JPH1075031A - セラミック回路基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミック回路基板及びその製造方法Info
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- JPH1075031A JPH1075031A JP24862996A JP24862996A JPH1075031A JP H1075031 A JPH1075031 A JP H1075031A JP 24862996 A JP24862996 A JP 24862996A JP 24862996 A JP24862996 A JP 24862996A JP H1075031 A JPH1075031 A JP H1075031A
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Abstract
精度の高い微小面積の抵抗体被膜を設けたセラミック回
路基板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミックグリーンシート1a上に、導
体ペースト及び抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、焼
成することによりセラミック回路基板を作製するに際
し、所定の抵抗体ペーストの幅と同等の間隔でもって一
対の絶縁体ペーストからなるダム3aを設けた後、その
間に抵抗体ペーストを印刷し、次いで、焼成することに
よりセラミック回路基板を得る。抵抗体ペーストは一対
のダム3aによって幅方向への滲みが抑えられ、寸法精
度の高い抵抗体被膜4が形成される。特に、ダム3aの
厚さを抵抗体塗膜4aのそれより薄く、且つこの抵抗体
塗膜4aの幅との相関において、薄くなりすぎないよう
にすることによって、より効率的に寸法精度の高い抵抗
体被膜4を再現性よく形成することができる。
Description
に導体皮膜及び抵抗体皮膜などが形成されたセラミック
回路基板及びその製造方法に関する。本発明のセラミッ
ク回路基板では、特に断面の寸法精度に優れた抵抗体皮
膜が再現性よく形成される。
それに伴って抵抗体皮膜の寸法も一辺当たりの長さがミ
リ単位のものから数百ミクロン単位へと、小型化の要求
が高まっている。抵抗体皮膜の形成に同時焼成技術を用
いるのも小型化の一手法であり、印刷可能な大きさから
更にセラミックの焼成収縮分だけ収縮して、よりいっそ
うの小型化が可能である。
刷法等によって抵抗体ペーストを印刷する場合、所定の
断面寸法精度でもって微小面積の抵抗体塗膜を形成する
ことはかなり困難である。特に導体塗膜の間に印刷され
る抵抗体ペーストの幅方向(導体塗膜の対向端面と平行
の方向をいう。)への滲み(抵抗体ペーストがセラミッ
クグリーンシート又はセラミック基板の表面において滲
んで広がっていき、抵抗体塗膜の幅が、その上面からセ
ラミックグリーンシート又はセラミック基板との接触面
に向かって広がっていく現象を、以下、滲みという用語
によって表す。)、及びそれによる焼成後の抵抗体皮膜
の断面の寸法精度の低下などが問題となる。
クロンの一対の導体塗膜を連結するように、幅100ミ
クロンの抵抗体ペーストを印刷した場合、セラミックグ
リーンシート又はセラミック基板上の抵抗体塗膜の幅
は、その滲みによって導体塗膜の幅と同じ200ミクロ
ンにまで広がってしまうことがある。そのため、焼成
後、寸法精度の高い抵抗体皮膜を得ることはできない。
り、セラミックグリーンシート上に印刷される抵抗体塗
膜の所定の両端面と、絶縁体ペーストからなる一対のダ
ムの各内側端面とが接触するように、抵抗体塗膜とダム
とを設けることを特徴とする。また、特にセラミックグ
