JPH09219385A - 半導体ウェハのウェット処理方法 - Google Patents
半導体ウェハのウェット処理方法Info
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Abstract
離した後のリンス処理において残留アルカリによってA
l配線等が腐食されることのないようにする。 【構成】 ウェハ1を有機アルカリ溶液処理槽3に浸漬
し、フォトレジストを剥離する。ウェハをイソプロピル
アルコール処理槽4に浸漬してウェハに付着している有
機アルカリ溶液をアルコールに置換する。ウェハ1を希
釈酸性溶液が充填されたリンス槽5に浸漬する。リンス
槽5には酸性溶液調合槽6において、pHが4〜6に調
整された希塩酸が充填されている。所定の時間経過後に
バルブ9b、9aを切り換えてリンス槽5の溶液を純水
に置換してリンスを行う。
Description
ェット処理方法に関し、特に有機アルカリ系剥離液にて
フォトレジストを剥離した後のウェット処理方法に関す
るものである。
す)上に成膜した多結晶シリコン膜や金属膜等をパター
ニングする場合や、酸化膜等の絶縁膜にコンタクトホー
ルやバイアホールを開孔する場合には、フォトレジスト
を被エッチング膜上に塗布し、露光・現像処理を行うこ
とによって被エッチング膜のエッチングを行う箇所を露
出させた状態でドライエッチングあるいはウェットエッ
チング処理を行っている。そして、そのエッチング処理
の終了した後には、エッチングマスクとして使用したフ
ォトレジストをウェハ上から除去する必要がある。
は、シリコン酸化膜上にビアホールを介して多層配線を
形成する際の工程順断面図である。シリコン基板(図示
なし)上に形成されたシリコン酸化膜101に第1Al
配線102、シリコン酸化膜103を形成し、その上に
フォトリソグラフィ法にて所定の位置に開口を有するフ
ォトレジスト膜104を形成する。このフォトレジスト
膜をマスクとしてRIE(反応性イオンエッチング)法
などのドライ法を用いてシリコン酸化膜103をエッチ
ングしてビアホール105を形成する。このとき、ビア
ホール105の側面には反応生成物106が形成される
〔図8(a)〕。次いで、フォトレジスト膜104を剥
離し、洗浄を行った後〔図8(b)〕、窒化チタン・チ
タン積層膜106、アルミニウム膜を堆積し、パターニ
ングを行って第2Al配線108を形成する〔図8
(c)〕。
よびその後の洗浄工程についてさらに説明すると、この
フォトレジストをウェハ上から除去する処理方法とし
て、酸素プラズマによる除去、硫酸と過酸化水素水を主
成分とした溶液による除去、有機アルカリ系の溶液によ
る除去等が一般的に用いられている。
処理方法として硫酸と過酸化水素水を主成分とした溶液
を使用すると、アルミニウム等の金属膜が溶液によって
エッチングされてしまうため、金属膜が形成されたウェ
ハ上からの剥離方法としては適当ではない。また、ドラ
イエッチングによるパターニングを行った場合には、エ
ッチングガスと被エッチング膜との反応生成物106が
被エッチング膜側面に付着するが、酸素プラズマではこ
の反応生成物を除去することができないため、この機能
を有する有機アルカリ系剥離液による処理が賞用されて
いる。
理方法について図9を参照して説明する。同図に示され
るように、有機アルカリ溶液処理槽3、イソプロピルア
ルコール処理槽4、リンス槽5を並置しておき、ウェハ
キャリア2に搭載されたウェハ1をキャリアごと処理槽
3に浸漬してウェハよりフォトレジストを剥離する。一
定時間経過後に、ウェハ1をキャリアごと処理槽4に移
し、イソプロピルアルコールによる置換処理を行い、次
いで、リンス槽5において純水によるリンスを行う。
にイソプロピルアルコール液に浸漬して置換処理を行う
のは、有機アルカリ系の溶液に浸漬したウェハを直接純
水中に浸漬すると、ウェハ表面に付着している有機アル
カリ溶液が水と反応し、ウェハ表面近傍に強アルカリ溶
液が生成され、金属膜をエッチングしてしまうという問
題が生じるからである。アルコール液に浸漬することに
よってウェハ表面上に付着した溶液を有機アルカリから
アルコールに置換することができ、この問題を回避乃至
軽減することができる。
は前記アルコール液への浸漬だけではウェハ表面上に付
着した有機アルカリ溶液を完全に置換することは不可能
であり、アルコール液浸漬後純水に浸漬する時には僅か
にウェハ表面上に有機アルカリ溶液が残留している。特
に、近年ビアホールが微細化ししかもアスペクト比が高
くなってきているため、置換効率が悪くなり、ウェハを
純水に浸漬する時にビアホール内などに有機アルカリが
残留している場合が多くなる。そして、有機アルカリが
残留している溝では純水に浸漬した時に、強アルカリ液
が生成されこの溶液により金属膜などがエッチングされ
てしまう。金属膜がエッチングされると、図10に示さ
れるように、第1Al配線102と第2Al配線108
との接続に欠陥が生じ、接続抵抗の増大乃至断線が生じ
る。
ルを開口し図8(c)に示す配線を1000個を直鎖状
