール充填部を構成するセラミック基
板用導電材料に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、セラミック基板にスルーホール充
填部や配線部を設けたセラミック配線板が提案されてお
り、このスルーホール充填部を構成するセラミック基板
用導電材料としては、貴金属材料、例えばＰｔを用いて
いる。このセラミック配線板は、スーパーコンピュータ
等の電子回路の配線等に使用されており、常温（例えば
２５℃程度）で使用されるものである。

【０００３】以下に、上記セラミック配線板の製造方法
を説明すると、まず、セラミック材料をスラリ状とした
ものから、未焼結状態の基板素材を形成し、この基板素
材にスルーホールを形成する。そして、Ｐｔをペースト
状にしたＰｔペーストを上記スルーホールに充填してス
ルーホール充填部とし、同時に、このＰｔペーストによ
り配線部を形成した後、この基板素材をセラミック材料
の焼結温度（例えば１５００℃程度）で加熱することに
より、この基板素材が焼結して上記セラミック配線板が
形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、本発明者が
上記したようなセラミック配線板を大量に製造したとこ
ろ、スルーホール充填部において電気的断線が発生する
ものが幾らか得られることがわかった。すなわち、Ｐｔ
のような貴金属材料は、セラミック材料に比べて焼結収
縮率（換言すれば、焼結時における温度上昇に伴なう収
縮率、または、粒子状材料を加熱して一体に焼結させる
ときの体積収縮率）が非常に大きい。一方、上記焼結時
において、配線部は一般に１０〜２０μｍと非常に薄い
ため、上記焼結収縮率の違いはさほど問題にならない
が、スルーホール充填部は、その径が通常２００μｍ以
上と非常に大きいため、上記焼結収縮率の違いが大きく
効いてくる。

【０００５】このため、上記焼結時において、セラミッ
ク基板側はさほど収縮しないが、スルーホール充填部は
大きく収縮し、例えば、スルーホール充填部の中心から
外方に向かって収縮すると、スルーホール充填部の中心
部に熱応力がかかり、スルーホール充填部の中心部に亀
裂が発生する。そして、この亀裂がスルーホール充填部
の軸方向垂直方向にわたって形成されることにより、ス
ルーホール充填部において電気的断線が発生するのであ
る。このようにスルーホール充填部に電気的断線が発生
する結果、セラミック配線板の歩留りが悪いといった問
題が生じる。

【０００６】また、本発明者は、上記したようなセラミ
ック配線板を、例えば、車両の排気ガスのような高い温
度（例えば３００℃〜１０００℃）を測るセンサ素子に
適用することを試みているが、たとえセラミック配線板
の形成後において、スルーホール充填部に電気的断線が
発生していなくても、セラミック配線板の使用時に電気
的断線に至ることがわかった。

【０００７】すなわち、Ｐｔは比較的線膨張係数が大き
い（９×１０^-6）ため、センサ素子の周囲温度が上述の
ような高い温度と常温（２５℃程度）との間を行き来す
ることにより、スルーホール充填部が膨張と収縮を繰り
返す。ここで、スルーホール充填部に亀裂が発生したセ
ラミック配線板を使用すると、亀裂の近傍部位が強度的
に最も弱い部位であるため、この強度的に最も弱い部位
に、膨張と収縮を繰り返すことによる熱応力が集中的に
加わる。このため、セラミック配線板をセンサ素子とし
て使用している間に亀裂が拡大し、スルーホール充填部
において電気的断線が発生するのである。

