JPH1074949A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
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- JPH1074949A JPH1074949A JP23092496A JP23092496A JPH1074949A JP H1074949 A JPH1074949 A JP H1074949A JP 23092496 A JP23092496 A JP 23092496A JP 23092496 A JP23092496 A JP 23092496A JP H1074949 A JPH1074949 A JP H1074949A
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Abstract
樹脂塗膜を画素電極下の絶縁膜として用いる。 【解決手段】基板1上の能動素子マトリクス2上に塗
膜、その上に画素電極5を有するアクティブマトリクス
基板であって、前記塗膜を(a)親水性官能基を分子内
に有し、かつ溶剤に可溶なフッ素樹脂および(b)アル
コキシシラン類の部分加水分解縮合物を含むコーティン
グ用組成物により形成する。
Description
械的特性が改善されたフッ素樹脂塗膜を画素電極下の絶
縁膜、平坦化膜として用いたアクティブマトリクス基板
に関する。
屈折率、低誘電率という優れた特性を有するが、特に高
温域において機械的に柔らかい、すなわち弾性率が小さ
い、または熱膨張係数が大きいといった短所がある。
るためにコーティングによる均一な薄膜形成は困難であ
ったが、特開昭63−238111、特開昭63−26
0932、米国特許4754009に見られるように特
殊な含フッ素溶剤に溶解する主鎖に含フッ素脂肪族環構
造を有するフッ素樹脂が開発されている。その他にも特
開平2−48579、特開平7−76644に見られる
ように、カルボン酸基またはスルホン酸基を分子内に有
するフッ素樹脂が、アルコールなどの溶剤に溶解するこ
とが知られている。
素樹脂は、誘電率が小さい、吸水性がない、または金属
の膜中への拡散がないといった特徴を活かして、半導体
素子の保護膜用途への応用が欧州特許0393682
に、マルチ・チップ・モジュールなどの多層配線板の絶
縁膜用途への応用が特開平5−283827に記載され
ている。
化、高集積化、高密度化が進むにつれて、信号伝搬遅延
時間の短縮に寄与する誘電率の小さい絶縁材料が求めら
れている。半導体素子バッファーコート膜、半導体素子
パッシベーション膜、半導体素子層間絶縁膜、または多
層配線板層間絶縁膜として現在広く使われているのは、
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド樹脂など
であるが、誘電率はそれぞれ4〜5、7〜9、3.5〜
4程度であり、低誘電率化の検討が盛んであるが、誘電
率が3以下であるような材料はきわめてまれであり、本
質的に誘電率の小さいフッ素樹脂への期待は大きい。
クス表示素子においては、開口率向上のための画素電極
面積増大による画素電極と配線の間の容量増加を抑制す
るために、透明度が高く誘電率の低い絶縁膜が必要とさ
れている。また反射型アクティブマトリクス表示素子に
おいては、凹凸のある能動素子マトリクス上に反射率の
高い反射電極を形成するために、平坦化性能が良い絶縁
膜が必要とされ、この絶縁膜は反射電極電位の能動素子
への電気的影響を最小限にするため誘電率が低いことが
重要である。これらの絶縁膜としてフッ素樹脂は有望な
材料である。
は、その製造工程および実装工程において200〜35
0℃の高温に曝されるため、素子・配線の信頼性を維持
し、さらに反射型の場合は反射電極の反射率低下を防止
する観点から、フッ素樹脂の良好な電気特性を可能なか
ぎり保持しつつ、前述の機械的な短所の解決が求められ
ていた。
て、無機微粒子粉体を混合する方法が特開昭63−25
9907にて公知である。しかし、この方法では、無機
微粒子の一次粒径が0.1μm以下のものを製造するの
はきわめて困難であり、かつ一次粒径が小さなものを使
用したとしても、粒子同士の付着が起こりやすいため、
0.1μm〜数μm厚の均一な塗膜を得るのは実質上不
可能である。
脂に混合する方法として、含フッ素溶媒を用いた無機微
粒子のオルガノゾルをフッ素樹脂溶液に配合した溶液組
成物が、特開平7−112126にて公知である。しか
し、この方法では、均一な溶液を得るためにはオルガノ
ゾルの含フッ素表面処理剤での表面処理が必須であり、
かつ該表面処理を行っても、形成された塗膜においてフ
ッ素樹脂と無機成分の親和性が必ずしも充分でない。こ
のため、機械的強度が小さく、また無機成分が表面にブ