につなげた場合の直列抵抗の測定値を図3に示す。した
がって、本発明の解決すべき課題は、金属膜上のフォト
レジストを有機アルカリ溶液で除去する場合に、金属膜
がエッチングされることがないようにすることである。
カリ系溶液にて処理を行ってフォトレジスト膜を除去し
た後に、酸性溶液によって処理することによって解決す
ることができる。
ット処理方法は、 表面にフォトレジスト膜の形成された半導体ウェハ
を有機アルカリ溶液にて処理してフォトレジスト膜を剥
離する工程と、 酸性溶液、または、水に溶けた際に酸性を呈するガ
スおよび純水でウェハを処理する工程と、 純水にてウェハを処理する工程と、を有することを
特徴としている。そして、より好ましくは、前記第の
工程と前記第の工程との間に、アルコール系処理液に
て処理する工程が付加される。
る。 [第1の実施例]図1は本発明の第1の実施例を説明す
るためのウェハのウェット処理装置の構成図である。図
1を参照すると、ウェット処理装置内に設置された有機
アルカリ溶液処理槽3にはウェハ表面からフォトレジス
トを除去するための有機アルカリ溶液が、イソプロピル
アルコール処理槽4にはウェハ表面上に付着した有機ア
ルカリ系の溶液を置換するためのイソプロピルアルコー
ルが、さらに、リンス槽5には酸性溶液調合槽6でpH
調整された希釈酸性溶液(希塩酸)が充填されている。
水および塩酸を供給するための配管が設けられており、
リンス槽5と酸性溶液調合槽との間には、希釈酸性溶液
を供給するためのポンプ8a、バルブ9bを有する配管
が設けられ、またリンス槽5にはリンス槽5内の希釈酸
性溶液を純水に置換するためのバルブ9aを有する配管
が設けられている。なお、図示されてはいないが、有機
アルカリ溶液処理槽3、イソプロピルアルコール処理槽
4には、それぞれ有機アルカリ溶液、イソプロピルアル
コールを供給するための配管が設けられており、さらに
各処理槽3、4およびリンス槽5には廃液を除去するた
めの配管が設けられている。
1の実施例のウェハウェット処理方法について説明す
る。この実施例は、図8に示すような工程でのフォトレ
ジストの除去方法に関するものである。すなわち、Al
配線上に形成されたシリコン酸化膜にフォトレジスト膜
を形成しこれをマスクとするエッチングを行ってビアホ
ールを形成した後に、フォトレジストを除去するための
本実施例によるウエット処理を行うものとする。
ェハ1をウェハキャリア2に収納し、有機アルカリ溶液
処理槽3に浸漬する。この有機アルカリ溶液処理槽3中
の有機アルカリ溶液によってウェハ1上のフォトレジス
トは除去される。所望の時間の有機アルカリ溶液による
処理が終了し、ウェハ1上のフォトレジストが除去され
た後にウェハ1をイソプロピルアルコール処理槽4に浸
漬する。この処理槽においてウェハ1表面上に付着した
有機アルカリ溶液の大部分がイソプロピルアルコールに
置換される。但し、微細な溝であるビアホール内は、有
機アルカリ溶液からイソプロピルアルコールへの置換効
率が悪く、処理槽4での処理後にも有機アルカリ溶液が
残留している。
槽4での処理が終了した後に、ウェハ1を酸性溶液調合
槽6でpHが5に調整された希塩酸溶液が充填されてい
るリンス槽5に浸漬する。希釈酸性溶液のpH値は評価
結果から、pH4〜6が本発明で使用するのに適した値
であったため、実施例ではpH5の希釈酸性溶液を適用
した。この希釈酸性溶液処理によりウェハ1のコンタク
トホール内に残留していた有機アルカリ溶液4が中和さ
れ、コンタクトホール内のアルミニウムを腐食すること
なくリンスが行える。
ウェハを長時間浸漬する場合には希塩酸溶液によってア
ルミニウムが腐食されてしまうので、コンタクトホール
内の有機アルカリを中和するのに必要な時間の条件出し
を予め行い、希塩酸溶液での処理時間を決定しておく。
また、希塩酸溶液を純水に置換するまでの時間は半導体
素子形状、ビアホール径などに依存する為、半導体素子
の種類ごとに、条件出しを行う必要がある。この条件出
しによって決定された時間が経過した後、バルブ9a、
9bを操作してリンス槽5内の希塩酸を純水に置換し、
所望の時間ウェハ1をリンスする。その後、ウェハをリ
ンス槽5から引き上げ、乾燥を行うことによって一連の
作業が終了する。なお、本実施例では、塩酸の希釈液で
リンスする例について説明したが、塩酸に代え、硫酸、
硝酸を用いても同様の効果を得ることができる。
施例を説明するためのウェハのウェット処理装置の構成
図である。第1の実施例では、リンス槽5には酸性溶液
調合槽6において調合された希塩酸溶液が充填されてい
たが、第2の実施例では電解活性水生成装置が取り付け
られており、リンス槽5の槽内にはH+ を含む電解活性
水が充填されている。電解活性水生成装置の主体は電気
分解槽10であり、この槽内には隔膜13を介して2枚
の電極11が対向配置されている。この電気分解槽10
には、純水が供給されるようになっている他、電解質供
給部12からポンプ8bを介して塩酸、アンモニア水、
炭酸水などの電解質が供給されるようになっており、こ