【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、セラミック配線板の形成時におけるスルーホール充
填部の亀裂の発生を抑制することを目的とし、さらに、
セラミック配線板の使用時におけるスルーホール充填部
の亀裂の拡大を抑制することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、セラミック
材料からなるセラミック基板（１）に一体に設けられる
セラミック基板用導電材料として、貴金属材料にセラミ
ック材料を添加したものを用いることにより、上記セ
ラミック基板用導電材料の焼結収縮率がセラミック材料
の焼結収縮率に近づくので、このセラミック基板用導電
材料により、セラミック基板（１）に設けられるスルー
ホール充填部（４１、４２）を構成したときに、セラミ
ック配線板の形成時における上記スルーホール充填部の
亀裂の発生を抑制できること、上記亀裂の発生を抑制
することにより、強度的に弱い部分の形成を抑制でき、
ひいては、セラミック配線板の使用時におけるスルーホ
ール充填部の膨張、収縮による上記亀裂の拡大を抑制で
きること、上記セラミック基板用導電材料の熱膨張係
数が、上記貴金属材料よりも小さい熱膨張係数（７×１
０^-6）を有するセラミック材料に近づくので、このセラ
ミック基板用導電材料により上記セラミック基板のスル
ーホール充填部を構成したときに、上記セラミック配線
板の使用中におけるスルーホール充填部の膨張、収縮を
緩和でき、この結果、上記亀裂の拡大を抑制できること
を見出し、本発明を完成したものである。

【００１０】セラミック材料としては、例えばアルミ
ナ、ムライト、チタニア、コージェライト、窒化アルミ
等が挙げられる。なお、セラミック基板用導電材料は、
上記セラミック材料を２種類以上含むものであってもよ
い。貴金属材料としては、例えば、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｒｕ、Ｐｄ等が挙げられる。ここでいう貴金属材料と
は、導電性に優れ、かつ、大気中で、高温状態（約３０
０℃以上）においても耐酸化性に優れるものであり、セ
ラミック材料よりも上記収縮率が大きいという性質を有
する。なお、セラミック基板用導電材料は、上記貴金属
材料を２種類以上含むものであってもよい。

【００１１】そして、セラミック基板用導電材料に関す
る、セラミック材料の重量割合を１ｗｔ％〜９０ｗｔ％
とするのが好ましい。これは、上記重量割合が１％以下
であると、セラミック基板用導電材料の収縮率がセラミ
ック材料の収縮率に十分近づかず、この結果、スルーホ
ール充填部の亀裂を抑制する効果がさほど得られない恐
れがある、ということが、発明者の実験および検討によ
り確認されているためである。

【００１２】また、上記重量割合が９０％以上である
と、絶縁性を有するセラミック材料の大量な添加によ
り、セラミック基板用導電材料は、貴金属材料本来の性
質である、高導電性を維持できなくなり、この結果、ス
ルーホール充填部における導通不良の恐れがある、とい
うことが、発明者の実験および検討により確認されてい
るためである。

【００１３】そして、セラミック材料の重量割合を、５
ｗｔ％〜５０ｗｔ％とするのがより好ましい。これによ
り、スルーホール充填部の亀裂をより効果的に抑制でき
るとともに、スルーホール充填部の導電性をより貴金属
材料に近いものに保つことができる。そして、上記セラ
ミック基板用導電材料により、セラミック基板（１）の
スルーホール充填部（４１、４２）を構成し、さらに、
セラミック基板（１）に、貴金属材料からなる配線部
（３１、３２、５１、５２）を設けたセラミック配線板
を提供している。このセラミック配線板において、スル
ーホール充填部（４１、４２）の亀裂の発生は抑制され
るので、このセラミック配線板の歩留りを向上でき、し
かも、高温と低温との間を繰り返すような環境であって
も、このセラミック配線板の使用中に電気的断線が発生
することは抑制される。

【００１４】また、セラミック基板（１）の配線部（３
１、３２、５１、５２）を上記セラミック基板用導電材
料から構成してもよい。ここで、配線部（３１、３２、
５１、５２）は通常スルーホール充填部（４１、４２）
に比べて非常に薄いものであるが、この配線部（３１、
３２、５１、５２）が、特に高温の環境（例えば３００
℃程度）にさらされるような場合は、この配線部（３
１、３２、５１、５２）に関しても、セラミック配線板
の使用時における膨張、収縮が問題となる恐れがある。
よって、配線部（３１、３２、５１、５２）を上記セラ
ミック基板用導電材料から構成することにより、上記恐
れを抑制できる。

