JP2000243737A - 半導体ウェーハのリンス液 - Google Patents
半導体ウェーハのリンス液Info
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- JP2000243737A JP2000243737A JP11039877A JP3987799A JP2000243737A JP 2000243737 A JP2000243737 A JP 2000243737A JP 11039877 A JP11039877 A JP 11039877A JP 3987799 A JP3987799 A JP 3987799A JP 2000243737 A JP2000243737 A JP 2000243737A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリエッチング後のリンスでの超純水の
使用量を低減し、コスト面での大幅な改善を図る。リン
スに要する時間を短縮する。 【解決手段】 例えばクエン酸とクエン酸三カリウムと
の混合液（モル比１：１）の液槽にアルカリエッチング
直後のシリコンウェーハを１分間浸漬する。次いで、こ
のシリコンウェーハを超純水の流水槽に２分間浸漬し、
例えばオーバフローリンスする。リンスされたシリコン
ウェーハは、乾燥後、裏面ゲッタリング処理工程などに
供される。緩衝作用を持つ上記混合液にシリコンウェー
ハを浸漬すると、その後シリコンウェーハを超純水に浸
漬させても、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に
保てる。超純水のｐＨ値が一定に保たれる結果、ＱＤＲ
では超純水使用量が削減され、ＯＲではリンス時間が短
縮される。上記弱酸とその塩との混合比がモル比で１：
０．３３３〜３．０００である。
使用量を低減し、コスト面での大幅な改善を図る。リン
スに要する時間を短縮する。 【解決手段】 例えばクエン酸とクエン酸三カリウムと
の混合液（モル比１：１）の液槽にアルカリエッチング
直後のシリコンウェーハを１分間浸漬する。次いで、こ
のシリコンウェーハを超純水の流水槽に２分間浸漬し、
例えばオーバフローリンスする。リンスされたシリコン
ウェーハは、乾燥後、裏面ゲッタリング処理工程などに
供される。緩衝作用を持つ上記混合液にシリコンウェー
ハを浸漬すると、その後シリコンウェーハを超純水に浸
漬させても、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に
保てる。超純水のｐＨ値が一定に保たれる結果、ＱＤＲ
では超純水使用量が削減され、ＯＲではリンス時間が短
縮される。上記弱酸とその塩との混合比がモル比で１：
０．３３３〜３．０００である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
リンス液、例えばアルカリエッチング後のシリコンウェ
ーハのリンス液として使用される半導体ウェーハのリン
ス液に関する。
リンス液、例えばアルカリエッチング後のシリコンウェ
ーハのリンス液として使用される半導体ウェーハのリン
ス液に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハの製造工程において
は、アルカリ液によるエッチングが施されることがあ
る。例えば、ウェーハ加工でのラップ工程での加工歪み
を除去するエッチング、誘電体分離ウェーハのＶ溝を形
成するためのエッチングなどである。そして、このアル
カリエッチング後の半導体ウェーハは、従来、超純水を
使用してリンスされている。リンス方式としては、例え
ばオーバーフローリンスＯＲ、クイックダンプリンスＱ
ＤＲなどがある。前者は超純水の流水槽中に所定時間浸
漬するものである。後者は、ウェーハを装入した槽中に
超純水を充たし一時に排出することを繰り返すものであ
る。
は、アルカリ液によるエッチングが施されることがあ
る。例えば、ウェーハ加工でのラップ工程での加工歪み
を除去するエッチング、誘電体分離ウェーハのＶ溝を形
成するためのエッチングなどである。そして、このアル
カリエッチング後の半導体ウェーハは、従来、超純水を
使用してリンスされている。リンス方式としては、例え
ばオーバーフローリンスＯＲ、クイックダンプリンスＱ
ＤＲなどがある。前者は超純水の流水槽中に所定時間浸
漬するものである。後者は、ウェーハを装入した槽中に
超純水を充たし一時に排出することを繰り返すものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このア
ルカリエッチングで使用されるエッチング液はｐＨが高
い強アルカリ性であるため、微量のエッチング液が超純
水中に溶解すると、超純水のｐＨ値を高めてしまう。そ
の結果、超純水を使用したオーバフローリンスでのリン
ス時間が長くなっていた。または、超純水ＱＤＲでの繰
り返し回数が増えていた。よって、多量の超純水を必要
とし、コスト高となっていた。
ルカリエッチングで使用されるエッチング液はｐＨが高
い強アルカリ性であるため、微量のエッチング液が超純
水中に溶解すると、超純水のｐＨ値を高めてしまう。そ
の結果、超純水を使用したオーバフローリンスでのリン
ス時間が長くなっていた。または、超純水ＱＤＲでの繰
り返し回数が増えていた。よって、多量の超純水を必要
とし、コスト高となっていた。
【０００４】そこで、発明者らは、鋭意研究の結果、強
アルカリエッチング液の緩衝液として、弱酸とその弱酸
塩との混合液が有効であることを知見し、この発明を完
成させた。
アルカリエッチング液の緩衝液として、弱酸とその弱酸
塩との混合液が有効であることを知見し、この発明を完
成させた。
【０００５】
【発明の目的】そこで、この発明の目的は、超純水の使
用量を低減し、コスト面での大幅な改善を図ることであ
る。また、この発明の他の目的は、超純水によるリンス
時間を短縮することである。
用量を低減し、コスト面での大幅な改善を図ることであ
る。また、この発明の他の目的は、超純水によるリンス
時間を短縮することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、アルカリエッチング後の半導体ウェーハのリンスに
用いられる半導体ウェーハのリンス液が、弱酸とその塩
との混合液である半導体ウェーハのリンス液である。
は、アルカリエッチング後の半導体ウェーハのリンスに
用いられる半導体ウェーハのリンス液が、弱酸とその塩
との混合液である半導体ウェーハのリンス液である。
【０００７】請求項２に記載の発明は、上記弱酸が、フ
ッ化水素酸、炭酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、サル
チル酸、蟻酸、プロピオン酸、酪酸、アクリル酸、マロ
ン酸、リンゴ酸、グリコール酸、ピメリン酸、および、
フマル酸よりなる群から選択された１種または２種以上
である請求項１に記載の半導体ウェーハのリンス液であ
る。
ッ化水素酸、炭酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、サル
チル酸、蟻酸、プロピオン酸、酪酸、アクリル酸、マロ
ン酸、リンゴ酸、グリコール酸、ピメリン酸、および、
フマル酸よりなる群から選択された１種または２種以上
である請求項１に記載の半導体ウェーハのリンス液であ
る。
【０００８】請求項３に記載の発明は、上記弱酸とその
塩との混合比がモル比で１：０．３３３〜３．０００で
ある請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハの
リンス液である。
塩との混合比がモル比で１：０．３３３〜３．０００で
ある請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハの
リンス液である。
【０００９】
【作用】請求項１〜請求項３に記載の発明では、アルカ
リエッチング後の半導体ウェーハをリンス液に浸漬また
は接触させると、この半導体ウェーハの表面に残ったア
ルカリ成分はリンス液の作用を受けて中和される。その
後、この半導体ウェーハを超純水の流水中に浸漬してリ
ンスする。例えばオーバフローリンスＯＲまたはＱＤＲ
方式による。この結果、リンスに使用する超純水の量を
従来に比して削減することができる。また、超純水リン
スの時間を従来比で大幅に短くすることができる。この
場合、超純水としては、例えば比抵抗値で１８ＭΩ・ｃ
ｍ以上のものを使用する。
リエッチング後の半導体ウェーハをリンス液に浸漬また
は接触させると、この半導体ウェーハの表面に残ったア
ルカリ成分はリンス液の作用を受けて中和される。その
後、この半導体ウェーハを超純水の流水中に浸漬してリ
ンスする。例えばオーバフローリンスＯＲまたはＱＤＲ
方式による。この結果、リンスに使用する超純水の量を
従来に比して削減することができる。また、超純水リン
スの時間を従来比で大幅に短くすることができる。この
場合、超純水としては、例えば比抵抗値で１８ＭΩ・ｃ
ｍ以上のものを使用する。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明にあっては、例えばシリ
コンウェーハのアルカリエッチング工程後のリンス工程
にあって、リンス液として、まず、この発明に係る緩衝
液を使用し、次いで、超純水を使用する。例えば緩衝液
の液槽にエッチング直後のシリコンウェーハ（複数枚の
ウェーハを一括して）を所定時間（例えば１分間）浸漬
する。次いで、これらのシリコンウェーハを一括して超
純水の流水による水槽に所定時間（例えば２分間）浸漬
するＯＲ。または、超純水を使用してＱＤＲを施す。こ
のクイックダンプリンスは複数回施すことができる。こ
のようにしてリンスされたシリコンウェーハは、乾燥さ
れた後、次工程、例えば裏面ゲッタリング処理工程など
に供される。なお、強アルカリによるエッチング液は、
例えば１０〜１２０℃、ＫＯＨ５０重量％以下のエッチ
ング液が使用される。この緩衝液として、この発明にあ
っては、弱酸とその弱酸塩との混合液を使用する。緩衝
作用を持つ溶液にシリコンウェーハを浸漬または接触さ
せることにより、シリコンウェーハを超純水に浸漬して
も、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に保つこと
ができる。超純水のｐＨ値が一定に保たれている結果、
超純水でのリンス時間を短縮することが可能となる。ま
たは、使用する超純水の量が大幅に削減されるものであ
る。具体的には、フッ化水素酸、炭酸、シュウ酸、クエ
ン酸、酒石酸、サルチル酸、蟻酸、プロピオン酸、酪
酸、アクリル酸、マロン酸、リンゴ酸、グリコール酸、
ピメリン酸、および、フマル酸よりなる群から選択され
た１種または２種以上の弱酸と、その塩とを使用する。
特に、クエン酸とクエン酸三カリウムとの混合液、酒石
酸と酒石酸カリウムとのそれ、フッ酸とフッ化カリウム
のそれが用いられて好適である。ただし、フッ酸とフッ
化カリウムとの混合液ではテフロン（登録商標）製の液
槽を使用する。また、上記弱酸とその塩との混合比はモ
ル比で１：０．３３３〜３．０００であるものとする。
弱酸１に対してモル比で弱酸塩が０．３３３未満では、
緩衝作用が小さいからである。弱酸１に対して弱酸塩が
３．０００を越えても、緩衝作用が小さいからである。
特に好ましい範囲は、弱酸１に対して弱酸塩が０．５〜
２．０の範囲である。さらに、混合する弱酸の濃度は、
例えば０．０５〜０．２ｍｏｌ／ｌのものを使用する。
コンウェーハのアルカリエッチング工程後のリンス工程
にあって、リンス液として、まず、この発明に係る緩衝
液を使用し、次いで、超純水を使用する。例えば緩衝液
の液槽にエッチング直後のシリコンウェーハ（複数枚の
ウェーハを一括して）を所定時間（例えば１分間）浸漬
する。次いで、これらのシリコンウェーハを一括して超
純水の流水による水槽に所定時間（例えば２分間）浸漬
するＯＲ。または、超純水を使用してＱＤＲを施す。こ
のクイックダンプリンスは複数回施すことができる。こ
のようにしてリンスされたシリコンウェーハは、乾燥さ
れた後、次工程、例えば裏面ゲッタリング処理工程など
に供される。なお、強アルカリによるエッチング液は、
例えば１０〜１２０℃、ＫＯＨ５０重量％以下のエッチ
ング液が使用される。この緩衝液として、この発明にあ
っては、弱酸とその弱酸塩との混合液を使用する。緩衝
作用を持つ溶液にシリコンウェーハを浸漬または接触さ
せることにより、シリコンウェーハを超純水に浸漬して
も、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に保つこと
ができる。超純水のｐＨ値が一定に保たれている結果、
超純水でのリンス時間を短縮することが可能となる。ま
たは、使用する超純水の量が大幅に削減されるものであ
る。具体的には、フッ化水素酸、炭酸、シュウ酸、クエ
ン酸、酒石酸、サルチル酸、蟻酸、プロピオン酸、酪
酸、アクリル酸、マロン酸、リンゴ酸、グリコール酸、
ピメリン酸、および、フマル酸よりなる群から選択され
た１種または２種以上の弱酸と、その塩とを使用する。
特に、クエン酸とクエン酸三カリウムとの混合液、酒石
酸と酒石酸カリウムとのそれ、フッ酸とフッ化カリウム
のそれが用いられて好適である。ただし、フッ酸とフッ
化カリウムとの混合液ではテフロン（登録商標）製の液
槽を使用する。また、上記弱酸とその塩との混合比はモ
ル比で１：０．３３３〜３．０００であるものとする。
弱酸１に対してモル比で弱酸塩が０．３３３未満では、
緩衝作用が小さいからである。弱酸１に対して弱酸塩が
３．０００を越えても、緩衝作用が小さいからである。
特に好ましい範囲は、弱酸１に対して弱酸塩が０．５〜
２．０の範囲である。さらに、混合する弱酸の濃度は、
例えば０．０５〜０．２ｍｏｌ／ｌのものを使用する。
【００１１】
【実施例】以下この発明に係る半導体ウェーハのリンス
液の一実施例について説明する。リンス液としては、ク
エン酸とクエン酸三カリウムとの混合液を使用する。こ
の混合液２００ｍｌに対して水酸化カリウム溶液ＫＯＨ
を添加し、そのｐＨ値を測定した。その結果を表１に示
す。比較例１は２００ｍｌの純水にＫＯＨ（重量濃度４
８％）を添加した場合である。比較例２はクエン酸：ク
エン酸三カリウムを０．０１：０．２（モル比）の割合
で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合である。実
施例１は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリウムを
０．１：０．１（モル比）の割合で混合した混合液２０
０ｍｌを使用した場合である。実施例２は緩衝液として
クエン酸：クエン酸三カリウムを１：１（モル比）の割
合で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合である。
実施例３は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリウム
を０．１：０．３（モル比）の割合で混合した混合液２
００ｍｌを使用した場合である。
液の一実施例について説明する。リンス液としては、ク
エン酸とクエン酸三カリウムとの混合液を使用する。こ
の混合液２００ｍｌに対して水酸化カリウム溶液ＫＯＨ
を添加し、そのｐＨ値を測定した。その結果を表１に示
す。比較例１は２００ｍｌの純水にＫＯＨ（重量濃度４
８％）を添加した場合である。比較例２はクエン酸：ク
エン酸三カリウムを０．０１：０．２（モル比）の割合
で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合である。実
施例１は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリウムを
０．１：０．１（モル比）の割合で混合した混合液２０
０ｍｌを使用した場合である。実施例２は緩衝液として
クエン酸：クエン酸三カリウムを１：１（モル比）の割
合で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合である。
実施例３は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリウム
を０．１：０．３（モル比）の割合で混合した混合液２
００ｍｌを使用した場合である。
【００１２】
【表１】
【００１３】この結果から明らかなように、緩衝液とし
てクエン酸／クエン酸三カリウムを１：１（モル比）ま
たは１：３で使用した場合、その緩衝作用により、強ア
ルカリを添加してもｐＨ値が変化しない。よって、これ
らの緩衝液をリンス液として使用すると、超純水のｐＨ
値を変えることがなく、超純水の使用量を低減すること
ができる。また、ウェーハの超純水でのリンス時間を大
幅に短くすることができる。
てクエン酸／クエン酸三カリウムを１：１（モル比）ま