こで生成された電解活性水はポンプ8a、バルブ9bを
介してリンス槽5へ供給されるようになっている。この
リンス槽5へ電解活性水を供給する配管内にはpHメー
タ7bが配置されている。なお、電解活性水を使用した
ウェット処理装置およびウェット処理方法については特
願平5−105991において既に報告されているた
め、電解活性水を半導体素子製造に使用する場合の特性
および電解活性水生成装置の詳細についてはここでは省
略する。
例のウェハウェット処理方法について説明する。この実
施例においても、第1の実施例と同様に、アルミニウム
膜の上にシリコン酸化膜が成膜されており、そのシリコ
ン酸化膜をフォトレジストをマスクとしてパターニング
を行った後にフォトレジストを除去するための処理を行
うものとする。
4に浸漬しここでの処理を行うまでは第1の実施例の場
合と同様なので、ここまでの説明は省略する。所望の時
間のイソプロピルアルコールによる処理が終了した後
に、ウェハ1を電解活性水生成装置でpHが5に調整さ
れた電解活性水が充填されているリンス槽5に浸漬す
る。この電解活性水処理により、ウェハ1のビアホール
内に残留していた有機アルカリ溶液4が中和される。そ
して一定時間の電解活性水による処理が終了した後に、
リンス槽5内の電解活性水を純水に置換する。そして、
所望の時間ウェハ1をリンスし、ウェハをリンス槽5か
ら引き上げた後、乾燥を行うことによって一連の作業が
終了する。
去処理ではビアホール内に残留している有機アルカリの
中和をアルミニウムを腐食しない電解活性水で行ってい
るため、ウェハを電解活性水に浸透してから純水に置換
するまでの時間を厳密に管理する必要がなく、またウェ
ハ上のパターン形状によって中和処理の時間を変える必
要がないため、処理時間のミスによる歩留りの低下を防
止できる。また、電解活性水は廃液処理において特別な
廃液処理装置を設ける必要がないため、半導体製造ライ
ンの建設コストを抑える上においても有効である。
は、有機アルカリを使用したフォトレジスト除去のため
のウェット処理において、Al配線のエッチングを抑え
られるため、従来のウェット処理方法に比べビアホール
内での配線接続抵抗の増加もしくは断線の発生を顕著に
少なくすることができる。図3は、図8(c)に示す構
造の配線を本発明の第1の実施例と第2の実施例によっ
て形成し、1000個のビアホールの配線を直列に接続
したものの抵抗値の測定結果を従来例による場合ととも
に示した図表である。
施例を説明するためのウェハのウェット処理装置の構成
図である。第1の実施例では、リンス槽5には酸性溶液
調合槽6において調合された希塩酸溶液が充填されてい
たが、この第3の実施例では、酸性溶液調合槽6にて調
合された炭酸水が充填されている。また、バルブ9cを
介して純水が供給される純水リンス槽5aが別に設けら
れており、リンス槽5での純水による置換を行わなくて
も済むようになされている。リンス槽5内にはpHメー
タ7bが、またリンス槽5から廃液を除去する配管内に
はpHメータ7cが配置されており、ここでpHを監視
し、その値を所望の値に調整するために、図示されない
制御装置により酸性溶液調合槽6内の炭酸水のpHやポ
ンプ8aによる炭酸水の供給量が調整されるようになっ
ている。
例のウェハウェット処理方法について説明する。この実
施例においても、第1の実施例と同様に、アルミニウム
膜の上にシリコン酸化膜が成膜されており、そのシリコ
ン酸化膜をフォトレジストをマスクとしてパターニング
を行った後にフォトレジストを除去するための処理を行
うものとする。また、ウェハ1をイソプロピルアルコー
ル処理槽4に浸漬しここでの処理を行うまでは第1の実
施例の場合と同様なので、ここまでの説明は省略する。
所望の時間のイソプロピルアルコールによる処理が終了
した後に、ウェハ1を、pHが4〜4.5に調整された
炭酸水が充填されているリンス槽5に浸漬する。このリ
ンス槽5内にウェハが浸漬されると、ウェハ1のビアホ
ール内に残留していた有機アルカリ溶液が直ちに中和さ
れる。この反応によりリンス槽5内の溶液のpHは上昇
するがこのpHはpHメータ7b、7cにより検知さ
れ、図示されない制御装置が直ちにポンプ8aを操作し
てリンス槽5内の溶液のpHを下げる。
に弱酸で処理する場合、ビアホール内のAl配線がリン
ス槽内の処理によって腐食されないようにするために
は、リンス槽5内のpHを4〜9の範囲内に維持する必
要がある。図5に、イソプロピルアルコールによる置換
処理後にも有機アルカリ溶液がなお0.1%付着してお
り、これがリンス槽5内に持ち込まれた場合の、リンス
槽内でのpH変化を示す。同図に示されるように、pH
の初期値が6の場合にはウェハが持ち込まれるとpHは
10以上にも上昇する。よって、炭酸水のような弱酸を
用いる場合、初期値を4〜4.5程度に収めることが望
ましい。リンス槽5内での処理が終了した後、ウェハは
純水リンス槽5aに移されここでさらにリンスされる。
本実施例においては、炭酸水がアルミニウムのような金
属膜を腐食することはないので、リンス槽5における処