リードアウトすることがあるという問題があった。
において機械的に柔らかい、または熱膨張係数が大きい
といったフッ素樹脂の短所を改善し、かつ均一な塗膜を
形成できるようなコーティング用組成物を画素電極下層
の絶縁膜として用いた開口率の大きい透過型、反射率の
高い反射型アクティブマトリクス基板の提供を目的とす
る。
素子マトリクス上に塗膜、その上に画素電極を有するア
クティブマトリクス基板であって、前記塗膜が、以下の
(a)および(b)を含むコーティング用組成物により
形成された塗膜であるアクティブマトリクス基板であ
る。 (a)親水性官能基を分子内に有し、かつ溶剤に可溶な
フッ素樹脂。 (b)式R1 mR2 nSi(OR3 )4-m-n (式中R1 およ
びR2 は同一または相異なる非加水分解性基、R3 はア
ルキル基、mおよびnは0≦m+n≦3を満たす0〜3
の整数)で表されるアルコキシシラン類の部分加水分解
縮合物。
膜は、部分加水分解縮合物(b)の硬化物と樹脂(a)
とが均一に複合されたものである。
基としては、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、
アルコキシシリル基およびシラノール基などが例示さ
れ、特に水酸基、カルボキシル基が好ましい。本発明に
おける部分加水分解縮合物(b)との相溶性の観点よ
り、樹脂(a)中の親水性官能基の割合は、樹脂(a)
1グラム当たり1マイクロモル以上であることが好まし
い。
の(1)または(2)が好ましい。 (1)親水性官能基を分子内に有し、かつ主鎖に含フッ
素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂。 (2)親水性官能基を分子内に有し、かつ主鎖に含フッ
素脂肪族構造を有するフッ素樹脂。
ッ素脂肪族環構造を有するモノマーを重合して得られる
ものや、2つ以上の重合性二重結合を有する含フッ素モ
ノマーを環化重合して得られる主鎖に脂肪族環構造を有
するポリマーに親水性官能基を導入したものが挙げられ
る。
は、脂肪族環を構成する炭素原子の1以上が主鎖を構成
する炭素連鎖中の炭素原子であり、かつ脂肪族環を構成
する炭素原子の少なくとも一部にフッ素原子またはフッ
素含有基が結合している構造を有していることを意味す
る。
素モノマーを環化重合して得られる主鎖に脂肪族環構造
を有するフッ素樹脂は、特開昭63−238111、特
開昭63−238115、特開平7−316235など
にて公知である。すなわち、ペルフルオロ(アリルビニ
ルエーテル)、ペルフルオロ(ブテニルビニルエーテ
ル)、ペルフルオロ(ビスビニルオキシメタン)などの
モノマーを単独重合、またはこれらのモノマーとテトラ
フルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンなどのペ
ルフルオロオレフィン類、ペルフルオロ(ブチルビニル
エーテル)などのペルフルオロ(アルキルビニルエーテ
ル)類などのラジカル重合性モノマーとを共重合して得
られる。
重合して得られる主鎖に脂肪族環構造を有するフッ素樹
脂は、特公昭63−18964、特開平7−70107
などにて公知である。すなわち、ペルフルオロ(2,2
−ジメチル−1,3−ジオキソール)、2,2,4−ト
リフルオロ−5−トリフルオロメトキシ−1,3−ジオ
キソールなどの含フッ素環構造を有するモノマーを単独
重合、または、テトラフルオロエチレンなどのラジカル
重合性モノマーと共重合、して得られる。
1,3−ジオキソール)、2,2,4−トリフルオロ−
5−トリフルオロメトキシ−1,3−ジオキソールなど
の含フッ素脂肪族環構造を有するモノマーとペルフルオ
ロ(アリルビニルエーテル)、ペルフルオロ(ブテニル
ビニルエーテル)、ペルフルオロ(ビスビニルオキシメ
タン)などの2つ以上の重合性二重結合を有する含フッ
素モノマーを共重合して得られるフッ素樹脂でもよい。
素樹脂は、フッ素樹脂の繰り返し単位中に含フッ素脂肪
族環構造を20モル%以上含有するものが透明性、機械
的特性などの面から好ましい。
基の導入方法としては、以下の1)〜7)の方法が好ま
しい。
基、またはこれらの前駆体基、例えばアシル基を有する
開始剤または連鎖移動剤の存在下で重合を行うことによ
り、フッ素樹脂の末端基にカルボキシル基を導入する方
法。
たはこれらの前駆体基を有する開始剤または連鎖移動剤
の存在下で重合を行うことにより、フッ素樹脂の末端に
スルホン酸基を導入する方法。
することにより、フッ素樹脂の側鎖、または末端を酸化
分解させ、ついでこれを水処理してカルボキシル基を導
入する方法。
6−ヘプテノエート)などのカルボン酸誘導体基を有す
るモノマーを共重合させてフッ素樹脂の側鎖にカルボン
酸誘導体基を導入し、このカルボン酸誘導体基を加水分
解してカルボキシル基に、このカルボン酸誘導体基を還