リーンシート上に各ペーストを印刷した後、グリーンシ
ートと同時焼成することによって、より断面の寸法精度
が高く、且つ微小面積の抵抗体皮膜を再現性よく形成す
ることができるセラミック回路基板及びその製造方法を
提供することを目的とする。
路基板は、セラミックグリーンシート1aが焼成されて
なるセラミック基板1と、該セラミック基板1上に一定
の間隔をもって設けられた、導体ペーストからなる一対
の導体塗膜2aが焼成されてなる一対の導体皮膜2と、
該一対の導体皮膜2を連結するように一定の間隔をもっ
て設けられた、絶縁体ペーストからなる絶縁体塗膜によ
り構成される一対のダム3aが焼成されてなる一対の絶
縁体皮膜3と、該一対の絶縁体皮膜3の間に、上記一対
の導体皮膜2を連結するように設けられた、抵抗体ペー
ストからなる抵抗体塗膜4aが焼成されてなる抵抗体皮
膜4と、からなり、上記抵抗体皮膜4の、上記絶縁体皮
膜3側の各端面41は、上記一対の絶縁体皮膜3の各内
側端面31と接触していることを特徴とする。
セラミック基板1と、該セラミック基板1上に一定の間
隔をもって形成された一対の導体皮膜2と、該一対の導
体皮膜2を連結するように一定の間隔をもって設けられ
た一対の絶縁体皮膜3と、該一対の絶縁体皮膜3の間
に、上記一対の導体皮膜2を連結するように設けられた
抵抗体皮膜4と、からなり、該抵抗体皮膜4の、上記絶
縁体皮膜3側の各端面41は、上記一対の絶縁体皮膜3
の各内側端面31と接触していることを特徴とする。
造方法は、セラミックグリーンシート1a上に、一定の
間隔をもって導体ペーストからなる一対の導体塗膜2a
を設け、その後、該一対の導体塗膜2aを連結するよう
に、一定の間隔をもって絶縁体ペーストからなる絶縁体
塗膜により構成される一対のダム3aを設け、次いで、
該一対のダム3aの間に、抵抗体ペーストからなる抵抗
体塗膜4aを、上記一対の導体塗膜2aを連結するよう
に、且つ上記抵抗体塗膜4aの、上記ダム3a側の各端
面41aが、上記ダム3aの各内側端面31aと接触す
るように設け、その後、これらを一体焼成することを特
徴とする。
等によって上記「セラミックグリーンシート」上に厚膜
印刷された上記「抵抗体ペースト」を、同様にして印刷
された上記「導体ペースト」などとともに同時焼成する
ことにより形成される。同時に上記「導体皮膜」も形成
される。また、グリーンシートではなく、焼成後のセラ
ミック基板上に、導体ペースト、抵抗体ペースト及び絶
縁体ペーストを印刷し、焼成する方法であってもよい。
尚、グリーンシートと各ペーストとを同時焼成すれば、
実際の印刷寸法よりも更にセラミックの焼成収縮分だけ
小さい面積の抵抗体皮膜を形成することができる。それ
によって、より微小面積の抵抗体皮膜を有するセラミッ
ク回路基板を再現性よく得ることができる。
え、それを焼成して得られる抵抗体皮膜の幅方向への広
がりを抑制するため、本発明では、抵抗体塗膜の所定の
幅と同じ間隔をもって印刷された上記「絶縁体ペース
ト」により構成される、一対の上記「ダム」を設ける。
このダムによって抵抗体塗膜の幅方向への滲み、即ちグ
リーンシートとの接触面、言い換えれば印刷された抵抗
体塗膜の底面近傍において、抵抗体ペーストがグリーン
シート表面に滲んで広がっていくのが抑えられる。それ
によって底面近傍の広がりが低減された特に断面の寸法
精度の高い抵抗体皮膜を、再現性よく形成することがで
きる。尚、焼成時に抵抗体塗膜が脱落する等の問題を防
止するため、通常、抵抗体塗膜の上面及び露出している
端面の全面を覆うようにガラスセラミックからなるオー
バーコートが設けられる。
膜を連結するように抵抗体ペーストをスクリーン印刷す
るに際し、上記一対のダムを設けた場合(図1)と、設
けない場合(図2)の、抵抗体塗膜の幅方向への滲みの
程度を模式的に表したものである。図1、図2におい