理時間の厳格な管理は必要ではない。
れない炭酸水タンクより、酸性溶液調合槽6に炭酸水を
供給するように構成していたが、酸性溶液調合槽6を削
除して炭酸水タンクより炭酸水を直接リンス槽5へ供給
するようにしてもよい。また、酸性溶液調合槽6は炭酸
水を供給するのに代え、炭酸ガス(CO2 )を調合槽6
に供給するようにしてもよい。また、炭酸水に代え、C
H3 COOH溶液を用いても同様の効果を得ることがで
きる。
施例を説明するためのウェハのウェット処理装置の構成
図である。先の実施例は処理槽内にウェハを浸漬するも
のであったが、この第4の実施例では、スプレー方式に
より処理が行われる。ウェハ処理チャンバ14内ではウ
ェハ1が回転しながら処理液の散布を受ける。有機アル
カリ溶液タンク15、イソプロピルアルコールタンク1
6、酸性溶液調合槽6には、それぞれ有機アルカリ溶
液、イソプロピルアルコール、炭酸水が充填されてお
り、バルブ9d、9e、9bを操作することにより処理
液をチャンバ14内に散布できるようになっている。酸
性溶液調合槽6には、純水が供給される外、炭酸水タン
ク17より、バルブ9g、ポンプ8c、バルブ9fを介
して炭酸水が供給されるようになっている。ウェハ処理
チャンバ14にはバルブ9i、9j、9kを備えた廃液
管が設けられており、処理液ごとに異なる廃液管が選択
されるようになっている。炭酸水が排除される配管内に
はpHメータ7cが備えられており、その検出値により
制御回路18はポンプ8cを操作するようになってい
る。
例のウェハウェット処理方法について説明する。ウェハ
1をチャンバ14内に搬入し、ウェハを回転しながら、
バルブ9d、9iを開き、有機アルカリ溶液の散布を行
う。所定の時間処理を行ってフォトレジストが剥離され
たら、バルブ9d、9iを閉じ、バルブ9e、9jを開
きイソプロピルアルコールを散布する。所定の時間経過
してイソプロピルアルコールによる置換処理が終了した
ら、バルブ9e、9jを閉じ、バルブ9b、9kを開い
て炭酸水を散布する。このとき、制御回路18はpHメ
ータ7cの検出する廃液のpH値に基づいてポンプ8c
を操作して廃液のpHが4〜9に入るようにする。炭酸
水による処理が終了したら炭酸水タンク17からの炭酸
水の供給を中止し、純水のみによる処理に切り替える。
このとき、バルブ9hをあけて窒素ガスを噴射する。
水を酸性溶液調合槽6に供給するようにしていたが、こ
の方法に代え、炭酸ガスボンベを設け、このボンベから
炭酸ガスを調合槽6に供給してここで炭酸水を調合する
ようにしてもよい。この場合には、ポンプ8cに代えて
MFC(マスフローコントローラ)を用いる。また、炭
酸水に代え、CH3 COOH溶液を用いても同様の効果
を得ることができる。
施例を説明するためのウェハのウェット処理装置の構成
図である。この第5の実施例において用いられるウェッ
ト処理装置では、図6に示した処理装置から酸性溶液調
合槽6および炭酸水タンク17が除去され、純水がバル
ブ9mを介して直接ウェハ処理チャンバ14内に散布さ
れるように構成され、また炭酸ガスがバルブ9n、MF
C19を介してチャンバ14内に噴射されるように構成
されている。
例のウェハウェット処理方法について説明する。第4の
実施例と同様の方法により、有機アルカリ溶液、イソプ
ロピルアルコールによる処理が終了したら、バルブ9n
を開き炭酸ガスをチャンバ6内に供給する。炭酸ガスが
ウェハのビアホール内に充満されるのを待ってバルブ9
mを開き純水を散布する。純水は直ちに酸性化して残留
アルカリ成分を中和するため、純水が強アルカリ化され
ることは回避される。このとき、廃液のpHはpHメー
タ7cにより監視され、制御回路18はMFC19を操
作してpHが4〜9となるように炭酸ガス供給量をコン
トロールする。所定時間炭酸ガスの噴射を行って残留有
機アルカリの中和が終了したら炭酸ガスの供給を中止し
窒素ガスを供給して純水のみによる処理を行う。本実施
例においては、イソプロピルアルコールによる処理の開
始と同時にあるいは処理の途中で炭酸ガスの供給を開始
するようにしてもよい。
発明はこれら実施例に限定されるものではなく特許請求
の範囲に記載された範囲内において適宜の変更が可能な
ものである。また、イソプロピルアルコールによる置換
処理は酸性溶液のみの処理によってAl配線のエッチン
グ等の不都合が回避できる場合には必ずしも行わなくて
もよい。
ハウェット処理方法は、ウェハ上に成膜されたフォトレ
ジストを有機アルカリ系の溶液で除去した後、酸性溶液
を用いてまたは水に溶けて酸性を呈するガスを吹き付け
ながらリンスを行うものであるので、本発明によれば、
フォトレジスト剥離後のアルコールによる置換処理によ
り有機アルカリ溶液を置換し切れなかった場合にも、ウ
ェハ表面に残留している有機アルカリを中和することが
できるので、金属配線等のエッチングを抑制することが
でき配線抵抗の増加もしくは配線の断線の発生を防止す
ることができる。
ト処理装置の構成図。
ト処理装置の構成図。
って形成されたビアホールの配線抵抗の測定値を示す
図。
ト処理装置の構成図。
の初期のpHとその後のpHの推移を示すグラフ。
ト処理装置の構成図。
ト処理装置の構成図。
程順断面図。
成図。
Claims (9)
- 【請求項1】 (1)表面にフォトレジスト膜の形成さ
れた半導体ウェハを有機アルカリ溶液にて処理してフォ
トレジスト膜を剥離する工程と、 (2)酸性溶液、または、水に溶けた際に酸性を呈する
ガスおよび純水でウェハを処理する工程と、 (3)純水にてウェハを処理する工程と、を有すること
を特徴とする半導体ウェハのウェット処理方法。 - 【請求項2】 前記第(1)の工程と前記第(2)の工
程との間に、アルコール系処理液にて処理する工程が付
加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体ウ
ェハのウェット処理方法。 - 【請求項3】 前記アルコール系処理液がイソプロピル
アルコールであることを特徴とする請求項2記載の半導
体ウェハのウェット処理方法。 - 【請求項4】 前記第(3)の工程の処理が、前記第
(2)の工程の行われた処理槽において、酸性溶液を純
水で置換することにことによって行われることを特徴と
する請求項1記載の半導体ウェハのウェット処理方法。 - 【請求項5】 前記酸性溶液が、硫酸、塩酸、硝酸、電
解活性水、炭酸水、酢酸またはそれらの混合液であるこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハのウェット
処理方法。 - 【請求項6】 前記水に溶けて酸性を呈するガスが炭酸
ガスであることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェ
ハのウェット処理方法。 - 【請求項7】 前記第(2)の工程において、水に溶け
た際に酸性を呈するガスおよび純水でウェハを処理する
際には、予めウェハを該ガスに接触させておき、次いで
該ガスおよび純水をウェハにスプレーすることを特徴と
する請求項1記載の半導体ウェハのウェット処理方法。 - 【請求項8】 前記第(2)の工程における酸性溶液
は、初期値のpHが4以上6以下であることを特徴とす
る請求項1記載の半導体ウェハのウェット処理方法。 - 【請求項9】 前記第(2)の工程において、処理槽内
のpHおよび/または処理槽からの廃液のpHを監視
し、その値が4乃至9の範囲に入るように処理槽への原
料液またはガスの供給が調整されることを特徴とする請
求項1記載の半導体ウェハのウェット処理方法。
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---|---|---|---|
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EP97101496A EP0789389A3 (en) | 1996-02-08 | 1997-01-30 | Method of peeling photo-resist layer without damage to metal wiring |
US08/795,631 US5759751A (en) | 1996-02-08 | 1997-02-06 | Method of peeling photo-resist layer without damage to metal wiring |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000243737A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハのリンス液 |
JP2000243736A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハのリンス方法 |
JP2002162755A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2006073945A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2009010051A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2011183242A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Mitsubishi Heavy Industries Food & Packaging Machinery Co Ltd | 資源並びにエネルギー消費節約の洗壜機およびその使用方法 |
WO2024190118A1 (ja) * | 2023-03-14 | 2024-09-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6030754A (en) * | 1996-02-05 | 2000-02-29 | Texas Instruments Incorporated | Photoresist removal without organic solvent following ashing operation |