【００１５】そして、上記セラミック配線板（１）は、
以下のように形成される。まず、セラミック材料をスラ
リ状としたものからなる基板素材（１１、１２）の板厚
方向にスルーホール（１２１、１２２）を形成する（第
１工程）。そして、セラミック基板用導電材料をペース
ト状にしたものを、上記スルーホール（１２１、１２
２）に充填し、スルーホール充填部（４１ａ、４２ａ）
を形成する（第２工程）。

【００１６】また、貴金属材料をペースト状にしたもの
により、基板素材（１１、１２）に配線部（３１ａ、３
２ａ）を印刷する（第３工程）。この後、基板素材（１
１、１２）、スルーホール充填部（４１ａ、４２ａ）、
および、配線部（３１ａ、３２ａ）を、セラミック材料
の焼結温度にて加熱して一体に焼結する（第４工程）。
上記焼結温度は、例えば、１４００℃〜１７００℃程度
である。

【００１７】なお、上記第３工程は、上記第１工程の前
に行なってもよいし、上記第２工程の前に行なってもよ
い。ここで、セラミック材料をスラリ状としたものや、
セラミック基板用導電材料をペースト状にしたものにお
いては、セラミック材料や貴金属材料が粒子状で多数存
在している。そして、上記第４工程において焼結温度に
て加熱することにより、基板素材（１１、１２）中の多
数のセラミック粒子が活性化されて比較的自在に移動可
能となり、この活性化されたセラミック粒子同志が結合
する。この結果、焼結後（つまり、焼結温度にて加熱し
てから常温に戻した後）においては、多数のセラミック
粒子が一体化された強固なセラミック基板（１）とな
る。

【００１８】そして、上記貴金属材料として例えばＰｔ
を用い、上記セラミック材料として、例えばアルミナを
主成分とする材料を用いたセラミック配線板について、
本発明者が鋭意検討した結果、以下のようなメカニズム
により、スルーホール充填部の亀裂の拡大が抑制される
ことがわかった。まず、上記焼結温度にて加熱すること
により、スルーホール充填部（４１ａ、４２ａ）中の多
数のセラミック粒子も活性化される。一方、Ｐｔの融点
（１８００℃程度）が上記焼結温度に近いため、この焼
結温度にて加熱することにより、スルーホール充填部
（４１ａ、４２ａ）中の多数のＰｔ粒子も活性化される
（この場合はＰｔが軟化する）。

【００１９】このため、多数のセラミック粒子および多
数のＰｔ粒子は比較的自在に移動可能となるため、多数
のセラミック粒子同志が、多数のＰｔ粒子の間をぬって
移動しつつ結合することにより、セラミック材料からな
る３次元的な構造を形成するとともに、多数のＰｔ粒子
同志が、多数のセラミック粒子の間をぬって移動しつつ
結合することにより、Ｐｔからなる３次元的な構造を形
成する。つまり、セラミック材料からなる３次元的な構
造の間を埋めるように、Ｐｔが存在することになる。

【００２０】また、上記焼結温度にて加熱することによ
り、スルーホール充填部（４１ａ、４２ａ）と基板素材
（１１、１２）との界面近傍において、スルーホール充
填部（４１ａ、４２ａ）側のセラミック粒子と、基板素
材（１１、１２）側のセラミック粒子とが結合するの
で、セラミック材料からなる３次元的な構造が基板素材
（１１、１２）に保持された状態となる。つまり、焼結
後においては、セラミック材料からなる３次元的な構造
がセラミック基板（１）に保持された状態となる。

【００２１】このようなセラミック配線板を、高温と常
温との間を行き来するような環境においた場合、セラミ
ック基板（１）に保持される、セラミック材料からなる
３次元的な構造により、Ｐｔの膨張、収縮が抑制される
ため、スルーホール充填部（４１、４２）に存在する亀
裂の拡大を効果的に抑制でき、スルーホール充填部（４
１、４２）における電気的断線を効果的に抑制できる。