元して水酸基にする方法。
−メチル−7−オクテンスルフィニル)フルオリドなど
のスルホン酸誘導体基を有するモノマーを共重合させて
フッ素樹脂の側鎖にスルホン酸誘導体基を導入し、この
スルホン酸誘導体基を加水分解してスルホン酸基に変換
する方法。
換する方法。
カップリング剤などを反応させてアルコキシシリル基ま
たはシラノール基を導入する方法。
ル ペルフルオロ(5−オキサ−6−ヘプテノエー
ト)、ペルフルオロ(3,5−ジオキサ−4−メチル−
7−オクテンスルフィニル)フルオリドなどのカルボン
酸誘導体基またはスルホン酸誘導体基を有するモノマー
とテトラフルオロエチレンとの共重合体、または、エチ
レン、ヘキサフルオロプロピレン、ペルフルオロ(アル
キルビニルエーテル)などから選ばれるモノマーと上記
カルボン酸誘導体基またはスルホン酸誘導体基を有する
モノマーとの共重合体が挙げられる。
主鎖を構成する炭素連鎖中の炭素原子は脂肪族環を構成
する炭素原子を含まず、かつ炭素連鎖中の炭素原子の少
なくとも一部にフッ素原子またはフッ素含有基が結合し
ている構造を有していることを意味する。
誘導体基またはスルホン酸誘導体基を利用して、前述の
官能基の導入方法4)〜7)と同様にしてカルボキシル
基、水酸基、アルコキシシリル基、シラノール基などを
導入できる。
上記親水性官能基を分子内に有し、かつ溶剤に可溶であ
るフッ素樹脂(a)と、式R1 mR2 nSi(OR3 )
4-m-n (式中R1 およびR2 は同一または相異なる非加
水分解性基、R3 はアルキル基、mおよびnは0≦m+
n≦3を満たす0〜3の整数)で表されるアルコキシシ
ラン類の部分加水分解縮合物(b)を必須成分とする。
易性から炭素数1〜14の非加水分解性基から選ばれ
る。非加水分解性基は、アミノ基、エポキシ基などの官
能基を有していてもよい。
官能基を有しないものが好ましく、R1 とR2 が異なる
場合には、R1 はエポキシ基、アミノ基などの官能基を
有するものまたは含フッ素アルキル基であり、R2 はR
1 以外の基であることが好ましい。
シプロピル基、γ−アミノプロピル基、アミノフェニル
基、N−フェニル−γ−アミノプロピル基などの官能基
を有する有機基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基などのアルキル基、ビニル基などのアルケニル
基、フェニル基、トリル基などのアリール基、トリフル
オロメチル基、トリフルオロプロピル基、ペンタフルオ
ロブチル基、ノナフルオロヘキシル基、トリデカフルオ
ロオクチル基、ヘプタデカフルオロデシル基、ヘプタデ
カフルオロウンデシル基などの含フッ素アルキル基など
が好ましい。
と水素原子を有する含フッ素アルキル基は、3,3,3
−トリフルオロプロピル基のようにアルキル基末端にペ
ルフルオロアルキル基を有するものが化合物の入手の容
易性から好ましい。したがって、後述の含フッ素アルコ
キシシラン類中の含フッ素アルキル基はこのような含フ
ッ素アルキル基から選ぶことが好ましい。
炭素数1〜8のアルキル基が好ましい。さらに好ましく
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
炭素数1〜4のアルキル基である。
は、式中m=n=0、m+n=1、m+n=2およびm
+n=3であるものから選ばれる1種のみからなる部分
加水分解縮合物でもよく、これらから選ばれる2種以上
からなる部分加水分解縮合物でもよい。
コキシシラン類は、分子内に加水分解基を1つしか有し
ておらず、単独では部分加水分解縮合物を形成しえな
い。したがってm+n=3であるアルコキシシラン類
は、溶液中でのアルコキシシラン類の部分加水分解縮合
物の過剰な反応を抑制するなどの目的で、m=n=0、
m+n=1またはm+n=2のアルコキシシラン類と併
用される。m+n=3であるアルコキシシラン類は、全
アルコキシシラン類に対して10モル%以下であること
が望ましい。
分加水分解縮合物は、直鎖状の縮合物を形成し、三次元
構造を取りえないため、樹脂の高温での機械特性を改良
する効果があまりない。したがってm+n=2のアルコ
キシシラン類は、m=n=0、m+n=1のアルコキシ
シラン類と併用されるのが好ましい。m+n=2である
アルコキシシラン類は、全アルコキシシラン類に対して
30モル%以下であることが望ましい。
例を以下に示す。これらのアルコキシシラン類は、単独
で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
ラン、テトラプロポキシシランなどのテトラアルコキシ
シラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエト
キシシラン、フェニルトリメトキシシランなどのモノア