て、1aはセラミックグリーンシート、2aは導体塗
膜、3aは絶縁体塗膜により構成される一対のダム、4
aは抵抗体塗膜、5aはオーバーコート塗膜である。ま
た、図1(a)、図2(a)は平面図(この平面図で
は、オーバーコート塗膜の図示は省略した。)、図1
(b)、図2(b)はA−A断面図、図1(c)、図2
(c)はB−B断面図である。図1(c)により明らか
な通り、ダムを設けた場合は、抵抗体塗膜4aの幅方向
への滲みがほぼ抑えられ、一方、ダムを設けない場合
は、図2(c)のように抵抗体塗膜の幅は上面から底面
へと広がっていく。
ラミック回路基板上における抵抗体皮膜4の状態を表す
ものとして代用することができる。この図1(c)にお
いて、抵抗体皮膜4の幅方向(導体皮膜の対向端面と平
行の方向をいう。)への広がりは、この抵抗体皮膜4の
各端面41に、その各内側端面31が接触して形成され
ている一対の絶縁体皮膜3によって抑えられている。
塗膜の厚さ以下とすることが好ましい。このダムの厚さ
が抵抗体塗膜の厚さを越える場合は、印刷される抵抗体
ペーストの印刷の位置が一対のダムの間において少しで
もずれると、抵抗体ペーストの一端部が片方のダムの上
面に載ってしまうことになる。他方、抵抗体ペーストの
他端部ともう一方のダムの内側面との間には空間が生ず
ることになる。その結果、抵抗体ペーストはその一端部
側から他端部側へと流動し、抵抗体塗膜の断面形状が大
きく変形することになる。更に、その断面形状は抵抗体
ペーストの塗布毎に異なって一定にはならず、所定の断
面形状及び寸法の抵抗体皮膜を形成することができない
ことがあり、抵抗値も一定とはならない。一方、ダムの
厚さが抵抗体塗膜の厚さ以下である場合は、印刷位置に
ずれがあっても抵抗体塗膜の断面形状の変化は小さく、
抵抗値のばらつきも小さい。
抑えるのに必要な厚さ以上に厚くする必要はない。例え
ば抵抗体塗膜の厚さが20μmの場合であれば、ダムの
厚さは10μmもあれば十分に目的は達せられる。本発
明では、このように所要厚さのダムを設けることによ
り、抵抗体ペーストの印刷の位置に多少のずれがあって
も、ダムの段差で却って抵抗体塗膜の断面形状が大きく
変化するようなこともなく、寸法精度に優れた抵抗体皮
膜を形成することができる。そのため、セラミック回路
基板の歩留りも向上する。
いというものではない。十分に滲みを抑える所要の効果
を得るためには、ダムの厚さは、抵抗体塗膜の厚さとの
相関において下限がある。それを特定したのが第3発明
である。第3発明では、抵抗体塗膜の厚さ(tr1)を、
ダムの厚さ(td1)との比(t1 =tr1/td1)が下記
の式で表される範囲内となるようにする〔但し、抵抗体
塗膜の幅(W1 )を0.01〜1.6mmの範囲とす
る。〕。 1.3−0.4ln(W1 )≧t1 ≧1
厚さを抵抗体塗膜の厚さ以下にすることを意味するもの
である。また、抵抗体塗膜の滲みを十分に抑えることが
できるダムの厚さの下限を、抵抗体塗膜の厚さとの相関
において示したのが1.3−0.4ln(W1 )≧t1
なる関係である。このt1 は1.08〜1.8、特に
1.4〜1.8、更には1.6〜1.8とすることが好
ましく、t1 がこの範囲であればより効果的に抵抗体塗
膜の滲みが抑えられる。また、印刷位置のずれによる抵
抗体塗膜の断面形状の変化も抑えられる。尚、上記のダ
ムの厚さ及び抵抗体塗膜の厚さは、対向する一対の導体
塗膜の中間部位のセラミックグリーンシート上において
測定した値である。
さとの関係は、焼成後のセラミック基板における絶縁体
皮膜の厚さと抵抗体皮膜の幅及び厚さにおいても同様で
ある。それを表したのが第6発明であり、t2 ≧1なる
関係は、絶縁体皮膜の厚さを抵抗体皮膜の厚さ以下にす
ることを意味するものである。また、抵抗体皮膜の幅方