【００２２】なお、上記セラミック基板（１）の表面
に、物理量または化学量を感知し、電気信号に変換する
センサ（２）を設け、さらにセラミック基板（１）に一
対のスルーホール充填部（４１、４２）を設け、センサ
（２）と一対のスルーホール充填部（４１、４２）と
を、配線部（３１、３２）により電気的に接続したセラ
ミック配線板を提供している。このようにセンサ（２）
を備えたセラミック配線板に関しても、一対のスルーホ
ール充填部（４１、４２）、さらには、配線部（３１、
３２）を上記セラミック基板用導電材料から構成するこ
とにより、上述した効果と同様の効果が得られる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。本
実施例は、本発明を図１（ａ）、（ｂ）に示すようなサ
ーミスタ素子（セラミック配線板）の、スルーホール充
填部４１、４２に適用したものである。このサーミスタ
素子は、車両の排気温度、例えば３００℃〜１０００℃
程度を検出するものであり、車両の排気ガス浄化装置の
一部である触媒コンバータに取り付けられる。

【００２４】具体的に、このサーミスタ素子は、セラミ
ック材料（例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を主成分とす
る材料）からなる長尺形状のセラミック基板１の内部
に、酸化物半導体からなるサーミスタ（センサ）２と、
一端３１１、３２１がサーミスタ２と電気的に接続され
る、Ｐｔからなる一対のリード線（配線部）３１、３２
とが設けられている。

【００２５】また、セラミック基板１の板厚方向に形成
されたスルーホール１２１、１２２には、上記リード線
３１、３２の他端３１２、３２２に電気的に接続される
一対のスルーホール充填部４１、４２が設けられてお
り、セラミック基板１の表面には、スルーホール充填部
４１、４２と電気的に接続される、Ｐｔからなる一対の
表面電極（配線部）５１、５２が設けられている。

【００２６】そして、表面電極５１、５２から、さらに
コネクタにより検出回路や電子制御装置へ接続され、こ
れにより、触媒コンバータ内の排気ガス温度を検出する
ようになっている。なお、上記したサーミスタ素子にお
いて、長手方向サーミスタ２側の半分が、触媒コンバー
タ内に配置されるように、サーミスタ素子が上記触媒コ
ンバータの壁面に貫通して取り付けられる。

【００２７】本実施例では、スルーホール充填部４１、
４２は、Ｐｔ（貴金属材料）が８０ｗｔ％、アルミナ
（セラミック材料）が２０ｗｔ％である、セラミック基
板用導電材料により構成されている。以下に、サーミス
タ素子の形成方法を図２に基づいて説明する。なお、図
２は焼結前の状態を示すので、図２中の符号は、図１
（ａ）、（ｂ）のサーミスタ素子の符号とは区別した。

【００２８】まず、約７７ｗｔ％のアルミナ粉末（多数
のアルミナ粒子）と、１３００℃〜１５００℃で溶融す
る融剤としての約６ｗｔ％のフラックス材（例えば、マ
グネシア、シリカ、炭酸カルシウム、カオリン等）と、
結合剤としての約４ｗｔ％のエチルセルロースと、有機
溶剤としての約１３ｗｔ％のテルピネオールとを混合し
てスラリ状とする。

【００２９】このスラリから、ドクターブレード法のキ
ャストマシンにより、所望厚さ、例えば０．５ｍｍのセ
ラミック生シートを製造する。この生シートを所望寸
法、例えば３ｍｍ×６０ｍｍの寸法に切り出して、２枚
の未焼結状態の第１、第２基板素材１１、１２を用意す
る。そして、約８３ｗｔ％のＰｔ粉末（多数のＰｔ粒
子）と、約４ｗｔ％のエチルセルロースと、約１３ｗｔ
％のテルピネオールとを混合して、配線用導電ペースト
を形成し、この導電ペーストにより、第１基板素材１１
の表面に一対のリード線３１ａ、３２ａを厚膜印刷法に
より印刷、形成する（第３工程）。このリード線３１
ａ、３２ａの厚みは１０μｍ、幅は０．３ｍｍとした。

