JP2000243736A - 半導体ウェーハのリンス方法 - Google Patents
半導体ウェーハのリンス方法Info
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- JP2000243736A JP2000243736A JP11039878A JP3987899A JP2000243736A JP 2000243736 A JP2000243736 A JP 2000243736A JP 11039878 A JP11039878 A JP 11039878A JP 3987899 A JP3987899 A JP 3987899A JP 2000243736 A JP2000243736 A JP 2000243736A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリエッチング後のリンスで使用する超
純水量を低減し、コスト面での大幅な改善を図る。リン
スに要する時間を短縮する。 【解決手段】 クエン酸とクエン酸三カリウムとの混合
液（モル比１：１）の液槽にアルカリエッチング直後の
シリコンウェーハを１分間浸漬する。そして、このシリ
コンウェーハを超純水の流水槽に２分間浸漬し、例えば
オーバフローリンスする。リンスされたシリコンウェー
ハは、乾燥後、裏面ゲッタリング処理工程などに供され
る。緩衝作用を持つ溶液にシリコンウェーハを浸漬させ
ると、その後シリコンウェーハを超純水に浸漬させて
も、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に保つこと
ができる。ｐＨ値が一定に保たれる結果、ＱＤＲでは超
純水使用量が削減される。ＯＲではリンス時間が短縮さ
れる。
純水量を低減し、コスト面での大幅な改善を図る。リン
スに要する時間を短縮する。 【解決手段】 クエン酸とクエン酸三カリウムとの混合
液（モル比１：１）の液槽にアルカリエッチング直後の
シリコンウェーハを１分間浸漬する。そして、このシリ
コンウェーハを超純水の流水槽に２分間浸漬し、例えば
オーバフローリンスする。リンスされたシリコンウェー
ハは、乾燥後、裏面ゲッタリング処理工程などに供され
る。緩衝作用を持つ溶液にシリコンウェーハを浸漬させ
ると、その後シリコンウェーハを超純水に浸漬させて
も、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に保つこと
ができる。ｐＨ値が一定に保たれる結果、ＱＤＲでは超
純水使用量が削減される。ＯＲではリンス時間が短縮さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
リンス方法、例えばアルカリエッチング後のシリコンウ
ェーハのリンス方法に関する。
リンス方法、例えばアルカリエッチング後のシリコンウ
ェーハのリンス方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハの製造工程において
は、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどのアルカリ液によるエッチン
グが施されることがある。例えば、ウェーハ加工でのラ
ップ工程での加工歪みを除去するエッチング、誘電体分
離ウェーハのＶ溝を形成するためのエッチングなどであ
る。そして、このアルカリエッチング後の半導体ウェー
ハは、従来、超純水を使用してリンスされている。例え
ば超純水で満たした流水槽中に所定時間浸漬したり（オ
ーバフローリンスＯＲ）、超純水の槽中に浸漬し、槽中
の超純水を一時に排出することを複数回繰り返すもので
ある（クイックダンプリンスＱＤＲ）。
は、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどのアルカリ液によるエッチン
グが施されることがある。例えば、ウェーハ加工でのラ
ップ工程での加工歪みを除去するエッチング、誘電体分
離ウェーハのＶ溝を形成するためのエッチングなどであ
る。そして、このアルカリエッチング後の半導体ウェー
ハは、従来、超純水を使用してリンスされている。例え
ば超純水で満たした流水槽中に所定時間浸漬したり（オ
ーバフローリンスＯＲ）、超純水の槽中に浸漬し、槽中
の超純水を一時に排出することを複数回繰り返すもので
ある（クイックダンプリンスＱＤＲ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このア
ルカリエッチングで使用されるエッチング液はｐＨが高
い強アルカリ性であるため、微量のエッチング液が超純
水中に溶解すると、超純水のｐＨ値を高めてしまう。そ
の結果、オーバフローリンスでは超純水への浸漬（接
触）時間が長くなっていた。また、ＱＤＲでは繰り返し
回数が増加してしまっていた。よって、多量の超純水が
必要となり、コスト高となっていた。これは、半導体ウ
ェーハが大口径化するほど顕著である。
ルカリエッチングで使用されるエッチング液はｐＨが高
い強アルカリ性であるため、微量のエッチング液が超純
水中に溶解すると、超純水のｐＨ値を高めてしまう。そ
の結果、オーバフローリンスでは超純水への浸漬（接
触）時間が長くなっていた。また、ＱＤＲでは繰り返し
回数が増加してしまっていた。よって、多量の超純水が
必要となり、コスト高となっていた。これは、半導体ウ
ェーハが大口径化するほど顕著である。
【０００４】そこで、発明者らは、鋭意研究の結果、強
アルカリエッチング液の緩衝液として、弱酸とその弱酸
塩とを所定割合で混合した混合液が有効であることを知
見し、この発明を完成させた。
アルカリエッチング液の緩衝液として、弱酸とその弱酸
塩とを所定割合で混合した混合液が有効であることを知
見し、この発明を完成させた。
【０００５】
【発明の目的】そこで、この発明の目的は、アルカリエ
ッチング後のリンスで使用する超純水量を低減し、コス
ト面での大幅な改善を図ることである。また、この発明
の他の目的は、そのリンスに要する時間を短縮すること
ができるリンス方法を提供することである。
ッチング後のリンスで使用する超純水量を低減し、コス
ト面での大幅な改善を図ることである。また、この発明
の他の目的は、そのリンスに要する時間を短縮すること
ができるリンス方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、アルカリ液によるエッチングが施された半導体ウェ
ーハをリンスする半導体ウェーハのリンス方法であっ
て、弱酸とその塩との混合液を用いてアルカリエッチン
グ直後の半導体ウェーハをリンスし、その後、この半導
体ウェーハを超純水を用いてリンスする半導体ウェーハ
のリンス方法である。この場合、超純水としては、例え
ば比抵抗値で１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用する。
は、アルカリ液によるエッチングが施された半導体ウェ
ーハをリンスする半導体ウェーハのリンス方法であっ
て、弱酸とその塩との混合液を用いてアルカリエッチン
グ直後の半導体ウェーハをリンスし、その後、この半導
体ウェーハを超純水を用いてリンスする半導体ウェーハ
のリンス方法である。この場合、超純水としては、例え
ば比抵抗値で１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用する。
【０００７】請求項２に記載の発明は、上記弱酸が、フ
ッ化水素酸、炭酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、サル
チル酸、蟻酸、プロピオン酸、酪酸、アクリル酸、マロ
ン酸、リンゴ酸、グリコール酸、ピメリン酸、および、
フマル酸よりなる群から選択された１種または２種以上
である請求項１に記載の半導体ウェーハのリンス方法で
ある。
ッ化水素酸、炭酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、サル
チル酸、蟻酸、プロピオン酸、酪酸、アクリル酸、マロ
ン酸、リンゴ酸、グリコール酸、ピメリン酸、および、
フマル酸よりなる群から選択された１種または２種以上
である請求項１に記載の半導体ウェーハのリンス方法で
ある。
【０００８】請求項３に記載の発明は、上記弱酸とその
塩との混合比がモル比で１：０．３３３〜３．０００で
ある請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハの
リンス方法である。
塩との混合比がモル比で１：０．３３３〜３．０００で
ある請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハの
リンス方法である。
【０００９】
【作用】請求項１〜請求項３に記載の発明では、アルカ
リエッチング後の半導体ウェーハを弱酸とその塩との混
合液であるリンス液に浸漬する。この結果、この半導体
ウェーハの表面に残ったアルカリ成分はリンス液の作用
を受けて中和される。その後、この半導体ウェーハを超
純水を用いてリンスする。この結果、半導体ウェーハは
表面からアルカリ成分が除去される。そして、半導体ウ
ェーハは次工程に付与される。このような方法によれ
ば、リンスに使用する超純水の性状、特にｐＨ値を大き
く変えることがない。よって、ＱＤＲでは超純水の使用
量を低減することができる。また、ＯＲでは超純水リン
ス時間を大幅に短縮することもできる。
リエッチング後の半導体ウェーハを弱酸とその塩との混
合液であるリンス液に浸漬する。この結果、この半導体
ウェーハの表面に残ったアルカリ成分はリンス液の作用
を受けて中和される。その後、この半導体ウェーハを超
純水を用いてリンスする。この結果、半導体ウェーハは
表面からアルカリ成分が除去される。そして、半導体ウ
ェーハは次工程に付与される。このような方法によれ
ば、リンスに使用する超純水の性状、特にｐＨ値を大き
く変えることがない。よって、ＱＤＲでは超純水の使用
量を低減することができる。また、ＯＲでは超純水リン
ス時間を大幅に短縮することもできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明にあっては、例えばシリ
コンウェーハのアルカリエッチング工程後のリンス工程
にあって、リンス液として、まず、緩衝液（混合液）を
使用し、次いで、超純水を使用する。例えば緩衝液の液
槽にアルカリエッチング直後のシリコンウェーハ（複数
枚のウェーハを一括して）を所定時間（例えば１分間）
浸漬する。次いで、ＯＲではこれらのシリコンウェーハ
を一括して超純水の流水槽に所定時間（例えば２分間）
浸漬する。または、ＱＤＲを複数回施す。このようにし
てリンスされたシリコンウェーハは、乾燥された後、次
工程、例えば裏面ゲッタリング処理工程などに供され
る。なお、強アルカリによるエッチング液は、例えば１
０〜１２０℃、ＫＯＨ５０重量％以下のエッチング液が
使用される。この緩衝液として、この発明にあっては、
弱酸とその弱酸塩との混合液を使用する。緩衝作用を持
つ溶液にシリコンウェーハを浸漬させることにより、そ
の後シリコンウェーハを超純水に浸漬または接触させて
も、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に保つこと
ができる。超純水のｐＨ値が一定に保たれる結果、ＱＤ
Ｒでは超純水使用量が削減される。また、ＯＲではリン
ス時間が短縮される。具体的には、フッ化水素酸、炭
酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、サルチル酸、蟻酸、
プロピオン酸、酪酸、アクリル酸、マロン酸、リンゴ
酸、グリコール酸、ピメリン酸、および、フマル酸より
なる群から選択された１種または２種以上の弱酸と、そ
の塩との混合液を緩衝液としてを使用する。特に、クエ
ン酸とクエン酸三カリウムとの混合液、酒石酸と酒石酸
カリウムとのそれ、フッ酸とフッ化カリウムの混合液
が、リンス液として好適である。ただし、フッ酸とフッ
化カリウムとの混合液ではテフロン製の液槽を使用す
る。また、混合液にあって、上記弱酸とその塩との混合
比はモル比で１：０．３３３〜３．０００であるものと
する。弱酸１に対してモル比でその弱酸塩が０．３３３
未満では、緩衝作用が小さいからである。弱酸１に対し
てその弱酸塩が３．０００を越えても、緩衝作用が小さ
いからである。特に好ましい範囲は、弱酸１に対してそ
の弱酸塩が０．５〜２．０の範囲である。さらに、混合
する弱酸の濃度は、例えば０．０５〜０．３ｍｏｌ／ｌ
のものを使用する。
コンウェーハのアルカリエッチング工程後のリンス工程
にあって、リンス液として、まず、緩衝液（混合液）を
使用し、次いで、超純水を使用する。例えば緩衝液の液
槽にアルカリエッチング直後のシリコンウェーハ（複数
枚のウェーハを一括して）を所定時間（例えば１分間）
浸漬する。次いで、ＯＲではこれらのシリコンウェーハ
を一括して超純水の流水槽に所定時間（例えば２分間）
浸漬する。または、ＱＤＲを複数回施す。このようにし
てリンスされたシリコンウェーハは、乾燥された後、次
工程、例えば裏面ゲッタリング処理工程などに供され
る。なお、強アルカリによるエッチング液は、例えば１
０〜１２０℃、ＫＯＨ５０重量％以下のエッチング液が
使用される。この緩衝液として、この発明にあっては、
弱酸とその弱酸塩との混合液を使用する。緩衝作用を持
つ溶液にシリコンウェーハを浸漬させることにより、そ
の後シリコンウェーハを超純水に浸漬または接触させて
も、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に保つこと
ができる。超純水のｐＨ値が一定に保たれる結果、ＱＤ
Ｒでは超純水使用量が削減される。また、ＯＲではリン
ス時間が短縮される。具体的には、フッ化水素酸、炭
酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、サルチル酸、蟻酸、
プロピオン酸、酪酸、アクリル酸、マロン酸、リンゴ
酸、グリコール酸、ピメリン酸、および、フマル酸より
なる群から選択された１種または２種以上の弱酸と、そ
の塩との混合液を緩衝液としてを使用する。特に、クエ
ン酸とクエン酸三カリウムとの混合液、酒石酸と酒石酸
カリウムとのそれ、フッ酸とフッ化カリウムの混合液
が、リンス液として好適である。ただし、フッ酸とフッ
化カリウムとの混合液ではテフロン製の液槽を使用す
る。また、混合液にあって、上記弱酸とその塩との混合
比はモル比で１：０．３３３〜３．０００であるものと
する。弱酸１に対してモル比でその弱酸塩が０．３３３
未満では、緩衝作用が小さいからである。弱酸１に対し