ルキルトリアルコキシシラン類、ビニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリエトキシシランなどのモノアルケニル
トリアルコキシシラン類、トリフルオロメチルトリメト
キシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラ
ン、ペンタフルオロブチルトリメトキシシラン、ノナフ
ルオロヘキシルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ
オクチルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシ
ルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチ
ルジメトキシシラン、ヘプタデカフルオロウンデシルト
リメトキシシラン、(4−ペルフルオロブチルフェニ
ル)トリメトキシシラン、(4−ペルフルオロヘキシル
フェニル)トリメトキシシラン、(4−ペルフルオロオ
クチルフェニル)トリメトキシシランなどの含フッ素ア
ルコキシシラン類、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ランなどのエポキシシラン類、γ−アミノプロピルメチ
ルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランなどの脂肪族アミノシラン類、アミノフェニルト
リメトキシシラン、アミノフェニルトリエトキシシラ
ン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ランなどの含芳香環アミノシラン類。
素アルコキシシラン類はフッ素樹脂との相溶性が高く、
また、テトラアルコキシシラン類は、加水分解縮合反応
が完全に行われれば無機化することから、高温での機械
強度の改善に特に適する。
は、前述の式で表されるアルコキシシラン類のR1 およ
びR2 から選ばれる少なくとも一つの基にフッ素原子が
結合した化合物を意味する。
公知の方法により行いうる。例えば、アルコキシシラン
類を溶剤および触媒の存在下に水を添加して加水分解縮
合反応させる方法がある。この場合、必要に応じて加熱
を行ってもよい。触媒としては塩酸、硝酸、硫酸などの
無機酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸などの有機酸が使用でき
る。通常、生成物の分子量をポリスチレン換算重量平均
分子量で500〜10000の範囲に設定するのが、樹
脂との相溶性、後述する溶剤への溶解性の観点から好ま
しい。ついで必要に応じて系内に存在する水を蒸留など
により除去し、さらに触媒をイオン交換樹脂などで除去
してもよい。
解縮合物(b)の混合溶液を調製するに当たり、溶剤と
してこれらを同時に溶解するものを選択することが重要
である。
素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂である場合、たとえ
ば特開平7−112126に記載のような、非プロトン
性含フッ素溶剤とプロトン性含フッ素溶剤の混合物が例
示される。ここで特徴的なことは、主鎖に含フッ素脂肪
族環構造を有するフッ素樹脂は非プロトン性フッ素溶剤
には溶解するが、プロトン性含フッ素溶剤には溶解せ
ず、逆に部分加水分解縮合物(b)は、プロトン性含フ
ッ素溶剤には溶解するが、非プロトン性含フッ素溶剤に
は溶解しない場合があり、したがって混合溶剤にするこ
とにより両者を同時に溶解するという点である。
応条件下では解離せずプロトンを生じない含フッ素溶剤
であり、公知、周知のものが使用できる。非プロトン性
含フッ素溶剤としては以下のものが例示される。これら
を2種以上混合して使用してもよい。
タン、1H,1H,1H,2H,2H−ペルフルオロオ
クタン[F(CF2 )6 C2 H5 ]、1H,1H,1
H,2H,2H−ペルフルオロデカン[F(CF2 )8
C2 H5 ]などの含フッ素脂肪族炭化水素類、ペルフル
オロデカリン、ペルフルオロシクロヘキサン、ペルフル
オロ(1,2−ジメチルシクロブタン)などの含フッ素
脂環式炭化水素類、ペルフルオロトリペンチルアミン、
ペルフルオロトリブチルアミン、ペルフルオロトリプロ
ピルアミンなどの含フッ素アルキルアミン類、HCF2
CF2 OCH2 CF3 などのフルオロエーテル類、ペル
フルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)などの含フ
ッ素環状エーテル。
トンを生じやすい含フッ素溶剤であり、公知、周知のも
のが使用できる。プロトン性含フッ素溶剤としては以下
のものが好適に例示される。これらを2種以上併用して
もよい。