【００３０】続いて、サーミスタ材料としての約７０ｗ
ｔ％の酸化物半導体粉末と、約５ｗｔ％のエチルセルロ
ースと、約２５ｗｔ％のテルピネオールとを混合して、
サーミスタ用導電ペーストを形成し、この導電ペースト
により、第１基板素材１１の表面に、上記一対のリード
線３１ａ、３２ａの一端３１１ａ、３２１ａ側を覆うよ
うに、サーミスタ２ａを厚膜印刷法により印刷、形成す
る。このサーミスタ２ａの厚みは５０μｍで、大きさは
２ｍｍ×２ｍｍとした。

【００３１】さらに、第２基板素材１２には、ドリルま
たはポンチで一対のスルーホール１２１ａ、１２２ａを
形成する（第１工程）。このスルーホール１２１ａ、１
２２ａは直径が０．３ｍｍであり、第２基板素材１２の
長手方向の一端側で、上記リード線３１ａ、３２ａの他
端３１２ａ、３２２ａに対向するように形成されてい
る。

【００３２】そして、約６６ｗｔ％のＰｔ粉末（多数の
Ｐｔ粒子）と、約１７ｗｔ％のアルミナ粉末（多数のア
ルミナ粒子）と、約４ｗｔ％のエチルセルロースと、約
１３ｗｔ％のテルピネオールとを混合して、スルーホー
ル用導電ペーストを形成し、この導電ペーストを、第２
基板素材１２のスルーホール１２１ａ、１２２ａに充填
し、スルーホール充填部４１ａ、４２ａを形成する（第
２工程）。

【００３３】さらに、上記した配線用導電ペーストを形
成し、この導電ペーストにより、第２基板素材１２のう
ち、スルーホール充填部４１ａ、４２ａを含む表面に、
一対の表面電極５１ａ、５２ａを厚膜印刷法により印
刷、形成する（第３工程）。この表面電極５１ａ、５２
ａの厚みは約１０μｍとした。そして、第１基板素材１
１の表面に第２基板素材１２を配置した状態で、１００
℃の温度で、１００ｋｇ／ｃｍ²の圧力を１分間加え
る。これにより、第１基板素材１１と第２基板素材１２
とが加熱圧着されて一体となる。上記の方法で得られた
ものを、アルミナの焼結温度程度、例えば、１４００℃
〜１７００℃で、大気雰囲気にて焼結する。この結果、
図１（ａ）、（ｂ）に示すようなサーミスタ素子が形成
される。

【００３４】（他の実施例）なお、上記実施例では、第
１、第２基板素材１１、１２の間にサーミスタ２ａを挟
むことにより、サーミスタ２をセラミック基板１に内蔵
させていたが、図２に示す第１基板素材１１において、
リード線３１ａ、３２ａの他端３１２ａ、３２２ａに相
当する部分に、スルーホール１２１ａ、１２２ａを形成
し、第１基板素材１１の裏面に表面電極５１ａ、５２ａ
を形成することにより、セラミック基板１の表面にサー
ミスタ２を設けるようにしてもよい。このとき、セラミ
ック基板１１の表面に露出したサーミスタ２およびリー
ド線３１、３２を保護するためのガラス等のフィルム
を、第１セラミック基板１１の表面に形成してもよい。

【００３５】また、上記実施例では、スルーホール用導
電ペーストを、第１基板素材１１のスルーホール４１、
４２に充填した後、焼結させていたが、導電ペーストを
線状に成形し乾燥させてから、スルーホール４１、４２
に挿入し、その後、焼結させてもよい。また、上記実施
例では、配線用導電ペーストを、第１基板素材１１の表
面に印刷、形成した後、焼結させていたが、導電ペース
トをリード線３１、３２の形状に成形し乾燥させてか
ら、第１基板素材１１の表面に配置し、その後、焼結さ
せてもよい。

【００３６】また、結合剤としては、上記エチルセルロ
ースの他に、ポリビニルブチラール樹脂等も挙げられ
る。また、有機溶剤としては、テルピネオールの他に、
ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテー
ト、ジベンジリデン−Ｄ−ソルビトール等も挙げられ
る。また、上記実施例において、第２基板素材１２にス
ルーホール１２１、１２２を形成する工程およびスルー
ホール充填部４１ａ、４２ａを形成する工程を、第１基
板素材１１にリード線３１ａ、３２ａを形成する工程の
前に行なってもよいし、第１基板素材１１にサーミスタ
２ａを形成する工程の前に行なってもよい。

【００３７】また、上記実施例は、本発明を、排ガスの
温度を検出するサーミスタ素子のスルーホール充填部に
適用していたが、これに限定されることはなく、他の種
々のセラミック配線板、例えば、排ガス中の酸素濃度を
検出する酸素センサ素子のスルーホール充填部に適用し
てもよいし、スーパーコンピュータ等の電子回路におけ
る配線に適用してもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）はサーミスタ素子の断面図で、（ｂ）は
サーミスタ素子の平面図である。

【図２】サーミスタ素子の製造工程中における斜視図で
ある。

【符号の説明】

１…セラミック基板、２…サーミスタ（センサ）、３
１、３２…リード線（配線部）、４１、４２…スルーホ
ール充填部、５１、５２…表面電極（配線部）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック材料からなるセラミック基板
（１）に一体に設けられるセラミック基板用導電材料で
あって、貴金属材料に前記セラミック材料を添加したも
のからなることを特徴とするセラミック基板用導電材
料。
【請求項２】前記セラミック基板用導電材料に関する
前記セラミック材料の重量割合が１ｗｔ％〜９０ｗｔ％
であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基
板用導電材料。
【請求項３】前記セラミック基板用導電材料に関する
前記セラミック材料の重量割合が５ｗｔ％〜５０ｗｔ％
であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基
板用導電材料。
【請求項４】前記セラミック材料は、アルミナを主成
分とする材料であり、前記貴金属材料はＰｔであることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれか１つに記載のセラミック基板用導電
材料。
【請求項５】板厚方向にスルーホール（１２１、１２
２）が形成され、セラミック材料からなるセラミック基
板（１）と、貴金属材料にセラミック材料を添加してなるセラミック
基板用導電材料からなり、前記スルーホール（１２１、
１２２）内に充填されるスルーホール充填部（４１、４
２）と、導電材料からなり、前記スルーホール充填部（４１、４
２）と電気的に接続され、前記セラミック基板（１）に
一体に設けられる配線部（３１、３２、５１、５２）と
を備えていることを特徴とするセラミック配線板。
【請求項６】前記セラミック基板（１）には、物理量
または化学量を感知し、電気信号に変換するセンサ
（２）が設けられており、前記スルーホール充填部（４１、４２）は一対形成され
ており、前記センサ（２）と前記一対のスルーホール充填部（４
１、４２）とが、前記配線部（３１、３２）により電気
的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の
セラミック配線板。
【請求項７】前記配線部（３１、３２、５１、５２）
も、前記セラミック基板用導電材料からなることを特徴
とする請求項５または６に記載のセラミック配線板。
【請求項８】前記セラミック材料は、アルミナを主成
分とする材料であり、前記貴金属材料はＰｔであることを特徴とする請求項５
ないし７のいずれか１つに記載のセラミック配線板。
【請求項９】セラミック材料をスラリ状としたものか
らなる基板素材（１１、１２）の板厚方向にスルーホー
ル（１２１ａ、１２２ａ）を形成する第１工程と、貴金属材料にセラミック材料を添加してなるセラミック
基板用導電材料をペースト状にしたものを、前記スルー
ホール（１２１ａ、１２２ａ）に充填し、スルーホール
充填部（４１ａ、４２ａ）を形成する第２工程と、導電材料をペースト状にしたものにより、前記基板素材
（１１、１２）に配線部（３１ａ、３２ａ、５１ａ、５
２ａ）を印刷する第３工程と、前記第１工程、前記第２工程、および前記第３工程の後
に、前記基板素材（１１、１２）、前記スルーホール充
填部（４１ａ、４２ａ）、および、前記配線部（３１
ａ、３２ａ、５１ａ、５２ａ）を、セラミック材料の焼
結温度にて加熱して一体に焼結する第４工程とが含まれ
ることを特徴とするセラミック配線板の製造方法。