JPH1083946A - レジスト剥離液管理方法及びレジスト剥離装置 - Google Patents
レジスト剥離液管理方法及びレジスト剥離装置Info
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- JPH1083946A JPH1083946A JP23665196A JP23665196A JPH1083946A JP H1083946 A JPH1083946 A JP H1083946A JP 23665196 A JP23665196 A JP 23665196A JP 23665196 A JP23665196 A JP 23665196A JP H1083946 A JPH1083946 A JP H1083946A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硫酸と過酸化水素水の混液からなるフォトレ
ジスト剥離液の継続使用期間を延伸する。 【解決手段】 基板１を処理する剥離槽11と、過酸化水
素水を剥離槽11に補充する補充手段13と、試験片４を処
理する試験槽16と、剥離槽11から剥離液をサンプリング
して試験槽16に移送するサンプリング手段17と、試験槽
16内の炭酸ガス濃度を測定する炭酸ガスセンサ18と、そ
の測定結果に基づいて剥離槽11への過酸化水素水の補充
量を算定するとともに補充手段13の駆動を制御するコン
トローラ19とを有するレジスト剥離装置を使用し、基板
１処理の合間毎に剥離槽11の剥離液をサンプリングして
これにレジストを塗布した試験片４を浸漬し、試験槽16
内の炭酸ガス濃度の測定値に基づいて適量の過酸化水素
水を剥離槽11内の剥離液に補充して、剥離能力を維持す
る。
ジスト剥離液の継続使用期間を延伸する。 【解決手段】 基板１を処理する剥離槽11と、過酸化水
素水を剥離槽11に補充する補充手段13と、試験片４を処
理する試験槽16と、剥離槽11から剥離液をサンプリング
して試験槽16に移送するサンプリング手段17と、試験槽
16内の炭酸ガス濃度を測定する炭酸ガスセンサ18と、そ
の測定結果に基づいて剥離槽11への過酸化水素水の補充
量を算定するとともに補充手段13の駆動を制御するコン
トローラ19とを有するレジスト剥離装置を使用し、基板
１処理の合間毎に剥離槽11の剥離液をサンプリングして
これにレジストを塗布した試験片４を浸漬し、試験槽16
内の炭酸ガス濃度の測定値に基づいて適量の過酸化水素
水を剥離槽11内の剥離液に補充して、剥離能力を維持す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の製
造工程において基板上のレジスト、特にポジ型フォトレ
ジストを剥離する際に使用するレジスト剥離液の管理方
法及びレジスト剥離装置に関する。
造工程において基板上のレジスト、特にポジ型フォトレ
ジストを剥離する際に使用するレジスト剥離液の管理方
法及びレジスト剥離装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板（半導体ウェーハ等）上のフォトレ
ジストの剥離は、通常、基板をレジスト剥離装置の剥離
槽内の剥離液に浸漬して行う。フォトレジストがポジ型
の場合、剥離液としては硫酸（例えば96％）と過酸化水
素水（例えば30％）との混液（10:1〜100:1 程度) を 1
00℃前後に加熱したものが使用される。この剥離液はフ
ォトレジストを酸化、分解して基板から剥離するが、そ
の際、過酸化水素を消耗して液中の過酸化水素濃度が低
下し、その結果、剥離能力が急速に低下して処理済の基
板上にレジスト残渣を生じるようになる。そのため、剥
離液を継続的に使用するには適宜に過酸化水素水を補充
して剥離能力を回復させる必要がある。従来は、剥離後
の基板の検査結果等を参考にして経験的に定めた基準
で、一定時間毎若しくは一定の処理数毎に一定量の過酸
化水素水を剥離液に補充していた。
ジストの剥離は、通常、基板をレジスト剥離装置の剥離
槽内の剥離液に浸漬して行う。フォトレジストがポジ型
の場合、剥離液としては硫酸（例えば96％）と過酸化水
素水（例えば30％）との混液（10:1〜100:1 程度) を 1