US6082373A (en) * | 1996-07-05 | 2000-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method |
EP0846985B1 (en) * | 1996-12-09 | 2001-06-20 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Metal rinsing process with controlled metal microcorrosion reduction |
SG85093A1 (en) * | 1997-03-07 | 2001-12-19 | Chartered Semiconductor Mfg | Apparatus and method for polymer removal after metal etching in a plasma reactor |
KR100287173B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2001-06-01 | 윤종용 | 포토레지스트제거방법및이들을이용한반도체장치의제조방법 |
US6878213B1 (en) * | 1998-12-07 | 2005-04-12 | Scp Global Technologies, Inc. | Process and system for rinsing of semiconductor substrates |
DE19901002B4 (de) * | 1999-01-13 | 2005-09-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht |
US6457479B1 (en) * | 2001-09-26 | 2002-10-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of metal oxide thin film cleaning |
KR20030082767A (ko) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | 주식회사 덕성 | 수용액에서의 전해질의 전기전도도가 높은 물질을 이용한레지스트 박리액 조성물 |
KR20060030111A (ko) | 2003-07-11 | 2006-04-07 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 반도체 장치 제조 방법 및 장치 |
US7491359B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-02-17 | Graham Packaging Pet Technologies Inc. | Delamination-resistant multilayer container, preform, article and method of manufacture |
US7614410B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-11-10 | Hydrite Chemical Co. | Chemical concentration controller and recorder |
US20110197920A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-18 | Andy Kenowski | Monitoring and Recording Device for Clean-In-Place System |
JP2012109290A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Kurita Water Ind Ltd | シリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59168446A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Nec Corp | 洗浄方法 |
JPS62210467A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Hoya Corp | レジスト塗布方法 |
US4714517A (en) * | 1986-05-08 | 1987-12-22 | National Semiconductor Corporation | Copper cleaning and passivating for tape automated bonding |
US5175124A (en) * | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