H、CF3 (CF2 )3 CH2 CH2 OH、CF3 (C
F2 )5 CH2 CH2 OH、CF3 CF2 CH2 CH2
CH2 OH、CF3 (CF2 )3 CH2 CH2 CH2 O
Hなどの含フッ素アルコール。
フッ素溶剤の混合比は、フッ素樹脂と部分加水分解縮合
物との両者が溶解するように選定する。フッ素樹脂中に
官能基を有するため、溶液中でのフッ素樹脂と部分加水
分解縮合物との相溶性が高く、両者の均一な溶液が得ら
れるのが特徴である。
縮合物が含フッ素アルコキシシラン類の部分加水分解縮
合物を含有する場合、その組成によっては非プロトン性
含フッ素溶剤に溶解するので、その場合プロトン性含フ
ッ素溶剤の添加は必要ないか、あるいはごく少量の添加
で均一な混合溶液を作成できる。
脂肪族構造を有するフッ素樹脂の場合、特開平2−48
579に記載のようなアルコール類、ケトン類、有機酸
類、アルデヒド類、アミン類などの親水性有機溶剤と水
の混合溶剤、または特開平7−76644に記載のよう
な含酸素炭化水素溶剤および含フッ素化合物溶剤の混合
溶剤が例示される。
ル、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアル
コール類、エチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類が挙げ
られる。含フッ素化合物溶剤としては、前述の非プロト
ン性含フッ素溶剤、プロトン性含フッ素溶剤などが挙げ
られる。
の混合溶液の調製方法は、結果として均一な溶液が作成
できれば特に制限はなく、次の(1)〜(3)の方法が
例示される。
と、樹脂(a)の溶液とをあらかじめ別途調製し、両者
を混合する方法。この場合、部分加水分解縮合物(b)
の溶液は、樹脂(a)の溶液と相溶する溶剤中で直接作
成する場合と、樹脂(a)の溶液と相溶しない溶剤中で
合成した後に、公知の溶剤置換法により相溶性のある溶
剤の溶液とする場合がある。後者は、樹脂(a)の溶液
と相溶する溶剤中ではアルコキシシラン類の加水分解縮
合反応が充分に進行しない場合、あるいは縮合物の重合
度を制御しにくい場合などに用いられる。
調製した樹脂(a)の溶液に溶解させ、その溶液中で部
分加水分解縮合反応を行う方法。
あらかじめ調製し、そこに樹脂(a)を添加して溶解せ
しめる方法。
の組成比は、目的に合わせて任意の割合に設定でき、通
常、樹脂(a)100重量部に対して部分加水分解縮合
物(b)を3〜400重量部、特には10〜150重量
部、配合するのが好ましい。部分加水分解縮合物(b)
の割合が少なすぎると、機械物性が充分に改善できず、
多すぎると樹脂が本来有する電気特性、低吸水性といっ
た特性を損なう恐れがある。
混合溶液は、長期保存中に液の増粘が起こるなどポット
ライフが悪い場合がある。このような場合、液中にアル
コキシシラン類の単量体を共存させておくと改善される
傾向にあり、ポットライフ向上の方法として好ましく採
用される。
合計した溶液中での固形分濃度は、それが溶解する範囲
で、所望の溶液粘度またはコーティング膜の膜厚などの
観点から適宜選択すればよい。たとえば、膜厚0.1〜
5μmのコーティング膜をスピンコート法にて得ようと
する場合、一般には固形分濃度を1〜15重量%に設定
すればよい。
に応じて接着性向上剤、界面活性剤などの添加剤を配合
できる。特に樹脂(a)中の親水性官能基と反応しうる
カップリング剤を添加すると、下地との密着性が向上す
る、または塗膜強度が向上するなどの効果が得られる。
加水分解性基[部分加水分解縮合物(b)と反応可能な
部位]と非加水分解性基を有するケイ素系化合物、チタ
ン系化合物、アルミニウム系化合物などの化合物であっ
て、かつ樹脂(a)の官能基と反応可能な部位を持つ化
合物を意味する。
原子、チタン原子、アルミニウム原子などに結合してい
る。少なくとも1つの非加水分解性基は、樹脂(a)の
親水性官能基と反応可能な部位を有する。
ルコキシアルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキ
シ基、アミノキシ基、アミド基、ケトオキシム基、イソ
シアネート基、ハロゲン原子などが例示される。好まし
くはアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基などの1価
アルコールの水酸基の水素原子を除いた基である。特に
アルコキシ基が好ましく、その炭素数は8個以下、特に
1〜4個が好ましい。樹脂(a)の官能基と反応可能な
部位としては、アミノ基、エポキシ基などが好ましく、
これらの基は、通常上記非加水分解性基中に有する。
ップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニ
ウム系カップリング剤などが好ましく、特にシランカッ
プリング剤がより好ましい。このシラン系カップリング
剤は、部分加水分解縮合物ではない点で本発明のコーテ
ィング用組成物中の(b)成分とは異なる。
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシランなどのエポキシシラン、
γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランなどの脂肪族アミノシラ
ン類、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェ
ニルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランなどの含芳香環アミノシラン
類などが好ましい。特に含芳香環アミノシラン類は耐熱
性が高く、好適に採用される。
上に塗膜を形成する方法としては、溶剤を含む本発明の
コーティング用組成物を物品に塗布した後に、加熱乾燥
して溶剤を揮発させる方法が好ましく採用される。この
際、下地との充分な密着性を確保するために、下地表面
を接着性向上剤で処理してもよい。
ト法、ディッピング法、ポッティング法、ダイコート
法、スプレーコート法などが例示され、コーティング対
象である物品の形状、必要膜厚などから適宜選択すれば
よい。本組成物を、アクティブマトリクス基板に適用す
る場合、膜厚の面内分布の均一性からスピンコート法が
好ましい。多層配線板層間絶縁膜に適用する場合、スピ
ンコート法とともに、より高い液歩留りである方法とし
て、ダイコート法が好ましい。
せ、かつ部分加水分解縮合物(b)を硬化させるために
塗布後のベーク工程を要する。ベーク条件は、塗膜厚な
どにより適宜選択すればよく、充分な硬化反応のために
は通常200〜450℃の最終ベークが必要である。塗
膜の表面平滑性を確保する、または塗膜の段差埋め込み
性を向上させるなどの目的で、50〜100℃程度のプ
リベーク工程を追加したり、ベーク工程を何段階かに分
けて実施することもできる。
塗膜と他の膜を複合化させて使用できる。たとえば、本
組成物より形成した膜の下層にシリコン窒化膜等のパッ
シベーション膜が形成される場合がある。また、本組成
物より形成した塗膜にコンタクトホール等のパターニン
グを施すために塗膜上に形成したフォトレジストなどを
そのまま平坦化膜の一部として利用することもできる。
機膜を形成する際に、その界面での密着性を向上させる
目的で、あらかじめ本組成物より形成した塗膜をエネル
ギー線で処理することにより表面を活性化させた後に、
無機膜を形成してもよい。エネルギー線処理としては光
を含む広義の意味での電磁波の利用による処理、すなわ
ちレーザ光照射、マイクロ波照射、または電子線を利用
する処理、すなわち電子線照射、グロー放電処理、コロ
ナ放電処理、プラズマ処理などの処理が例示される。
しうる好適な処理方法としては、レーザ光照射、コロナ
放電処理、プラズマ処理が例示される。プラズマ処理が
半導体素子に与えるダメージが小さく、望ましい。
所望のガスを導入でき、電場を印加できるものであれば
特に制限はなく、市販のバレル型、平行平板型のプラズ
マ発生装置を適宜使用できる。
面を有効に活性化するものであれば特に制限はなく、ア
ルゴン、ヘリウム、窒素、酸素、またはこれらの混合ガ
スなどが例示される。さらには、有効に本組成物より形
成した塗膜の表面を活性化させ、このときに膜減りもほ
とんどないガスとして、窒素と酸素の混合ガスおよび窒
素ガスが好ましく例示される。
の際のエッチング方法としては、ウェットエッチング
法、ドライエッチング法など公知、周知の方法が適用で
き、特にCF4 などの含フッ素炭化水素系のガスまたは
O2 を用いたプラズマドライエッチング法が好適であ
る。
レーナ構造、逆スタガ構造、順スタガ構造などのTFT
(薄膜トランジスタ)、FET(電界効果トランジス
タ)、ダイオード、バリスタ、などの素子を意味する。
絶縁膜として適用することにより、低誘電率、高絶縁耐
圧といった優れた電気特性による画素電極電位の能動素
子への電気的影響の低減などの高性能化を達成でき、か
つ高温域における優れた機械物性により液晶等の表示素
子形成後も透過型の場合は透過率を、反射型の場合は反
射電極である画素電極の反射率を高く維持できる。
テル)35g、イオン交換水150g、メタノール20
gおよび重合開始剤として((CH3 )2 CHOCO
O)2 90mgを、内容積200ccの耐圧ガラス製
オートクレーブに入れ、系内を3回窒素で置換した後、
40℃で22時間懸濁重合を行って環化重合ポリマー
(以下、ポリマーAという)を28g得た。
オロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)中30℃で0.