00℃前後に加熱したものが使用される。この剥離液はフ
ォトレジストを酸化、分解して基板から剥離するが、そ
の際、過酸化水素を消耗して液中の過酸化水素濃度が低
下し、その結果、剥離能力が急速に低下して処理済の基
板上にレジスト残渣を生じるようになる。そのため、剥
離液を継続的に使用するには適宜に過酸化水素水を補充
して剥離能力を回復させる必要がある。従来は、剥離後
の基板の検査結果等を参考にして経験的に定めた基準
で、一定時間毎若しくは一定の処理数毎に一定量の過酸
化水素水を剥離液に補充していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一定時間若
しくは一定の処理数における剥離液の劣化の程度は必ず
しも一様ではないため、一定量の過酸化水素水の補充の
繰返しでは剥離能力が充分には回復しなくなり、早期に
（硫酸の寿命が来る以前に）剥離槽内全液の更新を行う
ことが多い、という問題があった。
しくは一定の処理数における剥離液の劣化の程度は必ず
しも一様ではないため、一定量の過酸化水素水の補充の
繰返しでは剥離能力が充分には回復しなくなり、早期に
（硫酸の寿命が来る以前に）剥離槽内全液の更新を行う
ことが多い、という問題があった。
【０００４】本発明は、このような問題を解決して、剥
離液を長期にわたり継続使用することが可能なレジスト
剥離液管理方法及びレジスト剥離装置を提供することを
目的とする。
離液を長期にわたり継続使用することが可能なレジスト
剥離液管理方法及びレジスト剥離装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、継続使用中の過酸化水素水を含む混液か
らなるレジスト剥離液を一定量サンプリングしてこれに
フォトレジストを塗布した試験片を浸漬し、該試験片か
ら発生する炭酸ガス量に対応する物理量を測定し、該測
定結果から該剥離液の剥離能力を回復するに必要な過酸
化水素水の補充量を算定し、該算定結果に従って該剥離
液に過酸化水素水を補充することにより該剥離液の剥離
能力を維持するレジスト剥離液管理方法としている。
め、本発明は、継続使用中の過酸化水素水を含む混液か
らなるレジスト剥離液を一定量サンプリングしてこれに
フォトレジストを塗布した試験片を浸漬し、該試験片か
ら発生する炭酸ガス量に対応する物理量を測定し、該測
定結果から該剥離液の剥離能力を回復するに必要な過酸
化水素水の補充量を算定し、該算定結果に従って該剥離
液に過酸化水素水を補充することにより該剥離液の剥離
能力を維持するレジスト剥離液管理方法としている。
【０００６】又、請求項２では、レジスト剥離液を収容
し基板を処理する剥離槽と、過酸化水素水を該剥離槽に
補充する補充手段と、試験片を処理する試験槽と、該剥
離槽から剥離液をサンプリングして該試験槽に移送する
サンプリング手段と、該試験槽内の炭酸ガス濃度を測定
する炭酸ガスセンサと、該炭酸ガスセンサの測定結果に
基づいて剥離槽への過酸化水素水の補充量を算定すると
ともに該算定結果に従って該補充手段の駆動を制御する
コントローラと、を有するレジスト剥離装置としてい
る。
し基板を処理する剥離槽と、過酸化水素水を該剥離槽に
補充する補充手段と、試験片を処理する試験槽と、該剥
離槽から剥離液をサンプリングして該試験槽に移送する
サンプリング手段と、該試験槽内の炭酸ガス濃度を測定
する炭酸ガスセンサと、該炭酸ガスセンサの測定結果に
基づいて剥離槽への過酸化水素水の補充量を算定すると
ともに該算定結果に従って該補充手段の駆動を制御する
コントローラと、を有するレジスト剥離装置としてい
る。
【０００７】又、請求項３では、上記の試験槽内の炭酸
ガス濃度を測定する炭酸ガスセンサに代えて試験槽内の
圧力を測定する圧力センサとし、且つ該炭酸ガスセンサ
の測定結果に代えて該圧力センサの測定結果としたレジ
スト剥離装置としている。
ガス濃度を測定する炭酸ガスセンサに代えて試験槽内の
圧力を測定する圧力センサとし、且つ該炭酸ガスセンサ
の測定結果に代えて該圧力センサの測定結果としたレジ
スト剥離装置としている。
【０００８】即ち、過酸化水素水と硫酸との反応により
生じたカロ酸がノボラック樹脂等からなるポジ型フォト
レジストを炭酸ガス，水等に分解することでフォトレジ