てその弱酸塩が３．０００を越えても、緩衝作用が小さ
いからである。特に好ましい範囲は、弱酸１に対してそ
の弱酸塩が０．５〜２．０の範囲である。さらに、混合
する弱酸の濃度は、例えば０．０５〜０．３ｍｏｌ／ｌ
のものを使用する。
【００１１】
【実施例】以下この発明に係る半導体ウェーハのリンス
方法の一実施例について説明する。この実施例において
使用するリンス液（緩衝液）としては、クエン酸とクエ
ン酸三カリウムとの混合液を使用する。この混合液２０
０ｍｌに対して水酸化カリウム溶液ＫＯＨを添加し、そ
のｐＨ値を測定した。その結果を表１に示す。これは混
合液における強アルカリに対する緩衝作用を示すもので
ある。比較例１は２００ｍｌの純水にＫＯＨ（重量濃度
４８％）を添加した場合である。比較例２はクエン酸：
クエン酸三カリウムを０．０１：０．２（モル比）の割
合で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合である。
実施例１は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリウム
を０．１：０．１（モル比）の割合で混合した混合液２
００ｍｌを使用した場合である。実施例２は緩衝液とし
てクエン酸：クエン酸三カリウムを１：１（モル比）の
割合で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合であ
る。実施例３は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリ
ウムを０．１：０．３（モル比）の割合で混合した混合
液２００ｍｌを使用した場合である。
方法の一実施例について説明する。この実施例において
使用するリンス液（緩衝液）としては、クエン酸とクエ
ン酸三カリウムとの混合液を使用する。この混合液２０
０ｍｌに対して水酸化カリウム溶液ＫＯＨを添加し、そ
のｐＨ値を測定した。その結果を表１に示す。これは混
合液における強アルカリに対する緩衝作用を示すもので
ある。比較例１は２００ｍｌの純水にＫＯＨ（重量濃度
４８％）を添加した場合である。比較例２はクエン酸：
クエン酸三カリウムを０．０１：０．２（モル比）の割
合で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合である。
実施例１は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリウム
を０．１：０．１（モル比）の割合で混合した混合液２
００ｍｌを使用した場合である。実施例２は緩衝液とし
てクエン酸：クエン酸三カリウムを１：１（モル比）の
割合で混合した混合液２００ｍｌを使用した場合であ
る。実施例３は緩衝液としてクエン酸：クエン酸三カリ
ウムを０．１：０．３（モル比）の割合で混合した混合
液２００ｍｌを使用した場合である。
【００１２】
【表１】
【００１３】この結果から明らかなように、緩衝液とし
てクエン酸／クエン酸三カリウムを１：１（モル比）ま
たは１：３で使用した場合、その緩衝作用により、強ア
ルカリを添加してもｐＨ値がほとんど変化しない。よっ
て、これらの緩衝液をシリコンウェーハのアルカリエッ
チング後のリンス液として使用すると、その後のリンス
での超純水のｐＨ値を変えることがほとんどない。よっ
て、ＯＲではこの超純水でのリンス時間を短縮すること
ができる。または、ＱＤＲではそのダンプ回数を低減す
ることができる。
てクエン酸／クエン酸三カリウムを１：１（モル比）ま
たは１：３で使用した場合、その緩衝作用により、強ア
ルカリを添加してもｐＨ値がほとんど変化しない。よっ
て、これらの緩衝液をシリコンウェーハのアルカリエッ
チング後のリンス液として使用すると、その後のリンス
での超純水のｐＨ値を変えることがほとんどない。よっ
て、ＯＲではこの超純水でのリンス時間を短縮すること
ができる。または、ＱＤＲではそのダンプ回数を低減す
ることができる。
【００１４】
【発明の効果】この発明に係るリンス方法では、アルカ
リエッチング後、緩衝液を使用してリンスするため、そ
の後使用する超純水リンス液のｐＨ値を高めることがな
い。よって、ＯＲでは超純水リンスでのリンス時間を短
縮することができる。この結果、超純水を無駄に使用す
ることがなく、コストの削減を果たすことができる。ま
た、ＱＤＲでは超純水でのダンプ回数を削減することが
できる。よって、超純水の使用量を削減することがで
き、コストを大幅に低減することが可能となる。
リエッチング後、緩衝液を使用してリンスするため、そ
の後使用する超純水リンス液のｐＨ値を高めることがな
い。よって、ＯＲでは超純水リンスでのリンス時間を短
縮することができる。この結果、超純水を無駄に使用す
ることがなく、コストの削減を果たすことができる。ま
た、ＱＤＲでは超純水でのダンプ回数を削減することが
できる。よって、超純水の使用量を削減することがで
き、コストを大幅に低減することが可能となる。
Claims (3)
- 【請求項１】 アルカリ液によるエッチングが施された
半導体ウェーハをリンスする半導体ウェーハのリンス方
法であって、 弱酸とその塩との混合液を用いてアルカリエッチング直
後の半導体ウェーハをリンスし、 その後、この半導体ウェーハを超純水を用いてリンスす
る半導体ウェーハのリンス方法。 - 【請求項２】 上記弱酸が、フッ化水素酸、炭酸、シュ
ウ酸、クエン酸、酒石酸、サルチル酸、蟻酸、プロピオ
ン酸、酪酸、アクリル酸、マロン酸、リンゴ酸、グリコ
ール酸、ピメリン酸、および、フマル酸よりなる群から
選択された１種または２種以上である請求項１に記載の
半導体ウェーハのリンス方法。 - 【請求項３】 上記弱酸とその塩との混合比がモル比で
１：０．３３３〜３．０００である請求項１または請求
項２に記載の半導体ウェーハのリンス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039878A JP2000243736A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 半導体ウェーハのリンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039878A JP2000243736A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 半導体ウェーハのリンス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243736A true JP2000243736A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12565253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11039878A Pending JP2000243736A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 半導体ウェーハのリンス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114210639A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-03-22 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种减少锗晶片表面亮点数量的清洗工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172720A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05291234A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | シリコン基板への溝の形成方法 |
| JPH0848996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
| JPH09219385A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Nec Corp | 半導体ウェハのウェット処理方法 |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP11039878A patent/JP2000243736A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172720A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05291234A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | シリコン基板への溝の形成方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114210639A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-03-22 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种减少锗晶片表面亮点数量的清洗工艺 |
| CN114210639B (zh) * | 2021-11-16 | 2023-02-21 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种减少锗晶片表面亮点数量的清洗工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050311 |