向への広がりを十分に抑えることができる絶縁体皮膜の
厚さの下限を、抵抗体皮膜の厚さとの相関において示し
たのが1.3−0.4ln(W2 )≧t2 なる関係であ
る。
t1 =1.3−0.4ln(W1 )なる式に従って、W
1 が0.01〜1.6mmの間において算出したt1 を
縦軸に、W1 を横軸にして、第3発明の範囲を示したも
のである。図3において斜線を施した部分が第3発明の
範囲内であり、それぞれのW1 の値においてt1 がこの
範囲内であれば、ダムは抵抗体塗膜の厚さ以上となるこ
となく、且つ薄すぎることなく、所要の効果を得るに要
する厚さとなる。尚、第6発明におけるt2 とW2 との
関係も、t2 を縦軸に、W2 を横軸にして、この図3と
ほぼ同様に表すことができ、図3におけると同様の斜線
の範囲内において抵抗体皮膜の幅方向への広がりが抑制
されるとの十分な効果が奏される。
ペーストは特に限定はされない。例えばRuO2 とガラ
ス成分とからなるグレーズ抵抗材料は、セラミック基板
上に形成されたAu、Ag、Pdなどを主成分とする導
体皮膜からなる電極間に印刷され、空気雰囲気下、焼成
される。このように酸化雰囲気下で焼成される抵抗体ペ
ーストを使用する場合は、導体ペーストとして酸化され
難い元素を主成分として含有するものを使用する必要が
ある。
る抵抗材料もあり、この場合はCuなどの比較的酸化さ
れ易い元素を含有する導体ペーストを用いることもでき
る。また、Ni、Al等を含有する導体ペーストであっ
ても、酸化雰囲気において焼成することができるものも
ある。しかし、一般的な抵抗材料であるグレーズ抵抗材
料を使用し、空気雰囲気下で焼成するのが、装置、操
作、コスト等において有利であり、導体ペーストとし
て、酸化し難い第4発明の各種の元素を含む導体ペース
トを使用することが好ましい。
場合は滲み易くなり、粘度が高い場合は印刷し難くなる
等の問題があるため、適度な粘度とすることが好まし
い。この粘度は500〜2000ポイズ、特に500〜
1000ポイズ、更には700〜900ポイズ程度とす
ることが好ましく、この範囲であれば滲み難く、且つ印
刷も容易である。尚、オーバーコート用のペーストも特
定はされないが、通常、平均粒径が数μmのホウケイ酸
ガラス(B2 O3 −SiO2 系ガラス)粉末にビヒクル
を配合して調製したものが使用される。また、このオー
バーコート用のペーストには、着色材として適量のCr
2 O3 を添加することが好ましい。
クの材質も特定はされず、アルミナ系、ガラス系等、い
ずれであっても使用することができる。しかし、抵抗体
ペーストとして一般的に使用されるグレーズ抵抗材料を
用いる場合は、ガラスセラミックを使用することが好ま
しい。それによって特に同時焼成において、比較的低温
で焼成することができ、且つセラミック基板と抵抗体皮
膜との接着性に優れたセラミック回路基板を得ることが
できる。更に、本発明の方法によって所要の配線パター
ンを印刷した複数枚のセラミックグリーンシートを積層
した後、同時焼成することにより、セラミック多層回路
基板を作製することもできる。
しく説明する。 実験例1 (1) セラミックグリーンシート1aの作製 セラミック原料粉末としてアルミノホウケイ酸ガラス粉
末とアルミナ粉末を使用して、セラミックグリーンシー
ト1aを作製した。アルミノホウケイ酸ガラス粉末は、
SiO2 ;43%、Al2 O3 ;28%、B2 O3 ;8
%、MgO;8%、CaO;12%及びZrO2 ;1%
の重量比となるように、それぞれの酸化物粉末を秤量
し、混合し、溶融させた後、急冷してカレット状とし、
更に粉砕して50%粒子径(D50)が5μmとなるよう
に調製した。一方、アルミナ粉末としては、市販の低ソ
ーダのα−アルミナ粉末を使用した。このアルミナ粉末
のD50は3μmであった。
ス粉末600gとアルミナ粉末400gを投入した。こ
れに溶剤としてメチルエチルケトンを200g、バイン
ダーとしてメタクリル酸エチル系のアクリル樹脂を10
0g、可塑剤としてジオクチルフタレートを50g及び
分散剤5gを加え、10時間、攪拌し、混合した。この
ようにして調製したセラミックグリーンシート成形用の
スラリーを用いて、ドクターブレード法によって厚さ
0.4mmのセラミックグリーンシート1aを作製し
た。
ーストの調製 以下の金属粉末とガラス組成物を使用して導体塗膜2a
を形成するための導体ペーストを調製した。金属粉末と
しては平均粒径2μmのAu粉末を使用した。また、ガ
ラス組成物としては、平均粒径1μmのホウケイ酸ガラ
ス(B2 O3 −SiO2 系ガラス)粉末を用いた。この
ホウケイ酸ガラス粉末を上記の金属粉末100重量部に
対して3重量部の量比で混合し、これに更にビヒクルと
して、エチルセルロースを20重量%含むブチルカルビ
トールアセテート溶液を、金属粉末100重量部に対し
て20重量部配合して混合し、導体ペーストを調製し
た。
体ペーストの調製 平均粒径0.15μmのRuO2 粉末と上記の導体ペー
ストの調製において用いたと同様のホウケイ酸ガラス粉
末を使用して抵抗体塗膜4aを形成するための抵抗体ペ
ーストを調製した。RuO2 粉末100重量部に対して
ガラス粉末を20重量部混合し、これに更にビヒクルと
して、エチルセルロースを20重量%含むブチルカルビ
トールアセテート溶液を、RuO2 粉末100重量部に
対して20重量部配合して混合し、抵抗体ペーストを調
製した。
ストの調製 平均粒径1μmのホウケイ酸ガラス粉末100重量部
に、ビヒクルとして、エチルセルロースを20重量%含
むブチルカルビトールアセテート溶液20重量部を配合
して混合し、絶縁体ペーストを調製した。
ける各塗膜の形成 図1に示すように、セラミックグリーンシート1a上
に、表1に示すギャップを有する一対の電極を形成する
ための導体ペーストをスクリーン印刷した。これを乾燥
させた後、この導体ペーストからなる一対の導体塗膜2
aを連結するように、表1の抵抗体ペーストの目標印刷
幅(印刷しようとする幅に相当するスクリーン版の幅を
意味する。)の間隔をもって絶縁体ペーストを印刷し、
乾燥させて一対のダム3aを設けた。次いで、このダム
3aの間に抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾燥さ
せた。この印刷されて設けられた抵抗体塗膜4aの幅を
投影機にて計測した。導体塗膜2aの厚さは14μmと
し、また、抵抗体塗膜4aの厚さは12μm、ダム3a
の厚さは8.5μmとした(この場合、t1 =1.4と
なる。)。
個の試験体を作製して、抵抗体塗膜の幅を計測した。計
測結果について、その最大値、最小値及び平均値を表2
に示す。同時に、図2に示すように、ダムを設けなかっ
た以外は同様にして抵抗体ペーストを印刷した場合の抵
抗体塗膜の幅を計測した。同様に結果を表2に示す。ま
た、表2には、最大値のばらつきを表す標準偏差σ及び
ばらつきの規格値(目標印刷幅±10%)に対する工程
能力Cpを併記する。
σで表され、ばらつきの分布幅、即ち±3σが規格値の
幅に対して1.33程度であれば規格に対して能力が十
分であるといえる。また、Cp=1であれば、ばらつき
が規格値の幅と同程度であるということであり、Cpが
1未満では、工程能力は不十分であるといえる。
用した場合の抵抗体塗膜の最大幅のばらつきは、目標印
刷幅にもよるが従来法の13〜38%程度に抑えられる
ことが分かる。また、抵抗体塗膜の目標印刷幅に対する
ばらつきの許容範囲を±10%としたとき、その規格に
対する工程能力Cpは、ダムを設けなかった従来法では
0.13〜0.50であるのに対し、本発明の場合に