KR100235937B1 (ko) * | 1992-03-31 | 1999-12-15 | 김영환 | 반도체소자 제조공정의 비아 콘택형성방법 |
US5308745A (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-03 | J. T. Baker Inc. | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins |
JPH06184595A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Nitto Chem Ind Co Ltd | レジスト剥離工程用洗浄剤 |
DE69306542T2 (de) * | 1993-01-08 | 1997-05-15 | Nippon Electric Co | Verfahren und Vorrichtung zur Nassbehandlung von festen Oberflächen |
JP2859081B2 (ja) * | 1993-01-08 | 1999-02-17 | 日本電気株式会社 | ウェット処理方法及び処理装置 |
US5336371A (en) * | 1993-03-18 | 1994-08-09 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow |
US5911836A (en) * | 1996-02-05 | 1999-06-15 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device |
EP0846985B1 (en) * | 1996-12-09 | 2001-06-20 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Metal rinsing process with controlled metal microcorrosion reduction |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP8022299A patent/JP2836562B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-30 EP EP97101496A patent/EP0789389A3/en not_active Withdrawn
- 1997-02-06 KR KR1019970003818A patent/KR100222806B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-02-06 US US08/795,631 patent/US5759751A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000243737A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハのリンス液 |
JP2000243736A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハのリンス方法 |
JP2002162755A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2006073945A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4484639B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2010-06-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2009010051A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2011183242A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Mitsubishi Heavy Industries Food & Packaging Machinery Co Ltd | 資源並びにエネルギー消費節約の洗壜機およびその使用方法 |
WO2024190118A1 (ja) * | 2023-03-14 | 2024-09-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2836562B2 (ja) | 1998-12-14 |
KR970063425A (ko) | 1997-09-12 |
KR100222806B1 (ko) | 1999-10-01 |
US5759751A (en) | 1998-06-02 |
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