ストが剥離するものであるから、分解が進むに従って炭
酸ガスの発生量が増加する。従って、炭酸ガスの発生量
からフォトレジストの分解量を知ることができ、試験槽
中で剥離液に浸漬した試験片からの炭酸ガス発生量に対
応する炭酸ガス濃度や槽内圧力を測定することによりそ
の剥離液の剥離能力の低下の度合いを知ることができ
る。本発明はこれに基づいて剥離能力を回復するに足る
過酸化水素水の補充量を算定して、それにより剥離槽へ
過酸化水素水を補充するから、常に適正量の補充がなさ
れ、従って、剥離液を長期に継続使用することが可能と
なる。
生じたカロ酸がノボラック樹脂等からなるポジ型フォト
レジストを炭酸ガス，水等に分解することでフォトレジ
ストが剥離するものであるから、分解が進むに従って炭
酸ガスの発生量が増加する。従って、炭酸ガスの発生量
からフォトレジストの分解量を知ることができ、試験槽
中で剥離液に浸漬した試験片からの炭酸ガス発生量に対
応する炭酸ガス濃度や槽内圧力を測定することによりそ
の剥離液の剥離能力の低下の度合いを知ることができ
る。本発明はこれに基づいて剥離能力を回復するに足る
過酸化水素水の補充量を算定して、それにより剥離槽へ
過酸化水素水を補充するから、常に適正量の補充がなさ
れ、従って、剥離液を長期に継続使用することが可能と
なる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図１を参照し
ながら説明する。図１は本発明の実施形態を示す装置構
成図である。同図において、１は被処理物の基板、２は
剥離液、３は過酸化水素水、４は試験片、１１は剥離
槽、１２はヒータ、１３は補充手段、１６は試験槽、１
７はサンプリング手段、１８は炭酸ガスセンサ、１９は
コントローラである。
ながら説明する。図１は本発明の実施形態を示す装置構
成図である。同図において、１は被処理物の基板、２は
剥離液、３は過酸化水素水、４は試験片、１１は剥離
槽、１２はヒータ、１３は補充手段、１６は試験槽、１
７はサンプリング手段、１８は炭酸ガスセンサ、１９は
コントローラである。
【００１０】基板１は例えば半導体ウェーハであり、表
面にポジ型フォトレジストの膜を有している。剥離液２
は硫酸と過酸化水素水の混液からなり、ヒータ１２によ
り 100℃前後に保たれている。試験片４は表面に基板１
と同種のポジ型フォトレジストの膜を有している。剥離
槽１１は剥離液２を貯留し、この剥離液２はヒータ１２
により 100℃前後に加温されている。補充手段１３はポ
ンプ１４，補充液槽１５等からなり、補充液槽１５は過
酸化水素水３を貯留している。サンプリング手段１７は
ポンプ等からなる。
面にポジ型フォトレジストの膜を有している。剥離液２
は硫酸と過酸化水素水の混液からなり、ヒータ１２によ
り 100℃前後に保たれている。試験片４は表面に基板１
と同種のポジ型フォトレジストの膜を有している。剥離
槽１１は剥離液２を貯留し、この剥離液２はヒータ１２
により 100℃前後に加温されている。補充手段１３はポ
ンプ１４，補充液槽１５等からなり、補充液槽１５は過
酸化水素水３を貯留している。サンプリング手段１７は
ポンプ等からなる。
【００１１】炭酸ガスセンサ１８は試験槽１６内の炭酸
ガス濃度を測定する。コントローラ１９は炭酸ガスセン
サ１８からの炭酸ガス濃度の信号を受けてこれを予め入
力した基準値（例えば、試験片４表面のフォトレジスト
が総て分解した場合の炭酸ガス濃度，新液を使用した場
合の一定時間後の炭酸ガス濃度，等）と比較することに
より剥離液２の剥離能力の低下の度合いを求め、剥離能
力を回復させるに必要な過酸化水素水の補充量を算出す
るとともに、算出した量の過酸化水素水３を補充液槽１
５から剥離槽１１へ移送するようにポンプ１４を駆動す
る。
ガス濃度を測定する。コントローラ１９は炭酸ガスセン
サ１８からの炭酸ガス濃度の信号を受けてこれを予め入
力した基準値（例えば、試験片４表面のフォトレジスト
が総て分解した場合の炭酸ガス濃度，新液を使用した場
合の一定時間後の炭酸ガス濃度，等）と比較することに
より剥離液２の剥離能力の低下の度合いを求め、剥離能
力を回復させるに必要な過酸化水素水の補充量を算出す
るとともに、算出した量の過酸化水素水３を補充液槽１
５から剥離槽１１へ移送するようにポンプ１４を駆動す