は、1.03〜1.32となり、スクリーンマスクの寸
法によって目標値を調整すれば、目標値±10%は達成
できることが分かる。
ラスセラミック基板を使用し、導体塗膜の印刷厚さを1
5μmとした他は、同様にして各ペーストを印刷した。
また、同様にして抵抗体塗膜の幅を計測した。同時に、
ダムを設けなかった以外は同様にして抵抗体ペーストを
印刷した場合の抵抗体塗膜の幅を計測した。これらの結
果について、実験例1の場合と同様に表3に示す。
ック基板を使用した実験例においても、本発明の場合の
抵抗体塗膜の最大幅のばらつきは、ダムを設けなかった
従来法の9〜37%程度に抑えられることが分かる。ま
た、抵抗体塗膜の目標印刷幅に対するばらつきの許容範
囲を±10%としたとき、その規格に対する工程能力C
pは、ダムを設けなかった従来法では0.09〜0.4
8であるのに対し、本発明では、1.05〜1.30と
なり、スクリーンマスクのパターン寸法によって目標値
を調整すれば、目標値±10%は達成できることが分か
る。
プを有する一対の電極を形成することとなる導体ペース
トを印刷し、厚さ10μmの導体塗膜2aとした。その
後、この導体塗膜2aを連結するように絶縁体ペースト
を印刷し、一対のダム3aを設けた。次いで、このダム
3aの間に粘度が約800ポイズの抵抗体ペーストを印
刷した。抵抗体塗膜4aの長さを400μmとし、その
幅を100〜1600μmの間で11点設定した。ま
た、ダム3aの幅は200μmとし、長さは抵抗体塗膜
4aよりやや長くした。更に、ダムの厚さを以下の実験
例3、5及び6のようにし、抵抗体塗膜の厚さを、以下
の実験例3〜6のように設定した。
(W1 )≧t1 ≧1の関係式の範囲内とした。 実験例4;ダムを設けない。 実験例5;t1 ≧1.3−0.4ln(W1 )として、
ダムを所要の効果が得られる下限値よりも薄いものとし
た。 実験例6;t1 <1として、ダムを抵抗体塗膜より厚く
した。 これらの実験例において、実験例1と同様に抵抗体塗膜
の幅を投影機にて計測した。各実験例の各抵抗体塗膜の
幅について、それぞれ10個の試験体を作製し、同様に
σとCpを求めた。結果を表4及び5に示す。
3発明の範囲内、即ち図3の斜線部内である実験例3で
は、Cpは抵抗体塗膜の幅によって1.22〜3.81
の範囲となっており、抵抗体塗膜の滲みが少なく、得ら
れる抵抗体皮膜の寸法精度が高く、微小面積の抵抗体皮
膜を規格のばらつきの範囲内において形成することがで
きる。一方、ダムを設けなかった実験例4では、抵抗体
塗膜の幅が700μm以下において、Cpが1未満とな
り、また、ダムが薄すぎる実験例5(図3において、t
1 =1.3−0.4ln(W1 )て表される線より上の
部分)及びダムが厚すぎる実験例6(図3において、t
1 =1の横線より下の部分)では、抵抗体塗膜の幅が4
00μm以下において、Cpが1未満となり、微小面積
の抵抗体皮膜を規格のばらつきの範囲内で形成できない
ことが分かる。
プを有する一対の電極を形成することとなる導体ペース
トを印刷し、厚さ10μmの導体塗膜2aとした。その
後、この導体塗膜2aを連結するように絶縁体ペースト
を印刷し、一対のダム3aを設けた。この一対のダム3
aの間隔は400μm、それぞれのダムの幅は200μ
m、長さは900μm、厚さは13μmとした。次い
で、この一対のダム3aの間に抵抗体ペーストを印刷し
た。抵抗体塗膜4aの幅は400μm、長さは800μ
m、厚さは20μmとした。
コート用のペーストを塗布した。このオーバーコート用
のペーストとしては、上記の絶縁体ペーストにおいて、
更にCr2 O3 粉末からなる着色材を、ホウケイ酸ガラ
ス粉末100重量部に対して2重量部添加したものを使
用した。その後、これを脱バインダー処理し、焼成して
図1(c)に示すセラミック回路基板を作製した後、そ
の断面を観察し、絶縁体皮膜3と抵抗体皮膜4の厚さを
計測した。その結果、それらの厚さはいずれも焼成前に
対して約20%収縮していたが、厚さの比はダム3aと
抵抗体塗膜4aとの厚さの比1.54とほとんど同じで
あった。尚、絶縁体皮膜の端面31と抵抗体皮膜の端面
41とが接触していることも確認された。
プを有する一対の電極を形成することとなる導体ペース
トを印刷し、厚さ10μmの導体塗膜2aとした。その
後、この導体塗膜2aを連結するように絶縁体ペースト
を印刷し、一対のダム3aを設けた。この一対のダム3
aの間隔は400μm、それぞれのダムの幅は200μ
m、長さは900μm、厚さは13μmとした。次い
で、この一対のダム3aの間に抵抗体ペーストを印刷し
た。抵抗体塗膜4aの幅は400μm、長さは800μ
m、厚さは20μmとした。
トとして、実験例7におけるオーバーコート用のペース
トと同様に着色材を添加したものを使用した。その後、
この上に上記のセラミックグリーンシート1aと同様に
して調製したグリーンシートを積層し、これを脱バイン
ダー処理し、焼成してセラミック回路基板を作製した
後、その断面を観察し、絶縁体皮膜3と抵抗体皮膜4の
厚さを計測した。その結果、それらの厚さはいずれも約
20%収縮していたが、厚さの比はダム3aと抵抗体塗
膜4aとの厚さの比1.54とほとんど同じであった。
尚、絶縁体皮膜の端面31と抵抗体皮膜の端面41とが
接触していることも確認された。
ば、抵抗体塗膜の滲みを絶縁体ペーストからなるダムに
よって抑え、抵抗体塗膜の所定寸法及び形状のばらつき
を大幅に抑制することができる。それによって、特に断
面の寸法精度の高い、微小面積の抵抗体皮膜を備えるセ
ラミック回路基板を得ることができる。これはセラミッ
ク回路基板の小型化及び歩留り向上にも大きく寄与する
ものである。また、第2発明のように、ダムの厚さを抵
抗体塗膜の厚さ以下とすることにより、更にはダムの厚
さを第3発明のように特定することにより、抵抗体塗膜
の滲みをより効果的に抑えることができる。
造方法によれば、抵抗体ペーストを印刷するに先立っ
て、絶縁体ペーストにより構成される一対のダムを設
け、このダムの間に抵抗体ペーストを印刷し、抵抗体塗
膜を設けることにより、特に断面の寸法精度の高い、微
小面積の抵抗体皮膜を備えるセラミック回路基板を製造
することができる。
後、ダムの間に抵抗体ペーストを印刷した場合の平面
図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(a)の
B−B断面図である。(b)及び(c)は、焼成後のセ
ラミック回路基板の断面図として代用することもでき
る。
体ペーストを印刷した場合の平面図、(b)は(a)の
A−A断面図、(c)は(a)のB−B断面図である。
(t1 )の好ましい範囲を、抵抗体の幅(w1 )との相
関で示すグラフである。
ト、2;導体皮膜、2a;導体塗膜、3;絶縁体皮膜、
31;絶縁体皮膜の端面、3a;ダム、31a;ダムの
端面、4;抵抗体皮膜、41;抵抗体皮膜の端面、4
a;抵抗体塗膜、41a;抵抗体塗膜の端面、5;オー
バーコート皮膜、5a;オーバーコート塗膜。
Claims (8)
- 【請求項1】 セラミックグリーンシート1aが焼成さ
れてなるセラミック基板1と、該セラミック基板1上に
一定の間隔をもって設けられた、導体ペーストからなる
一対の導体塗膜2aが焼成されてなる一対の導体皮膜2
と、該一対の導体皮膜2を連結するように一定の間隔を
もって設けられた、絶縁体ペーストからなる絶縁体塗膜
により構成される一対のダム3aが焼成されてなる一対
の絶縁体皮膜3と、該一対の絶縁体皮膜3の間に、上記
一対の導体皮膜2を連結するように設けられた、抵抗体
ペーストからなる抵抗体塗膜4aが焼成されてなる抵抗