たは１：３で使用した場合、その緩衝作用により、強ア
ルカリを添加してもｐＨ値が変化しない。よって、これ
らの緩衝液をリンス液として使用すると、超純水のｐＨ
値を変えることがなく、超純水の使用量を低減すること
ができる。また、ウェーハの超純水でのリンス時間を大
幅に短くすることができる。
【００１４】
【発明の効果】この発明に係るリンス液は、緩衝液とし
て作用するため、アルカリエッチング後の半導体ウェー
ハに対して使用すれば、使用する超純水リンス液のｐＨ
値を高めることがなくなる。よって、超純水リンス液の
使用量を削減することができる。この結果、超純水を無
駄に使用することがなく、コストの削減を果たすことが
できる。また、超純水の廃棄量をも削減することができ
る。さらに、半導体ウェーハの超純水でのリンス時間も
大幅に短縮することが可能となる。
て作用するため、アルカリエッチング後の半導体ウェー
ハに対して使用すれば、使用する超純水リンス液のｐＨ
値を高めることがなくなる。よって、超純水リンス液の
使用量を削減することができる。この結果、超純水を無
駄に使用することがなく、コストの削減を果たすことが
できる。また、超純水の廃棄量をも削減することができ
る。さらに、半導体ウェーハの超純水でのリンス時間も
大幅に短縮することが可能となる。
フロントページの続き (72)発明者 寺澤 昭浩 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4D056 EA01 EA03 5F043 AA01 BB27 DD12 GG01
Claims (3)
- 【請求項１】 アルカリエッチング後の半導体ウェーハ
のリンスに用いられる半導体ウェーハのリンス液が、 弱酸とその塩との混合液である半導体ウェーハのリンス
液。 - 【請求項２】 上記弱酸が、フッ化水素酸、炭酸、シュ
ウ酸、クエン酸、酒石酸、サルチル酸、蟻酸、プロピオ
ン酸、酪酸、アクリル酸、マロン酸、リンゴ酸、グリコ
ール酸、ピメリン酸、および、フマル酸よりなる群から
選択された１種または２種以上である請求項１に記載の
半導体ウェーハのリンス液。 - 【請求項３】 上記弱酸とその塩との混合比がモル比で
１：０．３３３〜３．０００である請求項１または請求
項２に記載の半導体ウェーハのリンス液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039877A JP2000243737A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 半導体ウェーハのリンス液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039877A JP2000243737A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 半導体ウェーハのリンス液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243737A true JP2000243737A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12565225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11039877A Pending JP2000243737A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 半導体ウェーハのリンス液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243737A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172720A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05291234A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | シリコン基板への溝の形成方法 |
| JPH0848996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
| JPH09219385A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Nec Corp | 半導体ウェハのウェット処理方法 |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP11039877A patent/JP2000243737A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172720A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05291234A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | シリコン基板への溝の形成方法 |
| JPH0848996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
| JPH09219385A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Nec Corp | 半導体ウェハのウェット処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050311 |