る。
【００１２】次に、このレジスト剥離装置の動作を説明
する。先ず、試験槽１６内に試験片４を入れ、試験槽１
６を密閉した後、サンプリング手段１７を作動させると
剥離槽１１内の剥離液２が一定量試験槽１６に移送さ
れ、試験片４のフォトレジストの剥離が始まる。
する。先ず、試験槽１６内に試験片４を入れ、試験槽１
６を密閉した後、サンプリング手段１７を作動させると
剥離槽１１内の剥離液２が一定量試験槽１６に移送さ
れ、試験片４のフォトレジストの剥離が始まる。
【００１３】一定時間後、炭酸ガスセンサ１８が試験槽
１６内の炭酸ガス濃度のデータを出力すると、コントロ
ーラ１９がこれ入力してこれを予め入力した基準値と比
較し、剥離液２の剥離能力を回復させるに必要な過酸化
水素水の補充量を算出し、ポンプ１４を駆動して算出し
た量の過酸化水素水３を補充液槽１５から剥離槽１１へ
移送する。
１６内の炭酸ガス濃度のデータを出力すると、コントロ
ーラ１９がこれ入力してこれを予め入力した基準値と比
較し、剥離液２の剥離能力を回復させるに必要な過酸化
水素水の補充量を算出し、ポンプ１４を駆動して算出し
た量の過酸化水素水３を補充液槽１５から剥離槽１１へ
移送する。
【００１４】その後、搬送手段（図示は省略）がキャリ
ア（図示は省略）に収容された所定の枚数（例えば25
枚）の基板１を剥離槽１１に投入し、所定の時間剥離液
２に浸漬した後、引き上げる。以下、このサイクルを繰
り返す。尚、剥離槽１１内に未使用の剥離液２が貯留さ
れている場合は、剥離槽１１への基板１の投入から始め
る。
ア（図示は省略）に収容された所定の枚数（例えば25
枚）の基板１を剥離槽１１に投入し、所定の時間剥離液
２に浸漬した後、引き上げる。以下、このサイクルを繰
り返す。尚、剥離槽１１内に未使用の剥離液２が貯留さ
れている場合は、剥離槽１１への基板１の投入から始め
る。
【００１５】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
これは図１における炭酸ガスセンサ１８を圧力センサに
代え、炭酸ガス発生に伴う試験槽１６内の圧力変化を基
準値と比較することにより、剥離液２の剥離能力低下の
度合いを判断するものであり、他は前記の実施形態と同
じである。
これは図１における炭酸ガスセンサ１８を圧力センサに
代え、炭酸ガス発生に伴う試験槽１６内の圧力変化を基
準値と比較することにより、剥離液２の剥離能力低下の
度合いを判断するものであり、他は前記の実施形態と同
じである。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジスト剥離液の長期継続使用を可能とするレジスト剥
離液管理方法及びレジスト剥離装置を提供することがで
き、化学物質使用量の低減により、環境保全に寄与す
る。
レジスト剥離液の長期継続使用を可能とするレジスト剥
離液管理方法及びレジスト剥離装置を提供することがで
き、化学物質使用量の低減により、環境保全に寄与す
る。
【図１】 本発明の実施形態を示す装置構成図である。
１ 基板 ２ 剥離液 ３ 過酸化水素水 ４ 試験片 １１ 剥離槽 １２ ヒータ １３ 補充手段 １４ ポンプ １５ 補充液槽 １６ 試験槽 １７ サンプリング手段 １８ 炭酸ガスセンサ １９ コントローラ
Claims (3)
- 【請求項１】 過酸化水素水を含む混液からなるレジス
ト剥離液の管理方法であって、 継続使用中の該剥離液を一定量サンプリングしてこれに
フォトレジストを塗布した試験片を浸漬し、該試験片か
ら発生する炭酸ガス量に対応する物理量を測定し、該測
定結果から該剥離液の剥離能力を回復するに必要な過酸
化水素水の補充量を算定し、該算定結果に従って該剥離
液に過酸化水素水を補充することにより該剥離液の剥離
能力を維持することを特徴とするレジスト剥離液管理方
法。 - 【請求項２】 基板上のフォトレジストを過酸化水素水
を含む混液からなるレジスト剥離液により剥離する装置
であって、 該剥離液を収容し該基板を処理する剥離槽と、過酸化水
素水を該剥離槽に補充する補充手段と、試験片を処理す
る試験槽と、該剥離槽から剥離液をサンプリングして該
試験槽に移送するサンプリング手段と、該試験槽内の炭