2dl/gであった。さらに、ポリマーAを空気中30
0℃で3時間熱処理した後に、水中に浸漬してポリマー
(以下、ポリマーBという)を得た。
シル基に帰属されるピークが確認され、カルボシル基量
は、0.03ミリモル/gポリマーであった。さらにポ
リマーBを水素化ホウ素ナトリウム存在下、ジクロロペ
ンタフルオロエタン/1−プロパノール中に浸漬して、
5時間還流させた後に、洗浄、乾燥を行い、ポリマー
(以下、ポリマーCという)を得た。ポリマーCのIR
スペクトルには水酸基に帰属されるピークが確認され
た。
ルビニルエーテル)40g、メチル ペルフルオロ(5
−オキサ−6−ヘプテノエート)1.6g、イオン交換
水150gおよび重合開始剤として((CH3 )2 CH
OCOO)2 90mgを、内容積200ccの耐圧ガ
ラス製オートクレーブに入れ、系内を3回窒素で置換し
た後、40℃で24時間懸濁重合を行い、ポリマーを3
0g得た。
ルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)中30℃で
0.34dl/gであった。さらに、このポリマーのメ
チルエステル基を、周知の方法で加水分解させ、0.1
2ミリモル/gポリマーのカルボキシル基を有するポリ
マー(以下、ポリマーDという)を得た。
−ジメチル−1,3−ジオキソール)、ペルフルオロ
(ブテニルビニルエーテル)とメチル ペルフルオロ
(5−オキサ−6−ヘプテノエート)をラジカル共重合
し、ガラス転移温度160℃のポリマーを得た。このポ
リマーの固有粘度[η]は、ペルフルオロ(2−ブチル
テトラヒドロフラン)中30℃で0.43dl/gであ
った。このポリマーを例2と同様に加水分解し、0.1
5ミリモル/gポリマーのカルボキシル基を有するポリ
マー(以下、ポリマーEという)を得た。
ンとメチル ペルフルオロ(5−オキサ−6−ヘプテノ
エート)を((CH3 )2 CHOCOO)2 を開始剤と
して、40℃、7.0kg/cm2 の条件でバルク重合
させて得られた共重合体を加水分解し、1.3ミリモル
/gポリマーのカルボキシル基を有するポリマー(以
下、ポリマーFという)を得た。
メトキシシランおよびメチルトリメトキシシランをモル
比1:1の割合で、F(CF2 )4 CH2 CH2 OH中
に溶解させ、さらに塩酸を加えた後に70℃で5時間反
応させた。ついで反応液をイオン交換樹脂塔を通過させ
て塩酸を除去し、部分加水分解縮合物の溶液(以下、溶
液Xという)を得た。溶液Xの固形分濃度は15重量%
であった。
(CF2 )4 CH2 CH2 OHのかわりにF(CF2 )
6CH2 CH2 OHを用いた以外は例5と同様にして、
部分加水分解縮合物の溶液(以下、溶液Yという)を得
た。溶液Yの固形分濃度は15重量%であった。
(CF2 )4 CH2 CH2 OHのかわりにCF3 CF2
CH2 OHを用いた以外は例5と同様にして、部分加水
分解縮合物の溶液(以下、溶液Zという)を得た。溶液
Zの固形分濃度は15重量%であった。
考例)、例10(比較参考例)、例18〜19(比較参
考例)」例1〜4で得られたポリマーA、B、C、D、
EおよびFと、例5〜7で得られたアルコキシシランの
部分加水分解縮合物の溶液X、YおよびZと、表1に示
す化合物を用いて表2に示す組成の溶液を調製した。な
お、表2において、溶剤の組成比は重量比を、縮合物の
量、MTESの量およびAPMSの量はポリマー固形分
100重量部に対する重量部を示し、すべての組成物は
ポリマー濃度が3重量%となるように調製した。
(A)の評価を行った。一方、組成物溶液よりキャスト
法にて塗膜を形成し、下記(B)〜(D)の評価を行っ
た。これらの結果を表3に示す。なお、ベークは100
℃で2時間、ついで200℃で1時間、ついで350℃
で1時間の条件で行った。
ル・メカニカル・アナリシス)法により、室温および2
00℃における弾性率(単位:MPa)と、室温から1
00℃までの間での線膨張係数(単位:ppm/℃)を
測定した。 (D)比誘電率;キャパシタンス測定により、周波数1
00MHzでの値を求めた。
説明する。オフセットゲートコプレーナ構造多結晶シリ
コンTFT2を画素駆動素子として用いたアクティブマ
トリクス基板1上に、例13で得られた組成物溶液を、
スピンコーターで塗布し、100℃で1時間、ついで2
50℃で1時間、ついで300℃で1時間のベークを行
い、厚さ1.5μmの塗膜4を形成した。
トレジスト(東京応化製OFPR800)を塗布、露
光、現像しコンタクトホールのパターンを形成した。C
F4 /O2 プラズマにより塗布膜をドライエッチし、フ
ォトレジストを剥離液(東京応化製502A)により剥
離した後、スパッタリング法により0.1μm厚のIT
O(In2 O3 −SnO2 )膜を形成し、パターニング
し画素電極5とした。ITO膜のエッチングは塩酸、塩
化第二鉄の混合液により行った。
電極5を配線3上に重ねても形成される容量は充分小さ
く、駆動上問題にならなかった。したがって画素電極5
を最大限大きくでき、開口率の高い液晶表示装置を形成
できた。続いて、CF4 /O2 プラズマによりダメージ
を受けたTFTの電気特性回復のために大気雰囲気下3
00℃で60分ベークを行った。良好なTFT特性を得
た。このアクティブマトリクス基板を用いて、液晶表示
装置を形成し、良好な画像が得られた。
説明する。オフセットゲートコプレーナ構造多結晶シリ
コンTFT2を画素駆動素子として用いたアクティブマ
トリクス基板1上に、例13で得られた組成物溶液を、
スピンコーターで塗布し、100℃で1時間、ついで2
50℃で1時間、ついで300℃で1時間のベークを行
い、厚さ3.0μmの塗膜4を形成した。塗膜4によ
り、TFT2および配線3による段差を平坦化した。
トレジスト(東京応化製OFPR800)を塗布、露
光、現像しコンタクトホールのパターンを形成した。C
F4 /O2 プラズマにより塗布膜をドライエッチし、フ
ォトレジストを剥離液(東京応化製502A)により剥
離した後、スパッタリング法により0.4μm厚のアル
ミニウム膜を形成し、パターニングし反射電極6とし
た。アルミニウム膜のエッチングは硝酸、酢酸、リン酸
の混合液により行った。続いて、CF4 /O2 プラズマ
によりダメージを受けたTFTの電気特性回復のために
大気雰囲気下300℃で60分ベークを行った。
の形成前後のTFT特性を比較した結果を表4に示す。
反射電極の電位はアース電位として、最も影響が大きく
現れる時のTFT特性を測定した。
組成物溶液を、例17で得られたもの(例22)または
例18で得られたもの(例23)に変更した以外は例2
1と同様の評価を行った。結果を表4に示す。
リクス基板の画素電極下の絶縁膜、平坦化膜としてコー
ティングすることにより、高温域における機械物性が、
通常のフッ素樹脂に比べて著しく改善され、かつ均一な
塗膜を得ることができ、高温に曝された場合の信頼性が
大幅に向上する。
誘電率により画素電極・配線間の容量を小さくでき、画
素電極を配線上に重ねることにより開口率が増大し、明
るい表示素子を形成できる。反射型表示素子に適用する
場合、その低い誘電率により反射電極・配線間の容量を
小さくできることに加え、反射電極を能動素子上に重ね
ても反射電極電位の能動素子への電気的影響を小さくで
き、明るい表示素子を形成・駆動できる。透過型、反射
型ともに、画素電極下の絶縁膜・平坦化膜は製造工程お
よび実装工程での加熱工程に充分耐えうるため、信頼性
を低下させることがない。
の一部断面図
の一部断面図
膜) 5:画素電極(透明電極) 6:画素電極(反射電極)
Claims (5)
- 【請求項1】基板上の能動素子マトリクス上に塗膜、そ
の上に画素電極を有するアクティブマトリクス基板であ
って、前記塗膜が、以下の(a)および(b)を含むコ
ーティング用組成物により形成された塗膜であるアクテ
ィブマトリクス基板。 (a)親水性官能基を分子内に有し、かつ溶剤に可溶な
フッ素樹脂。 (b)式R1 mR2 nSi(OR3 )4-m-n (式中R1 およ
びR2 は同一または相異なる非加水分解性基、R3 はア
ルキル基、mおよびnは0≦m+n≦3を満たす0〜3
の整数)で表されるアルコキシシラン類の部分加水分解
縮合物。 - 【請求項2】コーティング用組成物が、樹脂(a)10
0重量部に対し部分加水分解縮合物(b)3〜400重
量部の割合で(a)および(b)を含む請求項1のアク
ティブマトリクス基板。 - 【請求項3】画素電極が反射電極である請求項1または
2のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項4】樹脂(a)が、親水性官能基を分子内に有
し、かつ主鎖に含フッ素脂肪族環構造または含フッ素脂
肪族構造を有するフッ素樹脂である請求項1、2または
3のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項5】樹脂(a)中の親水性官能基の割合が、樹
脂(a)1グラム当たり1マイクロモル以上である請求
項1、2、3または4のアクティブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23092496A JP3801271B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | アクティブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23092496A JP3801271B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | アクティブマトリクス基板 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1074949A true JPH1074949A (ja) | 1998-03-17 |
JP3801271B2 JP3801271B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=16915423
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007128946A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | 有機トランジスタおよびその製造方法 |
KR100996933B1 (ko) * | 2005-10-03 | 2010-11-29 | 가부시키가이샤 리코 | 트랜지스터 소자, 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2015015370A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜の形成方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23092496A patent/JP3801271B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007128946A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | 有機トランジスタおよびその製造方法 |
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