体皮膜4と、からなり、 上記抵抗体皮膜4の、上記絶縁体皮膜3側の各端面41
は、上記一対の絶縁体皮膜3の各内側端面31と接触し
ていることを特徴とするセラミック回路基板。 - 【請求項2】 上記ダムの厚さが上記抵抗体塗膜の厚さ
以下である請求項1記載のセラミック回路基板。 - 【請求項3】 上記抵抗体塗膜の幅(W1 )が0.01
〜1.6mmの範囲において、上記抵抗体塗膜の厚さ
(tr1)と上記ダムの厚さ(td1)との比(t1 =tr1
/td1)が下記の式で表される範囲内である請求項1又
は2記載のセラミック回路基板。 1.3−0.4ln(W1 )≧t1 ≧1 - 【請求項4】 上記導体ペーストがAg、Pd、Pt及
びAuのうちの少なくとも1種の金属元素を含む請求項
1乃至3のいずれか1項に記載のセラミック回路基板。 - 【請求項5】 セラミック基板1と、該セラミック基板
1上に一定の間隔をもって形成された一対の導体皮膜2
と、該一対の導体皮膜2を連結するように一定の間隔を
もって設けられた一対の絶縁体皮膜3と、該一対の絶縁
体皮膜3の間に、上記一対の導体皮膜2を連結するよう
に設けられた抵抗体皮膜4と、からなり、 該抵抗体皮膜4の、上記絶縁体皮膜3側の各端面41
は、上記一対の絶縁体皮膜3の各内側端面31と接触し
ていることを特徴とするセラミック回路基板。 - 【請求項6】 上記抵抗体皮膜の幅(W2 )が0.01
〜1.6mmの範囲において、上記抵抗体皮膜の厚さ
(tr2)と上記絶縁体皮膜の厚さ(td2)との比(t2
=tr2/td2)が下記の式で表される範囲内である請求
項5記載のセラミック回路基板。 1.3−0.4ln(W2 )≧t2 ≧1 - 【請求項7】 セラミックグリーンシート1a上に、一
定の間隔をもって導体ペーストからなる一対の導体塗膜
2aを設け、その後、該一対の導体塗膜2aを連結する
ように、一定の間隔をもって絶縁体ペーストからなる絶
縁体塗膜により構成される一対のダム3aを設け、次い
で、該一対のダム3aの間に、抵抗体ペーストからなる
抵抗体塗膜4aを、上記一対の導体塗膜2aを連結する
ように、且つ上記抵抗体塗膜4aの、上記ダム3a側の
各端面41aが、上記ダム3aの各内側端面31aと接
触するように設け、その後、これらを一体焼成すること
を特徴とするセラミック回路基板の製造方法。 - 【請求項8】 上記抵抗体塗膜の幅(W1 )が0.01
〜1.6mmの範囲において、上記抵抗体塗膜の厚さ
(tr1)と上記ダムの厚さ(td1)との比(t1 =tr1
/td1)が下記の式で表される範囲内である請求項7記
載のセラミック回路基板の製造方法。 1.3−0.4ln(W1 )≧t1 ≧1
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JPH1075031A true JPH1075031A (ja) | 1998-03-17 |
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---|---|---|---|---|
EP1629509A2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-03-01 | Motorola, Inc. | Polymer thick film resistor, layout cell, and method |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP24862996A patent/JP3673032B2/ja not_active Expired - Fee Related
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