酸ガス濃度を測定する炭酸ガスセンサと、該炭酸ガスセ
ンサの測定結果に基づいて剥離槽への過酸化水素水の補
充量を算定するとともに該算定結果に従って該補充手段
の駆動を制御するコントローラと、を有することを特徴
とするレジスト剥離装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のレジスト剥離装置におい
て、前記試験槽内の炭酸ガス濃度を測定する炭酸ガスセ
ンサに代えて該試験槽内の圧力を測定する圧力センサと
し、且つ該炭酸ガスセンサの測定結果に代えて該圧力セ
ンサの測定結果としたことを特徴とするレジスト剥離装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23665196A JPH1083946A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | レジスト剥離液管理方法及びレジスト剥離装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23665196A JPH1083946A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | レジスト剥離液管理方法及びレジスト剥離装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083946A true JPH1083946A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17003777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23665196A Withdrawn JPH1083946A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | レジスト剥離液管理方法及びレジスト剥離装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1083946A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023456A (ko) * | 2001-06-25 | 2003-03-19 | 가부시키가이샤 히라마리카겐큐죠 | 수계 레지스트 박리액 관리장치 및 수계 레지스트 박리액관리방법 |
| JP2006278365A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びそのプログラム並びにその記録媒体 |
| JP2014060335A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
| KR20200124596A (ko) * | 2019-04-23 | 2020-11-03 | 주식회사 고도이엔지 | 전해질 이송 장치 및 이를 포함하는 안전 시스템 |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23665196A patent/JPH1083946A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023456A (ko) * | 2001-06-25 | 2003-03-19 | 가부시키가이샤 히라마리카겐큐죠 | 수계 레지스트 박리액 관리장치 및 수계 레지스트 박리액관리방법 |
| JP2006278365A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びそのプログラム並びにその記録媒体 |
| JP2014060335A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
| KR20200124596A (ko) * | 2019-04-23 | 2020-11-03 | 주식회사 고도이엔지 | 전해질 이송 장치 및 이를 포함하는 안전 시스템 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |